技術(shù)特征：

1.一種高線性度可變?cè)鲆娣糯笃鳎ㄓ靡詫?duì)信號(hào)進(jìn)行放大或衰減的可變?cè)鲆娣糯笃?，其特征在于：所述可變?cè)鲆娣糯笃鞑捎瞄]環(huán)負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，同時(shí)還采用產(chǎn)生增益控制電壓的指數(shù)增益控制電路，從而實(shí)現(xiàn)可變?cè)鲆娣糯笃鞯脑鲆娉蔰B線性連續(xù)變化；

所述可變?cè)鲆娣糯笃饔扇罘诌\(yùn)算放大器A和第一PMOS管M1、第二PMOS管M2、第三PMOS管M3和第四PMOS管M4構(gòu)成，所述第一PMOS管M1和第三PMOS管M3為輸入PMOS管，所述第二PMOS管M2和第四PMOS管M4為反饋PMOS管；所述第一PMOS管M1的源端連接至第一輸入信號(hào)VIP，所述第一PMOS管M1的漏端與所述全差分運(yùn)算放大器A的正輸入端相連；所述第二PMOS管M2的源端連接至第二輸入信號(hào)VIN，所述第二PMOS管M2的漏端與所述全差分運(yùn)算放大器A的負(fù)輸入端相連；所述第三PMOS管M3的漏端與全差分運(yùn)算放大器A的正輸入端相連，所述第三PMOS管M3的源端與全差分運(yùn)算放大器A的負(fù)輸出端VON相連；所述第四PMOS M4的漏端與全差分運(yùn)算放大器A的負(fù)輸入端相連，所述第四PMOS管M4的源端與全差分運(yùn)算放大器A的正輸出端VOP相連；所述第一PMOS管M1和所述第三PMOS管M3的柵極均與第一增益控制電壓V_c1相連，第二PMOS管M2和第四PMOS管M4的柵極均與第二增益控制電壓V_c2相連；

所述全差分運(yùn)算放大器A包括第一級(jí)和第二級(jí)兩級(jí)結(jié)構(gòu)及偏置電路和共模反饋電路，其中，第一級(jí)為套筒式共源共柵結(jié)構(gòu)，第二級(jí)為共源級(jí)；

所述可變?cè)鲆娣糯笃髦械牡谝籔MOS管M1、第三PMOS管M3、第二PMOS管M2、第四PMOS管M4均工作在線性區(qū)，其中，第一PMOS管M1和第二PMOS管M2的等效電阻為Rin：

$Rin=\frac{1}{{\mathrm{\μ}}_P{C}_{ox}\frac{W}{L}(VIN-V_{C1}-|V_{THP}\left|\right)}---\left(1\right)$

式（1）中，μ_P為PMOS的空穴遷移率，單位為cm²/V-s；C_ox為單位面積的柵氧化層電容，單位為F/cm²；為PMOS的寬長(zhǎng)比；V_THP為PMOS的閾值電壓，單位為V；

第三PMOS管M3和第四PMOS管M4的等效電阻為Rf：

$Rf=\frac{1}{{\mathrm{\μ}}_P{C}_{ox}\frac{W}{L}(VON-V_{C2}-|V_{THP}\left|\right)}---\left(2\right)$

式（2）中，式（1）中，μ_P為PMOS的空穴遷移率，單位為cm²/V-s；C_ox為單位面積的柵氧化層電容，單位為F/cm²；為PMOS的寬長(zhǎng)比；V_THP為PMOS的閾值電壓，單位為V；

所述可変增益放大器A的增益為A：

$A=-\frac{Rf}{Rin}=\frac{{\mathrm{\μ}}_P{C}_{ox}\frac{W}{L}(VIN-V_{C1}-|V_{THP}\left|\right)}{{\mathrm{\μ}}_P{C}_{ox}\frac{W}{L}(VON-V_{C2}-|V_{THP}\left|\right)}=\frac{V_{C1}-(VIN-|V_{THP}\left|\right)}{V_{C2}-(VON-|V_{THP}\left|\right)}---\left(3\right)$

所述指數(shù)增益控制電路用于產(chǎn)生兩個(gè)所述的第一增益控制電壓V_c1和第二增益控制電壓V_c2，所述指數(shù)增益控制電路的輸入為外部控制信號(hào)V_c，其中，第一PMOS管M1、第三PMOS管M3的柵極與第一增益控制電壓V_c1相連，第二PMOS管M2、第四PMOS管M4的柵極與第二增益控制電壓V_c2相連；所述指數(shù)增益控制電路的外部基準(zhǔn)電流為I₀；所述指數(shù)增益控制電路包括17個(gè)MOS管和兩個(gè)電阻，17個(gè)MOS管分別記作MOS管M5、MOS管M6、MOS管M7、MOS管M8、MOS管M9、MOS管M10、MOS管M11、MOS管M12、MOS管M13、MOS管M14、MOS管M15、MOS管M16、MOS管M17、MOS管M18、MOS管M19、MOS管M20和MOS管M21，兩個(gè)電阻為電阻R1和電阻R2；外部控制信號(hào)V_c與所述MOS管M5和所述MOS管M6的柵極相連；通過電流鏡形式，所述MOS管M14和MOS管M15將外部基準(zhǔn)電流I₀鏡像給所述MOS管M11和MOS管M12，則流過所述MOS管M8的電流為所述MOS管M5和MOS管M12的電流之和，然后，通過所述MOS管M10的漏電流鏡像給所述MOS管M9，然后，鏡像給MOS管M21；同時(shí)，所述MOS管M9鏡像得到外部基準(zhǔn)電流I₀與所述MOS管M6的電流之和流過所述MOS管M7，然后，鏡像給所述MOS管M20；電阻R1的一端與所述MOS管M20的漏端相連，電阻R1的另一端接地Vss；電阻R2的一端與M21的漏端相連，電阻R2的另一端接地Vss，從而，流經(jīng)電阻R1的電流I_c1和流經(jīng)電阻R2的電流I_c2分別為：

$I_{C1}=K_N{(V_{SS}+V_{THN})}^2\·\{\frac{I_0}{K_N{(V_{SS}+V_{THN})}^2}+{(1-\frac{V_C}{(V_{SS}+V_{THN})})}^2\}---\left(4\right)$

式（4）中，μ_N為NMOS的空穴遷移率，單位為cm²/V-s；為NMOS的寬長(zhǎng)比；V_THN為NMOS的閾值電壓，單位V；

$I_{C2}=K_P{(V_{DD}-|V_{THP}\left|\right)}^2\·\{\frac{I_0}{K_P{(V_{DD}-|V_{THP}\left|\right)}^2}+{(1-\frac{V_C}{(V_{DD}-|V_{THP}\left|\right)})}^2\}---\left(5\right)$

式（5）中，第一增益控制電壓V_c1和第二增益控制電壓V_c2分別為：

V_C1=I_C1·R₁ （6）

V_C2=I_C2·R₂ （7）

令：電阻R1和電阻R2的阻值相等，設(shè)K_N=K_P=K，V_THN=|V_THP|=V_TH，V_DD=-V_SS，則第一增益控制電壓V_c1和第二增益控制電壓V_c2的比值為：

$\frac{V_{C1}}{V_{C2}}=\frac{I_{C1}}{I_{C2}}=\frac{\frac{I_0}{K{(V_{DD}-V_{TH})}^2}+{(1+\frac{V_C}{(V_{DD}-V_{TH})})}^2}{\frac{I_0}{K{(V_{DD}-V_{TH})}^2}+{(1-\frac{V_C}{(V_{DD}-V_{TH})})}^2}---\left(8\right).$