本發(fā)明的實(shí)施例涉及電子電路領(lǐng)域，特別涉及數(shù)模轉(zhuǎn)換電路及方法、源極驅(qū)動(dòng)器和顯示裝置。
背景技術(shù)：
：有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)作為一種電流型發(fā)光元件，因其輕薄、反應(yīng)速度快、對(duì)比度高等特點(diǎn)已成為目前顯示設(shè)備中的主流顯示元件。按照驅(qū)動(dòng)方式，可將OLED分為無源矩陣驅(qū)動(dòng)OLED(PMOLED)和有源矩陣驅(qū)動(dòng)OLED(AMOLED)。AMOLED具有驅(qū)動(dòng)時(shí)間短、功耗低、寬視角等優(yōu)點(diǎn)，因而越來越多應(yīng)用于電視、平板等設(shè)備。隨著高清顯示技術(shù)的發(fā)展，對(duì)視頻處理器中的數(shù)模轉(zhuǎn)換(DAC)性能的要求也越來越高，通常要求10位(bit)以上。目前適用于視頻處理DAC的結(jié)構(gòu)主要包括電流舵和電阻串分壓式。傳統(tǒng)的電流舵具有高速、高精度等特點(diǎn)。但是，電流舵用于驅(qū)動(dòng)視頻傳輸時(shí)，為了抑制信號(hào)反射，DAC輸出阻抗必須等于傳輸線的特征阻抗。即，源電流為信號(hào)電路的兩倍，引入較大功耗。而電阻串分壓式具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、毛刺小、線性度好等優(yōu)點(diǎn)。但是，電阻分壓式的精度主要由電阻串的匹配性決定。在一般的數(shù)字工藝中，電阻分壓式只能達(dá)到8位左右。對(duì)于一般的大尺寸AMOLED源極驅(qū)動(dòng)器，每一個(gè)列驅(qū)動(dòng)電路存在數(shù)百甚至上千的DAC。因此，DAC的面積對(duì)整個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片的面積有很大的影響，DAC所占整個(gè)芯片面積通常高達(dá)60％-70％。因此，合乎需要的是，在保證精度的基礎(chǔ)上，優(yōu)化DAC結(jié)構(gòu)和減少開關(guān)面積。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種數(shù)模轉(zhuǎn)換電路及方法、源極驅(qū)動(dòng)器和顯示裝置，其能夠在保證精度的基礎(chǔ)上，優(yōu)化DAC結(jié)構(gòu)和有效減小開關(guān)面積，從而減小芯片面積。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種數(shù)模轉(zhuǎn)換電路，包括與(m+n)位數(shù)字信號(hào)的處于高位的m位數(shù)字對(duì)應(yīng)的第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器，以及與處于低位的n位數(shù)字對(duì)應(yīng)的第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器，m和n為大于0的整數(shù)。所述第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器包括：分壓模塊，用于生成2m個(gè)具有相等的間隔電壓的參考電壓；第一電壓選擇模塊，用于從所述2m個(gè)參考電壓中，選擇與所述m位數(shù)字對(duì)應(yīng)的第一電壓；以及運(yùn)算模塊，用于從所述2m個(gè)參考電壓中的兩個(gè)相鄰的參考電壓、以及所述第一電壓，生成比所述第一電壓大間隔電壓的第二電壓。所述第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器用于以所述第一電壓和第二電壓為參考電壓，生成與所述n位數(shù)字對(duì)應(yīng)的第三電壓，并生成所述第三電壓和第一電壓之和。根據(jù)上述配置，采用了兩個(gè)數(shù)模轉(zhuǎn)換器，其中至少與m位數(shù)字對(duì)應(yīng)的第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器為分壓式，所以與直接采用單個(gè)(m+n)位的分壓式數(shù)模轉(zhuǎn)換器相比，能夠減小進(jìn)行電壓選擇所需的開關(guān)數(shù)。另外，在對(duì)數(shù)模轉(zhuǎn)換性能有主要影響的與處于高位的m位數(shù)字對(duì)應(yīng)的第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器中，僅通過運(yùn)算模塊就能夠獲得第一電壓的相鄰電壓即第二電壓，從而能夠減小為獲得相鄰電壓所需的開關(guān)數(shù)?？蛇x地，運(yùn)算模塊包括第一運(yùn)算放大器。第一運(yùn)算放大器包括：第一同相輸入端，用于接收所述第一電壓；第二同相輸入端，用于接收所述兩個(gè)相鄰的參考電壓中的較大者；第一反相輸入端，用于接收所述兩個(gè)相鄰的參考電壓中的較小者；第二反相輸入端，其與輸出端耦接；以及所述輸出端，用于輸出所述第二電壓。根據(jù)上述配置，僅通過一個(gè)多輸入運(yùn)算放大器就能獲得第一電壓的相鄰電壓，從而簡(jiǎn)化數(shù)模轉(zhuǎn)換電路的結(jié)構(gòu)?？蛇x地，所述兩個(gè)相鄰的參考電壓在所述2m個(gè)參考電壓中處于中間位置?？蛇x地，第一電壓選擇模塊包括：二進(jìn)制開關(guān)樹，其包括m層，第一層包括與輸出端耦接的兩個(gè)開關(guān)分支，第m層包括2m個(gè)開關(guān)分支，分別耦接所述2m個(gè)參考電壓中的一個(gè)，所述m層中的每一層受所述m位數(shù)字中的一位數(shù)字控制，使得所述輸出端輸出所述第一電壓。與所述2m個(gè)參考電壓中的大于或等于預(yù)定電壓的參考電壓對(duì)應(yīng)的開關(guān)分支的開關(guān)元件為P型晶體管，與所述2m個(gè)參考電壓中的小于所述預(yù)定電壓的參考電壓對(duì)應(yīng)的開關(guān)分支的開關(guān)元件為N型晶體管。根據(jù)上述配置，由于在每個(gè)開關(guān)分支中利用單個(gè)P型或N型晶體管，所以能夠進(jìn)一步減小開關(guān)數(shù)。而且，由于對(duì)高電壓范圍使用傳輸高電平?jīng)]有閾值損失的P型晶體管、且對(duì)于低電壓范圍使用傳輸?shù)碗娖經(jīng)]有閾值損失的N型晶體管，所以能夠在減小開關(guān)數(shù)的同時(shí)保證數(shù)模轉(zhuǎn)換精度?？蛇x地，所述預(yù)定電壓在所述2m個(gè)參考電壓中處于中間位置。可選地，第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器包括：n個(gè)第二電壓選擇模塊，每個(gè)第二電壓選擇模塊用于根據(jù)所述n位數(shù)字中的一位數(shù)字，選擇所述第一電壓或第二電壓；以及加權(quán)求和模塊，用于對(duì)所述n個(gè)第二電壓選擇模塊的輸出電壓進(jìn)行加權(quán)求和以生成所述第三電壓，并生成所述第三電壓和第一電壓之和?？蛇x地，所述第二電壓選擇模塊為傳輸門；所述加權(quán)求和模塊包括第二運(yùn)算放大器，其包括：第一至第n同相輸入端，用于接收所述n個(gè)第二電壓選擇模塊的輸出電壓；第n+1同相輸入端，用于接收所述第一電壓；反相輸入端，其與輸出端耦接；以及所述輸出端，用于輸出所述第三電壓和第一電壓之和?？蛇x地，所述分壓模塊為電阻串式分壓模塊。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種源極驅(qū)動(dòng)器，其包括上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種顯示裝置，其包括上述數(shù)模轉(zhuǎn)換電路。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種數(shù)模轉(zhuǎn)換方法，包括執(zhí)行與(m+n)位數(shù)字信號(hào)的處于高位的m位數(shù)字對(duì)應(yīng)的第一數(shù)模轉(zhuǎn)換，以及執(zhí)行與處于低位的n位數(shù)字對(duì)應(yīng)的第二數(shù)模轉(zhuǎn)換，m和n為大于0的整數(shù)。執(zhí)行第一數(shù)模轉(zhuǎn)換包括：生成2m個(gè)具有相等的間隔電壓的參考電壓；從所述2m個(gè)參考電壓中，選擇與所述m位數(shù)字對(duì)應(yīng)的第一電壓；從所述2m個(gè)參考電壓中的兩個(gè)相鄰的參考電壓、以及所述第一電壓，生成比所述第一電壓大間隔電壓的第二電壓。所述第二數(shù)模轉(zhuǎn)換以所述第一電壓和第二電壓為參考電壓，生成與所述n位數(shù)字對(duì)應(yīng)的第三電壓，并生成所述第三電壓和第一電壓之和。可選地，使用二進(jìn)制開關(guān)樹選擇所述第一電壓，所述二進(jìn)制開關(guān)樹包括m層，第一層包括與輸出端耦接的兩個(gè)開關(guān)分支，第m層包括2m個(gè)開關(guān)分支，分別耦接所述2m個(gè)參考電壓中的一個(gè)，所述m層中的每一層受所述m位數(shù)字中的一位數(shù)字控制，使得所述輸出端輸出所述第一電壓。與所述2m個(gè)參考電壓中的大于或等于預(yù)定電壓的參考電壓對(duì)應(yīng)的開關(guān)分支的開關(guān)元件為P型晶體管，與所述2m個(gè)參考電壓中的小于所述預(yù)定電壓的參考電壓對(duì)應(yīng)的開關(guān)分支的開關(guān)元件為N型晶體管。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明的實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的附圖進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。以下描述的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實(shí)施例，而并非對(duì)本發(fā)明的限制。圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路的示意性框圖；圖2是用于說明圖1的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路的示例性電路圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的第一電壓選擇模塊的電路圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的運(yùn)算模塊的電路圖；以及圖5是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的數(shù)模轉(zhuǎn)換方法的流程圖。具體實(shí)施方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋景l(fā)明的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。在下文中，除非特別說明，表述“元件A耦接到元件B”包括元件A“直接”連接到元件B，以及元件A通過一個(gè)或多個(gè)其它元件“間接”連接到元件B。如前所述，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種數(shù)模轉(zhuǎn)換電路和方法、源極驅(qū)動(dòng)器和顯示裝置，其能夠在保證精度的基礎(chǔ)上，優(yōu)化DAC結(jié)構(gòu)和有效減小開關(guān)面積。在下文中，將以相應(yīng)的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路及方法、源極驅(qū)動(dòng)器和顯示裝置進(jìn)行具體說明。I.數(shù)模轉(zhuǎn)換電路圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路的示意性框圖。該數(shù)模轉(zhuǎn)換電路能夠?qū)?m+n)位數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的模擬信號(hào)，其中m和n為大于0的整數(shù)。如圖所示，該數(shù)模轉(zhuǎn)換電路包括第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器110和第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器120。第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器110能夠轉(zhuǎn)換其中處于高位的m位數(shù)字信號(hào)，且包括分壓模塊112、第一電壓選擇模塊114和運(yùn)算模塊116。第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器120能夠轉(zhuǎn)換其中處于低位的n位數(shù)字信號(hào)。在第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器110中，分壓模塊112用于生成2m個(gè)具有相等的間隔電壓的參考電壓。第一電壓選擇模塊114用于從2m個(gè)參考電壓中，選擇與處于高位的m位數(shù)字對(duì)應(yīng)的第一電壓。運(yùn)算模塊116用于從2m個(gè)參考電壓中的兩個(gè)相鄰的參考電壓、以及第一電壓，生成比第一電壓大間隔電壓的第二電壓。第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器120用于以第一電壓和第二電壓為參考電壓，生成與處于低位的n位數(shù)字對(duì)應(yīng)的第三電壓，并生成第三電壓和第一電壓之和。由于第一電壓與處于高位的m位數(shù)字對(duì)應(yīng)、且第三電壓與處于低位的n位數(shù)字對(duì)應(yīng)，所以第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器120輸出的第三電壓和第一電壓之和是與(m+n)位數(shù)字信號(hào)對(duì)應(yīng)的模擬信號(hào)。根據(jù)上述實(shí)施例，采用了兩個(gè)數(shù)模轉(zhuǎn)換器，其中至少與m位數(shù)字對(duì)應(yīng)的第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器為分壓式，所以與直接采用單個(gè)(m+n)位的分壓式數(shù)模轉(zhuǎn)換器相比，能夠減小進(jìn)行電壓選擇所需的開關(guān)數(shù)。另外，在對(duì)數(shù)模轉(zhuǎn)換性能有主要影響的與處于高位的m位數(shù)字對(duì)應(yīng)的第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器中，僅通過運(yùn)算模塊就能夠獲得第一電壓的相鄰電壓即第二電壓，與采用二進(jìn)制開關(guān)樹獲得相鄰電壓的傳統(tǒng)數(shù)模轉(zhuǎn)換電路相比，能夠極大減小為獲得相鄰電壓所需的開關(guān)數(shù)。圖2是用于說明圖1的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路的示例性電路圖。在該示例性的示例中，m為7且n為3，因此圖2的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路能夠?qū)?0位數(shù)字信號(hào)(D9D8…D1D0)轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的模擬信號(hào)。如圖2所示，與圖1相對(duì)應(yīng)地，該數(shù)模轉(zhuǎn)換電路包括第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器210和第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器220。第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器210能夠轉(zhuǎn)換其中處于高位的7位數(shù)字信號(hào)(D9D8…D4D3)，并且包括分壓模塊212、第一電壓選擇模塊214和運(yùn)算模塊216。第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器220能夠轉(zhuǎn)換其中處于低位的3位數(shù)字信號(hào)(D2D1D0)。在該示例中，分壓模塊212具有電阻串式分壓結(jié)構(gòu)，其包括阻值相等、串聯(lián)連接的127(即，27-1)個(gè)電阻器R0-R126，其中R0接地，R126接一參考電壓。這樣，在各電阻器的各端子處生成128個(gè)具有相等的間隔電壓的參考電壓。按照電壓值由低至高的順序，可以將128個(gè)參考電壓標(biāo)記為V0、V1、…、V127。第一電壓選擇模塊214具有二進(jìn)制開關(guān)樹結(jié)構(gòu)。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的第一電壓選擇模塊214的電路圖。如圖所示，該二進(jìn)制開關(guān)樹有7層，第1層包括與輸出端耦接的2(即21)個(gè)開關(guān)分支，第7層包括128(即27)個(gè)開關(guān)分支，分別與128個(gè)參考電壓中的一個(gè)參考電壓耦接。此外，第i層(1＜i＜7)包括2i個(gè)開關(guān)分支，并且相應(yīng)地耦接在第(i+1)層和第(i-1)層之間。在每一層中，每?jī)蓚€(gè)相鄰的開關(guān)分支耦接在一起。7層中的每一層受7位數(shù)字中的一位數(shù)字控制，以便使每?jī)蓚€(gè)相鄰的開關(guān)分支中有一個(gè)開關(guān)分支導(dǎo)通從而選擇相應(yīng)的參考電壓。這樣，從128個(gè)參考電壓中，經(jīng)過逐層選擇，使輸出端輸出與處于高位的7位數(shù)字(D9D8…D3)對(duì)應(yīng)的第一電壓VL。在每個(gè)開關(guān)分支中，可以使用單個(gè)晶體管作為開關(guān)元件，其包括N型晶體管或P型晶體管。可選地，晶體管可以是N型或P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)，其柵極被稱為控制極。由于晶體管的源極和漏極是對(duì)稱的，因此對(duì)源極和漏極不做區(qū)分，即晶體管的源極可以為第一極(或第二極)，漏極可以為第二極(或第一極)?？蛇x地，也可以采用具有選通信號(hào)輸入的任何受控開關(guān)器件(例如，CMOS傳輸門)來實(shí)現(xiàn)單個(gè)晶體管的功能，將受控開關(guān)器件中接收(例如用于開啟或關(guān)斷該開關(guān)器件的)控制信號(hào)的受控中間端稱為控制極，另外兩端分別為第一極和第二極。在圖3的示例中，使用單個(gè)晶體管作為開關(guān)元件，并且將與128個(gè)參考電壓中的大于或等于預(yù)定電壓的高電壓對(duì)應(yīng)的開關(guān)分支的開關(guān)元件設(shè)置為P型晶體管，將與128個(gè)參考電壓中的小于預(yù)定電壓的低電壓對(duì)應(yīng)的開關(guān)分支的開關(guān)元件設(shè)置為N型晶體管。用于區(qū)分高電壓和低電壓的預(yù)定電壓為128個(gè)參考電壓的中值。具體地，高于或等于V64的參考電壓為高電壓，低于V64的參考電壓為低電壓。應(yīng)注意的是，所述預(yù)定電壓并不限于128個(gè)參考電壓的中值，只要處于中間范圍即可。這樣，由于采用單個(gè)晶體管作為開關(guān)元件來傳輸電壓(例如，圖像信號(hào)的灰階值)，所以可以減小開關(guān)數(shù)，進(jìn)而減小芯片面積并降低生產(chǎn)成本。同時(shí)，根據(jù)P型晶體管傳遞穩(wěn)定的高電壓、以及N型晶體管傳遞穩(wěn)定的低電壓的特性，本發(fā)明的實(shí)施例采用P型晶體管傳遞例如高灰階，采用N型晶體管傳遞例如低灰階，從而保證全范圍的穩(wěn)定傳輸。下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例的7層二進(jìn)制開關(guān)樹的結(jié)構(gòu)。該二進(jìn)制開關(guān)樹的第7層包括64個(gè)N型晶體管M7,0-M7,63和64個(gè)P型晶體管M7,64-M7,127。各晶體管的第一極相應(yīng)地與參考電壓V0-V127耦接，例如晶體管M7,0的第一極與V0耦接，晶體管M7,64的第一極與V64耦接。各晶體管的控制極相應(yīng)地與數(shù)字信號(hào)的第3位數(shù)字D3及其互補(bǔ)數(shù)字D3’耦接。具體地，各N型晶體管的控制極間隔地與數(shù)字D3和D3’耦接，各P型晶體管的控制極間隔地與數(shù)字D3和D3’耦接。例如，M7,0的控制極與D3’耦接，M7,1的控制極與D3耦接。D3與D3’為互補(bǔ)信號(hào)。例如，如果D3為1，則D3’為0；如果D3為0，則D3’為1。二進(jìn)制開關(guān)樹的第6層包括32個(gè)N型晶體管M6,0-M6,31和32個(gè)P型晶體管M6,32-M6,63。各晶體管的第一極相應(yīng)地與第7層中的兩個(gè)相鄰的晶體管的第二極耦接。例如，晶體管M6,0的第一極與晶體管M7,0的第二極和晶體管M7,1的第二極耦接。各晶體管的控制極相應(yīng)地與數(shù)字信號(hào)的第4位數(shù)字D4及其互補(bǔ)數(shù)字D4’耦接，具體地，各N型晶體管的控制極間隔地與數(shù)字D4和D4’耦接，各P型晶體管的控制極間隔地與數(shù)字D4和D4’耦接。例如，M6,0的控制極與D4’耦接，M6,1的控制極與D4耦接。二進(jìn)制開關(guān)樹的第5層至第2層的配置與上述配置類似，不再贅述。二進(jìn)制開關(guān)樹的第1層包括1個(gè)N型晶體管M1,0和1個(gè)P型晶體管M1,1。類似地，晶體管M1,0的第一極與第2層兩個(gè)N型晶體管的第二極耦接，晶體管M1,1的第一極與第2層兩個(gè)P型晶體管的第二極耦接。晶體管M1,0和M1,1的控制極均與數(shù)字信號(hào)的第9位數(shù)字D9的互補(bǔ)數(shù)字D9’耦接，第二極耦接在一起以形成二進(jìn)制開關(guān)樹的輸出端。經(jīng)過電壓的逐層傳遞，輸出對(duì)應(yīng)的第一電壓VL。例如，當(dāng)數(shù)字信號(hào)D9D8D7D6D5D4D3為0000000時(shí)，輸出的第一電壓VL為V0；當(dāng)數(shù)字信號(hào)D9D8D7D6D5D4D3為0000001時(shí)，輸出的第一電壓VL為V1；當(dāng)數(shù)字信號(hào)D9D8D7D6D5D4D3為1111111時(shí)，輸出的第一電壓VL為V127。在圖2的示例中，運(yùn)算模塊216包括第一運(yùn)算放大器。該第一運(yùn)算放大器包括：第一同相輸入端，用于接收第一電壓VL；第二同相輸入端，用于接收兩個(gè)相鄰的參考電壓中的較大者(例如，V64)；第一反相輸入端，用于接收兩個(gè)相鄰的參考電壓中的較小者(例如，V63)；第二反相輸入端，其與輸出端耦接；以及輸出端，用于輸出第二電壓VH。這樣，該第一運(yùn)算放大器構(gòu)成加法器，從而能夠根據(jù)128個(gè)參考電壓中的兩個(gè)相鄰的參考電壓、以及第一電壓VL，生成比該第一電壓VL大間隔電壓的第二電壓VH。根據(jù)該示例，僅通過一個(gè)多輸入運(yùn)算放大器就能獲得第一電壓的相鄰電壓，從而簡(jiǎn)化數(shù)模轉(zhuǎn)換電路的結(jié)構(gòu)。在該示例中，使用處于128個(gè)參考電壓的中點(diǎn)處的V64和V63作為兩個(gè)相鄰的參考電壓。應(yīng)注意的是，本發(fā)明的實(shí)施例并不限于此。作為另一示例，也可使用處于中間范圍的其它相鄰的參考電壓。作為又一示例，也可使用處于其他范圍的相鄰的參考電壓。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的運(yùn)算模塊216的電路圖。如圖4所示，第一運(yùn)算放大器使用軌到軌(railtorail)運(yùn)算放大器結(jié)構(gòu)。第一晶體管M1和第二晶體管M2的控制極被輸入第一偏置電壓Vb，第一極與高電平信號(hào)端VDD耦接，第二極分別與第三晶體管M3和第四晶體管M4的第一極、以及第五晶體管M5和第六晶體管M6的第一極耦接。晶體管M1和M2用于為晶體管M3-M6提供偏置電流。第三晶體管M3的控制極與第二同相輸入端耦接，并向其輸入?yún)⒖茧妷篤64，第二極輸入到求和電路。第四晶體管M4的控制極與第二反向輸入端耦接，并向其輸入?yún)⒖茧妷篤63，第二極輸入到求和電路。第五晶體管M5的控制極與第一同相輸入端耦接，并輸入第一電壓VL，第二極與第三晶體管M3的第二極耦接，并輸入到求和電路。第六晶體管M6的控制極與第一反向輸入端以及求和電路的輸出端耦接，第二極與第四晶體管M4的第二極耦接，并輸入到求和電路。上述晶體管M1-M6均為P型晶體管。求和電路的輸出端為該第一運(yùn)算放大器的輸出端，并輸出第二電壓VH。類似地，第七晶體管M7和第八晶體管M8的控制極被輸入第二偏置電壓Vb1，第一極與接地端GND耦接，第二極分別與第九晶體管M9和第十晶體管M10的第一極、以及第十一晶體管M11和第十二晶體管M12的第一極耦接。晶體管M7和M8用于為晶體管M9-M12提供偏置電流。第九晶體管M9的控制極與第二同相輸入端耦接，并向其輸入?yún)⒖茧妷篤64，第二極輸入到求和電路。第十晶體管M10的控制極與第二反向輸入端耦接，并向其輸入?yún)⒖茧妷篤63，第二極輸入到求和電路。第十一晶體管M11的控制極與第一同相輸入端耦接，并輸入第一電壓VL，第二極與第九晶體管M9的第二極耦接，并輸入到求和電路。第十二晶體管M12的控制極與第一反向輸入端以及求和電路的輸出端耦接，第二極與第十晶體管M10的第二極耦接，并輸入到求和電路。上述晶體管M7-M12均為N型晶體管。求和電路可以采用現(xiàn)有的求和電路，在此不再贅述。采用上述軌到軌運(yùn)算放大器結(jié)構(gòu)，根據(jù)P型晶體管傳遞穩(wěn)定的高電壓、以及N型晶體管傳遞穩(wěn)定的低電壓的特性，本發(fā)明的實(shí)施例采用P型晶體管傳遞高電壓，采用N型晶體管傳遞低電壓，使得輸出端的輸出電壓幅度與輸入電壓幅度相對(duì)應(yīng)。根據(jù)加法器原理，可計(jì)算得出第二電壓VH的電壓值為第一電壓VL與相鄰電壓的電壓差(即間隔電壓)之和，即VH＝VL+V64-V63。這樣，采用多輸入運(yùn)算放大器實(shí)現(xiàn)加法器功能，以生成相鄰的第一電壓VL和第二電壓VH，并用于后續(xù)第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器，可大幅減小開關(guān)數(shù)目，同時(shí)減小芯片面積和生成成本。同時(shí)，采用P型晶體管與N型晶體管結(jié)合的軌到軌運(yùn)算放大器結(jié)構(gòu)，使輸出電壓可有效地跟隨輸入電壓的范圍而變化，獲得完整穩(wěn)定的電壓傳遞。在圖2的示例中，第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器220包括：3個(gè)第二電壓選擇模塊222-1至222-3，每個(gè)第二電壓選擇模塊用于根據(jù)處于低位的3位數(shù)字中的一位數(shù)字，選擇第一電壓VL或第二電壓VH；以及加權(quán)求和模塊224，用于對(duì)3個(gè)第二電壓選擇模塊的輸出電壓進(jìn)行加權(quán)求和以生成與處于低位的3位數(shù)字對(duì)應(yīng)的第三電壓，并生成第三電壓和第一電壓之和。在該示例中，第二電壓選擇模塊為傳輸門。向各傳輸門的輸入端分別提供第一電壓VL和第二電壓VH，向各控制端分別提供處于低位的3位數(shù)字信號(hào)D2、D1和D0作為傳輸門的控制信號(hào)，并且各傳輸門的輸出端相應(yīng)地耦接到加權(quán)求和模塊的第一至第三同相輸入端Vin1、Vin2和Vin3。例如，當(dāng)傳輸門222-1的控制信號(hào)D2為0時(shí)，該傳輸門222-1輸出第一電壓VL至第一同相輸入端Vin1；當(dāng)D2為1時(shí)，該傳輸門222-1輸出第二電壓VH至第一同相輸入端Vin1。此外，將VL直接耦接到加權(quán)求和模塊的第四同相輸入端Vin4。在該示例中，加權(quán)求和模塊224為第二運(yùn)算放大器，其包括：第一至第三同相輸入端Vin1-Vin3，用于接收3個(gè)第二電壓選擇模塊的輸出電壓；第四同相輸入端Vin4，用于接收第一電壓VL；反相輸入端，其與輸出端耦接；以及輸出端，用于輸出第三電壓和第一電壓之和。例如，該第二運(yùn)算放大器可以采用多輸入緩沖器。加權(quán)求和模塊的各輸入端的權(quán)重的比例為4:2:1:1。由于第一至第三同相輸入端的權(quán)重的比例為4:2:1，所以能夠?qū)⑻幱诘臀坏?位數(shù)字信號(hào)D2D1D0表示的二進(jìn)制數(shù)轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的模擬信號(hào)。由于同時(shí)將第一電壓VL也輸入加權(quán)求和模塊，所以能夠直接得到與7位數(shù)字信號(hào)對(duì)應(yīng)的第一電壓VL和與3位數(shù)字信號(hào)對(duì)應(yīng)的第三電壓之和。作為一個(gè)示例，可以設(shè)置第二運(yùn)算放大器中各輸入晶體管的寬長(zhǎng)比W/L的比例為4:2:1:1。作為另一個(gè)示例，也可以使用其他現(xiàn)有的具有加權(quán)求和功能的運(yùn)算放大器。這樣，能夠?qū)⒌谌妷汉偷谝浑妷褐偷乳g隔地控制在第一電壓VL和1/8VL+7/8VH(即VL+7/8Δ，Δ為VH與VL的電壓差即間隔電壓)之間。第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器的具體輸入/輸出配置如下表1所示。表1D2D1D0Vin1Vin2Vin3Vin4Vout000VLVLVLVLVL001VLVLVHVL7/8VL+1/8VH010VLVHVLVL6/8VL+2/8VH011VLVHVHVL5/8VL+3/8VH100VHVLVLVL4/8VL+4/8VH101VHVLVHVL3/8VL+5/8VH110VHVHVLVL2/8VL+6/8VH111VHVHVHVL1/8VL+7/8VH在上述示例中，第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器由傳輸門和運(yùn)算放大器(例如緩沖器)構(gòu)成。當(dāng)與第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器對(duì)應(yīng)的數(shù)字信號(hào)的位數(shù)越多時(shí)，輸入對(duì)管會(huì)越多。而多輸入緩沖器內(nèi)的電壓差是線性的，其可能與圖像信號(hào)的灰階曲線無法完全重合。并且，如果輸入電壓間的電壓差過大，會(huì)使輸出值與內(nèi)差值存在一段差距。因此，在采用多輸入緩沖器的上述示例中，處于低位的n位數(shù)字通常為2位或3位。然而，本發(fā)明的實(shí)施例并不限于上述示例。作為另一示例，第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器也可以采用電阻串式數(shù)模轉(zhuǎn)換器。此時(shí)，n的取值并不限于2或3。這樣，在上述實(shí)施例中，使用127個(gè)電阻、254個(gè)開關(guān)。與采用傳輸門作為開關(guān)元件的傳統(tǒng)10位數(shù)模轉(zhuǎn)換電路相比，可大大減小開關(guān)數(shù)量，使開關(guān)面積減小8倍。由于開關(guān)面積通常占芯片面積的50％左右，因此使芯片面積減小3-4倍。上面以m為7且n為3的示例性的示例描述了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路。顯然，m和n也可以根據(jù)需要而取其他適合的數(shù)值。例如，可以使用9位的第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器和3位的第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器而得到12位的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路。作為上述實(shí)施例的替代實(shí)施例，也可以采用全局電阻開關(guān)樹結(jié)構(gòu)。這樣，可以確保良好的線性度以及較小的毛刺。在這種情況下，對(duì)于10位數(shù)模轉(zhuǎn)換電路，m＝10且n＝0。該10位全局電阻開關(guān)樹由1023個(gè)串聯(lián)連接且阻值相等的電阻器構(gòu)成，以形成1024個(gè)參考電壓，并使用2046個(gè)開關(guān)以選擇與10位數(shù)字對(duì)應(yīng)的輸出電壓信號(hào)。在該替代實(shí)施例中，2046個(gè)開關(guān)如上述實(shí)施例那樣采用單個(gè)晶體管，對(duì)于高電壓范圍采用P型晶體管，對(duì)于低電壓范圍采用N型晶體管。這樣，與采用傳輸門作為開關(guān)元件的傳統(tǒng)10位數(shù)模轉(zhuǎn)換電路相比，仍能夠有效減小開關(guān)數(shù)。II.源極驅(qū)動(dòng)器根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的源極驅(qū)動(dòng)器包括上面在第I部分中描述的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路。關(guān)于源極驅(qū)動(dòng)器的其他組成部分，可以與現(xiàn)有的源極驅(qū)動(dòng)器相同。在此不再贅述。III.顯示裝置根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示裝置包括上面在第I部分中描述的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路。特別地，顯示裝置的源極驅(qū)動(dòng)器包括上面在第I部分中描述的數(shù)模轉(zhuǎn)換電路。顯示裝置可以是例如OLED顯示裝置(例如，AMOLED顯示裝置)、液晶顯示裝置等。IV.數(shù)模轉(zhuǎn)換方法圖5示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的數(shù)模轉(zhuǎn)換方法的流程圖。該數(shù)模轉(zhuǎn)換方法可以用于在顯示裝置(例如，其源極驅(qū)動(dòng)器)中進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換。如圖5所示，在步驟S510，通過第I部分中描述的第一數(shù)模轉(zhuǎn)換器執(zhí)行與(m+n)位數(shù)字信號(hào)的處于高位的m位數(shù)字對(duì)應(yīng)的第一數(shù)模轉(zhuǎn)換。具體地，在步驟S512中，生成2m個(gè)具有相等的間隔電壓的參考電壓。這可以由第I部分中的分壓模塊執(zhí)行。在步驟S514中，從2m個(gè)參考電壓中，選擇與m位數(shù)字對(duì)應(yīng)的第一電壓。這可以由第I部分中的第一電壓選擇模塊執(zhí)行。在步驟S516中，從2m個(gè)參考電壓中的兩個(gè)相鄰的參考電壓、以及第一電壓，生成比第一電壓大間隔電壓的第二電壓。這可以由第I部分中的運(yùn)算模塊執(zhí)行。在步驟S520中，通過第I部分中描述的第二數(shù)模轉(zhuǎn)換器執(zhí)行與處于低位的n位數(shù)字對(duì)應(yīng)的第二數(shù)模轉(zhuǎn)換。具體地，步驟S520包括步驟S522，其以第一電壓和第二電壓為參考電壓，生成與n位數(shù)字對(duì)應(yīng)的第三電壓，并生成第三電壓和第一電壓之和。關(guān)于步驟S510和S520的細(xì)節(jié)，已經(jīng)在第I部分中進(jìn)行了詳細(xì)描述，在此不再贅述。以上所述僅是本發(fā)明的示范性實(shí)施方式，而并非用于限制本發(fā)明的保護(hù)范圍，本發(fā)明的保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求確定。當(dāng)前第1頁1 2 3