本發(fā)明涉及陶瓷基板開孔技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陶瓷基板上加工導(dǎo)電通道的方法。

背景技術(shù)：

陶瓷基板是指銅箔在高溫下直接鍵合到氧化鋁或氮化鋁陶瓷基片表面上的特殊工藝板，可在銅箔上刻蝕出電路圖，在多層陶瓷基板上一般要開設(shè)導(dǎo)電通孔實(shí)現(xiàn)各層陶瓷基板之間的電氣或者信號連接。目前，國內(nèi)外對陶瓷基板打孔通常使用機(jī)械鉆孔或激光打孔然后在孔內(nèi)填充導(dǎo)電介質(zhì)的方法。由于陶瓷基板易脆，因此采用機(jī)械鉆孔打孔方法容易使陶瓷基板碎裂。2015年03月25日中國專利申請公布號cn104439724a公開了一種陶瓷基板上加工導(dǎo)電通道的方法，包括以下步驟：

清洗，對待加工的陶瓷基板進(jìn)行清洗，除去該陶瓷基板表面的雜質(zhì)和污垢，該陶瓷基板選用在被激光輻照下會在與激光接觸的表面形成金屬導(dǎo)電層的陶瓷基板；

激光打孔，在陶瓷基板上利用激光加工出若干導(dǎo)通孔，在該導(dǎo)通孔內(nèi)壁形成有金屬導(dǎo)電層，帶金屬導(dǎo)電層的導(dǎo)通孔形成導(dǎo)電通道；

激光除溶渣，利用激光掃描陶瓷基板的表面，除去陶瓷基板表面產(chǎn)生的溶渣，陶瓷基板的表面在被激光掃描的過程中形成導(dǎo)電金屬層，該導(dǎo)電金屬層將各個導(dǎo)通孔連接導(dǎo)通。

上述發(fā)明在打孔的過程中在孔壁形成金屬導(dǎo)電層，使得該孔直接形成導(dǎo)電通道。但是本發(fā)明人在實(shí)際使用過程中發(fā)現(xiàn)，陶瓷基板在激光打?qū)щ娡ǖ肋^程中產(chǎn)生的熔渣由于攜帶高熱量，熔渣飛濺到陶瓷基板上位于導(dǎo)電通道以外的其他位置，會使該部分陶瓷基板產(chǎn)生高溫，進(jìn)而與空氣接觸氧化而發(fā)黃，影響陶瓷基板美觀度。并且激光除溶渣時陶瓷基板表面也會融化產(chǎn)生新的熔渣。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，針對上述的問題，本發(fā)明提出一種陶瓷基板上加工導(dǎo)電通道的方法，解決了現(xiàn)有的陶瓷基板在利用激光打?qū)щ娡ǖ罆r，陶瓷表面產(chǎn)生熔渣，且熔渣飛濺到陶瓷基板上位于導(dǎo)電通道以外的其他位置，會使該部分陶瓷基板產(chǎn)生高溫，進(jìn)而與空氣發(fā)生氧化反應(yīng)而發(fā)黃，影響陶瓷基板美觀度問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案：一種陶瓷基板上加工導(dǎo)電通道的方法，陶瓷基板采用被激光照射下會在與激光接觸的表面形成金屬導(dǎo)電層的陶瓷基板，包括以下步驟：

步驟一，清洗，將陶瓷基板放置在超聲波清洗機(jī)內(nèi)清洗，除去陶瓷基板上下表面的污垢，然后放到烘干機(jī)里快速烘干；

步驟二，配制隔離涂液，將偶氮玉紅粉末和水按體積比例1:1調(diào)配成隔離涂液；

步驟三，生成隔離層，將隔離涂液分別涂覆在陶瓷基板的上下表面，再放到烘干機(jī)里快速烘干隔離涂液形成隔離涂層；

步驟四，安裝陶瓷基板和激光器，將陶瓷基板水平放置，激光器的光軸與陶瓷基板表面垂直設(shè)置，且激光器的激光發(fā)射鏡頭對準(zhǔn)陶瓷基板上需要打?qū)щ娡椎奈恢茫?/p>

步驟五，設(shè)置激光器的激光模式、激光輸出方式、電壓參數(shù)以及電流參數(shù)；

步驟六，激光打孔，啟動激光器在陶瓷基板上加工導(dǎo)電通道，在激光作用下，陶瓷因?yàn)楦邷匦纬蓳]發(fā)物在周圍的空氣中遇冷會在導(dǎo)電通道的周圍形成大量的細(xì)小熔渣。

步驟七，待加工完導(dǎo)電通道后，將覆銅箔氮化鋁陶瓷基板放置在超聲波清洗機(jī)內(nèi)清洗，除去隔離涂層以及步驟六中產(chǎn)生的熔渣，然后放到烘干機(jī)里烘干；

進(jìn)一步的，步驟三中，陶瓷基板上下表面涂覆的隔離涂液厚度為30～50μm。

進(jìn)一步的，在完成上述步驟七后，將在陶瓷基板的上下表面涂覆阻焊油墨，再放到烘干機(jī)了烘干。

進(jìn)一步的，所述烘干機(jī)設(shè)定的烘干溫度為70～150℃，烘干的時間設(shè)定為3～5min。

進(jìn)一步的，所述激光器采用二氧化碳激光器，所述二氧化碳激光器的激光模式選擇tem00模，激光輸出方式采用脈沖輸出。

更進(jìn)一步的，所述二氧化碳激光器脈沖輸出的頻率設(shè)置為0.5～1mhz。

通過采用前述技術(shù)方案，本發(fā)明的有益效果是：在激光作用下，陶瓷因?yàn)楦邷匦纬蓳]發(fā)物在周圍的空氣中遇冷會在導(dǎo)電通道的周圍形成大量的帶有高熱量的細(xì)小熔渣，熔渣中含有金屬鋁，本發(fā)明采用在陶瓷基板上覆涂隔離涂層，該隔離涂層呈酸性，不與鋁發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，且隔離涂層隔離了空氣，使位于導(dǎo)電通道位置外陶瓷基板在高溫下不與空氣發(fā)生氧化反應(yīng)；隔離涂層是由偶氮玉紅粉末和水按體積比例1:1調(diào)配成隔離涂液后烘干制成，易溶于水，方便清洗；進(jìn)一步的，將加工完導(dǎo)電通道的陶瓷基板的上下表面涂覆阻焊油墨，防止陶瓷基板氧化；進(jìn)一步的，烘干機(jī)設(shè)定的烘干溫度為70～150℃，使陶瓷基板快速烘干；進(jìn)一步的，二氧化碳激光器采用tem00模的激光可以獲得最小的光斑直徑，從而獲得更快的加工速度；二氧化碳激光器脈沖輸出的頻率設(shè)置為0.5～1mhz，加快加工導(dǎo)電通道的速度，并且使激光切口更平整。

具體實(shí)施方式

本實(shí)施例提供一種陶瓷基板上加工導(dǎo)電通孔的方法，陶瓷基板采用氮化鋁基板，激光器采用二氧化碳激光器，包括以下步驟：

步驟一，清洗，將氮化鋁陶瓷基板放置在超聲波清洗機(jī)內(nèi)清洗，超聲波清洗機(jī)清洗時間為3min，除去陶瓷基板上下表面的污垢，然后放到烘干機(jī)里快速烘干，烘干機(jī)的烘干溫度為100℃，烘干時間為3min；

步驟二，配制隔離涂液，將偶氮玉紅粉末和水按體積比例1:1調(diào)配成隔離涂液；

步驟三，生成隔離層，將隔離涂液分別涂覆在氮化鋁陶瓷基板的上下表面，隔離涂液覆涂的厚度為50μm，再放到烘干機(jī)里將涂覆在氮化鋁陶瓷基板上下表面的隔離涂液快速烘干形成隔離涂層，烘干機(jī)的烘干溫度為100℃，烘干時間為3min；

步驟四，安裝氮化鋁陶瓷基板和二氧化碳激光器，將氮化鋁陶瓷基板水平固定，二氧化碳激光器設(shè)置在氮化鋁陶瓷基板上方，二氧化碳激光器的光軸與氮化鋁陶瓷基板表面垂直設(shè)置，且二氧化碳激光器的激光發(fā)射鏡頭對準(zhǔn)氮化鋁陶瓷基板上需要加工導(dǎo)電通孔的位置；

步驟五，設(shè)置激光器的激光模式、激光輸出方式、電壓參數(shù)以及電流參數(shù)，所述二氧化碳激光器的激光模式二氧化碳激光器的激光模式選擇tem00模，激光輸出方式采用脈沖輸出，脈沖輸出的頻率設(shè)為0.5mhz；

步驟六，激光打孔，啟動二氧化碳激光器在氮化鋁陶瓷基板上加工導(dǎo)電通道，在導(dǎo)電通道的內(nèi)壁上會形成金屬鋁層，并且氮化鋁陶瓷因?yàn)楦邷匦纬蓳]發(fā)物在周圍的空氣中遇冷會在導(dǎo)電通道的周圍形成大量的細(xì)小熔渣，熔渣中含有金屬鋁顆粒；

步驟七，待步驟六加工完導(dǎo)電通道后，將陶瓷基板放置在超聲波清洗機(jī)內(nèi)清洗3min，除去隔離涂層以及步驟六中產(chǎn)生的熔渣，然后放到烘干機(jī)里烘干3min。

在完成上述步驟七后還可以在氮化鋁陶瓷基板的上下表面涂覆阻焊油墨，再放到烘干機(jī)了烘干3min。

上述超聲波清洗機(jī)的清洗時間可設(shè)置在3～5min內(nèi)；上述烘干機(jī)的烘干溫度可設(shè)置在70～150℃內(nèi)，烘干時間可設(shè)置在3～5min內(nèi)；上述氮化鋁陶瓷基板的上下表面覆涂隔離涂液的厚度為30～50μm；上述二氧化碳激光器的脈沖輸出的頻率設(shè)為0.5～1mhz；上述氮化鋁陶瓷基板可采用被激光照射下會在與激光接觸的表面形成金屬導(dǎo)電層的陶瓷基板代替。

盡管結(jié)合優(yōu)選實(shí)施方案具體展示和介紹了本發(fā)明，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，在形式上和細(xì)節(jié)上可以對本發(fā)明做出各種變化，均為本發(fā)明的保護(hù)范圍。