本發(fā)明涉及一種電路板及一種電路板制作方法。

背景技術(shù)：

隨著電子產(chǎn)品向高性能、多功能、易攜帶方向發(fā)展，印刷電路板出現(xiàn)了將電磁屏蔽連接墊外露的設(shè)計(jì)。在制作外層電路時(shí)，為使電磁屏蔽連接墊外露，通常會在所述電磁屏蔽連接墊對應(yīng)的區(qū)域進(jìn)行預(yù)蝕刻及沖型以將該區(qū)域?qū)?yīng)的外層銅箔及介電層移除。為對該外露電磁屏蔽連接墊進(jìn)行保護(hù)，通常會壓合干膜。然而，由于外層銅箔及介電層移除后，在該外露區(qū)域形成斷差，壓合干膜時(shí)，干膜與電磁屏蔽連接墊之間容易形成氣泡。氣泡的存在將導(dǎo)致在進(jìn)行后續(xù)處理時(shí)，蝕刻藥水灌入咬噬該外露的電磁屏蔽連接墊而導(dǎo)致針孔不良產(chǎn)生。另外，壓合干膜形成抗蝕層時(shí)，由于曝光對位公差，導(dǎo)致在電磁屏蔽連接墊邊緣會有銅環(huán)殘留。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，有必要提供一種能夠解決上述技術(shù)問題的電路板及電路板制作方法。

一種電路板，包括內(nèi)層結(jié)構(gòu)、第一外層結(jié)構(gòu)及電磁屏蔽材料。所述內(nèi)層結(jié)構(gòu)包括第一內(nèi)層線路。所述第一內(nèi)層線路包括電磁屏蔽連接墊。所述電磁屏蔽連接墊表面形成有鍍銅層。該第一外層結(jié)構(gòu)形成在所述第一內(nèi)層線路及所述鍍銅層表面。所述鍍銅層完全覆蓋所述電子屏蔽連接墊且部分內(nèi)埋在所述第一外層結(jié)構(gòu)中。自所述鍍銅層背離所述電磁屏蔽連接墊的表面向所述鍍銅層內(nèi)部形成有u形槽。所述第一外層結(jié)構(gòu)對應(yīng)所述u形槽開設(shè)有一開口。所述電磁屏蔽材料充滿所述u形槽及所述開口。

一種電路板制作方法，包括：提供內(nèi)層結(jié)構(gòu)，所述內(nèi)層結(jié)構(gòu)包括內(nèi)層電路板及鍍銅層，所述內(nèi)層電路板包括第一內(nèi)層線路，所述第一內(nèi)層線路包括電磁屏蔽連接墊，所述鍍銅層形成在所述電磁屏蔽連接墊表面，并延伸至所述電磁屏蔽連接墊外；在所述第一內(nèi)層線路及所述鍍銅層表面形成第一外層基板，所述第一外層基板對應(yīng)所述電磁屏蔽連接墊開設(shè)有一開口，所述開口貫穿所述第一外層基板，所述第一外層基板包括第一外層銅箔，所述第一外層銅箔位于所述第一外層基板遠(yuǎn)離所述第一內(nèi)層線路的一側(cè)；在所述第一外層銅箔表面形成圖案化的第一抗蝕層，所述開口及部分所述第一外層銅箔自所述第一抗蝕層露出；蝕刻移除自所述第一抗蝕層露出的部分所述第一外層銅箔以形成第一外層線路，及蝕刻移除部分自所述開口露出的鍍銅層以形成u形槽；在所述u形槽及所述開口中填充電磁屏蔽材料。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的電路板由于在所述電磁屏蔽連接墊表面形成有鍍銅層，在蝕刻形成外層線路時(shí)，無需形成抗蝕層遮蔽所述電磁屏蔽連接墊，因此，可避免形成抗蝕層時(shí)，在所述電磁屏蔽連接墊處藏有氣泡而導(dǎo)致針孔產(chǎn)生，同時(shí)，也可避免形成抗蝕層時(shí)曝光對位公差，導(dǎo)致在所述電磁屏蔽連接墊邊緣的銅環(huán)殘留。

附圖說明

圖1為本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的內(nèi)層結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。

圖2為本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的內(nèi)層基板的剖面示意圖。

圖3為自圖2的第一內(nèi)層銅箔背離第二內(nèi)層銅箔的表面向內(nèi)層基板開設(shè)第一盲孔后的剖面示意圖。

圖4為將圖3中的第一盲孔制作形成第一導(dǎo)通孔，并形成鍍銅層后的剖面示意圖。

圖5為本發(fā)明具體實(shí)施方式提供的第一外層基板及第二外層基板的剖面示意圖。

圖6為將圖5的第一外層基板及第二外層基板分別形成在圖1的第一內(nèi)層線路及第二內(nèi)層線路后的剖面示意圖。

圖7為在圖6的第一外層基板中形成第二導(dǎo)通孔及在所述第二外層基板中形成第三導(dǎo)通孔后的剖面示意圖。

圖8為在圖7的第一外層銅箔表面形成圖案化的第一抗蝕層，及在第二外層銅箔表面形成圖案化的第二抗蝕層后的剖面示意圖。

圖9為蝕刻移除圖8中自第一抗蝕層露出的部分第一外層銅箔，自開口露出的鍍銅層及自第二抗蝕層露出的第二外層銅箔層，以分別形成第一外層線路，u形槽及第二外層線路后的剖面示意圖。

圖10為在圖9的第一外層線路表面形成第一覆蓋層及在第二外層線路表面形成第二覆蓋層后的剖面示意圖。

圖11為在圖10的u形槽及開口中填充電磁屏蔽材料后的剖面示意圖。

主要元件符號說明

電路板100

內(nèi)層結(jié)構(gòu)10

內(nèi)層電路板11

鍍銅層12

內(nèi)層介電層111

第一內(nèi)層線路112

第二內(nèi)層線路113

第一導(dǎo)通孔1111

電磁屏蔽連接墊1121

內(nèi)層基板101

第一內(nèi)層銅箔1012

第二內(nèi)層銅箔1013

預(yù)形成連接墊區(qū)1014

周邊區(qū)1015

第一盲孔1011

第一外層基板201

第二外層基板202

開口211

第一外層介電層212

第一外層銅箔213

第一膠層214

第二外層介電層221

第二外層銅箔222

第二膠層223

第二導(dǎo)通孔215

第三導(dǎo)通孔224

第一抗蝕層23

第二抗蝕層24

第一外層線路216

u形槽121

第二外層線路225

第一覆蓋層31

第二覆蓋層32

電磁屏蔽材料40

第一外層結(jié)構(gòu)21

第二外層結(jié)構(gòu)22

如下具體實(shí)施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說明本發(fā)明。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施方式對本發(fā)明提供的電路板及電路板制作方法作進(jìn)一步說明。

本發(fā)明實(shí)施方式提供的電路板制作方法，包括以下步驟。

第一步，請參閱圖1，提供一個(gè)內(nèi)層結(jié)構(gòu)10。

本實(shí)施方式中，所述內(nèi)層結(jié)構(gòu)10包括內(nèi)層電路板11及鍍銅層12。所述內(nèi)層電路板11包括內(nèi)層介電層111、第一內(nèi)層線路112及第二內(nèi)層線路113。所述第一內(nèi)層線路112及第二內(nèi)層線路113位于所述內(nèi)層介電層111的相背兩側(cè)。所述第一內(nèi)層線路112及第二內(nèi)層線路113通過貫穿所述內(nèi)層介電層111的第一導(dǎo)通孔1111電連接。所述第一內(nèi)層線路112包括電磁屏蔽連接墊1121。所述鍍銅層12完全覆蓋所述電磁屏蔽連接墊1121，所述鍍銅層12的邊緣伸出至所述電磁屏蔽連接墊1121之外。

所述內(nèi)層結(jié)構(gòu)10可通過如下方式獲得。

首先，請參閱圖2，提供一個(gè)內(nèi)層基板101。所述內(nèi)層基板101包括內(nèi)層介電層111、第一內(nèi)層銅箔1012及第二內(nèi)層銅箔1013。所述第一內(nèi)層銅箔1012及第二內(nèi)層銅箔1013位于所述內(nèi)層介電層111的相背兩側(cè)。所述第一內(nèi)層銅箔1012包括一個(gè)預(yù)形成連接墊區(qū)1014及圍繞所述預(yù)形成連接墊區(qū)1014的周邊區(qū)1015。

接著，請參閱圖3，自所述第一內(nèi)層銅箔1012背離所述第二內(nèi)層銅箔1013的表面向所述內(nèi)層基板101開設(shè)第一盲孔1011。所述第一盲孔1011位于所述周邊區(qū)1015。所述第一盲孔1011貫穿所述第一內(nèi)層銅箔1012及所述內(nèi)層介電層111。部分所述第二內(nèi)層銅箔1013自所述第一盲孔1011露出。

接著，請參閱圖4，將所述第一盲孔1011電鍍形成第一導(dǎo)通孔1111，及在所述預(yù)形成連接墊區(qū)1014表面形成鍍銅層12。所述鍍銅層12完全覆蓋所述預(yù)形成連接墊區(qū)1014，并延伸至部分所述周邊區(qū)1015。

接著，請?jiān)俅螀㈤唸D1，選擇性地移除部分所述第一內(nèi)層銅箔1012以形成第一內(nèi)層線路112，所述預(yù)形成連接墊區(qū)1014對應(yīng)的部分所述第一內(nèi)層線路112作為電磁屏蔽連接墊1121；選擇性地移除部分所述第二內(nèi)層銅箔1013以形成第二內(nèi)層線路113。

第二步，請參閱圖5，提供第一外層基板201及第二外層基板202。

所述第一外層基板201開設(shè)有開口211。所述開口211貫穿所述第一外層基板201。本實(shí)施方式中，所述第一外層基板201包括第一外層介電層212，第一外層銅箔213及第一膠層214。所述第一外層銅箔213及第一膠層214位于所述第一外層介電層212的相背兩側(cè)。所述開口211貫穿所述第一外層介電層212，所述第一外層銅箔213及所述第一膠層214。所述第二外層基板202包括第二外層介電層221，第二外層銅箔222及第二膠層223。所述第二外層銅箔222及所述第二膠層223位于所述第二外層介電層221的相背兩側(cè)。

本實(shí)施方式中，所述開口211可通過沖型方式形成。

第三步，請參閱圖6，將所述第一外層基板201形成在所述第一內(nèi)層線路112及所述鍍銅層12上，及將所述第二外層基板202形成在所述第二內(nèi)層線路113上。

所述第一外層介電層212位于所述第一外層銅箔213及所述第一內(nèi)層線路112之間。所述第一膠層214位于所述第一外層介電層212與所述第一內(nèi)層線路112之間。所述開口211與所述電磁屏蔽連接墊1121對應(yīng)。所述鍍銅層12部分嵌埋在所述第一膠層214之中。所述鍍銅層對應(yīng)于所述電磁屏蔽連接墊1121的部分12自所述開口211露出。所述第二外層介電層221位于所述第二外層銅箔222及所述第二內(nèi)層線路113之間。所述第二膠層223位于所述第二外層介電層221與所述第二內(nèi)層線路113之間。

第四步，請參閱圖7，在所述第一外層基板201中形成第二導(dǎo)通孔215，及在所述第二外層基板202中形成第三導(dǎo)通孔224。

所述第二導(dǎo)通孔215貫穿所述第一外層基板201。所述第一內(nèi)層線路112及所述第一外層銅箔213通過所述第二導(dǎo)通孔215電連接。所述第三導(dǎo)通孔224貫穿所述第二外層基板202。所述第二內(nèi)層線路113與所述第二外層銅箔222通過所述第三導(dǎo)通孔224電連接。

所述第二導(dǎo)通孔215及第三導(dǎo)通孔224可通過激光燒蝕及電鍍方式形成。

第五步，請參閱圖8，在所述第一外層銅箔213表面形成圖案化的第一抗蝕層23，及在所述第二外層銅箔222表面形成圖案化的第二抗蝕層24。

所述開口211自所述第一抗蝕層23露出。所述第一抗蝕層23及第二抗蝕層24可由干膜通過曝光顯影方式形成。

第六步，請參閱圖9，蝕刻移除自所述第一抗蝕層23露出的部分所述第一外層銅箔213，以形成第一外層線路216；蝕刻移除部分自所述開口211露出的鍍銅層12，以形成u形槽121；及蝕刻移除自所述第二抗蝕層24露出的第二外層銅箔層，以形成第二外層線路225。

第七步，請參閱圖10，移除所述第一抗蝕層23及第二抗蝕層24；然后，在所述第一外層線路216表面形成第一覆蓋層31；并在所述第二外層線路225表面形成第二覆蓋層32。

本實(shí)施方式中，所述開口211及部分所述第一外層介電層212自所述第一覆蓋層31露出。部分所述第二外層介電層221自所述第二覆蓋層32露出。

第八步，請參閱圖11，在所述u形槽121及所述開口211中填充電磁屏蔽材料40。

所述電磁屏蔽材料40填滿所述u形槽121及所述開口，并覆蓋部分自所述第一覆蓋層31露出的第一外層介電層212。

其他實(shí)施方式中，在所述u形槽121及所述開口211中填充電磁屏蔽材料40之前，所述電路板制作方法還包括電鍍填充所述u形槽121及部分所述開口211的步驟。

其他實(shí)施方式中，可省略在所述第一外層線路216表面形成第一覆蓋層31及在所述第二外層線路225表面形成第二覆蓋層32的步驟。

其他實(shí)施方式中，所述內(nèi)層結(jié)構(gòu)10可不包括所述鍍銅層12。此時(shí)，在所述u形槽121及所述開口211中填充電磁屏蔽材料40之前，所述電路板制作方法還包括電鍍填充所述u形槽121及部分所述開口211的步驟。

本發(fā)明實(shí)施方式還提供一種電路板100。所述電路板100可通過上述電路板制作方法制得。

請?jiān)俅螀㈤唸D11，所述電路板100包括內(nèi)層結(jié)構(gòu)10，第一外層結(jié)構(gòu)21，第二外層結(jié)構(gòu)22，第一覆蓋層31、第二覆蓋層32及電磁屏蔽材料40。

本實(shí)施方式中，所述內(nèi)層結(jié)構(gòu)10包括內(nèi)層電路板11及鍍銅層12。所述內(nèi)層電路板11包括內(nèi)層介電層111、第一內(nèi)層線路112及第二內(nèi)層線路113。所述第一內(nèi)層線路112及第二內(nèi)層線路113位于所述內(nèi)層介電層111的相背兩側(cè)。所述第一內(nèi)層線路112及第二內(nèi)層線路113通過貫穿所述內(nèi)層介電層111的第一導(dǎo)通孔1111電連接。所述第一內(nèi)層線路112包括電磁屏蔽連接墊1121。所述鍍銅層12完全覆蓋所述電磁屏蔽連接墊1121，所述鍍銅層12的邊緣伸出至所述電磁屏蔽連接墊1121之外并內(nèi)埋在所述第一外層結(jié)構(gòu)21之中。自所述鍍銅層12遠(yuǎn)離所述第一內(nèi)層線路112的表面向所述鍍銅層12內(nèi)形成有u形槽121。所述u形槽121與所述電磁屏蔽連接墊1121對應(yīng)。

所述第一外層結(jié)構(gòu)21形成在所述第一內(nèi)層線路112及所述鍍銅層12表面。

所述第一外層結(jié)構(gòu)21對應(yīng)所述電磁屏蔽連接墊1121開設(shè)有貫穿所述第一外層結(jié)構(gòu)21的開口211。所述u形槽121與所述開口211對應(yīng)連通。本實(shí)施方式中，所述第一外層結(jié)構(gòu)21包括第一外層介電層212、第一外層線路216及第一膠層214。所述第一外層介電層212位于所述第一外層線路216及所述第一膠層214之間。所述第一膠層214位于所述第一外層介電層212與所述第一內(nèi)層線路112之間。所述第一外層線路216通過貫穿所述第一外層結(jié)構(gòu)21的第二導(dǎo)通孔215與所述第一內(nèi)層線路112電連接。

所述第一覆蓋層31形成在所述第一外層線路216表面。所述開口211及部分所述第一外層介電層212自所述第一覆蓋層31露出。

所述電磁屏蔽材料40填滿所述u形槽121及所述開口211，并形成在部分自所述第一覆蓋層31露出的第一外層介電層212表面。

所述第二外層結(jié)構(gòu)22形成在所述第二內(nèi)層線路113表面。

所述第二外層結(jié)構(gòu)22包括第二外層介電層221，第二外層線路225及第二膠層223。所述第二外層介電層221位于所述第二外層線路225與所述第二膠層223之間。所述第二膠層223位于所述第二外層介電層221與所述第二內(nèi)層線路113之間。所述第二外層線路225通過貫穿所述第二外層結(jié)構(gòu)22的第三導(dǎo)通孔224與所述第二內(nèi)層線路113電連接。

所述第二覆蓋層32形成在所述第二外層線路225表面。部分所述第二外層介電層221自所述第二覆蓋層32露出。

其他實(shí)施方式中，所述第一覆蓋層31及第二覆蓋層32可省略。

其他實(shí)施方式中，所述u形槽121及部分所述開口211內(nèi)形成有鍍銅層，所述電磁屏蔽材料40形成在所述鍍銅層上，填滿所述開口211，并覆蓋部分自所述第二覆蓋層32露出的第二外層介電層221。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的電路板由于在所述電磁屏蔽連接墊表面形成有鍍銅層，在蝕刻形成外層線路時(shí)，無需形成抗蝕層遮蔽所述電磁屏蔽連接墊，因此，可避免形成抗蝕層時(shí)，在所述電磁屏蔽連接墊處藏有氣泡而導(dǎo)致針孔產(chǎn)生，同時(shí)，也可避免形成抗蝕層時(shí)曝光對位公差，導(dǎo)致在所述電磁屏蔽連接墊邊緣的銅環(huán)殘留。

可以理解的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思做出其它各種相應(yīng)的改變與變形，而所有這些改變與變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。