本實(shí)用新型涉及散熱技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種復(fù)合型導(dǎo)熱墊片及通信設(shè)備的散熱裝置。

背景技術(shù)：

隨著通信技術(shù)的不斷發(fā)展，通信設(shè)備逐漸往小型化，高集成度和大功率的趨勢(shì)發(fā)展，通信設(shè)備中高熱耗的芯片的散熱問(wèn)題不可小覷?，F(xiàn)有技術(shù)中，通過(guò)在芯片與散熱機(jī)箱之間，墊入導(dǎo)熱墊片，將芯片的熱量傳導(dǎo)至散熱機(jī)箱上，以加快芯片的散熱。

但針對(duì)一些封裝小的芯片，由于芯片發(fā)熱面積小，對(duì)應(yīng)導(dǎo)熱墊片散熱面積小，導(dǎo)熱墊片不能將熱量迅速的傳導(dǎo)至散熱機(jī)箱，導(dǎo)致襯墊上熱量集中，從而直接導(dǎo)致芯片溫度超過(guò)其額定溫度，芯片失效甚至燒毀。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型實(shí)施例所要解決的技術(shù)問(wèn)題是：小封裝芯片的散熱效率低的問(wèn)題。

為了解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型公開(kāi)了一種通信設(shè)備的散熱裝置，包括：散熱機(jī)箱、芯片和復(fù)合型導(dǎo)熱墊片，其中，

所述復(fù)合型導(dǎo)熱墊片位于所述散熱機(jī)箱和所述芯片之間；所述復(fù)合型導(dǎo)熱墊片包括導(dǎo)熱墊片本體和用于減少所述導(dǎo)熱墊片本體的熱阻的金屬薄片，所述金屬薄片嵌于所述導(dǎo)熱墊片本體內(nèi)部，且與所述導(dǎo)熱墊片本體上表面平行。

優(yōu)選的，所述金屬薄片靠近芯片，所述金屬薄片的面積大于芯片的面積。

優(yōu)選的，所述金屬薄片與芯片的距離為0.2～0.5毫米。

優(yōu)選的，所述金屬薄片的厚度為0.5～1.5毫米。

為了解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型還公開(kāi)了一種復(fù)合型導(dǎo)熱墊片，應(yīng)用于上述通信設(shè)備的散熱裝置中，所述復(fù)合型導(dǎo)熱墊片包括：導(dǎo)熱墊片本體和用于減少所述導(dǎo)熱墊片本體的熱阻的金屬薄片，其中，所述金屬薄片嵌于所述導(dǎo)熱墊片本體內(nèi)部，且與所述導(dǎo)熱墊片本體上表面平行。

優(yōu)選的，所述金屬薄片靠近熱源側(cè)。

優(yōu)選的，所述金屬薄片與熱源側(cè)的距離為0.2～0.5毫米。

優(yōu)選的，所述金屬薄片的厚度為0.5～1.5毫米。

優(yōu)選的，所述復(fù)合型導(dǎo)熱墊片，通過(guò)在固定有所述金屬薄片的工裝中灌入液態(tài)導(dǎo)熱膠體，再將所述工裝中所述液態(tài)導(dǎo)熱膠體烘烤至固態(tài)形成，其中，所述導(dǎo)熱墊片本體通過(guò)將液態(tài)導(dǎo)熱膠體烘烤至固態(tài)形成。

優(yōu)選的，所述金屬薄片的面積大于熱源的面積。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型實(shí)施例包括以下優(yōu)點(diǎn)：

本實(shí)用新型實(shí)施例的通信設(shè)備的散熱裝置，包括：散熱機(jī)箱、芯片和復(fù)合型導(dǎo)熱墊片，其中，所述復(fù)合型導(dǎo)熱墊片位于所述散熱機(jī)箱和所述芯片之間；所述復(fù)合型導(dǎo)熱墊片包括導(dǎo)熱墊片本體和用于減少所述導(dǎo)熱墊片本體的熱阻的金屬薄片，所述金屬薄片嵌于所述導(dǎo)熱墊片本體內(nèi)部，且與所述導(dǎo)熱墊片本體上表面平行。由于金屬的導(dǎo)熱系數(shù)大于導(dǎo)熱墊片本體的導(dǎo)熱系數(shù)，而熱阻與導(dǎo)熱系數(shù)成反比，因此，通過(guò)在導(dǎo)熱墊片本體內(nèi)部嵌入金屬薄片，降低了復(fù)合型導(dǎo)熱墊片的熱阻，從而加快了復(fù)合型導(dǎo)熱墊片的散熱速度，提高了小封裝芯片的散熱效率。

附圖說(shuō)明

圖1示出了本實(shí)用新型的一種復(fù)合型導(dǎo)熱墊片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2示出了本實(shí)用新型的一種通信設(shè)備的散熱裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3示出了本實(shí)用新型的一種通信設(shè)備的散熱裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。

本實(shí)用新型實(shí)施例的通信設(shè)備的散熱裝置，包括：散熱機(jī)箱、芯片和復(fù)合型導(dǎo)熱墊片，其中，所述復(fù)合型導(dǎo)熱墊片位于所述散熱機(jī)箱和所述芯片之間；所述復(fù)合型導(dǎo)熱墊片包括導(dǎo)熱墊片本體和用于減少所述導(dǎo)熱墊片本體的熱阻的金屬薄片，所述金屬薄片嵌于所述導(dǎo)熱墊片本體內(nèi)部，且與所述導(dǎo)熱墊片本體上表面平行。由于金屬的導(dǎo)熱系數(shù)大于導(dǎo)熱墊片本體的導(dǎo)熱系數(shù)，而熱阻與導(dǎo)熱系數(shù)成反比，因此，通過(guò)在導(dǎo)熱墊片的本體內(nèi)部嵌入金屬薄片，降低了導(dǎo)熱墊片本體的熱阻，從而加快了導(dǎo)熱墊片的散熱速度，提高了小封裝芯片的散熱效率。

下面通過(guò)具體的實(shí)施例詳細(xì)介紹本實(shí)用新型提供的復(fù)合型導(dǎo)熱墊片，和包含所述復(fù)合型導(dǎo)熱墊片的通信設(shè)備的散熱裝置。

一般的導(dǎo)熱墊片包含固態(tài)導(dǎo)熱膠體和導(dǎo)熱顆粒，導(dǎo)熱墊片的導(dǎo)熱系數(shù)一般在0.6～6.1W/mk之間，而金屬的導(dǎo)熱系數(shù)在15W/mk以上，例如常用金屬不銹鋼在零攝氏度時(shí)，導(dǎo)熱系數(shù)為16.3W/mk，鋁在零攝氏度時(shí)，導(dǎo)熱系數(shù)為227W/mk；可見(jiàn)，金屬的導(dǎo)熱系數(shù)遠(yuǎn)大于導(dǎo)熱墊片的導(dǎo)熱系數(shù)。熱阻是反映阻止熱量傳遞的能力的綜合參量，熱阻越大，熱能量傳輸?shù)淖枇驮酱?；熱阻與材料的導(dǎo)熱系數(shù)和橫截面乘積成反比，與材料的傳輸熱量通路的長(zhǎng)度成正比，因此，在材料的橫截面積和傳輸通路長(zhǎng)度不變時(shí)，導(dǎo)熱系數(shù)越大，對(duì)應(yīng)的熱阻越小，從而傳導(dǎo)熱量的速度越快。

參照?qǐng)D1，示出了本實(shí)用新型的一種復(fù)合型導(dǎo)熱墊片的結(jié)構(gòu)示意圖，所述復(fù)合型導(dǎo)熱墊片包括導(dǎo)熱墊片本體11和金屬薄片12，所述金屬薄片12嵌于導(dǎo)熱墊片本體11中，且金屬薄片12與導(dǎo)熱墊片本體11的上表面平行。本實(shí)用新型實(shí)施例利用金屬薄片，代替相同面積和相同厚度的導(dǎo)熱墊片本體，降低了復(fù)合型導(dǎo)熱墊片的熱阻，增加復(fù)合型導(dǎo)熱墊片的傳導(dǎo)速率。

參照?qǐng)D2，示出了本實(shí)用新型的一種通信設(shè)備的散熱裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，包括：散熱機(jī)箱21、復(fù)合型導(dǎo)熱墊片22和芯片23；其中，復(fù)合型導(dǎo)熱墊片22包括：導(dǎo)熱墊片本體11和金屬薄片12，所述述金屬薄片12嵌于導(dǎo)熱墊片本體11中，且金屬薄片12與導(dǎo)熱墊片本體11的上表面平行，相比于現(xiàn)有技術(shù)的導(dǎo)熱墊片，本實(shí)用新型的復(fù)合型導(dǎo)熱墊片的傳導(dǎo)速率更高，使用所述復(fù)合型導(dǎo)熱墊片對(duì)小封裝芯片進(jìn)行散熱，可以提高小封裝芯片的散熱效率。其中，圖2中復(fù)合型導(dǎo)熱墊片22，與圖1中示出的復(fù)合型導(dǎo)熱墊片為復(fù)合型同一種復(fù)合型導(dǎo)熱墊片。

在本實(shí)用新型的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述金屬薄片12靠近芯片23，其中，芯片是產(chǎn)生熱量的熱源；由于小封裝的芯片產(chǎn)生的熱量，在與芯片貼合的導(dǎo)熱墊片本體的表面累積，因此，可以將金屬薄片嵌于靠近芯片，可以加快表面累積的熱量的傳導(dǎo)。優(yōu)選的，所述金屬薄片12與芯片23的距離為0.2～0.5毫米。

參照?qǐng)D3，示出了本實(shí)用新型的一種通信設(shè)備的散熱裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，包括：散熱機(jī)箱31、復(fù)合型導(dǎo)熱墊片32和芯片33，其中，復(fù)合型導(dǎo)熱墊片32包括導(dǎo)熱墊片本體11和金屬薄片12；在本實(shí)用新型的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述金屬薄片12的面積大于芯片33的面積。由于熱阻與材料的面積成反比，因此，增大金屬薄片12的面積，可以降低復(fù)合型導(dǎo)熱墊片的熱阻，增加復(fù)合型導(dǎo)熱墊片的傳導(dǎo)速率。此外，還可以加大熱量橫向傳導(dǎo)能力，增加散熱面積，具體熱量傳導(dǎo)過(guò)程如圖3所示，由于金屬的熱阻小于導(dǎo)熱墊片本體的熱阻，因此，當(dāng)導(dǎo)熱墊片本體11將芯片33發(fā)出熱量，傳導(dǎo)至金屬薄片12時(shí)，金屬薄片12除了將熱量縱向傳導(dǎo)外，還將熱量快速的進(jìn)行橫向傳導(dǎo)，因此，導(dǎo)熱墊片本體11與散熱機(jī)箱11的接觸的散熱面積，等于與金屬薄片12的面積；而現(xiàn)有技術(shù)中，導(dǎo)熱墊片對(duì)芯片進(jìn)行散熱時(shí)的散熱面積，等于芯片的表面積；由于芯片面積小于金屬薄片的面積，因此，本實(shí)用新型實(shí)施例進(jìn)一步提高了小封裝芯片的散熱效率。

在本實(shí)用新型的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述復(fù)合型導(dǎo)熱墊片32，通過(guò)在固定有所述金屬薄片12的工裝中灌入液態(tài)導(dǎo)熱膠體，再將所述工裝中所述液態(tài)導(dǎo)熱膠體烘烤至固態(tài)形成，其中，所述導(dǎo)熱墊片本體通過(guò)將液態(tài)導(dǎo)熱膠體烘烤至固態(tài)形成。其中，所述的工裝即為制作復(fù)合型導(dǎo)熱墊片的模具，工裝根據(jù)復(fù)合型導(dǎo)熱墊片要求制作，不同的復(fù)合型導(dǎo)熱墊片對(duì)應(yīng)不同的工裝，不同的工裝中金屬薄片12固定位置可以相同，也可以不同。

在本實(shí)用新型的一種優(yōu)選實(shí)施例中，金屬薄片12的厚度為0.5～1.5毫米。

其中，圖2與圖3中的散熱機(jī)箱和芯片只是示意圖，不表示尺寸的大小，這里不限制散熱機(jī)箱和芯片的形狀和尺寸，圖3中的復(fù)合型導(dǎo)熱墊片，與圖1中的復(fù)合型導(dǎo)熱墊片為同一種導(dǎo)熱墊片。

以上對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種復(fù)合型導(dǎo)熱墊片及通信設(shè)備的散熱裝置，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個(gè)例對(duì)本實(shí)用新型的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解本實(shí)用新型的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型的思想，在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本實(shí)用新型的限制。