本發(fā)明涉及有機EL(Electroluminescence：電致發(fā)光)顯示面板的制造方法，特別是涉及使用到濕法工藝的制造方法。

背景技術：

近年來正在推進關于使用有機EL元件的有機EL顯示面板的大型化的研究和開發(fā)。在有機EL顯示面板中，沿著作為支撐材料的基板的主面呈矩陣狀地排列有多個有機EL元件，該有機EL元件構成像素而在圖像顯示面中顯示圖像。

有機EL元件采用以一對電極夾著至少包含將有機化合物作為材料的發(fā)光層的功能層的結構。需要注意的是，在功能層中，除了發(fā)光層以外還有注入層、傳輸層、阻止層、緩沖層等。功能層的形成方法大致分為真空蒸鍍法等干法工藝和噴墨法等濕法工藝。濕法工藝是使用含有功能層的材料(功能性材料)的溶液(以下稱為“墨(インク)”。)的形成方法，從其形成精度和成本方面來看，是適于實現(xiàn)顯示面板的大型化的技術。尤其，正在推進通過使墨為微小的液滴噴射到基板上而將墨直接涂布于像素形成區(qū)域的噴墨法的開發(fā)。

在此，噴墨法中，邊使排列在直線上的多個噴嘴在沿著基板的主面的一定的掃描方向上相對地移動的同時，邊從該噴嘴向像素形成區(qū)域噴射墨。此時，上述掃描方向一般設定為與像素形成區(qū)域排列成的矩陣的行方向或列方向平行。而且，已披露了一種通過使噴嘴排列的方向相對于掃描方向傾斜來調(diào)整相鄰的噴嘴的涂布間隔的技術(例如參照專利文獻1)。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：特開2004-111074號公報

技術實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的技術問題

圖16是示出噴嘴列824的掃描方向dsx和涂布部位A8的示意性平面圖。在噴嘴列824中，使墨為微小的液滴噴射的噴嘴824N在延伸方向dh上排列。另外，像素形成區(qū)域P分別具有子像素形成區(qū)域SP(R)、(G)、(B)，并且其在行方向d1和列方向d2上排列。各噴嘴824N邊在與行方向d1平行的掃描方向dsx上移動，邊向子像素形成區(qū)域SP(R)、(G)、(B)中任一個區(qū)域(圖中為子像素形成區(qū)域SP(B))的涂布部位A8噴射墨。

在此，各噴嘴824N中存在因墨的噴射機構的個體偏差、經(jīng)時變化所致的狀態(tài)偏差，從而有時在噴嘴824N的液滴的噴射量上會產(chǎn)生個體差異。圖16的方法中這樣的噴嘴824N的噴射量的個體差異會反映在行方向d1上。

具體地說，例如考慮在圖16中帶斜線的噴嘴824NX的噴射量與其它噴嘴824N的噴射量相比極端地少(或多)的情況。由于掃描方向dsx與行方向d1平行，因此被噴嘴824NX涂布的子像素形成區(qū)域SP(B)(圖的斜線部)在行方向d1上排列。即，在用該方法制造的有機EL顯示面板中，亮度極端高(或低)的像素或不發(fā)光的像素、發(fā)色偏離的像素在行方向d1上排列，因此發(fā)生沿著像素的排列方向的線狀的亮度不勻、發(fā)色不勻。

另外，即使在專利文獻1的方法中也會發(fā)生上述沿著像素的排列方向的線狀的亮度不勻、發(fā)色不勻。圖17是示出噴嘴列924的掃描方向dsx和涂布部位A9的示意性平面圖。與專利文獻1的方法同樣，在噴嘴列924中，各噴嘴924N排列成的延伸方向dh相對于掃描方向dsx傾斜。在這種情況下，由于也是掃描方向dsx與行方向d1平行，因此，例如被噴射量比其它噴嘴924N少(或多)的噴嘴924NX(圖的斜線部)涂布的子像素形成區(qū)域SP(B)(圖的斜線部)將在行方向d1上排列。因而，用該方法制造的有機EL顯示面板中也會發(fā)生沿著像素的排列方向的線狀的亮度不勻、發(fā)色不勻。

進而，上述那樣的線狀的亮度不勻、發(fā)色不勻并非僅在噴嘴的噴射量存在極端的個體差異(存在噴嘴824NX、噴嘴924NX)的情況下才會發(fā)生。即使在個體差異小的情況下，例如當相鄰的多個噴嘴的噴射量均比平均少等、具有同一傾向的個體差異的噴嘴集中于一定范圍內(nèi)時，由于個體差異的重疊，也會發(fā)生沿著像素的排列方向的線狀的亮度不勻、發(fā)色不勻。

上述那樣的沿著像素的排列方向的線狀的亮度不勻、發(fā)色不勻非常容易被視覺上辨別到，導致有機EL顯示面板的顯示品質(zhì)降低，從而成為一大問題。因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種使用噴墨法的有機EL顯示面板的制造方法，該方法能夠降低由于噴嘴的噴射量的個體差異導致發(fā)生沿著像素的排列方向的線狀的亮度不勻、發(fā)色不勻。

用于解決技術問題的方案

在本發(fā)明的一方面所涉及的有機EL顯示面板的制造方法中，準備基板；在所述基板上形成多個第一電極；在形成有多個第一電極的基板上形成分隔壁，以形成被分隔壁包圍的排列成矩陣狀的多個像素形成區(qū)域。并且，在該制造方法中，邊使排列在直線上的多個噴嘴在沿著基板的主面的一定的掃描方向上相對地移動，邊從多個噴嘴向多個像素形成區(qū)域噴射含有功能性材料的墨，從而分別對多個像素形成區(qū)域涂布墨。進而，在該制造方法中，通過使涂布的墨干燥而分別在多個像素形成區(qū)域中形成包含功能性材料的功能層；并且，在覆蓋形成有功能層的多個像素形成區(qū)域的位置至少形成第二電極。而且，在該制造方法中，在涂布墨時，通過將多個像素形成區(qū)域所排列的行方向與掃描方向所成的角度θ設定為大于0°且小于90°，由此，多個噴嘴各自跨像素形成區(qū)域的多行來涂布所述墨。

發(fā)明效果

在上述方面所涉及的有機EL顯示面板的制造方法中，由于噴嘴的掃描方向相對于行方向傾斜，因此，即使存在與其它噴嘴相比噴射量少或多的噴嘴，由該噴嘴涂布的像素形成區(qū)域也將跨多個行、且不會在行方向上排列。因而，根據(jù)該制造方法，能降低由噴嘴的噴射量的個體差異所致的沿著行方向、即像素的排列方向的線狀的亮度不勻、發(fā)色不勻的發(fā)生。

附圖說明

[圖1]是示出有機EL顯示裝置1的整體構成的框圖。

[圖2]是將有機EL顯示面板10的圖像顯示面的局部放大后的示意性平面圖。

[圖3]是沿著子像素形成區(qū)域SP的行方向d1的示意性截面圖。

[圖4]是用于說明有機EL顯示面板10的制造方法的工序圖。

[圖5]是示出有機EL顯示面板10的制造過程的示意性截面圖，(a)是示出陽極形成工序的圖，(b)是示出空穴注入層形成工序的圖，(c)是示出分隔壁形成工序的圖。

[圖6]是示出有機EL顯示面板10的制造過程的示意性截面圖，(a)是示出墨涂布工序的圖，(b)是示出干燥工序的圖，(c)是示出電子傳輸層形成工序的圖。

[圖7]是示出有機EL顯示面板10的制造過程的示意性截面圖，(a)是示出陰極形成工序的圖，(b)是示出密封工序的圖。

[圖8]是示出在墨16a的涂布中使用的噴墨裝置100的立體圖。

[圖9]是示出噴嘴列124的掃描方向ds和涂布部位A的示意性平面圖。

[圖10](a)是示出相鄰的噴嘴124Na、124Nb的涂布間隔Dd1的圖，(b)是示出相鄰的像素形成區(qū)域P中的噴嘴的涂布部位A3、A4在列方向d2上的偏差Dd2的圖。

[圖11]是示出墨16a的一例中的涂布量與相對亮度的關系的曲線圖。

[圖12]是示出墨16a的一例中的涂布量偏差與N/TN的關系的曲線圖。

[圖13]是示出角度θ、α時的噴嘴列124對子像素形成區(qū)域SP的掃描的示意性平面圖。

[圖14]是用于說明噴墨裝置100中的掃描次數(shù)的示意性平面圖。

[圖15]是示出變形例所涉及的噴墨裝置200的立體圖。

[圖16]是示出噴嘴列824的掃描方向dsx和涂布部位A8的示意性平面圖。

[圖17]是示出噴嘴列924的掃描方向dsx和涂布部位A9的示意性平面圖。

具體實施方式

＜本發(fā)明的一方面的概要＞

在本發(fā)明的一方面所涉及的有機EL顯示面板的制造方法中，準備基板，在基板上形成多個第一電極，在形成有多個第一電極的基板上形成分隔壁，從而形成被分隔壁包圍的排列成矩陣狀(行列狀)的多個像素形成區(qū)域。另外，在該制造方法中，邊使排列在直線上的多個噴嘴在沿著基板的主面的一定的掃描方向上相對地移動，邊從多個噴嘴向多個像素形成區(qū)域噴射含有功能性材料的墨，由此分別對多個像素形成區(qū)域涂布墨。進而，在該制造方法中，通過使涂布的墨干燥，從而分別在多個像素形成區(qū)域中形成包含功能性材料的功能層，并在覆蓋形成有功能層的多個像素形成區(qū)域的位置至少形成第二電極。并且，在該制造方法中，在涂布墨時，通過將多個像素形成區(qū)域所排列的行方向與掃描方向所成的角度θ設定為大于0°且小于90°，由此，多個噴嘴各自跨像素形成區(qū)域的多行來涂布上述墨。

在上述方面所涉及的有機EL顯示面板的制造方法中，由于噴嘴的掃描方向相對于行方向傾斜，因此，即使存在與其它噴嘴相比噴射量少或多的噴嘴，被該噴嘴涂布的像素形成區(qū)域也會涉及到多行，不會在行方向上排列。因而，根據(jù)該制造方法，能降低噴嘴的噴射量的個體差異所致的沿著行方向、即像素的排列方向的線狀的亮度(輝度)不勻、發(fā)色不勻的發(fā)生。

另外，在本發(fā)明的其它方面所涉及的有機EL顯示面板的制造方法中，在上述方面的基礎上，在形成多個像素形成區(qū)域時，使多個像素形成區(qū)域所排列的行列方向的間隔為一定。進而，在該制造方法中，在將該一定的間隔中的行方向側的間隔設為Dp、將列方向側的間隔設為Dp2時，將角度θ設定為使Dp×tanθ的值不等于Dp2。

在上述方面所涉及的有機EL顯示面板的制造方法中，由于對應每一像素形成區(qū)域進行涂布的噴嘴的組合會發(fā)生變化，因此能降低沿著掃描方向的線狀的亮度不勻、發(fā)色不勻的發(fā)生。

另外，在本發(fā)明的其它方面所涉及的有機EL顯示面板的制造方法中，在上述方面的基礎上，在涂布墨時，分別將多個噴嘴排列的間隔設定為一定的值Dn、將掃描方向與多個噴嘴排列的方向所成的角度設定為一定的值α。并且，在該制造方法中，當將N設為正的整數(shù)時，將角度θ設定為滿足下述數(shù)學式1。

[數(shù)學式1]

$\mathrm{\θ}={\sin }^{-1}\left(\frac{N\·Dn\·\sin \mathrm{\α}}{Dp}\right)$

在上述方面所涉及的有機EL顯示面板的制造方法中，在行方向上相鄰的像素形成區(qū)域中，各噴嘴的涂布部位錯開墨的涂布間隔的恰好N倍。因而，在行方向上排列的哪個像素形成區(qū)域中均保有墨的涂布部位。由此，在行方向上排列的像素形成區(qū)域之間，涂布部位在列方向的位置、涂布數(shù)量的偏差得到抑制、且行方向的涂布不勻的發(fā)生得到抑制。因此，在上述方面所涉及的有機EL顯示面板的制造方法中，能降低行方向的亮度不勻、發(fā)色不勻的發(fā)生。

另外，在本發(fā)明的其它方面所涉及的有機EL顯示面板的制造方法中，在上述方面的基礎上，當形成多個像素形成區(qū)域時，在多個像素形成區(qū)域中分別形成與紅色、綠色和藍色各自對應的子像素形成區(qū)域。進而，在該制造方法中，在涂布墨時，通過對與紅色、綠色、藍色對應的每個子像素形成區(qū)域進行多個噴嘴的掃描，從而分別涂布不同的上述墨。并且，在該制造方法中，將角度θ設定為使得涂布上述墨中亮度相對于涂布量的變化最大的墨時的掃描方向所對應的N的值為涂布其它墨時的掃描方向所對應的N的值以上。

在上述方面所涉及的有機EL顯示面板的制造方法中，在涂布噴嘴的噴射量的個體差異將更強地反映為亮度的不勻的墨時，使進行涂布的噴嘴的替換數(shù)量N變?yōu)樽畲?，從而能有效地降低線狀的亮度不勻、發(fā)色不勻的發(fā)生。

另外，在本發(fā)明的其它方面所涉及的有機EL顯示面板的制造方法中，在上述方面的基礎上，在形成子像素形成區(qū)域時，將子像素形成區(qū)域形成為長邊方向與行方向正交的長條狀。進而，在該制造方法中，不管是針對涂布哪種墨時的所述掃描方向，均將角度θ設定為大于0°且為45°以下。

在上述方面所涉及的有機EL顯示面板的制造方法中，噴嘴的掃描方向離與子像素形成區(qū)域的長軸方向正交的行方向近。因而，在上述方面所涉及的有機EL顯示面板的制造方法中，能增大每一子像素形成區(qū)域的涂布噴嘴數(shù)量，能相對地減小噴嘴的噴射量的個體差異所帶來的影響。

另外，本發(fā)明的其它方面所涉及的有機EL顯示面板的制造方法中，在上述方面的基礎上，將子像素形成區(qū)域的長邊方向的長度設為Lsp。進而，在該制造方法中，不管是針對涂布哪種墨時的掃描方向，均將角度θ設定為滿足下述數(shù)學式2。

[數(shù)學式2]

$\mathrm{\θ}\≤{\tan }^{-1}\left(\frac{Lsp}{Dp}\right)$

在上述方面所涉及的有機EL顯示面板的制造方法中，通過增大角度θ，從而能夠抑制為對所有子像素形成區(qū)域進行涂布所需的噴嘴的數(shù)量增加、能夠抑制噴嘴的噴射量的個體差異反映于列方向。

另外，在本發(fā)明的其它方面所涉及的有機EL顯示面板的制造方法中，在上述方面的基礎上，不管是針對涂布哪種墨時的掃描方向，均將角度θ和角度α設定為滿足下述數(shù)學式3。

[數(shù)學式3]

α≤90°-θ

在上述方面所涉及的有機EL顯示面板的制造方法中，能將每一子像素形成區(qū)域的涂布噴嘴數(shù)量確保為與一般的噴墨法為相同程度以上，能在不增加像素間的亮度不勻的情況下降低線狀的亮度不勻、發(fā)色不勻。

另外，在本發(fā)明的其它方面所涉及的有機EL顯示面板的制造方法中，在上述方面的基礎上，準備主面為長方形狀的基板，在形成像素形成區(qū)域時，使行方向、列方向分別與基板的長邊方向、短邊方向一致。進而，在該制造方法中，在涂布墨時，將基板的長邊方向的長度設為W，將基板的短邊方向的長度設為H，將多個噴嘴排列成的全長設為L。并且，在該制造方法中，不管是針對涂布哪種墨時的掃描方向，均將角度θ設定為滿足下述數(shù)學式4。

[數(shù)學式4]

$\[\frac{Hcos\mathrm{\θ}+W\sin \mathrm{\θ}}{L\sin \mathrm{\α}}\]=\[\frac{H}{L\sin \mathrm{\α}}\]$

在上述方面所涉及的有機EL顯示面板的制造方法中，能夠在不比角度θ＝0°的一般噴墨法增加掃描次數(shù)的情況下對基板整面涂布墨，并能抑制制造工序的增加。

需要說明的是，本申請中兩個方向所成的角度是指投影到由該兩個方向限定的平面上的該兩個方向相交的角度中更小的一方。因而，兩個方向所成的角度為0°以上且90°以下。

＜實施方式＞

下面，邊參照附圖，邊說明本發(fā)明的一方面所涉及的有機EL顯示面板的制造方法。

1.有機EL顯示裝置1的整體構成

圖1是示出有機EL顯示裝置1的整體構成的框圖。有機EL顯示裝置1用于電視機、個人計算機、工作用顯示器、便攜終端等中，其包括長方形狀的有機EL顯示面板10和與其連接的驅(qū)動控制部20。驅(qū)動控制部20包括4個驅(qū)動電路21～24和控制電路25。

有機EL顯示面板10(以下稱為“面板10”。)是具有長方形狀的圖像顯示面的顯示面板，作為一例，是頂部發(fā)光型且有源矩陣方式的有機EL顯示面板。作為一例，驅(qū)動電路21～24在面板10的周圍配置有4個，但驅(qū)動控制部20的構成不限于此，可適當?shù)刈兏?qū)動電路的數(shù)量、位置。

2.面板10的構成

圖2是將面板10的圖像顯示面的局部放大后的示意性平面圖。面板10包括多個像素形成區(qū)域P，這多個像素形成區(qū)域P沿著圖像顯示面排列成由正交的行方向d1和列方向d2構成的矩陣狀。像素形成區(qū)域P在行方向d1和列方向d2上排列的間隔是一定的值，像素形成區(qū)域P在行方向d1上按像素間隔Dp、在列方向d2上按像素間隔Dp2排列。

在各像素形成區(qū)域P中，分別與紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)各自對應的子像素形成區(qū)域SP(R)、SP(G)、SP(B)各形成有1個，它們在行方向d1上隔開間隔排列。下面，在不特別區(qū)分子像素形成區(qū)域SP(R)、SP(G)和SP(B)時，記載為子像素形成區(qū)域SP。

在面板10中，如圖1所示，行方向d1與面板10的長邊方向平行，列方向d2與面板10的短邊方向平行。需要注意的是，在本申請中，長方形和長方形狀的形狀中的短邊方向指的是與長邊方向正交的方向。

圖3是沿著子像素形成區(qū)域SP的行方向d1的示意性截面圖。在子像素形成區(qū)域SP中形成有頂部發(fā)光型的有機EL元件，在基板11上層疊有第一電極12、透明電極13、空穴注入層14、分隔壁15、發(fā)光層16、電子傳輸層17、第二電極18和密封層19。需要說明的是，上述層疊構成終究只是一個例子，除此以外也可以層疊有空穴傳輸層、電子注入層、阻止層、緩沖層等。另外，也可以省略上述各層中的一部分。

在面板10中，多個第一電極12在基板11上形成為由行方向d1和列方向d2構成的矩陣狀，在各第一電極12上形成有透明電極13。并且，以覆蓋基板11的上表面和所有透明電極13的方式形成有空穴注入層14。在空穴注入層14上形成有包圍用于限定像素形成區(qū)域P和子像素形成區(qū)域SP的開口15a的分隔壁15，在開口15a內(nèi)形成有發(fā)光層16。進而，以覆蓋全部發(fā)光層16和位于發(fā)光層16的間隔中的分隔壁15的方式依次形成有電子傳輸層17、第二電極18和密封層19。需要注意的是，上述結構終究只是一個例子，例如空穴注入層14、電子傳輸層17或第二電極18也可以僅形成于各開口15a內(nèi)。

需要說明的是，雖然省略了圖示，但也可以在子像素形成區(qū)域SP的列方向d2上將多個第一電極12配置于各子像素形成區(qū)域SP中的分隔壁15的開口15a內(nèi)。例如，也可以在列方向d2上將3個第一電極12配置在1個開口15a中。既可以基于單獨的信號控制各個第一電極12，也可以基于同一信號控制3個第一電極12。另外，在基于單獨的信號控制第一電極12的情況下，為了避免來自相鄰的第一電極12的干擾，也可以在第一電極12之間設置由電絕緣體構成的像素限制層。優(yōu)選該像素限制層的高度低于分隔壁15的高度。

基板11是面板10的支撐部件。雖然省略了圖示，但在基板11中，于長方形平板狀的主體上形成有TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶體管)層。在TFT層中，通過TFT元件、電容元件、配線等電子電路元件構成對供應至有機EL元件的電流進行控制的電路。另外，在TFT層的最上部形成有層間絕緣層(未圖示)，基板11的上表面被平坦化。

基板11的主體由電絕緣性材料形成。具體地，作為該材料，例如可使用鈉玻璃、無熒光玻璃、磷酸系玻璃、硼酸系玻璃、石英、丙烯酸系樹脂、苯乙烯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、環(huán)氧系樹脂、聚乙烯、聚酯、硅系樹脂、氧化鋁等。另外，基板11例如也可以是在鋁、不銹鋼等金屬板上涂布有電絕緣性材料的基板。

基板11的TFT層由形成元件和配線的半導體、導電體、電絕緣體的層疊結構以及覆蓋該層疊結構的層間絕緣層構成。作為半導體，例如可使用硅、銦-鋅-鎵氧化物等氧化物半導體、雜環(huán)芳香族化合物等具有在平面方向擴展的π電子共軛體系的有機半導體等。作為導電體，例如可使用鋁、銅、金等金屬；銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)等導電性氧化物等。作為絕緣體，例如可使用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、丙烯酸系樹脂、聚酰亞胺系樹脂、硅氧烷系樹脂、苯酚系樹脂等。作為層間絕緣層，可使用具有電絕緣性的能形成圖案的材料、例如丙烯酸系樹脂、聚酰亞胺系樹脂、硅氧烷系樹脂、苯酚系樹脂等有機材料。

需要說明的是，在面板10中，基板11(主體)限定面板10的長邊方向和短邊方向。因而，基板11(主體)主面的長邊方向與行方向d1平行、短邊方向與列方向d2平行。

第一電極12例如由Al(鋁)、Ag(銀)、APC(銀、鈀和銅的合金)、ARA(銀、銣和金的合金)、MoCr(鉬和鉻的合金)、或NiCr(鎳和鉻的合金)等形成，其不僅作為陽極發(fā)揮功能，而且還具有使在發(fā)光層16中產(chǎn)生的可見光反射并將其導向上方的功能。

透明電極13由ITO(銦錫氧化物)、IZO(銦鋅氧化物)等形成，其不僅作為陽極發(fā)揮功能，而且還具有介于第一電極12與空穴注入層14之間來使這些層的接合性變得良好的功能。

空穴注入層14例如由金屬氧化物、金屬氮化物或金屬氮氧化物等金屬化合物形成。作為金屬氧化物，例如可舉出Cr(鉻)、Mo(鉬)、W(鎢)、V(釩)、Nb(鈮)、Ta(鉭)、Ti(鈦)、Zr(鋯)、Hf(鉿)、Sc(鈧)、Y(釔)、Th(釷)、Mn(錳)、Fe(鐵)、Ru(釕)、Os(鋨)、Co(鈷)、Ni(鎳)、Cu(銅)、Zn(鋅)、Cd(鎘)、Al(鋁)、Ga(鎵)、In(銦)、Si(硅)、Ge(鍺)、Sn(錫)、Pb(鉛)、Sb(銻)、Bi(鉍)等的氧化物和從La(鑭)到Lu(镥)的所謂稀土元素等的氧化物。

分隔壁15例如由樹脂等有機材料或玻璃等無機材料形成。在有機材料的例子中，可舉出丙烯酸系樹脂、聚酰亞胺系樹脂、酚醛型苯酚樹脂等，在無機材料的例子中，可舉出SiO(氧化硅)、SiN(氮化硅)等。如圖2所示，分隔壁15形成為使得子像素形成區(qū)域SP(開口15a)的平面形狀大致為以列方向d2為長軸、以行方向d1為短軸的橢圓狀。更具體地，分隔壁15以使開口15a的在行方向d1上相對的兩邊分別為直線狀、而在列方向d2上相對的兩邊分別為半圓弧狀的方式包圍開口15a。

回到圖3，發(fā)光層16例如由作為有機高分子的F8BT(poly(9、9-di-n-octylfluorene-alt-benzothiadiazole))形成。需要注意的是，發(fā)光層16不限于由該材料形成的構成，可構成為包括公知的有機材料。例如可使用在日本特開平5-163488號公報中記載的類喔星(oxinoid)化合物、苝化合物、香豆素化合物、氮雜香豆素化合物、噁唑化合物、噁二唑化合物、紫環(huán)酮(perinone)化合物、吡咯并吡咯化合物、萘化合物、蒽化合物、芴化合物、熒蒽化合物、并四苯化合物、芘化合物、暈苯化合物、喹諾酮化合物及氮雜喹諾酮化合物、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物、若丹明化合物、(chrysene)化合物、菲化合物、環(huán)戊二烯化合物、茋化合物、二苯基苯醌化合物、苯乙烯基化合物、丁二烯化合物、雙氰亞甲基吡喃化合物、雙氰亞甲基噻喃化合物、熒光素化合物、吡喃鎓化合物、噻喃鎓化合物、硒吡喃鎓化合物、碲吡喃鎓化合物、芳香族坎利酮化合物、低聚亞苯基化合物、噻噸化合物、花青苷化合物、吖啶化合物、8-羥基喹啉化合物的金屬配合物、2-聯(lián)吡啶化合物的金屬配合物、席夫堿與III族金屬的配合物、8-羥基喹啉(喔星)金屬配合物、稀土類配合物等熒光物質(zhì)等。需要說明的是，發(fā)光層16相當于本實施方式中的功能層的一個方式。

電子傳輸層17由具有將從第二電極18注入的電子向發(fā)光層16傳輸?shù)墓δ艿牟牧闲纬?。具體地，例如由硝基取代9-芴酮衍生物、噻喃二氧化物衍生物、聯(lián)苯醌(Diphenoquinone)衍生物、苝四羧基衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、亞芴基甲烷衍生物、蒽酮衍生物、噁二唑衍生物、紫環(huán)酮衍生物、喹啉配合物衍生物(均在特開平5-163488號公報中記載)、氧化磷衍生物、三唑衍生物、三嗪衍生物、硅雜環(huán)戊二烯衍生物、二(2,4,6-三甲苯基)硼衍生物、三芳基硼衍生物等形成。

第二電極18例如由ITO、IZO等形成，其作為陰極發(fā)揮功能。

密封層19具有抑制第二電極18以下的層暴露于水分中、或暴露于空氣中的功能，其例如由SiN(氮化硅)、SiON(氮氧化硅)等材料形成。

3.有機EL顯示面板10的制造方法

圖4是用于說明面板10的制造方法的工序圖。圖5、圖6、圖7是示出面板10的制造過程的示意性截面圖。

(1)準備基板(S1)

首先，準備基板11。具體地，準備將電絕緣性材料成形為長方形平板狀而得的主體，在主體上形成TFT層。作為TFT層的形成方法，例如可以將濺射、化學蒸鍍、旋涂等薄膜形成法與光刻法等圖案化法相組合。另外，也可以根據(jù)需要進行等離子體離子注入、烘烤等處理。

(2)形成陽極(S2)

接著，在基板11上形成由第一電極12和透明電極13構成的陽極。具體地，通過例如濺射形成了金屬薄膜之后，通過例如光刻法將該金屬薄膜圖案化為矩陣狀，從而在基板11上形成排列為矩陣狀的多個第一電極12(圖5(a))。需要注意的是，也可以通過真空蒸鍍等形成金屬薄膜。同樣地，通過例如濺射形成ITO薄膜，并通過例如光刻法將該ITO薄膜圖案化為僅在第一電極上，從而形成透明電極13。另外，在上述內(nèi)容中，也可以是在形成金屬薄膜和ITO薄膜之后，通過光刻法依次對ITO薄膜、金屬薄膜進行圖案化，從而在基板11上形成排列為矩陣狀的多個第一電極12和透明電極13。

(3)形成空穴注入層(S3)

接著，在形成有透明電極13的基板11上形成空穴注入層14。具體地，例如通過真空蒸鍍法或濺射等在包括透明電極13的上表面在內(nèi)的基板11的整個上表面?zhèn)纫跃鶆虻哪ず裥纬裳趸u膜，由此形成空穴注入層14(圖5(b))。

(4)形成分隔壁(S4)

接著，在形成有空穴注入層14的基板11上形成分隔壁15。具體地，例如在空穴注入層14上通過涂布等而形成包含光致抗蝕劑材料的抗蝕膜，在該抗蝕膜的相當于透明電極13的上方的位置通過例如光刻法設置開口15a，形成分隔壁15(圖5(c))。此時，開口15a成為被分隔壁15包圍且排列成矩陣狀的透明電極13的露出部。即，開口15a作為子像素形成區(qū)域SP而形成。另外，通過同時形成在行方向d1上排列的3個子像素形成區(qū)域SP而形成像素形成區(qū)域P。

(5)涂布墨(S5)

接著，對形成有分隔壁15的基板11涂布墨16a。具體地，使用噴墨法分別對開口15a(子像素形成區(qū)域SP)涂布含有發(fā)光層16的材料的墨16a(圖6(a))。需要注意的是，后述墨16a的涂布方法的詳細內(nèi)容。

(6)干燥(S6)

接著，使涂布的墨16a干燥。具體地，通過將涂布墨16a后的基板11放置在真空室等真空環(huán)境中，從而使墨16a的溶劑蒸發(fā)而干燥。由此，在各個子像素形成區(qū)域SP中形成發(fā)光層16(圖6(b))。

(7)形成電子傳輸層(S7)

接著，在覆蓋形成有發(fā)光層16的子像素形成區(qū)域SP的位置形成電子傳輸層17。具體地，例如通過真空蒸鍍以覆蓋基板11上的層疊物的上表面的方式形成由用于電子傳輸層的材料構成的薄膜，從而形成電子傳輸層17(圖6(c))。

(8)形成陰極(S8)

接著，在形成有電子傳輸層17的基板11上形成由第二電極18構成的陰極。具體地，例如通過濺射以覆蓋基板11上的層疊物的上表面的方式形成ITO薄膜而形成第二電極18(圖7(a))。需要注意的是，第二電極18至少形成于將形成有發(fā)光層16的子像素形成區(qū)域SP覆蓋的位置即可。

(9)密封(S9)

最后，將形成了第二電極18的基板11密封。具體地，例如通過濺射法以覆蓋基板11上的層疊物的方式形成氮化硅薄膜而形成密封層19(圖7(b))。需要注意的是，也可以在形成密封層19后經(jīng)由有機樹脂等使平板狀的密封材料與密封層19的上表面?zhèn)荣N合。另外，也可以對該密封材料配置校正發(fā)光色的彩色濾光片等。

如上所述，完成在各子像素形成區(qū)域SP中形成有有機EL元件的面板10。需要注意的是，上述記載的各部的形成方法(成膜方法、圖案化方法等)終究只是例示，也可以使用其它方法。

4.墨16a的涂布方法

以下說明面板10的制造方法中的、采用噴墨法的墨16a的涂布方法。

(1)噴墨裝置100的說明

圖8是示出在墨16a的涂布中使用的噴墨裝置100的立體圖。噴墨裝置100包括工作臺110、頭部120作為主要的構成部分。

a.工作臺110

工作臺110是所謂的臺架式工作臺，包括供載置涂布對象物(本實施方式中為基板11)的基臺111和配置于基臺111上方的長條狀的移動架臺112。

基臺111是長方體狀，供載置涂布對象物的上表面是長方形。以下，基臺111的長邊方向是指上述上表面中的長邊方向，基臺111的短邊方向是指上述上表面中的短邊方向。

移動架臺112架設于沿著基臺111的長邊方向平行配置的一對引導軸113a、113b之間。一對引導軸113a、113b由配設于基臺111的四角的柱狀的臺架114a～114d支撐。

在各引導軸113a、113b上安裝有直線電機部115a、115b，使移動架臺112能夠在基臺111的長邊方向移動。

在移動架臺112上安裝有L字形的臺座116，伺服電機部117安裝于該臺座116。通過該伺服電機部117，能使臺座116沿著引導槽118在基臺111的短邊方向上移動。

直線電機部115a、115b和伺服電機部117與控制裝置(未圖示)連接，通過來自控制裝置的信號控制移動架臺112向長邊方向的移動和臺座116向短邊方向的移動。

另外，在噴墨裝置100中，能使基臺111上的涂布對象物在與基臺111的上表面平行的面內(nèi)進行旋轉(zhuǎn)和固定，能自由地設定基臺111的上表面上的涂布對象物的相對的朝向。這例如在基臺111的供載置涂布對象物的部位配置能在基臺111的上表面進行自由旋轉(zhuǎn)/固定的切換的旋轉(zhuǎn)臺等即可。

b.頭部120

頭部120包括主體部121、噴墨頭122和攝像裝置123。主體部121固定于工作臺110的臺座116，噴墨頭122和攝像裝置123安裝于主體部121。

噴墨頭122是長條狀的部件，雖未圖示，但在其下表面?zhèn)?，多個(例如1萬個左右)噴嘴124N在噴墨頭122的長邊方向的一直線上隔開一定的噴嘴間隔Dn而排列。因而，噴嘴124N形成以噴墨頭122的長邊方向為延伸方向dh的噴嘴列124。噴嘴124N在內(nèi)部具有壓電元件(未圖示)和與壓電元件連接的液室(未圖示)，通過壓電元件壓迫液室，由此，從噴嘴124N的噴射口噴射液室內(nèi)的墨16a。

主體部121包括用于單獨地驅(qū)動各噴嘴124N的壓電元件的驅(qū)動電路(未圖示)。另外，驅(qū)動電路與上述控制裝置連接，通過來自控制裝置的信號控制各噴嘴124N的噴射量和噴射定時等。另外，在主體部121中內(nèi)置有與上述驅(qū)動電路同樣地連接于控制裝置的伺服電機(未圖示)。該伺服電機能夠使噴墨頭122以主體部121為中心在與基臺111的上表面平行的平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)。由此，能調(diào)整噴嘴列124的延伸方向dh與基臺111的長邊方向(移動架臺112的移動方向)所成的角度α，能調(diào)整噴嘴124N相對于涂布對象物的相對間隔、即涂布間隔。

攝像裝置123例如是CCD照相機，與上述控制裝置連接。攝像裝置123拍攝涂布對象物的表面，將其圖像數(shù)據(jù)向控制裝置發(fā)送。由此，控制裝置能夠基于從攝像裝置123發(fā)送的涂布對象物的圖像數(shù)據(jù)來確定各噴嘴124N有無噴射。即，各噴嘴124N能夠僅對涂布對象物的規(guī)定位置噴射墨16a。

在上述構成中，噴嘴列124經(jīng)由頭部120的主體部121而安裝于臺座116和移動架臺112，由此能向基臺111的長邊方向移動和向基臺111的短邊方向移動。

(2)噴墨裝置100的使用方法

在使用噴墨裝置100的墨16a的涂布中，例如首先將噴嘴列124的延伸方向dh與基臺111的長邊方向所成的角度α設定為規(guī)定值，之后在基臺111上載置涂布對象物。接著，設定基臺111的上表面上的涂布對象物的相對的朝向。進而，根據(jù)上述角度α和涂布對象物的相對的朝向，使臺座116在基臺111的短邊方向上移動，設定噴嘴列124掃描的涂布對象物的范圍。

然后，通過使移動架臺112移動，從而邊使噴嘴列124在基臺111的長邊方向上移動(掃描)，邊在噴嘴124N到達了涂布對象物上的規(guī)定位置時從該噴嘴124N向涂布對象物噴射墨16a。即，在噴墨裝置100中，基臺111的長邊方向相當于噴嘴列124的掃描方向ds。并且，由此，在噴嘴列124經(jīng)過的涂布對象物的規(guī)定部位涂布墨16a。

需要說明的是，在通過噴嘴列124的一次掃描無法對涂布對象物的全部規(guī)定位置涂布墨16a的情況下，在噴嘴列124的掃描后，通過臺座116的移動使噴嘴列124在基臺111的短邊方向上移動并再次進行噴嘴列124的掃描即可。

(3)向基板11涂布墨16a的涂布方法

以下說明使用噴墨裝置100向基板11涂布墨16a的涂布方法。

圖9是示出噴嘴列124的掃描方向ds和涂布部位A的示意性平面圖。在圖9中，示出了向各像素形成區(qū)域P的子像素形成區(qū)域SP(B)涂布墨16a的情況。需要注意的是，為了進行說明，關于圖中所示的4個像素形成區(qū)域P排列成的矩陣，將紙面上側的行設為行Rm，將紙面下側的行設為行Rm+1，將紙面右側的列設為列Cn，將紙面左側的列設為列Cn+1。

在本實施方式中的向基板11涂布墨16a的涂布中，利用了在上述噴墨裝置100中能夠設定基臺111的上表面的涂布對象物的相對的朝向。具體地，將基板11的像素形成區(qū)域P所排列的行方向d1與噴嘴列124的掃描方向ds所成的角度θ設定為大于0°且小于90°。

此時，掃描方向ds相對于行方向d1具有角度θ的傾斜度，在圖中，噴嘴列124從附圖右上向左下移動。需要注意的是，各噴嘴124N正好對子像素形成區(qū)域SP的在行方向d1上的中央的位置涂布墨16a。由此，墨16a的涂布部位A在列方向d2上排列。

這種情況下，例如即使存在噴射量比其它噴嘴124N少或多的噴嘴124NX，由噴嘴124NX涂布墨16a的子像素形成區(qū)域SP也會跨多個行，且不會在行方向d1上排列。具體地，圖中，在列Cn中，噴嘴124NX(斜線部)在行Rm的子像素形成區(qū)域SP(B)(斜線部)上通過，并對該子像素形成區(qū)域SP(B)涂布墨16a。另一方面，在列Cn+1中，噴嘴124NX的到達位置由于角度θ而向列方向d2下側偏離，變?yōu)樾蠷m與行Rm+1的中間上部。即，噴嘴124NX不對列Cn+1中的行Rm的子像素形成區(qū)域SP(B)涂布墨16a，因而，由噴嘴124NX涂布的子像素形成區(qū)域SP(B)不在行Rm中排列。

需要說明的是，在列Cn中，當噴嘴124NX經(jīng)過行Rm的子像素形成區(qū)域SP(B)的附圖上端側的情況、角度θ小的情況等下，在列Cn+1中也存在噴嘴124NX經(jīng)過相同的行Rm的子像素形成區(qū)域SP(B)上的可能性。但是，這種情況下，通過噴嘴列124維持角度θ地進行移動，由此，在其更先(或位于列Cn前面)的列中也會存在噴嘴124NX沒有經(jīng)過行Rm的子像素形成區(qū)域SP(B)上的列。特別是，在顯示面板中，一般與像素形成區(qū)域P的大小相比，在行方向d1上排列的像素形成區(qū)域P的行的全長非常大，即使是以微小的角度θ相對于行方向d1傾斜，噴嘴124N也會跨多個不同的行來涂布墨16a。

這樣，在根據(jù)上述方法制造的面板10中，由于噴嘴124N的噴射量的個體差異導致亮度比其它像素高或低的像素或不發(fā)光的像素、發(fā)色偏離的像素在行方向d1上排列的情況得到抑制。因而，根據(jù)本實施方式中的制造方法，能夠降低噴嘴的噴射量的個體差異所致的沿著行方向d1、即像素的排列方向的線狀的亮度不勻、發(fā)色不勻的發(fā)生。

5.備注

(1)角度θ的優(yōu)選值

在面板10的制造方法中，若角度θ大于0°且小于90°，則并不限于特定的值均具有上述的效果。另一方面，通過將角度θ設定為一定的值，從而能夠進一步增強效果。

例如，針對像素形成區(qū)域P所排列的行方向d1的像素間隔Dp、列方向d2的像素間隔Dp2，優(yōu)選將角度θ設定為使Dp×tanθ不等于Dp2。在Dp×tanθ等于Dp2的情況下，由于在噴嘴列124的掃描中，每隔1列各噴嘴124N在列方向d2上的涂布位置正好錯開Dp2，因此，保持以像素形成區(qū)域P為單位進行涂布的噴嘴124N的組合。因而，墨16a的涂布量為同一傾向的像素形成區(qū)域P在掃描方向ds上排列，發(fā)生沿著掃描方向ds的線狀的亮度不勻、發(fā)色不勻。

另一方面，若將角度θ設定為使Dp×tanθ不等于Dp2，則按每個像素形成區(qū)域P進行涂布的噴嘴的組合發(fā)生變化，因此能降低沿著掃描方向ds的線狀的亮度不勻、發(fā)色不勻的發(fā)生。

另外，在面板10的制造方法中，優(yōu)選將N設為正整數(shù)，將角度θ設定為滿足下述數(shù)學式1。

[數(shù)學式1]

$\mathrm{\θ}={\sin }^{-1}\left(\frac{N\·Dn\·\sin \mathrm{\α}}{Dp}\right)$

圖10(a)是示出相鄰的噴嘴124Na、124Nb在子像素形成區(qū)域SP內(nèi)的涂布間隔Dd1的圖，(b)是示出相鄰的像素形成區(qū)域P中的噴嘴的涂布部位A3、A4在列方向d2上的偏差Dd2的圖。

根據(jù)圖10(a)，在噴嘴列124的延伸方向dh與掃描方向ds所成的角度是α的情況下，相鄰的噴嘴124Na、124Nb之間的間隔Dn和噴嘴124Na、124Nb在子像素形成區(qū)域SP內(nèi)的墨16a的涂布部位A1、A2的涂布間隔Dd1處于Dd1·cosθ＝Dn·sinα的關系。

另外，如圖10(b)所示，當在某列中對涂布部位A3涂布了墨16a的噴嘴124N(未圖示)在與該列相鄰的列中對涂布部位A4涂布了墨16a的情況下，涂布部位A3、A4在列方向d2上的偏離Dd2由Dd2＝Dp·tanθ表示。

在此，在角度θ滿足上述數(shù)學式1時，變?yōu)镈d2＝Dp·(sinθ/cosθ)＝(N·Dn·sinα)/cosθ＝N·Dd1。即，在行方向d1上相鄰的像素形成區(qū)域P的列中，各噴嘴124N所經(jīng)過的列方向d2的位置(涂布部位A)偏離墨16a的涂布間隔Dd1的正好N(正整數(shù))倍。因而，不論在行方向d1上排列的哪個像素形成區(qū)域P的列中，噴嘴124N所經(jīng)過的列方向d2的位置均相同，即保持墨16a的涂布部位A。由此，在排列于行方向d1上的像素形成區(qū)域P的列之間，可抑制涂布部位A在列方向d2上的位置、涂布數(shù)量的偏差，可抑制行方向d1上的涂布不勻的發(fā)生。因而，若將角度θ設定為滿足上述數(shù)學式1，則能夠降低行方向d1的亮度不勻、發(fā)色不勻的發(fā)生。

(2)對應每一子像素形成區(qū)域SP的N的設定

如上所述，當角度θ滿足數(shù)學式1時，在行方向d1上相鄰的像素形成區(qū)域P中，噴嘴124N的涂布部位A在列方向d2上偏離N·Dd1。即，N表示在行方向d1上相鄰的像素形成區(qū)域P中，進行涂布的噴嘴124N的替換數(shù)量。因而，N越大，噴嘴124N的個體差異越不易在行方向d1上反映，能進一步降低線狀的亮度不勻、發(fā)色不勻的發(fā)生。

在此，在面板10中，像素形成區(qū)域P中形成有分別與R、G、B對應的子像素形成區(qū)域SP(R)、SP(G)、SP(B)，為了形成發(fā)光色不同的發(fā)光層，對它們各自涂布不同的墨16a。在此，將涂布于子像素形成區(qū)域SP(R)、SP(G)、SP(B)的墨分別設為第一墨16a(R)、第二墨16a(G)、第三墨16a(B)。需要注意的是，在對它們進行總的說明時，記載為墨16a(R)、(G)、(B)。

在面板10的制造方法中，優(yōu)選地，對每個子像素形成區(qū)域SP(R)、SP(G)、SP(B)進行噴嘴列124的掃描，由此分別涂布不同的墨16a(R)、(G)、(B)。由此，能在每次涂布墨16a(R)、(G)、(B)時設定不同的N。以下，將涂布第一墨16a(R)時的掃描方向ds設為第一掃描方向ds1，將涂布第二墨16a(G)時的掃描方向ds設為第二掃描方向ds2，將涂布第三墨16a(B)時的掃描方向ds設為第三掃描方向ds3。

圖11是示出墨16a的一例中的涂布量與相對亮度的關系的曲線圖。在圖11中，橫軸和縱軸為相對值，橫軸表示將某涂布量設為1時的相對的墨16a的涂布量，縱軸表示以某亮度為基準的從該亮度的變化率。需要注意的是，本曲線圖示出的是墨16a(R)、(G)、(B)的一例中的關系，若使用的是不同的墨16a(R)、(G)、(B)，則它們的關系、具體地說曲線圖的斜率會不同。

如圖所示，在墨16a(R)、(G)、(B)的一例中，由涂布量的變化導致的亮度的變化比例是不同的。特別是在第二墨16a(G)的一例中，亮度由于涂布量而發(fā)生大的變化，但在第三墨16a(B)的一例中，即使涂布量發(fā)生變化，亮度也不怎么變化。一般地，人類的視覺靈敏度對綠色的變化敏感，而對藍色的變化遲鈍，認為上述現(xiàn)象反映了該點。

由此可知，在涂布第二墨16a(G)的一例時，噴嘴124N的噴射量的個體差異會更強地反映為亮度的不勻。因而，優(yōu)選將角度θ設定為使得涂布第二墨16a(G)的一例時的第二掃描方向ds2所對應的N的值為第一掃描方向ds1所對應的N的值和第三掃描方向ds3所對應的N的值以上。更一般性而言，優(yōu)選將角度θ設定為使涂布墨16a(R)、(G)、(B)中亮度相對于涂布量的變化最大的墨16a時的掃描方向所對應的N的值為涂布其它墨16a時的掃描方向所對應的N的值以上。

圖12是示出墨16a的一例中的涂布量偏差與N/TN的關系的曲線圖。橫軸的涂布量偏差是根據(jù)墨16a確定的值，具體地是指，從噴嘴124N多次噴射同一墨16a時的平均涂布量與最大涂布量之差或平均涂布量與最小涂布量之差中的任意更大一方除以平均涂布量所得的值的百分率。另外，TN是指，平均對一個子像素形成區(qū)域SP進行涂布的噴嘴124N的數(shù)量(以下稱為“涂布噴嘴數(shù)量TN”)。因而，縱軸的N/TN表示在行方向d1上相鄰的像素形成區(qū)域P中進行涂布的噴嘴124N的替換比例。

圖12的曲線圖是演繹性地示出本發(fā)明的發(fā)明人針對某墨16a的一例使用各種各樣的角度θ確認同色的子像素形成區(qū)域SP中的線狀的亮度不勻的發(fā)生而得到的結果的內(nèi)容，針對墨16a的一例中的涂布量偏差，示出了可充分抑制線狀的亮度不勻的發(fā)生的N/TN的值。例如，在測定了對子像素形成區(qū)域SP(R)進行涂布的第一墨16a(R)的一例中的涂布量偏差的結果是9％的情況下，若將角度θ設定為使N/TN為0.22以上，則可充分地抑制線狀的亮度不勻的發(fā)生。

在圖12中，用虛線示出了對該確認結果進行近似后的直線，在墨16a的一例中，優(yōu)選將角度θ的值設定為使N/TN在該近似直線的上方。即，在將涂布量偏差設為X％時，優(yōu)選將角度θ設定為使得對應第一掃描方向ds1(涂布第一墨16a(R)的一例時)滿足下述數(shù)學式5、對應第二掃描方向ds2(涂布第二墨16a(G)的一例時)滿足下述數(shù)學式6。

[數(shù)學式5]

$\frac{N}{TN}\≥0.05X-0.23$

[數(shù)學式6]

$\frac{N}{TN}\≥0.08X-0.30$

需要說明的是，對于第三掃描方向ds3(涂布第三墨16a(B)的一例時)，由涂布量偏差導致的亮度的變化小，因此，即使將N/TN(角度θ)設定為任意的值也沒有關系。

(3)子像素形成區(qū)域SP的形狀與角度θ的優(yōu)選關系

在面板10中，開口15a、即子像素形成區(qū)域SP形成為其長邊方向與行方向d1正交的長條狀。具體地，如圖2所示，子像素形成區(qū)域SP形成為以長軸方向為列方向d2、以短軸方向為行方向d1的大致橢圓狀。

在此，在向子像素形成區(qū)域SP涂布墨16a時，若增大涂布噴嘴數(shù)量TN，則能相對地減小由噴嘴124N的噴射量的個體差異帶來的影響。為了增大涂布噴嘴數(shù)量TN，優(yōu)選在子像素形成區(qū)域SP的長軸方向d2與短軸方向d1之間，噴嘴列124的掃描方向ds(第一掃描方向ds1、第二掃描方向ds2、第三掃描方向ds3)離短軸方向d1更近。即，優(yōu)選將噴嘴列124的掃描方向ds與子像素形成區(qū)域SP的短軸方向d1所成的角度、即角度θ設定為大于0°且在45°以下。

(4)N的優(yōu)選范圍

在向子像素形成區(qū)域SP涂布墨16a時，當將子像素形成區(qū)域SP的長邊方向的長度設為Lsp時，優(yōu)選將角度θ設定為滿足下述數(shù)學式2。

[數(shù)學式2]

$\mathrm{\θ}\≤{\tan }^{-1}\left(\frac{Lsp}{Dp}\right)$

圖13是示出角度θ、α時的噴嘴列124對子像素形成區(qū)域SP的掃描的示意性平面圖。根據(jù)該圖，涂布噴嘴數(shù)量TN是[(Lsp·cosθ)/(Dn·sinα)]或[(Lsp·cosθ)/(Dn·sinα)]+1。需要說明的是，用[]表示的符號是所謂的高斯符號，[A]是不大于A的最大的整數(shù)。因而，A為[A]以上且小于[A]+1。

另一方面，如上所述，N是在行方向d1上相鄰的像素形成區(qū)域P中，進行涂布的噴嘴124N的替換數(shù)量。在此，在角度θ滿足數(shù)學式2的等號時，變?yōu)镹＝Dd2/Dd1＝(Dp·tanθ)/((Dn·sinα)/cosθ)＝(Lsp·cosθ)/(Dn·sinα)，與涂布噴嘴數(shù)量TN大致相等。

因而，在角度θ滿足數(shù)學式2的等號時，在行方向d1上相鄰的像素形成區(qū)域P中，進行涂布的噴嘴124N的大部分被替換掉，噴嘴124N的噴射量的個體差異幾乎不會反映在行方向d1上。另一方面，即使在此之上地增大角度θ，降低線狀的亮度不勻、發(fā)色不勻的效果也幾乎沒有什么變化。相反地，當在此之上地增大角度θ時，有可能增加為對全部子像素形成區(qū)域SP進行涂布所需的噴嘴124N的數(shù)量、或者噴嘴124N的噴射量的個體差異反映在列方向d2上。因而，優(yōu)選N是TN以下，即、優(yōu)選角度θ滿足數(shù)學式2。

(5)角度α的優(yōu)選范圍

角度α是掃描方向ds與噴嘴列124的延伸方向dh所成的角，是調(diào)整涂布間隔Dd1的參數(shù)。優(yōu)選將該角度α設定為相對于角度θ滿足下述數(shù)學式3。

[數(shù)學式3]

α≤90°-θ

此時，涂布噴嘴數(shù)量TN滿足下述數(shù)學式7的不等式。

[數(shù)學式7]

在此，數(shù)學式7的右邊與θ＝0°、α＝90°、即一般的噴墨法中的涂布噴嘴數(shù)量大致相等。即，在角度α滿足數(shù)學式3時，能將涂布噴嘴數(shù)量TN確保為與一般的噴墨法相同的程度以上，能在不增加像素間的亮度、發(fā)色的不勻的情況下降低線狀的亮度不勻、發(fā)色不勻。

(6)相對于角度θ的掃描次數(shù)

在向子像素形成區(qū)域SP涂布墨16a時，優(yōu)選在將基板11的長邊方向的長度設為W、將短邊方向的長度設為H、將噴嘴列124的延伸方向dh的全長設為L時，將角度θ設定為滿足下述數(shù)學式4。

[數(shù)學式4]

$\[\frac{Hcos\mathrm{\θ}+W\sin \mathrm{\θ}}{L\sin \mathrm{\α}}\]=\[\frac{H}{Lsin\mathrm{\α}}\]$

圖14是用于說明噴墨裝置100的掃描次數(shù)的示意性平面圖。在圖14中，位于紙面右側的噴墨頭122向掃描方向ds移動，對基板11上涂布墨16a。

如圖所示，在角度θ和角度α時的噴嘴列124的掃描中，對基板11的整面涂布墨16a所需的最低掃描次數(shù)為數(shù)學式4的左邊的值+1。另一方面，角度θ為0°時的該最低掃描次數(shù)是數(shù)學式6的右邊的值+1。因而，在滿足數(shù)學式4時，能夠在不比一般的噴墨法增加掃描次數(shù)的情況下對基板11的整面涂布墨16a，能夠抑制制造工序的增加。

需要說明的是，在上述內(nèi)容中，視基板11的圖像顯示面的大小與像素的排列區(qū)域的大小的差異為微小的差異(不考慮所謂的邊框部分)，另外，噴墨頭122的長邊方向的長度與噴嘴列124的全長L的差異也視為微小的差異而將其忽視。

(7)其它

在本申請中，示出了從數(shù)學式1到數(shù)學式7的數(shù)學式，但它們當中的等號并不要求嚴格的相等，如果在現(xiàn)實的范圍內(nèi)一致，就可以看作等號成立。例如，在左邊與右邊的比較中，若有效數(shù)字的高位2位一致，就可以看作左邊與右邊的等號成立。

本實施方式中，在噴墨裝置100中，噴嘴124N全部排列在一直線上，但不限于此。圖15是示出變形例所涉及的噴墨裝置200的立體圖。例如，如噴墨裝置200這樣，也可以是在頭部220上安裝多個噴墨頭222、且在各噴墨頭222中噴嘴124N排列在直線上的構成。即，若噴嘴124N所排列成的直線的方向是平行的，則也可以是多條直線。

另外，本實施方式中，在噴墨裝置100中，通過基臺111上的基板11的旋轉(zhuǎn)來設定子像素形成區(qū)域SP排列的行方向d1與掃描方向ds所成的角度θ，但不限于此。例如也可以是，將基板11固定于基臺111，另一方面，通過使引導軸113a、113b在與基臺111的上表面平行的面內(nèi)自由旋轉(zhuǎn)來設定掃描方向ds。

另外，本實施方式中，在噴墨裝置100中，使噴嘴124N向掃描方向ds移動，但不限于此，也可以通過使基板11向掃描方向ds的反方向移動來使噴嘴124N相對地向掃描方向ds移動。

另外，本實施方式中，在墨16a的涂布中，將角度θ設為噴嘴列124的掃描方向ds與像素形成區(qū)域P所排列的行方向d1所成的角度，但不限于此，也可以將角度θ考慮為掃描方向ds與像素形成區(qū)域P所排列的列方向d2所成的角度。

另外，本實施方式中，在發(fā)光層16的形成中使用了噴墨法，但也可以在發(fā)光層16以外的功能層(例如電子傳輸層17等)的形成中使用噴墨法。需要說明的是，由于形成發(fā)光層16以外的功能層時的涂布量(層的厚度)也會對像素的亮度帶來影響，所以此時通過也將行方向d1與掃描方向ds所成的角度設為大于0°且小于90°，從而能降低行方向d1上的線狀的亮度不勻、發(fā)色不勻的發(fā)生。

另外，在本實施方式的面板10中，像素形成區(qū)域P排列的行列方向(行方向d1和列方向d2)與基板11主面的長邊方向和短邊方向平行，但不限于此。例如，行方向d1或列方向d2或者它們兩者也可以是與基板11的長邊方向和短邊方向既不平行也不正交的方向。另外，行方向d1和列方向d2不限于正交關系。需要注意的是，通過使掃描方向ds相對于行方向d1和列方向d2中哪一方都傾斜(角度θ)，從而能降低行列兩方向上的線狀的亮度不勻、發(fā)色不勻的發(fā)生。即，本質(zhì)上行方向d1和列方向d2并沒有區(qū)別，將它們進行調(diào)換(將列方向d2作為“行方向”)也沒有問題。

另外，在面板10中，在像素形成區(qū)域P中形成了紅、綠和藍三色的子像素形成區(qū)域SP，但不限于此，子像素形成區(qū)域SP既可以是例如紅色一色，也可以是例如紅、綠、藍和黃四色。另外，子像素形成區(qū)域SP在像素形成區(qū)域P中不限于一色一個，也可以形成有多個。進而，子像素形成區(qū)域SP的排列不限于在行方向d1上排列的構成，例如也可以是在列方向d2上排列的構成、排列成三角形的頂點狀的構成等。需要注意的是，當在每個像素形成區(qū)域P中子像素形成區(qū)域SP為1個的情況下，在本實施方式中，可將記載為子像素形成區(qū)域SP的部分全部更換解讀為像素形成區(qū)域P。

另外，在面板10中，基板11的主體(除TFT層以外的部分)為長方形，但不限于此，也可以是正方形、四邊形以外的多邊形、圓形、橢圓形等。

另外，在面板10中，將第一電極12設為陽極，將第二電極18設為陰極，但不限于此，也可以是將第一電極12設為陰極、將第二電極設為陽極的反結構。

另外，面板10的分隔壁15既可以是按每個子像素形成區(qū)域SP包圍其周圍的構成(像素隔堤(ピクセルバンク)方式)，也可以是例如按在列方向d2上排列的子像素形成區(qū)域SP包圍其周圍的構成(線隔堤(ラインバンク)方式)。需要注意的是，在上述線隔堤方式中，通常會形成用于防止在列方向d2上相鄰的子像素形成區(qū)域SP之間的串擾的障礙物(像素限制層)。因而，在上述線隔堤方式中，由于上述障礙物，墨向列方向d2的流動性也是受限的，能夠抑制噴嘴124N的噴射量的個體差異反映于行方向d1的本實施方式的制造方法也是有用的。

另外，面板10設為頂部發(fā)光型且為有源矩陣方式的有機EL顯示面板，但不限于此，例如也可以采用底部發(fā)光型或無源矩陣方式。隨著這些變更，也適當變更面板10的構成、制造方法。

工業(yè)上的可利用性

本發(fā)明所涉及的有機EL顯示面板的制造方法能廣泛地用作在電視機、個人計算機、工作用顯示器、便攜終端等各種各樣的電子設備中使用的顯示面板的制造方法。

附圖標記說明

10 有機EL顯示面板

11 基板

12 第一電極

15 分隔壁

16 發(fā)光層(功能層)

16a 墨

18 第二電極

124N、824N、924N 噴嘴

Dp、Dp2 像素間隔

Dn 噴嘴間隔

Lsp 長度

N 正的整數(shù)

P 像素形成區(qū)域

SP 子像素形成區(qū)域

d1 行方向

d2 列方向

ds、dsx 掃描方向

α、θ 角度