技術(shù)編號：11563226
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及X射線平板探測器裝置領(lǐng)域，特別是涉及一種增強(qiáng)平板探測器接地和EMI屏蔽效果的結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)隨著微電子技術(shù)的不斷發(fā)展，基于TFT陣列裝置的X射線數(shù)字探測器的應(yīng)用越來越廣泛?；赥FT的平板系統(tǒng)的電荷收集和讀出電子元件緊貼與X射線發(fā)生交互作用的材料層，使X光的探測器的結(jié)構(gòu)緊湊，并能實(shí)時(shí)轉(zhuǎn)化為數(shù)字影像，因此X射線平板探測器廣泛應(yīng)用于醫(yī)療成像，工業(yè)探傷和安檢等領(lǐng)域。X射線平板探測器的成像過程需要經(jīng)歷X射線到可見光，然后電荷圖像到數(shù)字圖像的成像轉(zhuǎn)換過程，通常也被稱作間接轉(zhuǎn)換型平板探測器，是一...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。