1.一種SMD石英晶體諧振器基座，其特征在于：該基座采用上層基板(10)、下層基板(20)構(gòu)成的雙層陶瓷基板，其中用于安放晶片的金屬支撐平臺以及將金屬支撐平臺連接至導(dǎo)電材料灌注通孔的金屬帶(21)位于下層基板(20)的上板面，用于與上蓋焊接的金屬環(huán)平臺(11)位于上層基板(10)的上板面，所述上層基板(10)上設(shè)有晶片安放口(A)，所述晶片安放口(A)位于金屬環(huán)平臺(11)內(nèi)，所述上層基板(10)將所述金屬帶(21)遮蓋并使所述金屬支撐平臺裸露在所述晶片安放口(A)區(qū)域內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的SMD石英晶體諧振器基座，其特征在于：所述導(dǎo)電材料灌注通孔包括與所述金屬支撐平臺連接的第一通孔(1)、第三通孔(3)以及與所述金屬環(huán)平臺(11)連接的第二通孔(2)、第四通孔(4)，所述第一通孔(1)的對角位置為所述第三通孔(3)，所述第一通孔(1)、第三通孔(3)僅貫通下層基板(20)，所述第二通孔(2)的對角位置為第四通孔(4)，所述第二通孔(2)、第四通孔(4)貫通上層基板(10)、下層基板(20)，所述下層基板(20)的下板面設(shè)有與所述第一通孔(1)相對應(yīng)的第一電極金屬涂層(221)、與第二通孔(2)相對應(yīng)的第二電極金屬涂層(222)、與第三通孔(3)相對應(yīng)的第三電極金屬涂層(223)、與第四通孔(4)相對應(yīng)的第四電極金屬涂層(224)。
3.如權(quán)利要求2所述的SMD石英晶體諧振器基座，其特征在于：所述金屬支撐平臺包括第一金屬支撐平臺(231)、第二金屬支撐平臺(232)以及第三金屬支撐平臺(233)，所述第一金屬支撐平臺(231)臨近第四通孔(4)布置且通過金屬帶(21)連接至所述第三通孔(3)，所述第二金屬支撐平臺(232)位于所述第一通孔(1)處，所述第三金屬支撐平臺(233)與所述第一金屬支撐平臺(231)、第二金屬支撐平臺(232)構(gòu)成穩(wěn)定的三角支撐結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求2所述的SMD石英晶體諧振器基座，其特征在于：所述金屬環(huán)平臺(11)包括金屬基層以及在金屬基層上形成的鍍鎳層；所述金屬支撐平臺、金屬帶(21)、電極金屬涂層均包括金屬基層、在金屬基層上形成的鍍鎳層以及在鍍鎳層上形成的鍍金層。
5.如權(quán)利要求2所述的SMD石英晶體諧振器基座，其特征在于：在由所述雙層陶瓷基板排列布置構(gòu)成的大板中，位于分割線交點處的四塊雙層陶瓷基板的電極金屬涂層的連接關(guān)系是：第一雙層陶瓷基板上的第一電極金屬涂層(221)與相鄰的第二雙層陶瓷基板上的第二電極金屬涂層(222)鄰接，所述第二雙層陶瓷基板上的第二電極金屬涂層(222)又與相鄰的第三雙層陶瓷基板上的第三電極金屬涂層(223)鄰接，所述第三雙層陶瓷基板上的第三電極金屬涂層(223)又與相鄰的第四雙層陶瓷基板上的第四電極金屬涂層(224)鄰接。
6.如權(quán)利要求4所述的SMD石英晶體諧振器基座，其特征在于：所述第二電極金屬涂層(222)沿第二通孔(2)的外周布置但與第二通孔(2)之間留有第一環(huán)狀間隙(a)；所述第四電極金屬涂層(224)沿第四通孔(4)的外周布置但與第四通孔(4)之間留有第二環(huán)狀間隙(b)。
7.一種如權(quán)利要求6所述的SMD石英晶體諧振器基座的加工方法，包括先后進行的金屬基層的燒結(jié)過程、在所述金屬基層上鍍鎳的過程以及在所述鍍鎳層上進行鍍金的過程，其特征在于：
金屬基層的燒結(jié)過程：在上層基板(10)形成所述金屬環(huán)平臺的位置以及在下層基板(20)形成所述金屬支撐平臺、金屬帶以及電極金屬涂層的位置上印刷基層金屬；其中所述第一環(huán)狀間隙(a)處印刷有基層金屬構(gòu)成的第一金屬橋(a1)，構(gòu)成所述第二電極金屬涂層的基層金屬通過第一金屬橋(a1)與第二通孔中灌注的導(dǎo)電金屬材料連接；所述第二環(huán)狀間隙(b)中印刷有基層金屬構(gòu)成的第二金屬橋(b1)，構(gòu)成所述第四電極金屬涂層的基層金屬通過第二金屬橋(b1)與第四通孔中灌注的導(dǎo)電金屬材料連接；之后進行燒結(jié)形成帶有金屬基層且電極連通的雙層陶瓷基板；
在所述金屬基層上鍍鎳的過程：電解鍍鎳，使得所述雙層陶瓷基板上所有金屬基層上形成鍍鎳層；
在所述鍍鎳層上進行鍍金的過程：通過激光將鍍有鎳的所述第一金屬橋(a1)、第二金屬橋(b1)切割除去，之后進行電解鍍金。