技術(shù)編號：12728669
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及諧振器領(lǐng)域，具體而言涉及一種薄膜體聲波諧振器及其制造方法和電子裝置。背景技術(shù)薄膜體聲波諧振器(FilmBulkAcousticResonator，簡稱FBAR)是一種新穎的基于壓電效應(yīng)的射頻MEMS器件，因其具有諧振頻率、功率和質(zhì)量靈敏度高，尺寸小以及與CMOS工藝兼容等特點(diǎn)，在無線通信領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用?，F(xiàn)有的薄膜體聲波諧振器的制備工藝是典型的表面微機(jī)械加工工藝，如圖1所示，在基底100中形成犧牲材料層101，在犧牲材料層101上依次形成的下電極層102、諧振多層復(fù)合膜103以及上電極...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。