本發(fā)明涉及一種線路板結構,尤其涉及一種具有內埋式線路的線路板結構。
背景技術:
現今的線路板技術已發(fā)展出內埋式線路板(embedded circuit board),而這種線路板具有內埋式線路結構(structure with embedded circuit)。詳細而言,內埋式線路板的特征在于其表面的走線是內埋于介電層中,而非突出于介電層的表面。
一般而言,已知的具有內埋式線路的線路板結構的工藝是先提供覆蓋有一銅層的基板。接著,涂布一圖案化光阻層于銅層上,其中圖案化光阻層暴露部分的銅層。接著,對被暴露的部分銅層進行電鍍以形成一線路層。之后再移除圖案化光阻圖案層。接著將一半固化膠片(prepreg)壓合于線路層上,使線路層內埋于半固化膠片內,最后再移除銅層以及基板完成已知的具有內埋式線路的線路板結構。然而,上述的工藝步驟繁多且相當復雜,且圖案化光阻層的殘留物難以清除,也會影響線路板結構的工藝良率。
技術實現要素:
本發(fā)明提供一種線路板結構,其工藝較簡單且工藝良率較高。
本發(fā)明的線路板結構包括可金屬化絕緣基板、化學鍍種子層以及圖案化線路層??山饘倩^緣基板包括上表面、相對上表面的下表面、通孔以及多個線路凹槽,其中通孔貫穿可金屬化絕緣基板,線路凹槽分別設置于上表面及下表面。化學鍍種子層覆蓋線路凹槽與通孔的內壁。圖案化線路層設置于化學鍍種子層上,且圖案化線路層填充線路凹槽并至少覆蓋通孔的內壁。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的可金屬化絕緣基板的材料包括聚酰亞胺(polyimide,PI)。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的化學鍍種子層的材料包括鎳。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的圖案化線路層的材料包括銅。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的線路凹槽的至少其中之一與通孔連通。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的圖案化線路層的外表面與對應的上表面及下表面共平面。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的通孔是通過激光鉆孔而形成。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的線路凹槽是通過激光燒蝕而形成。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的線路凹槽與通孔的內壁為平滑表面。
在本發(fā)明的一實施例中,上述的線路板結構還包括填充材,其填充于通孔內。
基于上述,本發(fā)明于可金屬化絕緣基板的表面上形成多個線路凹槽及通孔,在通過化學鍍工藝于可金屬化絕緣基板的表面形成化學鍍種子層,之后,便可利用化學鍍種子層作為導電路徑進行電鍍工藝,以形成填充于線路凹槽及通孔內的圖案化線路層。因此,本發(fā)明有效簡化了線路板結構的工藝步驟,提升工藝效率,此外,本發(fā)明也可避免已知光阻層難以清除的問題,因而可提升線路板結構的工藝良率。
為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合附圖作詳細說明如下。
附圖說明
圖1A至圖1F是依照本發(fā)明的一實施例的一種線路板結構的示意圖;
圖2是依照本發(fā)明的另一實施例的一種線路板結構的示意圖。
附圖標記:
100、100a:線路板結構
110:可金屬化絕緣基板
112:上表面
114:下表面
116:通孔
118:線路凹槽
120:化學鍍種子層
130:金屬層
132:圖案化線路層
140:填充材
具體實施方式
有關本發(fā)明之前述及其他技術內容、特點與功效,在以下配合參考圖式的各實施例的詳細說明中,將可清楚的呈現。以下實施例中所提到的方向用語,例如:“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等,僅是參考附加圖式的方向。因此,使用的方向用語是用來說明,而并非用來限制本發(fā)明。并且,在下列各實施例中,相同或相似的組件將采用相同或相似的標號。
圖1A至圖1F是依照本發(fā)明的一實施例的一種線路板結構的示意圖。本實施例的線路板結構的制作方法可包括下列步驟。首先,請參照圖1A,提供可金屬化絕緣基板110,其包括上表面112、相對上表面112的下表面114。在本實施例中,可金屬化絕緣基板110的材料包括聚酰亞胺(polyimide,PI)。
接著,請參照圖1B,形成至少一通孔116于可金屬化絕緣基板110上。在本實施例中,通孔116貫穿可金屬化絕緣基板110以連通上表面112及下表面114。具體而言,形成通孔116的方法可包括激光鉆孔或機械鉆孔,當然,本實施例僅用以舉例說明,本發(fā)明并不限制通孔116的數量及形成方法。
接著,請參照圖1C,形成多個線路凹槽118于可金屬化絕緣基板110上。線路凹槽118分別設置于可金屬化絕緣基板110的上表面112及下表面114。并且,線路凹槽118的至少其中之一與通孔116連通。具體而言,形成線路凹槽118的方法可包括激光燒蝕,當然,本實施例僅用以舉例說明,本發(fā)明并不限制線路凹槽118的數量、配置方式及形成方法。并且,在本實施例中,線路凹槽118與通孔116的內壁皆為平滑的表面。
接著,請參照圖1D,通過化學鍍工藝,以形成化學鍍種子層120于可金屬化絕緣基板110上。具體而言,化學鍍種子層120全面性覆蓋可金屬化絕緣基板110的上表面112及下表面114,并覆蓋線路凹槽118與通孔116的內壁。在本實施例中,化學鍍工藝是利用化學氧化還原反應在可金屬化絕緣基板110的表面沉積鍍層。
在本實施例中,化學鍍種子層120的材料包括鎳,也就是說,本實施例的化學鍍種子層120可為化學鍍鎳層。具體而言,化學鍍鎳是用還原劑把溶液中的鎳離子還原沉積在具有催化活性的表面上。舉例而言,本實施例可例如先將絕緣基板經過特殊的活化及敏化處理,以形成可金屬化絕緣基板110。如此,化學鍍工藝可包括將可金屬化絕緣基板110浸入例如以硫酸鎳、次磷酸二氫鈉、乙酸鈉和硼酸等所配成的混合溶液內,使其在一定酸度和溫度下發(fā)生變化,讓溶液中的鎳離子被次磷酸二氫鈉還原為原子而沉積于可金屬化絕緣基板110的表面上而形成如圖1D所示的化學鍍種子層120。
接著,請參照圖1E,以化學鍍種子層120作為導電路徑進行電鍍工藝,以形成如圖1E所示的金屬層130,其中,金屬層130的材料包括銅,且其全面性覆蓋化學鍍種子層120,并填充通孔116及線路凹槽118。
接著,請參照圖1F,通過微蝕工藝,將高于可金屬化絕緣基板110的上表面112及下表面114的部分金屬層130以及化學鍍種子層120移除,以形成如圖1F所示的圖案化線路層132,其中,圖案化線路層132設置于化學鍍種子層120上,且圖案化線路層132填充線路凹槽118并至少覆蓋通孔116的內壁。在本實施例中,圖案化線路層132的外表面與對應的上表面112及下表面114共平面,且圖案化線路層132填滿通孔116及線路凹槽118。如此,即大致形成本實施例的線路板結構100。
就結構而言,線路板結構100如圖1F所示包括可金屬化絕緣基板110、化學鍍種子層120以及圖案化線路層132。可金屬化絕緣基板110包括上表面112、相對上表面112的下表面114、至少一通孔116以及多個線路凹槽118,其中,通孔116貫穿可金屬化絕緣基板110,而線路凹槽118則分別設置于可金屬化絕緣基板110的上表面112及下表面114?;瘜W鍍種子層120覆蓋線路凹槽118與通孔116的內壁。圖案化線路層132設置于化學鍍種子層120上,且圖案化線路層132填充線路凹槽118并至少覆蓋通孔116的內壁。在本實施例中,圖案化線路層132填滿線路凹槽118及通孔116,且圖案化線路層132的外表面與對應的上表面112及下表面114共平面。線路凹槽118的至少其中之一與通孔116連通,以通過圖案化線路層132形成電性連接。
須說明的是,本實施例的線路板結構100僅顯示了一層可金屬化絕緣基板110及圖案化線路層132,也就是說,本實施例所顯示的線路板結構100為單層板結構。然而,在其他實施例中,本發(fā)明的線路板結構亦可為多層板結構,換句話說,線路板結構也可以是由多個圖1F所示的結構彼此堆棧而成,本發(fā)明并不限制線路板結構的疊構數量。
圖2是依照本發(fā)明的另一實施例的一種線路板結構的示意圖。在此必須說明的是,本實施例的線路板結構100a與圖1F的線路板結構100相似,因此,本實施例沿用前述實施例的組件標號與部分內容,其中采用相同的標號來表示相同或近似的組件,并且省略了相同技術內容的說明。關于省略部分的說明可參考前述實施例,本實施例不再重復贅述。請參照圖2,以下將針對本實施例的線路板結構100a與圖1F的線路板結構100的差異做說明。
在本實施例中,線路板結構100a還包括填充材140。圖案化線路層132填充線路凹槽118并僅覆蓋通孔116的內壁。因此,填充材140用以填滿通孔116內未被圖案化線路層132所填滿的空間。舉例而言,填充材140可包括樹脂、填充油墨或導電膏等。當然,本實施例僅用以舉例說明,本發(fā)明并不限制填充材140的材料以及通孔116的形式。
相似地,本實施例的線路板結構100a僅顯示了一層可金屬化絕緣基板110及圖案化線路層132的單層板結構。然而,在其他實施例中,本發(fā)明的線路板結構亦可為多層板結構,也就是說,本發(fā)明的線路板結構也可以是由多個圖2所示的結構彼此堆棧而成,本發(fā)明并不限制線路板結構的疊構數量。
綜上所述,本發(fā)明于可金屬化絕緣基板的表面上形成多個線路凹槽及通孔,在通過化學鍍工藝于可金屬化絕緣基板的表面形成化學鍍種子層,之后,便可利用化學鍍種子層作為導電路徑進行電鍍工藝,以形成填充于線路凹槽及通孔內的圖案化線路層。因此,本發(fā)明有效簡化了線路板結構的工藝步驟,提升工藝效率。除此之外,本發(fā)明也可避免已知光阻層難以清除的問題,因而可提升線路板結構的工藝良率。
雖然本發(fā)明已以實施例揭示如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何所屬技術領域中普通技術人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內,當可作些許的改動與潤飾,故本發(fā)明的保護范圍當視所附權利要求界定范圍為準。