技術(shù)特征：

1.一種用于TD-LTE的高增益CMOS低噪聲放大器，所述低噪聲放大器為全集成的兩級級聯(lián)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述低噪聲放大器包括：第一級放大電路、第二級放大電路，還包括級間匹配單元及偏置電路；

所述第一級放大電路采用并聯(lián)電容的源電感反饋型共源共柵結(jié)構(gòu)，所述第二級放大電路采用電感峰化的共源共柵結(jié)構(gòu)；

其中，單端射頻信號經(jīng)所述第一級放大電路實(shí)現(xiàn)輸入匹配和放大后，通過所述級間匹配單元送入所述第二級放大電路，完成二次放大和輸出匹配，最后輸出射頻信號。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于TD-LTE的高增益CMOS低噪聲放大器，其特征在于，所述第一級放大電路包括：輸入管M₁、電感L_S、電感L_G、并聯(lián)電容C_t、放大管M₂以及電感L_D1，用于實(shí)現(xiàn)工作帶寬內(nèi)的噪聲阻抗和輸入阻抗同時匹配。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于TD-LTE的高增益CMOS低噪聲放大器，其特征在于，所述第二級放大電路采用了電感峰化的共源共柵結(jié)構(gòu)，包括：輸入管M₃、放大管M₄、電感L_D2和電容C_B2，用于提高低噪聲放大器的整體增益和反向隔離度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于TD-LTE的高增益CMOS低噪聲放大器，其特征在于，采用電容耦合方式實(shí)現(xiàn)第一、二級放大電路的級間匹配。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于TD-LTE的高增益CMOS低噪聲放大器，其特征在于，所述偏置電路采用二極管連接的MOS管與電阻串聯(lián)的方式，為兩級放大電路提供直流偏置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于TD-LTE的高增益CMOS低噪聲放大器，其特征在于，所述低噪聲放大器采用與數(shù)字處理單元兼容的硅基CMOS工藝，實(shí)現(xiàn)第一級放大電路、第二級放大電路，級間匹配單元及偏置電路的片上集成。