1.一種薄膜體聲波諧振器，其特征在于，包括：
下部介電層，所述下部介電層至少包括一第一空腔結(jié)構(gòu)；
上部介電層，所述上部介電層至少包括一第二空腔結(jié)構(gòu)；
聲波諧振復(fù)合薄膜，設(shè)置于所述第一空腔結(jié)構(gòu)和第二空腔結(jié)構(gòu)之間，連續(xù)地隔離所述第一空腔結(jié)構(gòu)和所述第二空腔。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述聲波諧振復(fù)合薄膜包括壓電薄膜。
3.如權(quán)利要求2所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述聲波諧振復(fù)合薄膜還包括第一隔離薄膜層和底部導(dǎo)電薄膜，其中，所述第一隔離薄膜層位于所述底部導(dǎo)電薄膜和所述壓電薄膜之間。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述底部導(dǎo)電薄膜為半導(dǎo)體材料。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述底部導(dǎo)電薄膜為單晶硅薄膜。
6.如權(quán)利要求3所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述底部導(dǎo)電薄膜為金屬材料。
7.如權(quán)利要求3所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述第一隔離薄膜層的材料包括硅氧化物或硅氮化物。
8.如權(quán)利要求3所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述聲波諧振復(fù)合薄膜還包括頂部導(dǎo)電薄膜，所述壓電薄膜位于所述頂部導(dǎo)電薄膜和所述底部導(dǎo)電薄膜之間。
9.如權(quán)利要求8所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述頂部導(dǎo)電薄膜為半導(dǎo)體材料。
10.如權(quán)利要求9所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述頂部導(dǎo)電薄膜為單晶硅薄膜。
11.如權(quán)利要求8所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述頂部導(dǎo)電薄膜為金屬材料。
12.如權(quán)利要求8所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述聲波諧振復(fù)合薄膜還包括第二隔離薄膜層，其中，所述第二隔離薄膜層位于所述頂部導(dǎo)電薄膜和所述壓電薄膜之間。
13.如權(quán)利要求8所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，還包括分別與所述頂部導(dǎo)電薄膜和所述底部導(dǎo)電薄膜電連接的接觸孔，以及與接觸孔電連接的互連金屬層。
14.如權(quán)利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述下部介電層包括第一介電層和第二介電層，所述第一空腔結(jié)構(gòu)形成于所述第二介電層中，在所述第一介電層中形成有釋放孔，以及填充所述釋放孔的密封材料。
15.如權(quán)利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述第二空腔和所述第一空腔相對，部分所述聲波諧振復(fù)合薄膜緊貼所述下部介電層和所述上部介電層，密封所述第一空腔結(jié)構(gòu)和所述第二空腔結(jié)構(gòu)。
16.如權(quán)利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于，所述下部介電層和所述上部介電層的材料包括硅氧化物或硅氮化物。
17.一種薄膜體聲波諧振器的制造方法，其特征在于，包括：
提供第一介電層；
形成位于所述第一介電層上的第二介電層以及位于所述第二介電層中的圖案化的第一犧牲材料層；
沉積形成聲波諧振復(fù)合薄膜覆蓋所述第一犧牲材料層以及部分所述第二介電層；
在所述聲波諧振復(fù)合薄膜的表面上形成圖案化的第二犧牲材料層；
沉積第三介電層覆蓋所述第二犧牲材料層以及所述聲波諧振復(fù)合薄膜；
刻蝕形成貫穿所述第三介電層直到所述第二犧牲材料層中的至少一第一釋放孔；
通過所述第一釋放孔移除所述第二犧牲材料層，以形成第二空腔結(jié)構(gòu)，并采用密封材料密封所述第一釋放孔；
暴露所述第一介電層與所述第一犧牲材料層相反的表面；
刻蝕形成貫穿所述第一介電層直到所述第一犧牲材料層中的至少一第二釋放孔；
通過所述第二釋放孔移除所述第一犧牲材料層，以形成第一空腔 結(jié)構(gòu)，并采用密封材料密封所述第二釋放孔。
18.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，形成所述圖案化的第一犧牲材料層和所述第二介電層的步驟包括：
在所述第一介電層上形成圖案化的第一犧牲材料層；
沉積第二介電層覆蓋所述第一介電層和所述第一犧牲材料層；
去除所述第一犧牲材料層上的所述第二介電層，以暴露所述第一犧牲材料層的表面。
19.如權(quán)利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述聲波諧振復(fù)合薄膜包括壓電薄膜。
20.如權(quán)利要求19所述的制造方法，其特征在于，所述聲波諧振復(fù)合薄膜還包括第一隔離薄膜層和底部導(dǎo)電薄膜，其中，所述第一隔離薄膜層位于所述底部導(dǎo)電薄膜和所述壓電薄膜之間。
21.如權(quán)利要求20所述的制造方法，其特征在于，所述聲波諧振復(fù)合薄膜還包括頂部導(dǎo)電薄膜，所述壓電薄膜位于所述頂部導(dǎo)電薄膜和所述底部導(dǎo)電薄膜之間。
22.如權(quán)利要求21所述的制造方法，其特征在于，所述聲波諧振復(fù)合薄膜還包括第二隔離薄膜層，其中，所述第二隔離薄膜層位于所述頂部導(dǎo)電薄膜和所述壓電薄膜之間。
23.如權(quán)利要求21所述的制造方法，其特征在于，所述底部導(dǎo)電薄膜和所述頂部導(dǎo)電薄膜為半導(dǎo)體材料或金屬材料。
24.如權(quán)利要求23所述的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料為單晶硅。
25.如權(quán)利要求20所述的制造方法，其特征在于，所述第一隔離薄膜層、所述第一介電層、所述第二介電層和所述第三介電層的材料包括硅氧化物或硅氮化物。
26.如權(quán)利要求18所述的制造方法，其特征在于，在采用密封材料密封所述第二釋放孔的步驟之后，還包括形成分別與所述頂部導(dǎo)電薄膜和所述底部導(dǎo)電薄膜電連接的接觸孔，以及與接觸孔電連接的互連金屬層。
27.一種電子裝置，其特征在于，包括電子組件以及與該電子組件相連的薄膜體聲波諧振器，其中所述薄膜體聲波諧振器包括：
下部介電層，所述下部介電層至少包括一第一空腔結(jié)構(gòu)；
上部介電層，所述上部介電層至少包括一第二空腔結(jié)構(gòu)；
聲波諧振復(fù)合薄膜，設(shè)置于所述第一空腔結(jié)構(gòu)和第二空腔結(jié)構(gòu)之間，連續(xù)地隔離所述第一空腔和所述第二空腔。