本發(fā)明涉及磁性材料、無線充電、電磁屏蔽及熱處理工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種無線充電用電磁屏蔽片及由該方法獲得的電磁屏蔽片。
背景技術(shù)：
：隨著高科技產(chǎn)品的出現(xiàn)及應(yīng)用，其所產(chǎn)生的電磁輻射污染是繼水污染、空氣污染和噪聲污染之后的第四大環(huán)境污染。隨著科技技術(shù)的高速發(fā)展和電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，人們的工作和生活越來越多地依賴于電子設(shè)備。我們習(xí)慣了數(shù)據(jù)線充電，也常常因?yàn)榫€過多和不夠長而感到煩惱。也曾設(shè)想有朝一日所有電子設(shè)備無需電源線，可以使用無線充電技術(shù)，隨時(shí)隨地自由充電。無線充電技術(shù)，又稱為感應(yīng)充電、非接觸式充電，是源于無線電力輸送技術(shù)產(chǎn)生的一種新型充電技術(shù)。無線充電技術(shù)利用近場感應(yīng)，由無線充電器將能量傳送至需充電的設(shè)備。正常情況下，電容傳輸?shù)哪芰渴呛苄〉模@與電極面積小有很大的關(guān)系。因此，為了滿足供消費(fèi)設(shè)備充電所需的功率水平(例如從5W至25w)，需要增加電極尺寸和耦合的電壓值，具體取決于實(shí)際的配置。為了實(shí)現(xiàn)耦合電極之間的無線收發(fā)、同時(shí)盡量減小對(duì)外的輻射量，需要進(jìn)行正確地設(shè)計(jì)，包括正確的電極尺寸、工作電壓、功率值、最佳工作頻率和總的尺寸約束條件。一般情況下，理想的頻率范圍在200kHz至1MHz之間，有效耦合區(qū)的電壓值在800V至1.52kV之間手機(jī)無線充電。磁場耦合原理的無線充電技術(shù)，更接近于常規(guī)的諧振式開關(guān)電源。相對(duì)于電場耦合來講，技術(shù)難度較小，優(yōu)勢比較明顯，發(fā)展速度較快。目前已經(jīng)形成三個(gè)影響力較大的聯(lián)盟組織WPC、A4WP以及PMA。各自擁有會(huì)員多達(dá)幾十甚至上百家公司。其中WPC與PMA致力于近距離無線充電技術(shù)，如我們比較熟悉的手機(jī)無線充電。而A4WP的技術(shù)定位在遠(yuǎn)距離無線能量傳輸，希望能夠?qū)崿F(xiàn)幾十厘米甚至幾米等級(jí)的傳輸距離。無線充電技術(shù)近年發(fā)展迅速，目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用到了電動(dòng)牙刷、電動(dòng)剃須刀、無線電話、智能手機(jī)、電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。但發(fā)展過程中也遇到了很多技術(shù)難題，如提高充電效率、降低成本、有效充電距離太短。為得到較高的充電效率，減小或消除充電時(shí)電磁場對(duì)手機(jī)的影響，需要使用電池屏蔽片進(jìn)行屏蔽。電磁屏蔽片的作用就是隔絕電磁波，阻止金屬等材料吸收發(fā)射端設(shè)備發(fā)出的 電磁波并產(chǎn)生反方向的磁場。在手機(jī)無線充電接收端中，如果沒有電磁屏蔽片，無線充電設(shè)備就無法完成近距離充電工作。以智能手機(jī)為例，由于手機(jī)的特殊的結(jié)構(gòu)，在手機(jī)里必須安裝一個(gè)電池，這個(gè)電池實(shí)際上就是無線傳輸技術(shù)發(fā)展的噩夢——當(dāng)發(fā)射線圈發(fā)射出來的磁場經(jīng)過電池時(shí)，電池里面的金屬就會(huì)產(chǎn)生感應(yīng)電流，通常叫做“渦流”。這個(gè)渦流會(huì)產(chǎn)生一個(gè)跟發(fā)射線圈產(chǎn)生的磁場方向相反的磁場，抵消掉發(fā)射線圈形成的磁場，使得接收線圈接收到的感應(yīng)電壓下降；并且該渦流會(huì)轉(zhuǎn)變成熱量，使得手機(jī)電池非常熱。因此，為了實(shí)現(xiàn)手機(jī)的無線傳輸，就必須在電力接收線圈和手機(jī)電池之間放置一個(gè)“隔金屬”的裝置，用于阻擋磁力線，避免磁力線到達(dá)電池內(nèi)。常規(guī)的技術(shù)是使用一個(gè)高導(dǎo)磁率的鐵氧體來做這個(gè)“隔金屬”裝置。但是后來有研究發(fā)現(xiàn)，由于Qi充電標(biāo)準(zhǔn)中的充電頻率范圍在100-200KHz之間，此區(qū)間使用非晶、納米晶材料作為電磁屏蔽片的效果優(yōu)于鐵氧體。因此三星S6無線充電器的接收端就采用了Amotech公司提供的非晶電磁屏蔽片技術(shù)，充電效率達(dá)到70％以上。充電效率的持續(xù)提高一直以來都是無線充電行業(yè)追求的目標(biāo)。專利WO2013095036A1、WO2014104816、WO201437151A1和WO2014092500A1均提到了非晶疊片、機(jī)械破碎和熱處理工藝，壓合時(shí)使膠填滿碎片的間隙，從而增加磁阻、降低渦流損耗，以提高充電效率。上述專利雖然已經(jīng)提及降低磁損耗的方法，但是其工藝方法具有很大的弊端，即內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)不可控，性能指標(biāo)一致性差，充電效率較低。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明針對(duì)上述技術(shù)問題，提出了一種無線充電用電磁屏蔽片，使得渦流損耗進(jìn)一步降低，充電效率進(jìn)一步提高。本發(fā)明的一種無線充電用電磁屏蔽片的制備方法，包括以下步驟：卷繞步驟，將非晶、納米晶帶材按照要求卷繞至預(yù)定尺寸；熱處理步驟，將卷繞好的非晶、納米晶帶材放在熱處理爐內(nèi)進(jìn)行熱處理，在熱處理的過程中進(jìn)行加橫磁場、加縱磁場、加旋磁場或不加磁場處理；覆單面膠步驟，將經(jīng)過熱處理的所述非晶、納米晶帶材進(jìn)行單面覆膠；圖形化處理步驟，對(duì)所述非晶、納米晶帶材的未覆膠的表面進(jìn)行圖形化處理；再次覆膠步驟，在所述非晶、納米晶帶材的圖形化處理的表面進(jìn)行再次覆膠；粘合層壓步驟，將所述非晶、納米晶帶材的再次覆膠的表面粘合到另一片非晶、納米晶帶材的圖形化處理的表面，疊層至所需層數(shù)后再對(duì)其整體進(jìn)行層壓操作，所述另一片非晶、納米晶帶材是經(jīng)過上述卷繞步驟、熱處理步驟、覆單面膠步驟以及圖形化處理步驟后 得到的帶材。優(yōu)選地，所述圖形化處理通過激光切割或化學(xué)蝕刻形成圖形，所述圖形為規(guī)則圖形和不規(guī)則圖形。優(yōu)選地，圖形化表面的圖案縫隙大小為0.5μm-100μm，優(yōu)選5-30μm，圖形化形成的小塊碎片圖形的邊線上的任意兩點(diǎn)之間的最大距離為5μm-5mm，優(yōu)選100μm-2mm，最大切割/蝕刻深度為剛好切斷單層所述非晶、納米晶帶材。優(yōu)選地，所述貼合層壓步驟中非晶、納米晶帶材的層數(shù)為至少1層，優(yōu)選3～10層。優(yōu)選地，所述再次覆膠步驟通過印刷涂布方法或雙面膠在圖形化處理的表面進(jìn)行覆膠。優(yōu)選地，所述粘合層壓步驟后還包括：沖切步驟，將疊層的非晶、納米晶層根據(jù)尺寸要求進(jìn)行沖切；以及貼合步驟，將沖切后的疊層非晶、納米晶層通過其表面的膠層與鐵氧體磁片、石墨片以及線圈貼合。本發(fā)明還提供一種無線充電用電磁屏蔽片，其根據(jù)上述制備方法獲得，包括：疊層的非晶、納米晶層；以及貼合在所述疊層的非晶、納米晶層上的鐵氧體磁片、石墨片以及線圈。本發(fā)明的有益效果：通過采用本發(fā)明的圖形化處理加工工藝，如激光切割、化學(xué)蝕刻等工藝進(jìn)行圖形化處理，使得電磁屏蔽片的電磁性能(磁導(dǎo)率、損耗等)可控，使得充電效率得到優(yōu)化，最大程度發(fā)揮電磁屏蔽片的電磁屏蔽效果。附圖說明圖1為本發(fā)明的電磁屏蔽片結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖2為本發(fā)明的疊層非晶、納米晶層的剖面示意圖。圖3(a)～圖3(h)為非晶、納米晶層的激光處理的不同圖形的示意圖，其中圖3(a)～圖3(f)為規(guī)則圖形，圖3(g)～圖3(h)為不規(guī)則圖形。圖4為激光圖形化處理后的非晶、納米晶層的表面印刷膠的示意圖。圖5為本發(fā)明的無線充電用電磁屏蔽片的制備方法的流程圖。具體實(shí)施方式以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。以下實(shí)施例并不是對(duì)本發(fā)明的限制。在不背離發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍下，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠想到的變化和優(yōu)點(diǎn)都被包括在本發(fā)明中。圖5為本發(fā)明的無線充電用電磁屏蔽片的制備方法的流程圖。下面根據(jù)圖5詳細(xì)介紹無線充電用電磁屏蔽片的制備方法的步驟。在制備電磁波屏蔽片前，要先準(zhǔn)備材料和相關(guān)生產(chǎn)設(shè)備。材料包括非晶、納米晶帶材，相關(guān)生產(chǎn)設(shè)備包括：粘附膠，例如單面膠、雙面膠、印刷膠帶等；另一種磁片，例如鐵氧體磁性片；導(dǎo)熱片，例如石墨散熱片等。在準(zhǔn)備好材料和相關(guān)生產(chǎn)設(shè)備后，進(jìn)行卷繞步驟，將非晶、納米晶帶材按照要求卷繞至一定的尺寸(步驟S1)。然后進(jìn)行熱處理步驟，將卷繞好的非晶、納米晶帶材放在熱處理爐內(nèi)進(jìn)行熱處理，可以根據(jù)帶材品種(例如鐵基非晶、鐵鎳基非晶、鐵基納米晶或鈷基非晶等)進(jìn)行加橫磁場、加縱磁場、加旋磁場和不加磁場處理(步驟S2)。接下來進(jìn)行覆單面膠步驟，將熱處理好的帶材進(jìn)行單面覆膠(步驟S3)。具體地，可使用輥對(duì)輥的覆膠工藝進(jìn)行覆膠。覆單面膠的過程中確保單面膠和帶材之間無氣泡產(chǎn)生是理想的。然后對(duì)未覆膠的一面進(jìn)行圖形化處理(步驟S4)。為得到不同頻點(diǎn)下的最佳充電效率，本發(fā)明采取對(duì)非晶、納米晶帶材進(jìn)行圖形化處理工藝。具體地，圖形化處理可以通過激光切割或化學(xué)蝕刻的方法進(jìn)行。通過圖形化處理獲得需要的圖案縫隙大小、圖形形狀/尺寸以及切割深度/蝕刻深度，從而得到最佳充電效率。激光切割和化學(xué)蝕刻的具體內(nèi)容將在下文詳細(xì)說明。再次覆膠步驟(步驟S5)，在進(jìn)行圖形化處理的帶材表面(即未覆膠的一面)進(jìn)行覆膠。具體地，覆膠工藝為印刷涂布方法或者雙面膠。接著進(jìn)行粘合層壓(步驟S6)，非晶、納米晶帶材的再次覆膠的表面粘合到另一片非晶、納米晶帶材的沒有膠經(jīng)圖形戶處理的表面，疊層至所需層數(shù)后再對(duì)其整體進(jìn)行層壓操作。該另一片非晶、納米晶帶材是經(jīng)過上述卷繞步驟、熱處理步驟、覆單面膠步驟以及圖形化處理步驟后得到的帶材。將步驟S6中獲得的疊層的非晶納米晶層按照尺寸要求進(jìn)行沖切，得到要求尺寸的磁片(步驟S7)。將步驟S7獲得的磁片與鐵氧體磁片、石墨片、線圈進(jìn)行貼合，得到最終的電磁屏蔽片組件(步驟S8)。下面詳細(xì)介紹通過激光切割(方法1)進(jìn)行圖形化處理。激光切割是利用經(jīng)聚焦的高功率密度激光束照射工件，使被照射的材料迅速熔化、汽化、燒蝕或達(dá)到燃點(diǎn)，同時(shí)借助與光束同軸的高速氣流吹除熔融物質(zhì)，從而實(shí)現(xiàn)將工件割開。激光切割屬于熱切割方法之一。本發(fā)明將表面覆膠的納米晶帶材磁片使用激光進(jìn)行圖形化處理，圖案縫隙大小、圖案形狀/尺寸、切割深度等參數(shù)對(duì)充電時(shí)磁片的渦流損耗及充電效率的影響是關(guān)鍵的。適當(dāng)?shù)膱D案縫隙大小、圖案形狀/尺寸、切割深度可以得到最佳充電效率。本發(fā)明中，激光處理縫隙大?。?.5-100μm，優(yōu)選5-30μm。切割后圖案形狀可以是規(guī)則的，也可以是不規(guī)則的。規(guī)則的圖案例如可以是正方形、三角形、圓形、正五邊形、星形等。切割后所得的小塊碎片圖形的邊線上的任意兩點(diǎn)之間的最大距離為5μm-5mm，優(yōu)選100μm-2mm。切割深度的最大值以剛好切斷單層非晶、納米晶帶材為宜。例如，非晶、納米晶帶材厚約15-30μm的情況下，切割深度可以是16、18、20、22、24、26μm。上述激光束的切割深度可以通過調(diào)整激光束功率和移動(dòng)速度等參數(shù)進(jìn)行調(diào)節(jié)。下面介紹化學(xué)蝕刻(方法2)進(jìn)行圖形化處理。蝕刻是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為“濕蝕刻”(wetetching)及“干蝕刻”(dryetching)兩類。通常所指蝕刻也稱光化學(xué)蝕刻(photochemicaletching)，指通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除，在蝕刻時(shí)接觸化學(xué)溶液，達(dá)到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。本發(fā)明中使用化學(xué)蝕刻來進(jìn)行圖形化處理。因?yàn)榉蔷?、納米晶帶材中含有的金屬種類不同，其蝕刻的工藝流程也不同，其中濕膜工序如下：非晶、納米晶合金帶材→除油→水洗→干燥→絲網(wǎng)印刷→干燥→曝光→顯影→水洗→蝕刻圖案→水洗→除墨→水洗→酸洗→水洗→干燥→檢驗(yàn)。干膜工序如下：非晶、納米晶合金帶材→除油→水洗→干燥→貼膜→曝光→顯影→水洗→蝕刻圖案→水洗→去膜→水洗→酸洗→水洗→干燥→檢驗(yàn)。本發(fā)明中可以使用現(xiàn)有的化學(xué)蝕刻方法。下面介紹化學(xué)蝕刻方法中的一些重要步驟。①蝕刻前處理在非晶、納米晶蝕刻之前的工序是前處理，它是保證絲印油墨與非晶、納米晶表面具有良好附著力的關(guān)鍵工序，因此徹底清除金屬蝕刻表面的油污及氧化膜是理想的。除油應(yīng)根據(jù)非晶、納米晶帶材表面的油污情況而定，必要時(shí)在絲印前進(jìn)行電解除油，保證除油的效果。在絲網(wǎng)印刷前要干燥，如果有水分，也會(huì)影響油墨的附著力，而且影響后續(xù)圖紋蝕刻的效果。②濕膜的絲網(wǎng)印刷絲網(wǎng)印刷要根據(jù)設(shè)計(jì)圖形、紋路尺寸的需要制作標(biāo)準(zhǔn)圖紋絲印網(wǎng)板。圖紋裝飾工序中，絲印主要起保護(hù)作用，涂感光膠時(shí)次數(shù)要多些，以便制得較厚的絲網(wǎng)模版，這樣才使得遮蓋性能好，蝕刻出的圖紋清晰度高。絲網(wǎng)版的膠膜在光的作用下，產(chǎn)生光化學(xué)反應(yīng)，使得光照部分交聯(lián)成不溶于水的膠膜，而未被光照部分被水溶解而露出絲網(wǎng)空格，從而在涂有膠膜絲網(wǎng)版上光刻出符合黑白正陽片圖案的漏網(wǎng)圖紋。把帶有圖紋的絲印網(wǎng)版固定在絲網(wǎng)印刷機(jī)上，采用堿溶性耐酸油墨，在金屬板上印制出所需要的圖紋，經(jīng)干燥后即可進(jìn)行蝕刻。③顯影使用Na2CO3(10-30g/l)，溫度30℃，時(shí)間按照破膜點(diǎn)60％--80％來控制。④蝕刻處理將印刷圖案后的非晶、納米晶帶材放入蝕刻液中進(jìn)行蝕刻。⑤蝕刻前后處理蝕刻后必須除去絲印油墨。一般的耐酸油墨易溶于堿中。將蝕刻板浸入40～100g/L的氫氧化鈉溶液中，溫度50～80℃，浸漬數(shù)分鐘即可退去油墨。通過化學(xué)蝕刻獲得需要的圖案縫隙大小、圖案形狀、蝕刻深度。具體參數(shù)與激光切割的情況下是相同的。關(guān)于圖形化處理的優(yōu)勢不同的圖形規(guī)格對(duì)應(yīng)不同頻點(diǎn)的電磁性能，通過大量的試驗(yàn)本發(fā)明人得出了在一定頻率下，相應(yīng)的電磁性能與圖形的最佳對(duì)應(yīng)關(guān)系。由于磁片表面的微觀結(jié)構(gòu)及形狀對(duì)后續(xù)充電時(shí)磁片的渦流損耗及充電效率的影響都很大。本發(fā)明人通過控制磁片中顆粒的形狀、大小、間隙的大小，就可以直接控制充電時(shí)磁片的渦流損耗，進(jìn)而提高充電效率。同時(shí)本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)不同的圖案對(duì)磁片電磁性能的影響不同，圖案均勻、細(xì)小的圖案高頻性能好，渦流損耗低，同時(shí)磁導(dǎo)率略有降低；而圖案粗大的磁片，其高頻性能較差，渦流損耗較高，而磁導(dǎo)率較高；而最終的充電效率與磁導(dǎo)率的高低、渦流損耗的大小均有關(guān)系，所以，理論上需要磁導(dǎo)率與渦流損耗的平衡，即圖形化處理的圖案形狀、尺寸需在一定的范圍內(nèi)，才能保證磁片最佳的性能，使其充電效率最高。根據(jù)本發(fā)明如上所述的無線充電用電磁屏蔽片的制備方法，可以獲得一種電磁屏蔽片，其結(jié)構(gòu)為帶有膠的被圖形化處理成大量微細(xì)結(jié)構(gòu)的磁性帶，為單層或多層非晶、納米晶帶材的層壓片。此屏蔽片具有優(yōu)良的電磁波屏蔽功能。圖1為本發(fā)明的電磁屏蔽片結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。本發(fā)明的電磁屏蔽片包括：疊層的非 晶、納米晶層1，該非晶、納米晶層1經(jīng)過圖形化處理；貼合在所述疊層的非晶、納米晶層1上(周圍)的鐵氧體磁片2、石墨片3以及線圈4。線圈4包括WPC線圈(無線充電線圈)41及NFC線圈(近場通信線圈)42。兩個(gè)WPC線圈41之間一般還包括導(dǎo)磁塊。在非晶、納米晶層1的基礎(chǔ)上貼合鐵氧體磁片2、石墨片3以及線圈4的方法屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員知曉的現(xiàn)有技術(shù)。圖2為本發(fā)明的疊層非晶、納米晶層的剖面示意圖。8為帶有膠的保護(hù)膜(即單面覆膠步驟形成的膜)；9為激光處理得到的圖案化的非晶、納米晶層，其中的小縫隙為激光處理的縫隙91，大方格為非晶、納米晶碎塊92；10為雙面膠或印刷膠；11為離型膜。從其可以看出，由于非晶、納米晶層9有切割縫隙91的存在，使得在涂膠和壓合時(shí)，膠體會(huì)進(jìn)入和填滿縫隙91，這樣可以保證磁片的致密性和避免水分和氧化性物質(zhì)對(duì)內(nèi)部非晶的氧化和腐蝕，同時(shí)也可以減小無線充電時(shí)電磁屏蔽片產(chǎn)生的噪音，并保證結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定和渦流損耗保有較低值。圖3(a)～圖3(h)為非晶、納米晶層的激光處理的不同圖形的示意圖，其中圖3(a)～圖3(f)為規(guī)則圖形，圖3(g)～圖3(h)為不規(guī)則圖形。例如，圖3(a)中，5為所切方格(正方形)，其對(duì)角線長度：5μm-5mm，優(yōu)選100μm-2mm；6為激光切割的縫隙寬度大?。?.5μm-100μm，優(yōu)選5μm-30μm；7為切割縫隙的放大圖。圖4為激光圖形化處理后的非晶、納米晶層的表面印刷膠的示意圖。21表示圖形化處理過的非晶、納米晶帶材；22表示印刷膠。為了使得印刷膠與圖形化處理后的非晶、納米晶帶材表面之間不產(chǎn)生氣泡，優(yōu)選形成多個(gè)塊狀印刷膠。塊狀印刷膠的具體形狀不限，以不產(chǎn)生氣泡為佳。以下舉例均為使用非晶帶材1k101所得到的屏蔽片材。標(biāo)準(zhǔn)成分：Fe80Si9B11(原子比)。舉例1如表1所示，本發(fā)明通過控制激光切割縫隙和塊度大小的不同，得到36種磁片樣品。分別進(jìn)行橫向和縱向?qū)Ρ确治觥１?表2項(xiàng)目塊度尺寸/mm疊片層數(shù)線圈電感L/μH品質(zhì)因數(shù)Q實(shí)施例20.126.2124實(shí)施例80.526.4121實(shí)施例14126.5118實(shí)施例20226.4116實(shí)施例26526.7113實(shí)施例321027.1110表3通過表2可以看出，隨著塊度尺寸的增加，電感量增加，即導(dǎo)磁率增高。表3為固定激光切割縫隙的尺寸10μm，通過設(shè)定切割縫隙的間隔即塊度的大小，得到不同結(jié)構(gòu)的非晶磁屏蔽片，通過測量其充電效率得到表3的結(jié)果，即塊度的大小與縫隙的大小需要匹配才能得到較好的充電效果。舉例2表4為相同塊度尺寸0.5mm，通過控制激光束的能量，得到不同的縫隙大小的非晶屏蔽磁片，可以看出，隨著縫隙大小的增加，線圈電感逐漸降低，即磁導(dǎo)率呈降低趨勢。表4項(xiàng)目縫隙大小/μm疊片層數(shù)線圈電感L/μH品質(zhì)因數(shù)Q實(shí)施例7526.8112實(shí)施例81026.5114實(shí)施例92026.3117實(shí)施例105026.1119實(shí)施例117026.1123實(shí)施例1210025.9126表5表5為測試充電效率對(duì)比，可以看出實(shí)施例8的充電效率最高，結(jié)合舉例1，進(jìn)一步說明非晶磁屏蔽片塊度的大小與縫隙的大小需要匹配才能得到較好的充電效果。舉例3表6表7通過表6和表7可以看出，與傳統(tǒng)破碎工藝相比，無論是品質(zhì)因數(shù)Q，還是充電效率，激光切割工藝均較傳統(tǒng)工藝優(yōu)異。舉例4本發(fā)明采取以下蝕刻工藝對(duì)1k101非晶合金進(jìn)行蝕刻處理，分別得到縫隙20、50、70μm，塊度0.5mm的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。采用以下蝕刻工藝：①除油，例如采用常規(guī)的超聲除油等。徹底清洗干凈后，經(jīng)干燥再轉(zhuǎn)入絲網(wǎng)印刷。②絲網(wǎng)印刷選用不同目數(shù)的尼龍單絲維網(wǎng)，用繃網(wǎng)機(jī)固定在網(wǎng)框上，再用上漿器刮涂感光膠，涂覆1～2次，涂膜干燥后，將拍攝好的圖紋黑白膠片附著在涂膜絲網(wǎng)上，經(jīng)曝光 后，即制得絲印模板。③顯影使用Na2CO3(25g/l)，溫度30℃，時(shí)間5-10min，保證破膜點(diǎn)在70％左右。④圖紋蝕刻工藝圖紋化學(xué)蝕刻溶液的配方及工藝條件如下：表8氯化鐵(FeCl3)580～750g/L蝕刻加速劑85～lO0g/L鹽酸(HCl，38％)85～120g/L蝕刻液溫度10～45℃磷酸(H3P04)20～30g/L浸漬時(shí)間10～20min⑤蝕刻后除墨：蝕刻后需除去保護(hù)的堿溶性耐酸油墨。方法是浸入40～60g/L的NaOH堿液中，溫度控制在60～70℃，浸泡3～5min，以除干凈油墨為準(zhǔn)，然后用清水沖淋表面直至表面清潔。通過使用化學(xué)蝕刻的方法進(jìn)行圖形化處理得到的實(shí)施例37，38和39，經(jīng)過性能測試其結(jié)果如下：表9項(xiàng)目縫隙大小/μm塊度疊片層數(shù)線圈電感L/μH品質(zhì)因數(shù)Q實(shí)施例9200.526.3117實(shí)施例10500.526.1119實(shí)施例11700.526.1123實(shí)施例37200.526.1113實(shí)施例38500.525.9115實(shí)施例39700.525.8119對(duì)比例未知0.526.2116表10從表9和表10的測試數(shù)據(jù)可以看出，使用化學(xué)蝕刻工藝得到的磁屏蔽片，與使用激光切割工藝得到的磁屏蔽片，當(dāng)所切縫隙和塊度大小相同時(shí)，其充電效率略微偏低，但仍高于現(xiàn)在使用的機(jī)械壓力破碎工藝。綜上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非用來限定本發(fā)明的實(shí)施范圍。即凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍的內(nèi)容所作的等效變化與修飾，都應(yīng)屬于本發(fā)明的技術(shù)范疇。當(dāng)前第1頁1 2 3