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電致發(fā)光裝置及制造方法與流程

文檔序號:11533764閱讀:162來源:國知局
電致發(fā)光裝置及制造方法與流程
本發(fā)明涉及具有el(電致發(fā)光)元件的電致發(fā)光裝置及其制造方法。
背景技術(shù)
:近年來,在各種商品和領(lǐng)域中使用平板顯示器,要求平板顯示器進一步大型化、高畫質(zhì)化、低耗電化。在這樣的狀況下,具有利用有機材料的電場發(fā)光(electroluminescence:電致發(fā)光)的有機el(電致發(fā)光)元件的有機el顯示裝置作為全固體型且在可低電壓驅(qū)動、高速響應性、自發(fā)光性等方面優(yōu)異的平板顯示器,受到高度關(guān)注。例如在有源矩陣方式的有機el顯示裝置中,在設(shè)置有tft(薄膜晶體管)的基板上設(shè)置有薄膜狀的有機el元件。有機el元件中,在一對電極之間層疊有包含發(fā)光層的有機el層。tft與一對電極中的一個電極連接。而且,通過向一對電極間施加電壓使發(fā)光層發(fā)光來進行圖像顯示。另外,公知的是,在上述這種現(xiàn)有的有機el顯示裝置中,為了防止水分或氧引起的有機el元件的劣化,對該有機el元件設(shè)置密封膜。另外,提出了在上述這種現(xiàn)有的有機el顯示裝置中,例如如下述專利文獻1中記載的那樣,在有機el元件上設(shè)置將樹脂密封膜(有機層)和無機鈍化密封膜(無機層)交替層疊而成的密封膜。而且,在該現(xiàn)有的有機el顯示裝置中,能夠利用密封膜防止水分或氧引起的有機el元件的劣化?,F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻1:日本特開2000-223264號公報技術(shù)實現(xiàn)要素:發(fā)明所要解決的技術(shù)問題然而,在上述的現(xiàn)有的有機el顯示裝置中,以有機層的端面露出到外部的方式設(shè)置。因此,在該現(xiàn)有的有機el顯示裝置中,有時水分從有機層的端面滲入,不能防止?jié)B入的水分引起的有機el元件的劣化,存在產(chǎn)生可靠性下降這種問題的情況。另外,可以考慮以有機層的端面不露出到外部的方式例如由無機層覆蓋該有機層的端面。然而,在該情況下,需要使用不同的掩模來制造這些有機層和無機層。其結(jié)果是,要求進行掩模的替換,不能連續(xù)地形成有機層和無機層,產(chǎn)生如下新的問題:在這些有機層與無機層的界面產(chǎn)生間隙,制造節(jié)拍降低,還使實現(xiàn)有機el顯示裝置的窄邊框化變得困難。鑒于上述的技術(shù)問題,本發(fā)明的目的在于,提供一種即使在密封膜的有機層的端面露出到外部的情況下,也能夠提高該密封膜的密封性的可靠性優(yōu)異的電致發(fā)光裝置及其制造方法。解決技術(shù)問題的技術(shù)方案為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明的電致發(fā)光裝置是具有基板和設(shè)置在所述基板上的電致發(fā)光元件的電致發(fā)光裝置,該電致發(fā)光裝置的特征在于:具有密封所述電致發(fā)光元件的密封膜,所述密封膜由有機層和無機層的層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成,并且,所述密封膜中,所述有機層的至少周緣部的含碳率比該有機層的中央部的含碳率低。在如上述那樣構(gòu)成的電致發(fā)光裝置中,密封膜密封電致發(fā)光元件,并且該密封膜由有機層和無機層的層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成。另外,在密封膜中,有機層的至少周緣部的含碳率比該有機層的中央部的含碳率低。由此,與上述現(xiàn)有例不同,即使密封膜的有機層的端面露出到外部的情況下,也能夠抑制水分向該有機層滲入。其結(jié)果是能夠提高密封膜的密封性,能夠構(gòu)成可靠性優(yōu)異的電致發(fā)光裝置。另外,在上述電致發(fā)光裝置中,優(yōu)選所述密封膜中,所述有機層的端面露出到外部。該情況下,能夠使用同一大小的掩模形成密封膜包含的有機層和無機層,能夠簡化電致發(fā)光裝置的制造工序,并且能夠容易地提高電致發(fā)光裝置的生產(chǎn)性。另外,在上述電致發(fā)光裝置中,優(yōu)選所述有機層中,在所述周緣部,具有比所述中央部的含碳率低的含碳率的低含碳區(qū)域從所述有機層的端面起以規(guī)定的寬度尺寸構(gòu)成為框狀。該情況下,即使是密封膜的有機層的端面露出到外部的情況下,也能夠可靠抑制水分向該有機層滲入。另外,在上述電致發(fā)光裝置中,也可以是:所述有機層中,在所述周緣部,具有比所述中央部的含碳率低的含碳率的第一低含碳區(qū)域從所述有機層的端面起以規(guī)定的寬度尺寸構(gòu)成為框狀,并且,所述有機層中,在所述中央部與所述第一低含碳區(qū)域之間,具有比所述中央部的含碳率低的含碳率的第二低含碳區(qū)域以規(guī)定的寬度尺寸構(gòu)成為框狀。該情況下,在沒有適當形成第一低含碳區(qū)域時,也能夠通過第二低含碳區(qū)域抑制水分向有機層滲入。另外,在上述電致發(fā)光裝置中,也可以是:所述有機層中,所述第二低含碳區(qū)域的寬度尺寸小于所述第一低含碳區(qū)域的寬度尺寸。該情況下,能夠簡化電致發(fā)光裝置的制造工序。另外,在上述電致發(fā)光裝置中,優(yōu)選以傅里葉分光型紅外分光光度計(ft-ir)的c-h鍵量比計,所述有機層的所述至少周緣部的含碳率為所述有機層的所述中央部的含碳率的85%以下。該情況下,即使是密封膜的有機層的端面露出到外部的情況下,也能夠可靠抑制水分向該有機層滲入,能夠可靠地提高密封膜的密封性。另外,在上述電致發(fā)光裝置中,也可以是:所述密封膜中,通過對至少周緣部照射激光,降低了所述有機層的所述至少周緣部中的含碳率。該情況下,能夠可靠地降低有機層的至少周緣部的含碳率。另外,在上述電致發(fā)光裝置中,所述激光也可以是紅外激光。該情況下,能夠有效地降低有機層的至少周緣部的含碳率。另外,在上述電致發(fā)光裝置中,也可以在所述密封膜的所述至少周緣部的至少一部分設(shè)置有光熱轉(zhuǎn)換層。該情況下,光熱轉(zhuǎn)換層將激光轉(zhuǎn)換為熱,故而不論激光的種類如何,都能夠通過光熱轉(zhuǎn)換層容易地減少有機層的至少周緣部的含碳率。另外,在上述電致發(fā)光裝置中,也可以包括:與所述基板相對的對置基板;和框狀的密封件,其設(shè)置于所述基板與所述對置基板之間,并且與該基板和對置基板一起封入所述電致發(fā)光元件。該情況下,能夠更可靠地防止電致發(fā)光元件的劣化。另外,本發(fā)明的電致發(fā)光裝置的制造方法是具有基板和設(shè)置在所述基板上的電致發(fā)光元件的電致發(fā)光裝置的制造方法,該制造方法的特征在于,包括:密封膜形成工序,使用cvd法或濺射法,設(shè)置有機層和無機層中的各個層,并且由該有機層和無機層的層疊結(jié)構(gòu)形成密封所述電致發(fā)光元件的密封膜;和激光照射工序,通過對所述密封膜的至少周緣部照射激光,使所述有機層的至少周緣部的含碳率比該有機層的中央部的含碳率低。在如上述那樣構(gòu)成的電致發(fā)光裝置的制造方法中,通過密封膜形成工序形成由有機層和無機層的層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成的密封膜。另外,通過激光照射工序使有機層的至少周緣部的含碳率比該有機層的中央部的含碳率低。由此,與上述現(xiàn)有例不同,即使在密封膜的有機層的端面露出到外部的情況下,也能夠抑制水分向該有機層滲入。其結(jié)果是能夠提高密封膜的密封性,能夠構(gòu)成可靠性優(yōu)異的電致發(fā)光裝置。另外,在上述電致發(fā)光裝置的制造方法中,也可以在所述激光照射工序之前,進行在所述密封膜的所述至少周緣部的至少一部分形成光熱轉(zhuǎn)換層的光熱轉(zhuǎn)換層形成工序。該情況下,光熱轉(zhuǎn)換層將激光轉(zhuǎn)換為熱,故而不論激光的種類如何,都能夠通過光熱轉(zhuǎn)換層容易地降低有機層的周緣部的含碳率。另外,在上述電致發(fā)光裝置的制造方法中,優(yōu)選在所述密封膜形成工序中,使用同一大小的掩模,形成所述密封膜包含的所述有機層和所述無機層。該情況下,能夠連續(xù)地形成有機層和無機層,能夠防止在該有機層與無機層的界面產(chǎn)生間隙。另外,能夠防止制造節(jié)拍降低。另外,能夠容易地實現(xiàn)電致發(fā)光裝置的窄邊框化。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明,能夠提供即使在密封膜的有機層的端面露出到外部的情況下,也能夠提高該密封膜的密封性的可靠性優(yōu)異的電致發(fā)光裝置及其制造方法。附圖說明圖1是表示本發(fā)明的第一實施方式的有機el顯示裝置的剖面的剖視圖。圖2是說明上述有機el顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的放大俯視圖。圖3是說明設(shè)置于上述有機el顯示裝置的密封膜的主要結(jié)構(gòu)的圖。圖4是說明上述密封膜包含的有機層的具體結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖5是表示上述有機el顯示裝置的制造工序的流程圖。圖6是說明在圖5所示的密封膜形成工序中使用的掩模的俯視圖。圖7是說明上述密封膜形成工序的具體制造工序的圖,圖7(a)~圖7(c)說明一系列主要的制造工序。圖8是說明圖5所示的激光照射工序的圖。圖9的(a)是具體說明上述有機層的周緣部的效果的圖,圖9的(b)是說明比較例中的問題的圖。圖10是說明本發(fā)明的第二實施方式的有機el顯示裝置的主要結(jié)構(gòu)的圖。圖11是說明圖10所示的密封膜包含的有機層和光熱轉(zhuǎn)換層的具體結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖12是表示圖10所示的有機el顯示裝置的制造工序的流程圖。圖13是表示本發(fā)明的第三實施方式的有機el顯示裝置的剖面的剖視圖。圖14是說明圖13所示的有機el顯示裝置的主要結(jié)構(gòu)的圖。圖15是表示本發(fā)明的第四實施方式的有機el顯示裝置的剖面的剖視圖。圖16是表示圖15所示的有機el顯示裝置的變形例的剖面的剖視圖。具體實施方式以下,參照附圖對示出本發(fā)明的電致發(fā)光裝置及其制造方法的優(yōu)選實施方式進行說明。此外,在以下的說明中,例示將本發(fā)明應用于有機el顯示裝置的情況并對其進行說明。另外,各圖中的構(gòu)成部件的尺寸并沒有忠實地表示實際的構(gòu)成部件的尺寸及各構(gòu)成部件的尺寸比率等。[第一實施方式]圖1是表示本發(fā)明第一實施方式的有機el顯示裝置的剖面的剖視圖。圖1中,本實施方式的有機el顯示裝置1具有作為基板的tft基板2和設(shè)置在該tft基板2上的作為電致發(fā)光(electroluminescence)元件的有機el元件4。另外,在本實施方式的有機el顯示裝置1中,有機el元件4構(gòu)成具有多個像素(包括多個子像素)的矩形狀的像素區(qū)域pa,該有機el元件4由密封膜14密封。另外,上述像素區(qū)域pa構(gòu)成有機el顯示裝置1的顯示部,進行信息顯示。即,在該像素區(qū)域pa,如后詳述,多個像素(多個子像素)矩陣狀配置,通過有機el元件4按每個子像素發(fā)光來進行信息顯示。另外,圖1中,tft基板2例如由玻璃材料或具有撓性(彎曲性)的薄膜等構(gòu)成。另外,在tft基板2上,以覆蓋其整面的方式設(shè)置有基底膜(絕緣膜)6。另外,如圖1所例示,在有機el顯示裝置1中,在基底膜6上按像素區(qū)域pa的每個子像素設(shè)置有tft(薄膜晶體管)7。另外,在基底膜6上形成有包含設(shè)置成矩陣狀的多個源極線(信號線)和多個柵極線的配線8。在源極線及柵極線上分別連接有源極驅(qū)動器和柵極驅(qū)動器(未圖示),根據(jù)從外部輸入的圖像信號,驅(qū)動每個子像素的tft7。另外,tft7作為控制對應的子像素的發(fā)光的開關(guān)元件發(fā)揮功能,控制由有機el元件4構(gòu)成的紅色(r)、綠色(g)、及藍色(b)中的任一顏色的子像素的發(fā)光。此外,基底膜6是用于防止雜質(zhì)從tft基板2向tft7的擴散而導致tft7的特性劣化的部分,如果不擔心這樣的劣化,則能夠省略設(shè)置。另外,在tft基板2是具有撓性的薄膜的情況下,為了防止水分或氧從外部滲透(滲入)而導致tft7或有機el元件4劣化,也可以在tft基板2之上預先形成由氮化硅或氮氧化硅等無機膜構(gòu)成的防濕層。另外,如圖1所示,在tft基板2上形成有層間絕緣膜9、邊緣罩10及有機el元件4的第一電極11。層間絕緣膜9也作為平坦化膜發(fā)揮功能,以覆蓋tft7及配線8的方式設(shè)置在基底膜6上。邊緣罩10在層間絕緣膜9上以覆蓋第一電極11的圖案端部的方式形成。另外,邊緣罩10也作為用于防止第一電極11和后述的第二電極13的短路的絕緣層發(fā)揮功能。另外,第一電極11經(jīng)由形成于層間絕緣膜9的接觸孔與tft7連接。另外,本實施方式的有機el顯示裝置1構(gòu)成為:邊緣罩10的開口部,即第一電極11露出的部分實際上構(gòu)成有機el元件4的發(fā)光區(qū)域,如上所述,能夠發(fā)出rgb中的任一種顏色的光而進行全彩色顯示。另外,本實施方式的有機el顯示裝置1構(gòu)成具有tft(薄膜晶體管)7的有源矩陣型的顯示裝置。另外,如圖1所示,在第一電極11上形成有有機el層12及第二電極13,由這些第一電極11、有機el層12及第二電極13構(gòu)成有機el元件4。即有機el元件4例如是能夠通過低電壓直流驅(qū)動進行高亮度發(fā)光的發(fā)光元件,包括第一電極11、有機el層12及第二電極13。具體而言,在第一電極11為陽極的情況下,從第一電極11側(cè)起,作為有機el層12層疊有空穴注入層、空穴輸送層、發(fā)光層、電子輸送層、電子注入層等(未圖示),進而形成有作為陰極的第二電極13。另外,除了該說明以外,也可以是如空穴注入層兼空穴輸送層等那樣單一層具有2種以上的功能的結(jié)構(gòu)。另外,也可以在有機el層12中適當插入載流子阻擋層等。另一方面,在第二電極13為陽極的情況下,有機el層12中的層順序與上述的層順序相反。另外,在由透射電極或半透射電極構(gòu)成第一電極11,由反射電極構(gòu)成第二電極13的情況下,有機el顯示裝置1成為從tft基板2側(cè)射出光的底部發(fā)光型。即,在該底部發(fā)光型的有機el顯示裝置1中,第一電極11的tft基板2側(cè)的表面構(gòu)成有機el元件4的實際的發(fā)光面,向外部射出光。相反,在由反射電極構(gòu)成第一電極11,由透射電極或半透射電極構(gòu)成第二電極13的情況下,有機el顯示裝置1成為從密封膜14射出光的頂部發(fā)光型。即,在該頂部發(fā)光型的有機el顯示裝置1中,第一電極11的密封膜14側(cè)的表面構(gòu)成有機el元件4的實際發(fā)光面,向外部射出光。另外,在本實施方式的有機el顯示裝置1中,如上所述,有機el元件4由密封膜14密封,由密封膜14防止水分或氧等從外部滲透(滲入),防止有機el元件4的劣化。另外,該密封膜14由多層例如3層的密封層構(gòu)成。即,密封膜14如圖1所例示,由設(shè)置于有機el元件4側(cè)的無機層14a、設(shè)置于該無機層14a上的有機層14b、設(shè)置于該有機層14b上的無機層14c的層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成。在無機層14a及14c中使用例如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或氧化鋁等。另外,在有機層14b中例如使用聚硅氧烷或氧化碳化硅等有機硅(organosilicon)、丙烯酸酯、聚脲、聚對二甲苯、聚酰亞胺或聚酰胺等。進而,這些無機層14a及14c和有機層14b如后詳述,使用相同大小的掩模形成,以相同的外形相互重疊地設(shè)置。另外,在本實施方式的有機el顯示裝置1中,因無機層14a設(shè)置于有機el元件4側(cè),所以利用該無機層14a能夠更可靠地防止水分對有機el元件4的不良影響。另外,有機層14b設(shè)置于無機層14a上,故而即使產(chǎn)生無機層14a的應力緩和或在無機層14a產(chǎn)生針孔或異物引起的缺損等缺陷,也能夠由有機層14b覆蓋,能夠更可靠地防止密封膜14的密封性降低。進而,在本實施方式的有機el顯示裝置1中,在有機層14b,其周緣部(至少像素區(qū)域pa的外側(cè)的部分)的含碳率設(shè)定在比中央部(至少像素區(qū)域pa的部分)的含碳率低的值,能夠抑制水分從露出到上述周緣部的外部的端面浸入(詳細后述)。接著,參照圖2,對本實施方式的有機el顯示裝置1的像素區(qū)域pa具體地進行說明。圖2是說明上述有機el顯示裝置的像素結(jié)構(gòu)的放大俯視圖。如圖2所示,在本實施方式的有機el顯示裝置1中,在其像素區(qū)域pa(圖1),矩陣狀地設(shè)置有分別發(fā)出紅色(r)的光、綠色(g)的光及藍色(b)的光的紅色、綠色及藍色的子像素pr、pg及pb(以下,總稱為子像素p)。即,多個子像素p中的各個子像素p由2條配線8及與tft7的柵極連接的柵極線8g劃分。具體而言,在各子像素p的像素區(qū)域,圖2的左右方向的尺寸是相互接近配置的2條配線8的中心線和在圖2的左右方向上與該接近配置的2條配線8相鄰的2條配線8的中心線之間的尺寸。另外,圖2的上下方向的尺寸是相互相鄰的2條柵極線8g的中心間尺寸。另外,在各子像素p中,其像素區(qū)域的面積由上述圖2的左右方向的尺寸及上下方向的尺寸規(guī)定。另外,在像素區(qū)域pa中,由一組紅色、綠色及藍色的子像素pr、pg及pb構(gòu)成一個像素。另外,在紅色的子像素pr中,從邊緣罩10的開口部re露出的部分構(gòu)成該紅色的子像素pr的實際的發(fā)光區(qū)域。同樣,在綠色的子像素pg中,從邊緣罩10的開口部ge露出的部分構(gòu)成該綠色的子像素pg的實際的發(fā)光區(qū)域,在藍色的子像素pb中,從邊緣罩10的開口部be露出的部分構(gòu)成該藍色的子像素pb的實際的發(fā)光區(qū)域。接著,再參照圖3及圖4,對本實施方式的有機el顯示裝置1中的有機層14b具體地進行說明。圖3是說明設(shè)置于上述有機el顯示裝置的密封膜的主要結(jié)構(gòu)的圖。圖4是說明上述密封膜所包含的有機層的具體結(jié)構(gòu)的俯視圖。如圖3及圖4所示,有機層14b具有中央部14b1和設(shè)置于該中央部14b1的周圍的周緣部14b2。在這些中央部14b1和周緣部14b2中,如后詳述,通過對周緣部14b2照射激光,含碳率彼此不同。另外,密封膜14中,無機層14a、有機層14b及無機層14c如上所述,因使用相同大小的掩模構(gòu)成,所以如圖3所示,這些無機層14a、有機層14b及無機層14c以無機層14a的端面14a1、有機層14b的端面14b2a及無機層14c的端面14c1成為直線狀的方式構(gòu)成,各端面14a1、14b2a及14c1露出到外部。接著,參照圖5~圖8,對本實施方式的有機el顯示裝置1的制造方法具體地進行說明。圖5是表示上述有機el顯示裝置的制造工序的流程圖。圖6是說明在圖5所示的密封膜形成工序中使用的掩模的俯視圖。圖7是說明上述密封膜形成工序的具體的制造工序的圖,圖7(a)~圖7(c)說明一系列的主要的制造工序。圖8是說明圖5所示的激光照射工序的圖。如圖5的步驟s1所示,在本實施方式的有機el顯示裝置1中,首先進行在tft基板2上形成有機el元件4的有機el元件形成工序。在該有機el元件形成工序中,在tft基板2上的基底膜6上,依次形成tft7和配線8等有機el元件4的構(gòu)成要素。接著,如圖5的步驟s2所示,進行在有機el元件4上形成密封該有機el元件4的密封膜14的密封膜形成工序。在該密封膜形成工序中,密封膜14中包含的無機層14a及無機層14c例如使用cvd法、濺射法或ald(atomiclayerdeposition:原子層沉積)法形成。特別是在使用cvd法或ald法的情況下,臺階覆蓋性高,因此,在能夠?qū)o機層14a及無機層14c的各層更適當成膜這一點上優(yōu)選。另外,有機層14b例如使用cvd法、濺射法、蒸鍍法或蒸鍍聚合法來形成。特別是使用cvd法或濺射法的情況下,能夠與無機層14a及無機層14c由同一腔室形成,故而能夠保持使同一掩模與tft基板2密合的狀態(tài),連續(xù)地形成無機層14a、有機層14b、無機層14c。另外,在密封膜形成工序中,使用圖6所示的掩模m1,形成無機層14a、有機層14b及無機層14c的各層。即,掩模m1如圖6所示,具有開口部m1a,在該開口部m1a內(nèi)配置tft基板2上的有機el元件4。而且,如圖7(a)所示,無機層14a以覆蓋有機el元件4的方式形成。接著,如圖7(b)所示,有機層14b形成于無機層14a上。之后,如圖7(c)所示,無機層14c形成于有機層14b上。接著,如圖5的步驟s3所示,進行對密封膜14的周緣部照射激光的激光照射工序。在該激光照射工序中,例如對密封膜14的周緣部照射紅外激光。即,如圖8中“r”所示,對密封膜14的周緣部照射紅外激光。由此,有機層14b中,如圖8中“c”所示,含碳的碳系氣體從周緣部14b2向外部放出(揮發(fā))。具體而言,通過紅外激光的照射,有機層14b的周緣部14b2被加熱,產(chǎn)生熱分解,在使用二氧化碳等碳系氣體或聚硅氧烷等有機硅構(gòu)成有機層14b的情況下,側(cè)鏈具有甲基等的硅氧烷或甲烷等碳系氣體向外部放出。其結(jié)果是,在有機層14b中,其周緣部14b2的含碳率,例如以傅里葉分光型紅外分光光度計(ft-ir)的c-h鍵量比(c-hbondratio)計,為該有機層14b的中央部14b1的含碳率的85%以下。另外,該中央部14b1的含碳率及周緣部14b2的含碳率通過例如傅里葉分光型紅外分光光度計(ft-ir)的碳成分鍵合量或x射線光電子分光法(x-rayphotoelectronspectroscopy,xps)的原子組成分析來測定。即,通過進行該激光照射工序,如圖4所示,有機層14b中,在其周緣部14b2,含碳率比有機層14b的中央部14b1低的低含碳區(qū)域從有機層14b的端面14b2a起以規(guī)定的寬度尺寸(圖4中用“w1”圖示)構(gòu)成為框狀。另外,周緣部(低含碳區(qū)域)14b2的上述寬度尺寸w1的具體的值為3μm~500μm左右。在此,再參照圖9,對有機層14b的周緣部14b2的效果進行具體說明。圖9的(a)是具體說明上述有機層的周緣部的效果的圖,圖9的(b)是說明比較例中的問題的圖。如圖9的(a)所示,在本實施方式的有機el顯示裝置1中,有機層14b的周緣部14b2的端面露出到外部,但在該周緣部14b2中,如上所述,與中央部14b1相比含碳率低。即,在該周緣部14b2中,水分透過性高的碳成分減少,其透濕性大幅降低。其結(jié)果是,如在圖9的(a)中“h”所示,來自外部的水分通過周緣部14b2的滲入被大幅抑制,水分從有機層14b的端面14b2a向其內(nèi)部的滲入、進而水分向有機el元件4的滲入也被抑制。與之相對,在比較例中,如圖9的(b)中“h”所示,來自外部的水分有時從有機層114b的端面滲入到該有機層114b內(nèi),到達有機el元件104。即,在該比較例中,有機el元件104形成于設(shè)置在tft基板102上的基底膜106上,而且由無機層114a、有機層114b及無機層114c構(gòu)成的密封膜114以覆蓋有機el元件104的方式設(shè)置。并且,在該比較例中,沒對密封膜114的周緣部進行激光的照射,故而有機層114b的含碳率遍及整個面大致為均一的值。即,在比較例中,有機層114b的中央部114b1的含碳率和周緣部114b2的含碳率大致為相同的值。其結(jié)果是,在比較例中,存在水分從有機層114b的周緣部114b2中的有機層114b的端面114b2a滲入的情況,存在該滲入的水分通過有機層114b的內(nèi)部及無機層114a的內(nèi)部達到有機el元件104的情況。因此,在比較例中,有時產(chǎn)生在有機el元件104中發(fā)生水分引起的劣化這種問題。此外,根據(jù)本申請的發(fā)明人等的實驗,在使有機層14b的周緣部14b2的含碳率變化的情況下,該周緣部14b2的透濕性為下述表1所示。透濕性通過鈣試驗測定。即,在玻璃基板上將鈣蒸鍍?yōu)?0nm的厚度的膜,在該膜上進一步形成與中央部14b1以及該周緣部14b2相同的碳含有量的層,通過在恒溫恒濕下放置,根據(jù)鈣層的變化(ca變化率)來評價貫通層的水分的滲入量。碳含有量以傅里葉分光型紅外分光光度計(ft-ir)的c-h鍵量比進行了評價。[表1]含碳量ca變化率100%100%85%77%如從表1可知,將中央部14b1的含碳率設(shè)為100%時,將周緣部14b2的含碳率設(shè)為85%以下的情況下,透濕性與中央部14b1比較為77%以下,確認了能夠抑制水分從該周緣部14b2的端面滲入。在如以上那樣構(gòu)成的本實施方式的有機el顯示裝置1中,密封膜14密封有機el元件(電致發(fā)光元件)4,并且該密封膜14由有機層14b和無機層14a及14c的層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成。另外,密封膜14中,有機層14b的周緣部14b2的含碳率比該有機層14b的中央部14b1的含碳率低。由此,在本實施方式的有機el顯示裝置1中,與上述現(xiàn)有例有所不同,即使在密封膜14的有機層14b的端面露出到外部的情況下,也能夠抑制水分向該有機層14滲入。其結(jié)果是,在本實施方式中,能夠提高密封膜14的密封性,能夠構(gòu)成可靠性優(yōu)異的有機el顯示裝置(電致發(fā)光裝置)1。另外,在本實施方式中,在密封膜14上,能夠在有機層14b的端面14b2a露出到外部的狀態(tài)下連續(xù)地形成該密封膜14,因此,能夠使用同一大小的掩模來形成該密封膜14含有的有機層14b和無機層14a及14c,能夠簡化有機el顯示裝置1的制造工序,并且能夠容易地提高有機el顯示裝置1的生產(chǎn)性。另外,本實施方式中,在有機層14b的周緣部14b2,具有比中央部14b1的含碳率低的含碳率的低含碳區(qū)域從有機層14b的端面14b2a起以規(guī)定的寬度尺寸構(gòu)成為框狀,故而即使在密封膜14的有機層14b的端面14b2a露出到外部的情況下,也能夠可靠地抑制水分向該有機層14b滲入。另外,本實施方式中,以傅里葉分光型紅外分光光度計(ft-ir)的c-h鍵量比計,有機層14b的周緣部14b2的含碳率為有機層14b的中央部14b1的含碳率的85%以下,因此,即使在密封膜14的有機層14b的端面露出到外部的情況下,也能夠可靠地抑制水分向該有機層14b滲入,能夠可靠地提高密封膜14的密封性。另外,本實施方式中,在密封膜14上,通過對其周緣部照射激光,降低了有機層14b的周緣部14b2的含碳率,因此,能夠可靠地降低有機層14b的周緣部14b2的含碳率。另外,本實施方式中,在密封膜形成工序中,使用同一大小的掩模m1形成無機層14a、有機層14b及無機層14c,因此,如圖7(a)~圖7(c)所示,能夠連續(xù)地形成這些無機層14a、有機層14b及無機層14c。由此,能夠防止在無機層14a、有機層14b及無機層14c的各界面產(chǎn)生間隙或混入異物。另外,能夠防止密封膜14的制造節(jié)拍降低,減少其制造時的氣體使用量。進而,能夠容易地實現(xiàn)有機el顯示裝置1的窄邊框化。[第二實施方式]圖10是說明本發(fā)明的第二實施方式的有機el顯示裝置的主要結(jié)構(gòu)的圖。圖11是說明圖10所示的密封膜所包含的有機層和光熱轉(zhuǎn)換層的具體結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖中,本實施方式和上述第一實施方式的主要不同點是在密封膜的周緣部的至少一部設(shè)置光熱轉(zhuǎn)換層這一點。此外,對于與上述第一實施方式相同的要素標注相同的標記,省略其重復說明。即,如圖10所示,在本實施方式的有機el顯示裝置1中,光熱轉(zhuǎn)換層15設(shè)置于基底膜6與密封膜14之間。該光熱轉(zhuǎn)換層15如圖11所示,在有機層14b的周緣部14b2的下方以包圍該周緣部14b2的方式形成為框狀。另外,該光熱轉(zhuǎn)換層15設(shè)置于配線8(圖1)的上側(cè),即有機層14b側(cè)。另外,在該光熱轉(zhuǎn)換層15例如使用鉬膜等金屬膜。而且,在該光熱轉(zhuǎn)換層15中,對密封膜14的周緣部照射紅外激光時,吸收該紅外激光,高效地轉(zhuǎn)換為熱,并且對有機層14b的周緣部14b2提供轉(zhuǎn)換的熱。在此,參照圖12對本實施方式的有機el顯示裝置1的制造方法具體地進行說明。圖12是表示圖10所示的有機el顯示裝置的制造工序的流程圖。如圖12的步驟s4所示,在本實施方式的有機el顯示裝置1中,首先進行在tft基板2上,在密封膜14的周緣部的至少一部分形成光熱轉(zhuǎn)換層15的光熱轉(zhuǎn)換層形成工序。在該光熱轉(zhuǎn)換層形成工序中,例如與形成tft7時同樣,使用濺射法、光刻法及蝕刻法,在基底膜6與密封膜14之間呈框狀形成光熱轉(zhuǎn)換層15。接著,如圖12的步驟s1所示,與第一實施方式的步驟一樣,首先進行在tft基板2上形成有機el元件4的有機el元件形成工序。接著,分別如圖12的步驟s2及s3所示,與第一實施方式的步驟同樣地依次進行密封膜形成工序及激光照射工序。在本實施方式中,通過以上的結(jié)構(gòu)能夠起到與上述第一實施方式同樣的作用、效果。另外,在本實施方式中設(shè)置有光熱轉(zhuǎn)換層15。由此,在本實施方式中,因光熱轉(zhuǎn)換層15將激光轉(zhuǎn)換為熱,所以只要是光熱轉(zhuǎn)換層15可吸收的波長,則不論激光的種類,都能夠通過光熱轉(zhuǎn)換層15容易地降低有機層14b的周緣部14b2的含碳率。另外,在上述的說明中,對在基底膜6與密封膜14之間將光熱轉(zhuǎn)換層15設(shè)置為框狀的情況進行了說明,本實施方式的光熱轉(zhuǎn)換層15不限定于此,只要在密封膜14的周緣部的至少一部設(shè)置即可。例如也可以是在有機層14b與無機層14c之間設(shè)置多個線狀的光熱轉(zhuǎn)換層15的結(jié)構(gòu)。但是,如上所述,設(shè)置于基底膜6與密封膜14之間的情況在能夠連續(xù)地形成密封膜14的各層這一點上優(yōu)選。另外,除上述的說明以外,也可以使從像素區(qū)域pa向外側(cè)引出的上述配線8作為光熱轉(zhuǎn)換層發(fā)揮功能。另外,在本實施方式中,因為設(shè)置有光熱轉(zhuǎn)換層15,所以與第一實施方式相比,能夠使激光(紅外激光)的照射輸出低,能夠使用在上述周緣部難以被光吸收及熱轉(zhuǎn)換的波長短的紫外線等激光。[第三實施方式]圖13是表示本發(fā)明的第三實施方式的有機el顯示裝置的剖面的剖視圖。圖14是說明圖13所示的有機el顯示裝置的主要結(jié)構(gòu)的圖。在圖中,本實施方式和上述第一實施方式的主要不同點是設(shè)置與tft基板相對的對置基板和在tft基板與對置基板之間封入有機el元件的框狀的密封件這一點。此外,對于與上述第一實施方式相同的要素標注相同的附圖標記,省略其重復的說明。即,如圖13所示,在本實施方式的有機el顯示裝置1中,有機el元件4由tft基板2、以與該tft基板2相對的方式設(shè)置的對置基板3和設(shè)置于tft基板2與對置基板3之間的框狀的密封件5密封。另外,對置基板3與tft基板2同樣,使用例如玻璃材料或具有撓性(彎曲性)的薄膜等。另外,在該對置基板3上,在其有機el元件4側(cè)的表面設(shè)置有彩色濾光片17,提高上述的rgb的各子像素的發(fā)光品質(zhì)等發(fā)光特性。上述密封件5例如使規(guī)定tft基板2與對置基板3之間的單元間隔的間隔件及無機顆粒分散在環(huán)氧樹脂等樹脂中而構(gòu)成,密封件5在像素區(qū)域pa的周圍形成為框狀。另外,在密封件5中,通過分散無機顆粒,能夠進一步降低透濕性。另外,在本實施方式的有機el顯示裝置1中,充填材料層16以覆蓋有機el元件4的方式設(shè)置在tft基板2、對置基板3及密封件5之間。該充填材料層16例如使用氫氧化鋁或氧化鈣等金屬氧化物或活性碳分散于樹脂內(nèi)而形成的材料。另外,如圖14所示,在本實施方式的有機el顯示裝置1中,與第一實施方式同樣,在有機層14b設(shè)置有具有比中央部14b1的含碳率低的含碳率的周緣部14b2。在本實施方式中,通過以上的結(jié)構(gòu),能夠獲得與上述第一實施方式同樣的作用效果。另外,在本實施方式中,由于包括與tft基板2相對的對置基板3和在tft基板2與對置基板3之間封入有機el元件4的密封件5,所以能夠更可靠地防止有機el元件4的劣化。[第四實施方式]圖15是表示本發(fā)明第四實施方式的有機el顯示裝置的剖面的剖視圖。在圖中,本實施方式和上述第一實施方式的主要不同點是在有機層的周緣部,從有機層的端面起以規(guī)定的寬度尺寸呈框狀構(gòu)成具有比有機層的中央部的含碳率低的含碳率的第一低含碳區(qū)域,并且在中央部與第一低含碳區(qū)域之間以規(guī)定的寬度尺寸呈框狀構(gòu)成具有比中央部的含碳率低的含碳率的第二低含碳區(qū)域這一點。此外,對于與上述第一實施方式相同的要素標注相同的標記,省略其重復的說明。即,如圖15所示,在本實施方式的有機el顯示裝置1中,與第一實施方式同樣,在有機層14b的周緣部14b2,含碳率比有機層14b的中央部14b1低的第一低含碳區(qū)域從有機層14b的端面14b2a起以規(guī)定的寬度尺寸(圖15中用“w1”圖示)構(gòu)成為框狀。另外,在該第一低含碳區(qū)域的內(nèi)側(cè)設(shè)置有以與中央部14b1大致相同的含碳率構(gòu)成的中間部14b3。另外,在中間部14b3的內(nèi)側(cè)即中央部14b1與第一低含碳區(qū)域之間,具有比中央部14b1的含碳率低的含碳率的第二低含碳區(qū)域14b4以規(guī)定的寬度尺寸(圖15中用“w2”圖示)構(gòu)成為框狀。在該第二低含碳區(qū)域14b4中,與周緣部(第一低含碳區(qū)域)14b2同樣,通過向有機層14b的對應的部位照射激光,碳系氣體揮發(fā),以比中央部14b1的含碳率低的含碳率構(gòu)成。另外,該第二低含碳區(qū)域14b4的含碳率例如為與周緣部(第一低含碳區(qū)域)14b2的含碳率大致相同的值。另外,除該說明以外,也可以使第二低含碳區(qū)域14b4的含碳率為與周緣部(第一低含碳區(qū)域)14b2的含碳率不同的值。另外,在本實施方式中,以第一低含碳區(qū)域的寬度尺寸w1和第二低含碳區(qū)域14b4的寬度尺寸w2為相同的值的方式構(gòu)成。在本實施方式中,通過以上的結(jié)構(gòu),能夠獲得與上述第一實施方式同樣的作用效果。另外,在本實施方式中,在有機層14b的周緣部14b2,具有比中央部14b1的含碳率低的含碳率的第一低含碳區(qū)域從有機層14b的端面14b2a起以規(guī)定的寬度尺寸構(gòu)成為框狀,并且有機層14b中,在中央部14b1與上述第一低含碳區(qū)域之間具有比中央部14b1的含碳率低的含碳率的第二低含碳區(qū)域14b4以規(guī)定的寬度尺寸構(gòu)成為框狀。由此,即使在未適當形成第一低含碳區(qū)域時,也能夠通過第二低含碳區(qū)域14b4抑制水分向有機層14b滲入。[第四實施方式的變形例]圖16是表示本發(fā)明第四實施方式的有機el顯示裝置的變形例的剖面的剖視圖。在圖中,本實施方式和上述第四實施方式的主要不同點是使第二低含碳區(qū)域的寬度尺寸比周緣部(第一低含碳區(qū)域)的寬度尺寸小這一點。此外,對于與上述第四實施方式相同的要素標注相同的標記,省略其重復的說明。即,如圖16所示,在本實施方式的有機el顯示裝置1中,在中央部14b1與周緣部(第一低含碳區(qū)域)14b2之間,具有比中央部14b1的含碳率低的含碳率的第二低含碳區(qū)域14b4'以規(guī)定的寬度尺寸(圖16中用“w2”圖示)構(gòu)成為框狀。在該第二低含碳區(qū)域14b4'中,與周緣部(第一低含碳區(qū)域)14b2同樣,通過在有機層14b的對應部位照射激光,碳系氣體揮發(fā),以比中央部14b1的含碳率低的含碳率構(gòu)成。另外,該第二低含碳區(qū)域14b4'的含碳率例如為與周緣部(第一低含碳區(qū)域)14b2的含碳率大致相同的值。另外,該第二低含碳區(qū)域14b4'的寬度尺寸w2'設(shè)定為比周緣部(第一低含碳區(qū)域)14b2的寬度尺寸w1小的值。具體而言,寬度尺寸w2'為2μm~500μm左右。在本實施方式中,通過以上的結(jié)構(gòu),能夠獲得與上述第四實施方式同樣的作用效果。另外,在本實施方式中,第二低含碳區(qū)域14b4'的寬度尺寸w2'比周緣部14b2的寬度尺寸w1小,因此能夠簡化有機el顯示裝置1的制造工序。另外,上述的實施方式全部是例示,而不是限制的內(nèi)容。本發(fā)明的技術(shù)范圍由權(quán)利要求書規(guī)定,與在此記載的結(jié)構(gòu)均等范圍內(nèi)的所有變更也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。例如,在上述的說明中,對作為電致發(fā)光元件使用了有機el元件的情況進行了說明,但本發(fā)明不限定于此,例如,也可以是使用了具有無機化合物的無機el元件的情況。另外,在上述的說明中,對使用了由有機層和兩個無機層構(gòu)成的密封膜的情況進行了說明,但本發(fā)明不限定于此,只要是密封膜由有機層和無機層的層疊結(jié)構(gòu)構(gòu)成,且密封膜中,有機層的至少周緣部的含碳率比該有機層的中央部的含碳率低即可。另外,在上述說明中,對通過照射激光,在有機層設(shè)置含碳率比中央部低的周緣部的結(jié)構(gòu)進行了說明,本發(fā)明只要是有機層的至少周緣部的含碳率比該有機層的中央部的含碳率低的情況即可,例如,也可以是使用含碳率相互不同的材料,設(shè)置有機層的周緣部和中央部的結(jié)構(gòu)。另外,上述第一實施方式~第三實施方式的說明中,對在有機層的周緣部從有機層的端面起以規(guī)定的寬度尺寸呈框狀構(gòu)成含碳率比有機層的中央部低的低含碳區(qū)域的情況進行了說明。另外,在上述第四實施方式(也包括變形例)的說明中,對在有機層的周緣部從有機層的端面起以規(guī)定的寬度尺寸呈框狀構(gòu)成含碳率比有機層的中央部低的第一低含碳區(qū)域,并且在中央部與第一低含碳區(qū)域之間以規(guī)定的寬度尺寸呈框狀構(gòu)成比中央部的含碳率低的第二低含碳區(qū)域的情況進行了說明。但是,本發(fā)明只要在有機層的至少周緣部設(shè)置含碳率比有機層的中央部低的低含碳區(qū)域的情況即可,例如,也可以從有機層的端面?zhèn)绕鹪O(shè)置三個框狀的低含碳區(qū)域。另外,在上述的說明中,對使用了紅外激光的情況進行了說明,但本發(fā)明的激光不限定于此,也能夠使用可見光區(qū)域的激光或紫外線等波長短的激光。但是,如上述的各實施方式那樣,在使用了紅外激光的情況下,與上述光熱轉(zhuǎn)換層的有無無關(guān),都能夠在有機層的至少周緣部((第一)低含碳區(qū)域)高效地被光吸收、熱轉(zhuǎn)換,因此,在能夠高效地降低該有機層的至少周緣部的含碳率這一點上優(yōu)選。另外,在上述說明中,對于應用于具有tft(薄膜晶體管)7的有源矩陣型的有機el顯示裝置的情況進行了說明,但本發(fā)明不限定于此,也可以應用于未設(shè)置薄膜晶體管的無源矩陣型的有機el顯示裝置。另外,在上述的說明中,對應用于有機el顯示裝置的情況進行了說明,但本發(fā)明不限定于此,例如也可以應用于背光裝置等的照明裝置。另外,除上述的說明以外,也可以適當組合上述第一實施方式~第四實施方式。即,例如也可以在第四實施方式中的第二低含碳區(qū)域的至少一部分設(shè)置光熱轉(zhuǎn)換層。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明對于即使在密封膜的有機層的端面露出到外部的情況下也能夠提高該密封膜的密封性的可靠性優(yōu)異的電致發(fā)光裝置及其制造方法有用。附圖標記說明1有機el顯示裝置2tft基板(基板)3對置基板4有機el元件(電致發(fā)光元件)5密封件14密封膜14a、14c無機層14b有機層14b1中央部14b2周緣部((第一)低含碳區(qū)域)14b2a端面14b4第二低含碳區(qū)域15光熱轉(zhuǎn)換層當前第1頁12
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