技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種用于TD?LTE的高增益CMOS低噪聲放大器，為全集成的兩級級聯(lián)結(jié)構(gòu)，第一級放大電路采用并聯(lián)電容的源電感反饋型共源共柵結(jié)構(gòu)，第二級放大電路采用電感峰化的共源共柵結(jié)構(gòu)；其中，單端射頻信號經(jīng)第一級放大電路實現(xiàn)輸入匹配和放大后，通過級間匹配單元送入所述第二級放大電路，完成二次放大和輸出匹配，最后輸出射頻信號。該低噪聲放大器芯片的集成度高、成本低；與傳統(tǒng)的源電感反饋型共源共柵結(jié)構(gòu)相比，獲得了極低的噪聲系數(shù)，提高了系統(tǒng)靈敏度；本發(fā)明在提高低噪聲放大器增益的同時增加了隔離度，從而抑制輸出信號對輸入的干擾，有利于抑制后級混頻器的噪聲；消除了電源對輸入信號的串?dāng)_。

技術(shù)研發(fā)人員：謝生;錢江浩;毛陸虹;李海鷗
受保護(hù)的技術(shù)使用者：天津大學(xué)
文檔號碼：201610973417
技術(shù)研發(fā)日：2016.10.26
技術(shù)公布日：2017.03.22