技術(shù)編號(hào):12728692
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及功率半導(dǎo)體部件的控制,更具體地涉及在功率半導(dǎo)體部件的開(kāi)關(guān)期間限制開(kāi)關(guān)瞬變(switchingtransient)。背景技術(shù)功率晶體管,例如IGBT和MOSFET,通常在功率電子器件中用作開(kāi)關(guān)部件。由于功率晶體管用作開(kāi)關(guān),它們應(yīng)當(dāng)能夠?qū)⑵錉顟B(tài)從阻斷狀態(tài)快速改變到完全導(dǎo)通狀態(tài),反之亦然,以最小化開(kāi)關(guān)期間的功率損耗。盡管快速切換高電流的能力是開(kāi)關(guān)部件的期望特性,但是快速地增加和減小電流和電壓可能引起某些問(wèn)題,特別是與電感負(fù)載(其中電流被從一個(gè)部件強(qiáng)制到另一部件)相關(guān)地快速增加和減小電流和電壓...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路,無(wú)完整電路圖,適合研究學(xué)習(xí)。