1.一種適于控制功率半導(dǎo)體部件的柵極驅(qū)動電路，所述柵極驅(qū)動電路包括能夠連接到正輔助電壓(V+)和負(fù)輔助電壓(V-)的柵極驅(qū)動器，所述柵極驅(qū)動電路包括具有電感耦合元件的、用于提供反饋信號的反饋電路，其中：
具有所述電感耦合元件的所述反饋電路的一端連接到已知的參考電位，并且所述反饋電路的另一端連接到所述柵極驅(qū)動器，以及
所述電感耦合元件感應(yīng)耦合到所述功率半導(dǎo)體部件的主電流路徑，以基于所述功率半導(dǎo)體部件的電流的變化率向所述柵極驅(qū)動器提供反饋信號，從而限制所述功率半導(dǎo)體部件的電流的變化率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵極驅(qū)動電路，其中，所述柵極驅(qū)動器包括形成推挽電路的晶體管對，所述晶體管對的輸出端連接到所述功率半導(dǎo)體部件的柵極，并且所述晶體管對的輸入端適于接收控制電壓(Vc)，從而控制所述功率半導(dǎo)體部件，并且
所述反饋信號被配置為根據(jù)所述功率半導(dǎo)體部件的電流的變化率來改變所述推挽電路的輸入端的電位。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柵極驅(qū)動電路，其中，所述反饋電路包括具有齊納電壓的雙極齊納二極管和第一電阻器(R13)，所述第一電阻器還連接到所述推挽晶體管電路的基極，并且
所述柵極驅(qū)動電路還包括控制電壓(Vc)的輸入端，所述控制電壓的輸入端通過第二電阻器(R12)連接到所述推挽式晶體管電路的基極。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的柵極驅(qū)動電路，其中，所述反饋電路適于向比較器(A21)提供反饋信號，所述比較器的另一輸入端接收用于控制所述功率半導(dǎo)體部件的控制電壓(Vc)，其中，基于所述比較器中的比較，改變功率半導(dǎo)體部件的狀態(tài)以限制電流的變化率。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵極驅(qū)動電路，其中，所述反饋電路包括電阻器(R35，R36)的串聯(lián)連接和晶體管(V34)，所述晶體管的基極連接在所述電阻器之間，并且來自所述電感耦合元件(T31)的反饋信號適于接通晶體管(V34)以改變所述柵極驅(qū)動器的電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的柵極驅(qū)動電路，其中，所述電感耦合元件是羅柯夫斯基線圈。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的柵極驅(qū)動電路，其中，所述電感耦合元件是耦合電感器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的柵極驅(qū)動電路，其中，所述電感耦合元件感應(yīng)耦合到DC鏈路的DC軌。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的柵極驅(qū)動電路，其中，所述功率半導(dǎo)體部件是功率晶體管，諸如IGBT或MOSFET。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的柵極驅(qū)動電路，其中，所述柵極驅(qū)動電路適于控制半橋配置中的功率半導(dǎo)體部件。