本發(fā)明屬于諧振器領(lǐng)域，具體是涉及一種SMD石英晶體諧振器基座以及加工方法。

背景技術(shù)：

專利CN103066941A公開(kāi)了一種SMD石英晶體諧振器基座，該基座采用單層陶瓷基板，該陶瓷基板上分別設(shè)有灌注導(dǎo)電材料的第一通孔、第二通孔、第三通孔、第四通孔，其中第一通孔對(duì)角位置為第二通孔，第三通孔對(duì)角位置為第四通孔；所述陶瓷基板上板面沿外周設(shè)有與上蓋焊接的金屬環(huán)平臺(tái)，所述金屬環(huán)平臺(tái)內(nèi)設(shè)有用于安放晶片且以三點(diǎn)支撐形式布置的第一金屬支撐平臺(tái)、第二金屬支撐平臺(tái)、第三金屬支撐平臺(tái)，其中第一金屬支撐平臺(tái)通過(guò)金屬涂層構(gòu)成的金屬帶連接至所述第一通孔，所述第二金屬支撐平臺(tái)所在基板位置設(shè)置有所述第二通孔。該基座的缺陷在于：在進(jìn)行晶片安裝時(shí)，相應(yīng)的CCD圖像傳感器通過(guò)識(shí)別所述金屬環(huán)平臺(tái)的位置來(lái)對(duì)該基座進(jìn)行定位，由于基座整體尺寸微小，所述金屬帶與所述金屬環(huán)平臺(tái)距離又非常接近，所述金屬帶極易對(duì)CCD圖像傳感器在識(shí)別金屬環(huán)平臺(tái)的過(guò)程造成干擾，導(dǎo)致CCD圖像傳感器錯(cuò)誤地將所述金屬帶識(shí)別為所述金屬環(huán)平臺(tái)，進(jìn)一步導(dǎo)致基座定位以及晶片安裝位置的偏移。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種SMD石英晶體諧振器基座以及加工方法，該基座的結(jié)構(gòu)有效避免了對(duì)基座定位過(guò)程的干擾，保證了晶片的安裝精度。

為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，本發(fā)明采用了以下技術(shù)方案：

一種SMD石英晶體諧振器基座，該基座采用上層基板、下層基板構(gòu)成的雙層陶瓷基板，其中用于安放晶片的金屬支撐平臺(tái)以及將金屬支撐平臺(tái)連接至導(dǎo)電材料灌注通孔的金屬帶位于下層基板的上板面，用于與上蓋焊接的金屬環(huán)平臺(tái)位于上層基板的上板面，所述上層基板上設(shè)有晶片安放口，所述晶片安放口位于金屬環(huán)平臺(tái)內(nèi)，所述上層基板將所述金屬帶遮蓋并使所述金屬支撐平臺(tái)裸露在所述晶片安放口區(qū)域內(nèi)。

進(jìn)一步的，所述導(dǎo)電材料灌注通孔包括與所述金屬支撐平臺(tái)連接的第一通孔、第三通孔以及與所述金屬環(huán)平臺(tái)連接的第二通孔、第四通孔，所述第一通孔的對(duì)角位置為所述第三通孔，所述第一通孔、第三通孔僅貫通下層基板，所述第二通孔的對(duì)角位置為第四通孔，所述第二通孔、第四通孔貫通上層基板、下層基板，所述下層基板的下板面設(shè)有與所述第一通孔相對(duì)應(yīng)的第一電極金屬涂層、與第二通孔相對(duì)應(yīng)的第二電極金屬涂層、與第三通孔相對(duì)應(yīng)的第三電極金屬涂層、與第四通孔相對(duì)應(yīng)的第四電極金屬涂層。

進(jìn)一步的，所述金屬支撐平臺(tái)包括第一金屬支撐平臺(tái)、第二金屬支撐平臺(tái)以及第三金屬支撐平臺(tái)，所述第一金屬支撐平臺(tái)臨近第四通孔布置且通過(guò)金屬帶連接至所述第三通孔，所述第二金屬支撐平臺(tái)位于所述第一通孔處，所述第三金屬支撐平臺(tái)與所述第一金屬支撐平臺(tái)、第二金屬支撐平臺(tái)構(gòu)成穩(wěn)定的三角支撐結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，所述金屬環(huán)平臺(tái)包括金屬基層以及在金屬基層上形成的鍍鎳層；所述金屬支撐平臺(tái)、金屬帶、電極金屬涂層均包括金屬基層、在金屬基層上形成的鍍鎳層以及在鍍鎳層上形成的鍍金層。

進(jìn)一步的，在由所述雙層陶瓷基板排列布置構(gòu)成的大板中，位于分割線交點(diǎn)處的四塊雙層陶瓷基板的電極金屬涂層的連接關(guān)系是：第一雙層陶瓷基板上的第一電極金屬涂層與相鄰的第二雙層陶瓷基板上的第二電極金屬涂層鄰接，所述第二雙層陶瓷基板上的第二電極金屬涂層又與相鄰的第三雙層陶瓷基板上的第三電極金屬涂層鄰接，所述第三雙層陶瓷基板上的第三電極金屬涂層又與相鄰的第四雙層陶瓷基板上的第四電極金屬涂層鄰接。

進(jìn)一步的，所述第二電極金屬涂層沿第二通孔的外周布置但與第二通孔之間留有第一環(huán)狀間隙；所述第四電極金屬涂層沿第四通孔的外周布置但與第四通孔之間留有第二環(huán)狀間隙。

一種SMD石英晶體諧振器基座的加工方法，包括先后進(jìn)行的金屬基層的燒結(jié)過(guò)程、在所述金屬基層上鍍鎳的過(guò)程以及在所述鍍鎳層上進(jìn)行鍍金的過(guò)程：

金屬基層的燒結(jié)過(guò)程：在上層基板形成所述金屬環(huán)平臺(tái)的位置以及在下層基板形成所述金屬支撐平臺(tái)、金屬帶以及電極金屬涂層的位置上印刷基層金屬；其中所述第一環(huán)狀間隙處印刷有基層金屬構(gòu)成的第一金屬橋，構(gòu)成所述第二電極金屬涂層的基層金屬通過(guò)第一金屬橋與第二通孔中灌注的導(dǎo)電金屬材料連接；所述第二環(huán)狀間隙中印刷有基層金屬構(gòu)成的第二金屬橋，構(gòu)成所述第四電極金屬涂層的基層金屬通過(guò)第二金屬橋與第四通孔中灌注的導(dǎo)電金屬材料連接；之后進(jìn)行燒結(jié)形成帶有金屬基層且電極連通的雙層陶瓷基板；

在所述金屬基層上鍍鎳的過(guò)程：電解鍍鎳，使得所述雙層陶瓷基板上所有金屬基層上形成鍍鎳層；

在所述鍍鎳層上進(jìn)行鍍金的過(guò)程：通過(guò)激光將鍍有鎳的所述第一金屬橋、第二金屬橋切割除去，之后進(jìn)行電解鍍金。

本發(fā)明的有益效果在于：

(1)本發(fā)明采用雙層陶瓷基板的優(yōu)點(diǎn)在于：所述上層基板可以將下層基板上的金屬帶進(jìn)行覆蓋，在進(jìn)行基座定位時(shí)，避免所述金屬帶對(duì)CCD圖像傳感器在識(shí)別金屬環(huán)平臺(tái)的過(guò)程造成干擾，保證了基座定位的準(zhǔn)確性，提高了晶片的安裝精度。另外本發(fā)明并不改變?cè)谔沾苫迳线M(jìn)行的原有加工工藝，包括在陶瓷基板上打孔、印刷金屬基層等。

(2)本發(fā)明的另一個(gè)亮點(diǎn)為所述基座的加工方法：所述金屬基層的燒結(jié)過(guò)程進(jìn)行以后，形成了帶有金屬基層且電極連通的雙層陶瓷基板：即構(gòu)成所述第一金屬支撐平臺(tái)的金屬基層通過(guò)第一通孔中灌注的導(dǎo)電材料與構(gòu)成所述第一電極金屬涂層的金屬基層實(shí)現(xiàn)電極連通，構(gòu)成所述第二金屬支撐平臺(tái)的金屬基層通過(guò)第三通孔中灌注的導(dǎo)電材料與構(gòu)成所述第三電極金屬涂層的金屬基層實(shí)現(xiàn)電極連通；構(gòu)成所述金屬環(huán)平臺(tái)的金屬基層通過(guò)所述第二通孔中灌注的導(dǎo)電材料、第一金屬橋與構(gòu)成第二電極金屬涂層的金屬基層實(shí)現(xiàn)電極連通，同時(shí)通過(guò)所述第四通孔中灌注的導(dǎo)電材料、第二金屬橋與構(gòu)成第四電極金屬涂層的金屬基層實(shí)現(xiàn)電極連通。

在上述電極連通的前提條件下，在所述金屬基層上進(jìn)行鍍鎳，鍍鎳過(guò)程完成以后，構(gòu)成所述金屬環(huán)平臺(tái)、金屬支撐平臺(tái)、金屬帶、電極金屬涂層、第一金屬橋、第二金屬橋的金屬基層上形成了鍍鎳層。

接下來(lái)進(jìn)行鍍金，在進(jìn)行鍍金之前，需要說(shuō)明的是，所述金屬環(huán)平臺(tái)是與基座上蓋進(jìn)行激光焊接并起密封作用的部件，在金屬環(huán)平臺(tái)上鍍金不僅成本高，而且也造成了不必要的浪費(fèi)，為了避免金屬環(huán)平臺(tái)被鍍金，本發(fā)明通過(guò)激光將鍍有鎳的所述第一金屬橋、第二金屬橋切割除去，這樣金屬環(huán)平臺(tái)與相應(yīng)電極金屬涂層的電極連接關(guān)系被斷開(kāi)，那么在進(jìn)行鍍金的時(shí)候，金屬環(huán)平臺(tái)自然就不會(huì)再被鍍金，而構(gòu)成金屬支撐平臺(tái)、金屬帶、電極金屬涂層的鍍鎳層上形成了鍍金層。本發(fā)明通過(guò)對(duì)加工方式進(jìn)行改變，得到了加工成本更低的基座產(chǎn)品，大大提高了基座產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

(3)正是由于上述特殊的加工方式，所述第一金屬橋、第二金屬橋被激光切割除去，所以本發(fā)明基座產(chǎn)品中所述第二電極金屬涂層與第二通孔之間留有第一環(huán)狀間隙，即第二電極金屬涂層與第二通孔灌注的導(dǎo)電材料是不連通的；所述第四電極金屬涂層與第四通孔之間留有第二環(huán)狀間隙，即第四電極金屬涂層與第四通孔灌注的導(dǎo)電材料是不連通的。該結(jié)構(gòu)是由特殊的加工方式所決定的，正是這種特殊的加工方式，才得到僅有金屬基層與鍍鎳層而不包含鍍金層的所述金屬環(huán)平臺(tái)，本發(fā)明相比于現(xiàn)有技術(shù)中的基座產(chǎn)品鍍金部分有效減少，大大降低了基座加工的成本。

(4)所述雙層陶瓷基板排列布置構(gòu)成大板，相鄰的雙層陶瓷基板之間電極金屬涂層鄰接，印刷基層金屬后燒結(jié)實(shí)現(xiàn)電極連接，方便進(jìn)行鍍鎳、鍍金操作。

附圖說(shuō)明

圖1為下層基板的上板面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為上層基板的上板面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為上層基板合在下層基板上的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為下層基板的下板面示意圖；

圖5為下層基板的下板面在鍍金之前的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為雙層陶瓷基板排列布置構(gòu)成的大板結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中標(biāo)記的含義如下：

A-晶片安放口；1-第一通孔；2-第二通孔；3-第三通孔；4-第四通孔；10-上層基板；20-下層基板；21-金屬帶；221-第一電極金屬涂層；222-第二電極金屬涂層；223-第三電極金屬涂層；224-第四電極金屬涂層；231-第一金屬支撐平臺(tái)；232-第二金屬支撐平臺(tái)；233-第三金屬支撐平臺(tái)；a-第一環(huán)狀間隙；b-第二環(huán)狀間隙；a1-第一金屬橋；b1-第二金屬橋。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案做出更為具體的說(shuō)明：

實(shí)施例1：基座

如圖1、2、3、4所示，本發(fā)明SMD石英晶體諧振器基座采用上層基板10、下層基板20構(gòu)成的雙層陶瓷基板，其中用于安放晶片的金屬支撐平臺(tái)以及將金屬支撐平臺(tái)連接至導(dǎo)電材料灌注通孔的金屬帶21位于下層基板20的上板面，用于與上蓋焊接的金屬環(huán)平臺(tái)11位于上層基板10的上板面，所述上層基板10上設(shè)有晶片安放口A，所述晶片安放口A位于金屬環(huán)平臺(tái)11內(nèi)，所述上層基板10將所述金屬帶21遮蓋并使所述金屬支撐平臺(tái)裸露在所述晶片安放口A區(qū)域內(nèi)。本發(fā)明采用雙層陶瓷基板的優(yōu)點(diǎn)在于：所述上層基板10可以將下層基板20上的金屬帶21進(jìn)行覆蓋，在進(jìn)行基座定位時(shí)，避免所述金屬帶21對(duì)CCD圖像傳感器在識(shí)別金屬環(huán)平臺(tái)11的過(guò)程造成干擾，保證了基座定位的準(zhǔn)確性，提高了晶片的安裝精度。另外本發(fā)明并不改變?cè)谔沾苫迳线M(jìn)行的原有加工方式，包括在陶瓷基板上打孔、印刷金屬基層等。

所述導(dǎo)電材料灌注通孔包括與所述金屬支撐平臺(tái)連接的第一通孔1、第三通孔3以及與所述金屬環(huán)平臺(tái)11連接的第二通孔2、第四通孔4，所述第一通孔1的對(duì)角位置為所述第三通孔3，所述第一通孔1、第三通孔3僅貫通下層基板20，所述第二通孔2的對(duì)角位置為第四通孔4，所述第二通孔2、第四通孔4貫通上層基板10、下層基板20，所述下層基板20的下板面設(shè)有與所述第一通孔1相對(duì)應(yīng)的第一電極金屬涂層221、與第二通孔2相對(duì)應(yīng)的第二電極金屬涂層222、與第三通孔3相對(duì)應(yīng)的第三電極金屬涂層223、與第四通孔4相對(duì)應(yīng)的第四電極金屬涂層224。所述第二電極金屬涂層222沿第二通孔2的外周布置但與第二通孔2之間留有第一環(huán)狀間隙a；所述第四電極金屬涂層224沿第四通孔4的外周布置但與第四通孔4之間留有第二環(huán)狀間隙b。本發(fā)明基座產(chǎn)品中所述金屬環(huán)平臺(tái)11與相應(yīng)的第二電極金屬涂層222、第四電極金屬涂層224的電極連接關(guān)系是斷開(kāi)的。這是由產(chǎn)品加工方式所決定的，正是這種特殊的加工方式，才得到僅有金屬基層與鍍鎳層而不包含鍍金層的所述金屬環(huán)平臺(tái)11，本發(fā)明相比于現(xiàn)有技術(shù)中的基座產(chǎn)品鍍金部分有效減少，大大降低了基座加工的成本。

所述第一金屬支撐平臺(tái)231、第二金屬支撐平臺(tái)232、第三金屬支撐平臺(tái)233分別位于三角形的三角處，這樣可以形成穩(wěn)定的用于支撐晶片的結(jié)構(gòu)。所述第一金屬支撐平臺(tái)231、第二金屬支撐平臺(tái)232是晶片點(diǎn)膠平臺(tái)，所述第三金屬支撐平臺(tái)233僅用于支撐晶片。

如圖6所示，在由所述雙層陶瓷基板排列布置構(gòu)成的大板中，位于分割線交點(diǎn)處的四塊雙層陶瓷基板的電極金屬涂層的連接關(guān)系是：第一雙層陶瓷基板上的第一電極金屬涂層221與相鄰的第二雙層陶瓷基板上的第二電極金屬涂層222鄰接，所述第二雙層陶瓷基板上的第二電極金屬涂層222又與相鄰的第三雙層陶瓷基板上的第三電極金屬涂層223鄰接，所述第三雙層陶瓷基板上的第三電極金屬涂層223又與相鄰的第四雙層陶瓷基板上的第四電極金屬涂層224鄰接。所述雙層陶瓷基板排列布置構(gòu)成大板，相鄰的雙層陶瓷基板之間電極金屬涂層鄰接，印刷基層金屬后燒結(jié)實(shí)現(xiàn)電極連接，方便進(jìn)行鍍鎳、鍍金操作。

實(shí)施例2：基座的加工方法

金屬基層的燒結(jié)過(guò)程：在上層基板形成所述金屬環(huán)平臺(tái)的位置以及在下層基板形成所述金屬支撐平臺(tái)、金屬帶以及電極金屬涂層的位置上印刷基層金屬；其中如圖5所示，所述第一環(huán)狀間隙處印刷有基層金屬構(gòu)成的第一金屬橋，所述第二環(huán)狀間隙中印刷有基層金屬構(gòu)成的第二金屬橋。進(jìn)行燒結(jié)后形成帶有金屬基層且電極連通的雙層陶瓷基板：即構(gòu)成所述第一金屬支撐平臺(tái)231的金屬基層通過(guò)第一通孔1中灌注的導(dǎo)電材料與構(gòu)成所述第一電極金屬涂層221的金屬基層實(shí)現(xiàn)電極連通，構(gòu)成所述第二金屬支撐平臺(tái)232的金屬基層通過(guò)第三通孔3中灌注的導(dǎo)電材料與構(gòu)成所述第三電極金屬涂層223的金屬基層實(shí)現(xiàn)電極連通；構(gòu)成所述金屬環(huán)平臺(tái)11的金屬基層通過(guò)所述第二通孔2中灌注的導(dǎo)電材料、第一金屬橋a1與構(gòu)成第二電極金屬涂層222的金屬基層實(shí)現(xiàn)電極連通，同時(shí)通過(guò)所述第四通孔4中灌注的導(dǎo)電材料、第二金屬橋b1與構(gòu)成第四電極金屬涂層224的金屬基層實(shí)現(xiàn)電極連通。

在所述金屬基層上鍍鎳的過(guò)程：在上述電極連通的前提條件下，在所述金屬基層上進(jìn)行電解鍍鎳，鍍鎳過(guò)程完成以后，構(gòu)成所述金屬環(huán)平臺(tái)、金屬支撐平臺(tái)、金屬帶、電極金屬涂層、第一金屬橋、第二金屬橋的金屬基層上形成了鍍鎳層。

在所述鍍鎳層上進(jìn)行鍍金的過(guò)程：通過(guò)激光將鍍有鎳的所述第一金屬橋a1、第二金屬橋b1切割除去，之后進(jìn)行電解鍍金，得到基座產(chǎn)品中金屬環(huán)平臺(tái)不含鍍金層，而金屬支撐平臺(tái)、金屬帶、電極金屬涂層上含有鍍金層。