專利名稱：電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及射頻領(lǐng)域，特別涉及一種電磁屏蔽結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在射頻技術(shù)領(lǐng)域，金屬導(dǎo)線的寬度常處于毫米、微米量級，而微波波長也為毫米、微米量級。由于金屬導(dǎo)線的寬度和微波波長相當，電磁干擾成為射頻技術(shù)領(lǐng)域中的一個重要問題。在低溫共燒陶瓷工藝中，金屬導(dǎo)線分布于多層介質(zhì)上，有時需要不同介質(zhì)層上的金屬導(dǎo)線通過垂直耦合傳遞電磁能量。但有時又應(yīng)避免不同介質(zhì)層上的金屬導(dǎo)線產(chǎn)生垂直耦合，否則會產(chǎn)生電磁干擾。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，解決了現(xiàn)有技術(shù)中呈垂直分布的金屬導(dǎo)線之間易產(chǎn)生電磁干擾的問題。本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的一種電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，包括頂層金屬地和底層金屬地；電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層位于所述頂層金屬地與所述底層金屬地之間，所述電磁屏蔽層為金屬層，且所述電磁屏蔽層上開有耦合窗口 ；上層耦合金屬導(dǎo)線和下層耦合金屬導(dǎo)線，所述上層耦合金屬導(dǎo)線和所述下層耦合金屬導(dǎo)線關(guān)于所述耦合窗口呈上下對稱分布；以及上通孔和下通孔，所述上通孔和所述下通孔的一端分別連接至所述上層耦合金屬導(dǎo)線和所述下層耦合金屬導(dǎo)線，所述上通孔和所述下通孔的另一端分別連接至頂層金屬地和底層金屬地?？蛇x地，所述電磁屏蔽結(jié)構(gòu)還包括第一通孔以及通孔隔離窗口，所述第一通孔穿過所述通孔隔離窗口。可選地，所述第一通孔連接于頂層金屬地與底層金屬地之間?？蛇x地，所述電磁屏蔽層上的金屬為銅?？蛇x地，所述稱合窗口和所述通孔隔離窗口為同一窗口。本發(fā)明的有益效果是可在實現(xiàn)某些金屬導(dǎo)線的垂直耦合的同時，避免其它金屬導(dǎo)線之間產(chǎn)生電磁干擾。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明一種電磁屏蔽結(jié)構(gòu)一個實施例的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。圖1為本發(fā)明一種電磁屏蔽結(jié)構(gòu)一個實施例的立體結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，電磁屏蔽結(jié)構(gòu)I包括金屬地2和2'以及電磁屏蔽層3。電磁屏蔽層3為金屬層,在電磁屏蔽層3上開有耦合窗口 4以及通孔隔離窗口 5。電磁屏蔽結(jié)構(gòu)I還包括耦合金屬導(dǎo)線6和6'，耦合金屬導(dǎo)線6和6'關(guān)于耦合窗口 4呈上下對稱分布。電磁屏蔽結(jié)構(gòu)I還包括通孔7和V，通孔7和7'的一端分別連接至耦合金屬導(dǎo)線6和6'，通孔7和7'的另一端分別連接至金屬地2和2'。金屬地2和2'之間連接有通孔7"，通孔7"穿過通孔隔離窗口 5。由于電磁屏蔽層3上開有稱合窗口 4,且稱合金屬導(dǎo)線6和6'關(guān)于稱合窗口 4呈上下對稱分布。因此，耦合金屬導(dǎo)線6和6'可實現(xiàn)垂直耦合。而當電磁屏蔽層3其余部分的兩側(cè)分布有其它金屬導(dǎo)線時，由于電磁屏蔽層3其余部分為金屬，可隔離金屬導(dǎo)線，防止其產(chǎn)生垂直耦合，從而避免產(chǎn)生電磁干擾。本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當理解，在圖3所示實施例中，電磁屏蔽結(jié)構(gòu)I包括通孔7"，通孔7"穿過通孔隔離窗口 5，然而，本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當理解，電磁屏蔽結(jié)構(gòu)I也可不包括通孔7"，相應(yīng)地，電磁屏蔽層3上不具有通孔隔離窗口 5。另外，圖3所示實施例中，通孔7"連接于金屬地2和2'之間，在其它實施例中，通孔7"也可連接于金屬導(dǎo)線之間或金屬導(dǎo)線與金屬地之間。在一個實施例中,稱合窗口 4和通孔隔離窗口 5為同一窗口。在另一實施例中，電磁屏蔽層上刻蝕的金屬為銅。利用本發(fā)明提出的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，在實現(xiàn)某些金屬導(dǎo)線的垂直耦合的同時，避免其它金屬導(dǎo)線之間產(chǎn)生電磁干擾。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種電磁屏蔽結(jié)構(gòu),其特征在于,包括 頂層金屬地和底層金屬地； 電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層位于所述頂層金屬地與所述底層金屬地之間，所述電磁屏蔽層為金屬層，且所述電磁屏蔽層上開有耦合窗口 ； 上層耦合金屬導(dǎo)線和下層耦合金屬導(dǎo)線，所述上層耦合金屬導(dǎo)線和所述下層耦合金屬導(dǎo)線關(guān)于所述耦合窗口呈上下對稱分布；以及 上通孔和下通孔，所述上通孔和所述下通孔的一端分別連接至所述上層耦合金屬導(dǎo)線和所述下層耦合金屬導(dǎo)線，所述上通孔和所述下通孔的另一端分別連接至頂層金屬地和底層金屬地。
2.如權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電磁屏蔽結(jié)構(gòu)還包括第一通孔以及通孔隔離窗口，所述第一通孔穿過所述通孔隔離窗口。
3.如權(quán)利要求2所述的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一通孔連接于頂層金屬地與底層金屬地之間。
4.如權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電磁屏蔽層上的金屬為銅。
5.如權(quán)利要求2所述的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述耦合窗口和所述通孔隔離窗口為同一窗口。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，包括頂層金屬地和底層金屬地；電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層位于所述頂層金屬地與所述底層金屬地之間，所述電磁屏蔽層為金屬層，且所述電磁屏蔽層上開有耦合窗口；上層耦合金屬導(dǎo)線和下層耦合金屬導(dǎo)線，所述上層耦合金屬導(dǎo)線和所述下層耦合金屬導(dǎo)線關(guān)于所述耦合窗口呈上下對稱分布；以及上通孔和下通孔，所述上通孔和所述下通孔的一端分別連接至所述上層耦合金屬導(dǎo)線和所述下層耦合金屬導(dǎo)線，所述上通孔和所述下通孔的另一端分別連接至頂層金屬地和底層金屬地。利用本發(fā)明提出的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，在實現(xiàn)某些金屬導(dǎo)線的垂直耦合的同時，避免其它金屬導(dǎo)線之間產(chǎn)生電磁干擾。
文檔編號H05K9/00GK103068214SQ20121056834
公開日2013年4月24日 申請日期2012年12月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月12日
發(fā)明者王玲 申請人:青島聯(lián)盟電子儀器有限公司