本發(fā)明涉及例如聲表面波裝置等電子部件。

背景技術(shù)：

聲表面波裝置等中，采用具有中空部的封裝件構(gòu)造。例如下述的專利文獻(xiàn)1所述的電子部件封裝件中，在部件基板上配置有多個(gè)電子部件元件。設(shè)置有將多個(gè)電子部件元件間分隔開的間隔壁。該間隔壁上設(shè)置有用于構(gòu)成中空部的罩蓋構(gòu)件。

另一方面，下述的專利文獻(xiàn)2所述的聲表面波器件中，在壓電基板的下表面形成有idt電極。為了對(duì)形成有idt電極的部分進(jìn)行密封，設(shè)置環(huán)狀的側(cè)壁、和將環(huán)狀的側(cè)壁的開口部密封的蓋體。再有，在蓋體的外表面層疊有密封膜。保護(hù)樹脂部被設(shè)置成覆蓋該密封膜。保護(hù)樹脂部抵達(dá)蓋體的外側(cè)、且在蓋體的外側(cè)抵達(dá)壓電基板側(cè)。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：jp特開2007-129002號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：jp特開2007-19943號(hào)公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

-發(fā)明所要解決的技術(shù)問題-

專利文獻(xiàn)1或?qū)＠墨I(xiàn)2所述的使用罩蓋構(gòu)件或蓋體等來構(gòu)成中空部的構(gòu)造中，大多進(jìn)一步在外側(cè)設(shè)置模制樹脂層。這種構(gòu)造中，熱容易充滿內(nèi)部。為此，存在頻率溫度特性易于劣化的問題。

再有，由于模制時(shí)的樹脂的流入壓力，罩蓋構(gòu)件、蓋體或?qū)＠墨I(xiàn)2所述的保護(hù)樹脂部在中空部的中央?yún)^(qū)域內(nèi)有可能朝著壓電基板側(cè)突出地變形。若變形量增大，則罩蓋構(gòu)件或蓋體等有可能與idt電極等接觸。

本發(fā)明的目的在于，提供一種能夠抑制模制樹脂層形成時(shí)的罩蓋構(gòu)件的變形、且能提高散熱性的電子部件。

-用于解決技術(shù)問題的手段-

本發(fā)明涉及的電子部件具備：壓電基板；電極，設(shè)置在所述壓電基板上，且構(gòu)成了功能部；框狀的第1支承構(gòu)件，為了形成所述功能部所面對(duì)的中空部而被設(shè)置在所述壓電基板上；第2支承構(gòu)件，在被所述第1支承構(gòu)件圍起來的內(nèi)側(cè)區(qū)域內(nèi)被設(shè)置在所述壓電基板上；和罩蓋構(gòu)件，層疊于所述第1及第2支承構(gòu)件上而構(gòu)成了所述中空部，被設(shè)為所述第2支承構(gòu)件的高度比所述第1支承構(gòu)件的高度還高。

本發(fā)明涉及的電子部件的某一特定的方面中，設(shè)置有多個(gè)所述第2支承構(gòu)件。

本發(fā)明涉及的電子部件的其他特定的方面中，多個(gè)所述第2支承構(gòu)件的高度被設(shè)為相等。

根據(jù)本發(fā)明涉及的電子部件的另一特定的方面，至少1個(gè)所述第2支承構(gòu)件的高度和其余的第2支承構(gòu)件的高度不同。

本發(fā)明涉及的電子部件的又一特定的方面中，至少1個(gè)所述第2支承構(gòu)件具有多個(gè)材料層。

本發(fā)明涉及的電子部件的另一特定的方面中，所述第1支承構(gòu)件的至少一部分由金屬構(gòu)成。

本發(fā)明涉及的電子部件的又一特定的方面中，還具備：接合構(gòu)件，被設(shè)置在所述第1支承構(gòu)件上。

本發(fā)明涉及的電子部件的又一特定的方面中，所述罩蓋構(gòu)件的最上部的高度比所述接合構(gòu)件的上端還低。

本發(fā)明涉及的電子部件的另一特定的方面中，所述罩蓋構(gòu)件的最上部的高度比所述接合構(gòu)件的上端還高。

本發(fā)明涉及的電子部件的又一特定的方面中，所述第1支承構(gòu)件和所述第2支承構(gòu)件由不同的材料構(gòu)成。

本發(fā)明涉及的電子部件的另一特定的方面中，在所述功能部中形成至少1個(gè)idt電極，構(gòu)成了聲表面波裝置。

-發(fā)明效果-

根據(jù)本發(fā)明的電子部件，即便進(jìn)行了樹脂模制，也難以產(chǎn)生罩蓋構(gòu)件的變形。再有，能夠有效地提高散熱性。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的第1實(shí)施方式涉及的電子部件的側(cè)面剖視圖，是與圖2中的沿著a-a線的部分相當(dāng)?shù)牟糠值钠室晥D。

圖2是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式涉及的電子部件中除去罩蓋構(gòu)件后的狀態(tài)的示意性俯視圖。

圖3是表示由本發(fā)明的第1實(shí)施方式構(gòu)成的聲表面波諧振器的電極構(gòu)造的示意性俯視圖。

圖4是表示將本發(fā)明的第1實(shí)施方式涉及的電子部件搭載于模塊基板并設(shè)置了模制樹脂層的構(gòu)造的正面剖視圖。

圖5是本發(fā)明的第2實(shí)施方式涉及的電子部件的側(cè)面剖視圖。

圖6是本發(fā)明的第3實(shí)施方式涉及的電子部件的側(cè)面剖視圖。

圖7是本發(fā)明的第4實(shí)施方式涉及的電子部件的側(cè)面剖視圖。

圖8是本發(fā)明的第5實(shí)施方式涉及的電子部件的側(cè)面剖視圖。

圖9是本發(fā)明的第6實(shí)施方式涉及的電子部件的側(cè)面剖視圖。

圖10是本發(fā)明的第7實(shí)施方式涉及的電子部件的側(cè)面剖視圖。

圖11是本發(fā)明的第8實(shí)施方式涉及的電子部件的側(cè)面剖視圖。

圖12是本發(fā)明的第9實(shí)施方式涉及的電子部件的側(cè)面剖視圖。

具體實(shí)施方式

以下參照附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式進(jìn)行說明，由此使本發(fā)明清楚明了。

其中，本說明書所述的各實(shí)施方式是例示性的內(nèi)容，指出在不同的實(shí)施方式間能夠?qū)崿F(xiàn)構(gòu)成的局部的置換或組合。

圖1是本發(fā)明的第1實(shí)施方式涉及的電子部件的側(cè)面剖視圖，圖2是表示在本實(shí)施方式的電子部件中將后述的罩蓋構(gòu)件除去后的狀態(tài)的示意性俯視圖。

另外，圖1是與圖2的沿著a-a線的部分相當(dāng)?shù)牟糠值钠室晥D。

如圖1所示，電子部件1具有壓電基板2。壓電基板2由42°y切割x傳播的litao3基板構(gòu)成。可是，壓電基板2的材料未被限定于此。既可以使用其他取向的litao3，也可以使用linbo3等其他壓電單晶體。進(jìn)一步，也可以使用壓電陶瓷。

在具有相互對(duì)置的第1、第2主面的壓電基板2的第1主面上設(shè)置有構(gòu)成功能部的多個(gè)idt電極3。實(shí)際上，如圖3的示意性俯視圖所示，在idt電極3的聲表面波的傳播方向兩側(cè)設(shè)置有反射器4、5。由此，構(gòu)成聲表面波諧振器。另外，在多個(gè)idt電極3和壓電基板的第1主面之間，為了調(diào)整機(jī)電耦合系數(shù)，也可以設(shè)置電介質(zhì)膜。

圖2中通過用矩形的框包圍x的記號(hào)來示意性地表示1個(gè)聲表面波諧振器所構(gòu)成的部分。即，如圖2所示，設(shè)置有聲表面波諧振器6a～6c、7a、7b。圖1中，圖示設(shè)置有這些聲表面波諧振器6a、6b、6c、7b的部分中的各idt電極3。

在壓電基板2上，除了上述idt電極3以外，還設(shè)置有電極連接盤8a、8b、8c、8d。另外，在圖2中，用虛線的圓表示設(shè)置第1支承構(gòu)件11上所形成的多個(gè)焊料凸塊16a、16b的位置。

構(gòu)成idt電極3等功能部的電極由適宜的金屬或合金構(gòu)成。本實(shí)施方式中，可采用在ti膜上層疊alcu膜而成的層疊金屬膜。再有，idt電極3通過未圖示的引繞布線而被電連接于電極連接盤8a。該引繞布線及電極連接盤8a～8d具有在ti膜上層疊alcu膜而成的層疊金屬膜上進(jìn)一步層疊ti膜及al膜而構(gòu)成的構(gòu)造。可是，引繞布線及電極連接盤8a～8d的材料也可以是其他適宜的金屬或合金。

上述idt電極3及電極連接盤8a、8b等能夠利用光刻法等來形成。

各聲表面波諧振器6a～6c、7a、7b中，需要在構(gòu)成包含idt電極3的功能部的電極的上方設(shè)置中空部。因而，在壓電基板2上設(shè)置有矩形框狀的第1支承構(gòu)件11。再有，在被第1支承構(gòu)件11圍起來的內(nèi)側(cè)區(qū)域，設(shè)置有多個(gè)第2支承構(gòu)件12～14。第2支承構(gòu)件12、13在俯視中具有帶狀的形狀。第2支承構(gòu)件12作為聲表面波諧振器6a、6b間的間隔壁而被設(shè)置。第2支承構(gòu)件12的長度方向被設(shè)為與聲表面波諧振器6a、6b的聲表面波傳播方向平行的方向。同樣，第2支承構(gòu)件13的長度方向被設(shè)為與兩側(cè)的聲表面波諧振器6b、6c中的聲表面波傳播方向平行的方向。

第2支承構(gòu)件12、13的長度方向未被限定為與聲表面波諧振器6a～6c的聲表面波傳播方向平行的方向?？墒?，由于聲表面波諧振器6a～6c的聲表面波傳播方向的長度較長，故期望在與聲表面波傳播方向平行的方向設(shè)置第2支承構(gòu)件12、13。

第2支承構(gòu)件14在俯視中具有曲柄狀的形狀。這是因?yàn)槁暠砻娌ㄖC振器7a、7b并設(shè)在聲表面波諧振器6a、6b、6c中的聲表面波傳播方向上的緣故。曲柄狀的第2支承構(gòu)件14具有在與聲表面波諧振器6a～6c、7a、7b的聲表面波傳播方向平行的方向上延伸的第1部分14a及第3部分14b。第1部分14a的內(nèi)側(cè)端和第3部分14c的內(nèi)側(cè)端通過在與聲表面波傳播方向正交的方向上延伸的第2部分14b而被連結(jié)。聲表面波諧振器6c與聲表面波諧振器7b由第1部分14a間隔開。聲表面波諧振器7a與聲表面波諧振器7b由第2部分14b間隔開。

如上述，第2支承構(gòu)件的俯視形狀未被限定于帶狀，能夠采取曲柄狀等適宜的俯視形狀。

再有，對(duì)于框狀的第1支承構(gòu)件11而言，只要能設(shè)置聲表面波諧振器6a～6c、7a、7b等功能部面對(duì)的中空部，就未被限定于矩形框狀。也可以是圓形或橢圓形。

第1支承構(gòu)件11及第2支承構(gòu)件12～14在本實(shí)施方式中由合成樹脂構(gòu)成。可是，第1支承構(gòu)件11及第2支承構(gòu)件12～14也可以由合成樹脂以外的材料、例如由金屬或陶瓷來形成。

如圖1所示，在設(shè)置有電極連接盤8a、8b的部分中，下凸塊金屬層15a、15b被設(shè)置成將第1支承構(gòu)件11貫通。在下凸塊金屬層15a、15b上，通過焊料的印刷及回流法而設(shè)置有作為接合構(gòu)件的焊料凸塊16a、16b。其中，本發(fā)明中的接合構(gòu)件未被限定于焊料凸塊，也可以是由其他金屬構(gòu)成的構(gòu)件、或由樹脂材料與導(dǎo)電性材料的混合材料等導(dǎo)電性材料構(gòu)成的構(gòu)件。

罩蓋構(gòu)件17被設(shè)置成與上述第1支承構(gòu)件11及第2支承構(gòu)件12～14的上端接合。

可是，如圖1所示，第2支承構(gòu)件12～14的高度高于第1支承構(gòu)件11的高度。尤其，在本實(shí)施方式中，位于中央的第2支承構(gòu)件13最高，位于第1支承構(gòu)件11側(cè)的第2支承構(gòu)件12、14的高度被設(shè)成第2支承構(gòu)件13的高度和第1支承構(gòu)件11的高度之間的高度。為此，罩蓋構(gòu)件17被彎曲成在中央最高、高度隨著靠近第1支承構(gòu)件11側(cè)而降低。另外，第1支承構(gòu)件11及第2支承構(gòu)件12～14的高度設(shè)為壓電基板的第1主面的法線方向上的從第1支承構(gòu)件11及第2支承構(gòu)件12～14的下端到上端為止的距離。

另一方面，罩蓋構(gòu)件17由合成樹脂構(gòu)成。本實(shí)施方式中，罩蓋構(gòu)件17如上述地以彎曲成在中央?yún)^(qū)域朝上方變凸的狀態(tài)下被支承。更優(yōu)選的是，在罩蓋構(gòu)件17的上方側(cè)殘留有拉伸應(yīng)力。為此，如后所述，因模制樹脂層形成時(shí)的壓力，與現(xiàn)有技術(shù)相比罩蓋構(gòu)件17朝下方變凸的變形難以產(chǎn)生。尤其，罩蓋構(gòu)件17的上方側(cè)的拉伸應(yīng)力，通過將使罩蓋構(gòu)件17變形成朝下方變凸的模制樹脂層形成時(shí)的應(yīng)力抵消的作用，朝上方變凸的彎曲難以變形成朝下方變凸的彎曲。

再有，由于如上述地設(shè)定第1支承構(gòu)件11及第2支承構(gòu)件12～14的高度，故與所有支承構(gòu)件的高度相同的情況相比，能夠增大罩蓋構(gòu)件17與模制樹脂接觸的面積。由此，散熱路徑增多，能夠有效地提高散熱性。通過對(duì)設(shè)置了模塊基板及模制樹脂層的圖4所示的構(gòu)造進(jìn)行說明，從而使其清楚明了。

圖4所示的模塊型電子部件21具有模塊基板22。模塊基板22由氧化鋁等適宜的絕緣性材料構(gòu)成。在模塊基板22的一個(gè)主面上設(shè)置有電極連接盤23a、23b。電極連接盤23a、23b由適宜的金屬或合金構(gòu)成。焊料凸塊16b、16a被接合于電極連接盤23a、23b，由此第1實(shí)施方式的電子部件1被安裝于模塊基板22。

設(shè)置模制樹脂層24，以使得覆蓋電子部件1的周圍。模制樹脂層24將電子部件1的側(cè)方密封、且充滿罩蓋構(gòu)件17與模塊基板22之間。因此，在模塊型電子部件21中，能夠借助模制樹脂層24來保護(hù)內(nèi)部的電子部件1。再加上，如前所述，罩蓋構(gòu)件17與模制樹脂層24的接觸面積增大。為此，通過模制樹脂層24的散熱路徑增多。因此，能夠有效地提高散熱性。

再有，在模制樹脂層24的形成時(shí)，雖然樹脂引起的壓力施加于罩蓋構(gòu)件17，但因?yàn)檎稚w構(gòu)件17的張力較高，所以難以產(chǎn)生罩蓋構(gòu)件17的變形。再加上，罩蓋構(gòu)件17在中央側(cè)向自壓電基板2遠(yuǎn)離的方向彎曲。因此，即便施加了壓力，罩蓋構(gòu)件17在idt電極3側(cè)也不會(huì)較大程度地變形。由此，idt電極3與罩蓋構(gòu)件17的接觸也難以產(chǎn)生。

作為構(gòu)成上述第1支承構(gòu)件11、第2支承構(gòu)件12～14的合成樹脂，能夠優(yōu)選使用聚酰亞胺等適宜的熱固化性樹脂。優(yōu)選的是，使用感光性聚酰亞胺，能夠借助光刻法來形成第1支承構(gòu)件11及第2支承構(gòu)件12～14。設(shè)置有第1支承構(gòu)件11的部分中的聚酰亞胺的線寬比內(nèi)側(cè)的設(shè)置有第2支承構(gòu)件12～14的部分細(xì)。

涂敷上述感光性聚酰亞胺，在進(jìn)行了圖案化后，在氮?dú)夥障聦?shí)施例如300℃×1小時(shí)的熱處理。由此，使感光性聚酰亞胺固化，能夠形成第1支承構(gòu)件11及第2支承構(gòu)件12～14?？墒牵?支承構(gòu)件11及第2支承構(gòu)件12～14的形成方法未被限定于此。

對(duì)于構(gòu)成罩蓋構(gòu)件17的合成樹脂而言，雖然未特別地加以限定，但能夠優(yōu)選使用例如環(huán)氧樹脂等熱固化性樹脂。

下凸塊金屬層15a、15b及焊料凸塊16a、16b的形成能在將罩蓋構(gòu)件17層疊后進(jìn)行即可。例如，通過激光加工來形成將罩蓋構(gòu)件17及第1支承構(gòu)件11貫通的貫通孔。然后，聽過鍍覆生長法等來形成下凸塊金屬層15a、15b。接著，能夠通過焊料的印刷及回流法在下凸塊金屬層15a、15b上形成焊料凸塊16a、16b。

本實(shí)施方式中，焊料凸塊16a、16b的高度比罩蓋構(gòu)件17的最高位置還高。因此，能夠從焊料凸塊16a、16b側(cè)容易地安裝于模塊基板等。

關(guān)于本發(fā)明中的罩蓋構(gòu)件及第1、第2支承構(gòu)件的形狀及配置等，未被限定于上述實(shí)施方式。作為例子，通過對(duì)圖5～圖12所示的第2～第9實(shí)施方式進(jìn)行說明，從而清楚明了。其中，圖5～圖12分別指出與圖1相同的部分相當(dāng)?shù)牟糠值钠室晥D。再有，關(guān)于與第1實(shí)施方式相同的部分，賦予相同的參照號(hào)碼，由此省略說明。

還有，圖5～圖11中表示連結(jié)焊料凸塊16a、16b的上端的虛線h。通過虛線h，焊料凸塊的上端的高度和罩蓋構(gòu)件的最上部的高度的對(duì)比變得容易起來。

圖5所示的第2實(shí)施方式的電子部件31中，被設(shè)為位于中央的第2支承構(gòu)件13a的高度比第2支承構(gòu)件12、14的高度低。第2支承構(gòu)件13a的高度被設(shè)為高于第1支承構(gòu)件11的高度。這樣，與第1支承構(gòu)件11側(cè)的第2支承構(gòu)件12、14相比，也可以降低中央側(cè)的第2支承構(gòu)件13a的高度。該情況下，罩蓋構(gòu)件17在設(shè)置有第2支承構(gòu)件12及第2支承構(gòu)件14的部分的2處彎曲成朝上方突出。因此，罩蓋構(gòu)件17的張力有所提高。由此，張力被提高、且能夠進(jìn)一步增大與模制樹脂的接觸面積。為此，模制樹脂層形成時(shí)的罩蓋構(gòu)件17的變形難以產(chǎn)生，且能夠更有效地提高散熱性。

圖6所示的第3實(shí)施方式的電子部件32中，被設(shè)為第2支承構(gòu)件14a的高度高于第2支承構(gòu)件13。這樣，也可以使得第1支承構(gòu)件11的更內(nèi)側(cè)的第2支承構(gòu)件14a的高度比中央側(cè)的第2支承構(gòu)件13的高度還高。電子部件32的其他構(gòu)成和電子部件1同樣。

再有，如圖7所示的第4實(shí)施方式的電子部件33那樣，也可以使第2支承構(gòu)件12a的高度比中央側(cè)的第2支承構(gòu)件13還高。

也可以如電子部件32、33那樣，與中央側(cè)的第2支承構(gòu)件13相比，使位于第1支承構(gòu)件11側(cè)的第2支承構(gòu)件14a或第2支承構(gòu)件12a的高度最高。

進(jìn)一步，圖8是第5實(shí)施方式涉及的電子部件34的側(cè)面剖視圖。電子部件34中，罩蓋構(gòu)件17和電子部件1同樣地在中央?yún)^(qū)域內(nèi)朝自壓電基板2遠(yuǎn)離的方向突出。即，第2支承構(gòu)件13的高度比兩側(cè)的第2支承構(gòu)件12、14的高度還高。還有，第2支承構(gòu)件12～14的高度比第1支承構(gòu)件11更高?？墒?，電子部件34中，罩蓋構(gòu)件17的最上部比焊料凸塊16a、16b的上端還高。即，使第2支承構(gòu)件12～14的高度比第1支承構(gòu)件11還高，以便罩蓋構(gòu)件17的最上部比焊料凸塊16a、16b的上端還高。這樣，與罩蓋構(gòu)件17的最上部相比，焊料凸塊16a、16b的上端低也是可以的。即便在該情況下，在向模塊基板進(jìn)行安裝之際，只要將設(shè)置于模塊基板22上的電極連接盤的高度增高即可。

圖9所示的第6實(shí)施方式涉及的電子部件35中，也與電子部件34同樣，使罩蓋構(gòu)件17的最上部比焊料凸塊16a、16b的上端還高。電子部件35中，與電子部件31同樣地使中央的第2支承構(gòu)件13a的高度比兩側(cè)的第2支承構(gòu)件12、14的高度更低。

圖10所示的第7實(shí)施方式涉及的電子部件36中，使第2支承構(gòu)件14a的高度比第2支承構(gòu)件13還高。圖11所示的第8實(shí)施方式涉及的電子部件37中，第2支承構(gòu)件12a的高度被設(shè)為與第2支承構(gòu)件13同等。電子部件36、37中，與電子部件34同樣地使罩蓋構(gòu)件17的最上部比焊料凸塊16a、16b的上端還高。再有，在電子部件36、37中，罩蓋構(gòu)件17的最上部并不是設(shè)置有中央的第2支承構(gòu)件13的部分，而是成為設(shè)置有位于第1支承構(gòu)件11的更內(nèi)側(cè)的第2支承構(gòu)件14a或12a的部分。

圖12所示的第9實(shí)施方式涉及的電子部件38中，在設(shè)置有焊料凸塊16a、16b的部分中，焊料凸塊16a、16b的下方的第1支承構(gòu)件11的一部分由金屬構(gòu)成。圖12所示的剖面中，由于需要對(duì)焊料凸塊16a、16b進(jìn)行電連接，故設(shè)置有金屬所構(gòu)成的支承構(gòu)件部分11a。該情況下，能夠提高第1支承構(gòu)件11對(duì)罩蓋構(gòu)件17的支承強(qiáng)度。另外，第1支承構(gòu)件11具有框狀的形狀，但并不是在該框狀的形狀的整體內(nèi)都由金屬來形成。由絕緣性材料構(gòu)成的其余的部分和位于設(shè)置有焊料凸塊16a、16b的部分的下方的支承構(gòu)件部分11a被接合，由此構(gòu)成第1支承構(gòu)件11?？墒牵部梢允堑?支承構(gòu)件11的整體由金屬來構(gòu)成。

這樣，第1支承構(gòu)件11也可以通過與第2支承構(gòu)件12～14不同的材料來構(gòu)成。

可是，優(yōu)選的是期望第1支承構(gòu)件11與第2支承構(gòu)件12～14由相同的材料構(gòu)成。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)成本的下降及工藝的簡化。

此外，也可以取代焊料凸塊16a、16b而使用由au等其他金屬構(gòu)成的金屬凸塊。

再有，第2支承構(gòu)件也可以如圖12的上述第2支承構(gòu)件12～14那樣具有對(duì)多個(gè)材料層12a、12b、13a、13b、14d、14e進(jìn)行了層疊的構(gòu)造。由此，能夠調(diào)整第2支承構(gòu)件12～14的強(qiáng)度。

上述的各實(shí)施方式中，構(gòu)成了具有idt電極的聲表面波諧振器。本發(fā)明中，這種功能部未被限定于聲表面波諧振器，也可以是其他聲表面波諧振器或聲表面波濾波器。還有，功能部只要是需要中空部的功能部即可，未被限定于構(gòu)成彈性波元件的部件。

-符號(hào)說明-

1...電子部件

2...壓電基板

3...idt電極

4、5...反射器

6a～6c、7a、7b...聲表面波諧振器

8a、8b、8c、8d...電極連接盤

11...第1支承構(gòu)件

11a...支承構(gòu)件部分

12～14、12a～14a...第2支承構(gòu)件

12a、12b...材料層

13a、13b、14d、14e...材料層

14a～14c...第1～第3部分

15a、15b...下凸塊金屬層

16a、16b...焊料凸塊

17...罩蓋構(gòu)件

21...模塊型電子部件

22...模塊基板

23a、23b...電極連接盤

24...模制樹脂層

31～38...電子部件