本發(fā)明涉及包含共模扼流線圈與電容器的電子部件。

背景技術(shù)：

以往，作為電子部件，存在日本特開2014-53765號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)1)以及日本特開2014-230278號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)所記載的部件。

在日本特開2014-53765號(hào)公報(bào)所記載的電子部件中，在構(gòu)成共模濾波器的第一線圈、第二線圈的上方并聯(lián)地設(shè)置有第一電容電極、第二電容電極。在第一線圈、第二線圈的下方并聯(lián)地設(shè)置有第三電容電極、第四電容電極。第一電容電極連接于第一線圈的一端部，第三電容電極連接于第一線圈的另一端部。第二電容電極連接于第二線圈的一端部，第四電容電極連接于第二線圈的另一端部。

在第一電容電極、第二電容電極的上方設(shè)置有第一接地電極。在第三電容電極、第四電容電極的下方設(shè)置有第二接地電極。在第一電容電極、第二電容電極與第一接地電極之間生成有電容。在第三電容電極、第四電容電極與第二接地電極之間生成有電容。

如圖17的等效電路所示，在第一線圈121的兩端部分別連接有第一電容電極131與第三電容電極133，第一電容電極131與第三電容電極133和第一接地電極141對(duì)置。在第二線圈122的兩端部分別連接有第二電容電極132與第四電容電極134，第二電容電極132與第四電容電極134和第二接地電極142對(duì)置。換言之，作為等效電路，成為所謂的π型LC濾波構(gòu)造。

另一方面，在日本特開2014-230278號(hào)公報(bào)所記載的電子部件中，具有構(gòu)成共模濾波器的兩個(gè)第一線圈以及兩個(gè)第二線圈。兩個(gè)第一線圈相互被電連接。兩個(gè)第二線圈被相互電連接。一方的第一線圈、一方的第二線圈、另一方的第一線圈以及另一方的第二線圈沿層疊方向按順序排列。在一方的第二線圈與另一方的第一線圈之間設(shè)置有接地電極，在接地電極與第一線圈、第二線圈之間生成有電容。

專利文獻(xiàn)1：日本特開2014-53765號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開2014-230278號(hào)公報(bào)

然而，若欲實(shí)際制造并使用上述以往的電子部件，則發(fā)現(xiàn)存在接下來的問題。

在日本特開2014-53765號(hào)公報(bào)所記載的電子部件中，為π型LC濾波構(gòu)造，因此為了獲得LC的共振，需要取得較多的電容值。因此，信號(hào)透過特性Sdd21較差，信號(hào)品質(zhì)降低。

另一方面，在日本特開2014-230278號(hào)公報(bào)所記載的電子部件中，接地電極配置于第一線圈與第二線圈之間，因此當(dāng)在第一線圈、第二線圈流經(jīng)有差動(dòng)模式信號(hào)的情況下，由接地電極的上下的第一線圈、第二線圈產(chǎn)生的磁通量在接地電極中，成為相互抵消的方向。但是，在接地電極產(chǎn)生損失，從而因該損失的影響而殘留有磁通量。通過殘留的磁通量，在差動(dòng)模式中產(chǎn)生電感以及阻抗。其結(jié)果，第一線圈與第二線圈之間的耦合減弱，導(dǎo)致信號(hào)透過特性Sdd21的劣化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明的課題在于提供一種能夠減少信號(hào)透過特性的劣化，抑制信號(hào)品質(zhì)的降低的電子部件。

為了解決上述課題，本發(fā)明的電子部件具備：層疊體，其包含被層疊的多個(gè)絕緣層；多個(gè)第一線圈，沿所述層疊體內(nèi)的層疊方向配置且相互被電連接；多個(gè)第二線圈，沿所述層疊體內(nèi)的層疊方向配置且相互被電連接；內(nèi)側(cè)接地電極，設(shè)置于所述層疊體內(nèi)，并配置在沿層疊方向相互對(duì)置的兩個(gè)第一線圈之間；以及接地端子，連接于所述內(nèi)側(cè)接地電極。

根據(jù)本發(fā)明的電子部件，內(nèi)側(cè)接地電極配置于沿層疊方向相互對(duì)置的兩個(gè)第一線圈之間。由此，內(nèi)側(cè)接地電極在與第一線圈以及第二線圈之間生成電容，作為等效電路，成為所謂的T型LC濾波構(gòu)造。因此，與以往的π型LC濾波構(gòu)造相比，能夠以較小的電容值獲得共振，從而能夠減少信號(hào)透過特性Sdd21的劣化，抑制信號(hào)品質(zhì)的降低。

另外，內(nèi)側(cè)接地電極配置于沿層疊方向相互對(duì)置的兩個(gè)第一線圈之間，因此與將內(nèi)側(cè)接地電極配置于第一線圈與第二線圈之間的情況相比，第一線圈與第二線圈之間的耦合增強(qiáng)，能夠減少信號(hào)透過特性Sdd21的劣化，抑制信號(hào)品質(zhì)的降低。

另外，在電子部件的一實(shí)施方式中，在所述多個(gè)第一線圈、第二線圈的層疊方向的最上位置以及最下位置的至少一方配置所述第二線圈，在所述第二線圈的層疊方向的外側(cè)設(shè)置有與所述第二線圈對(duì)置的外側(cè)接地電極。

根據(jù)上述實(shí)施方式，在第二線圈的層疊方向的外側(cè)設(shè)置有與第二線圈對(duì)置的外側(cè)接地電極，因此能夠取得第一線圈與接地之間的電容值和第二線圈與接地之間的電容值的匹配，來提高電特性。

另外，在電子部件的一實(shí)施方式中，所述第二線圈配置于所述多個(gè)第一線圈、第二線圈的層疊方向的最上位置以及最下位置的雙方，所述外側(cè)接地電極配置于雙方的所述第二線圈的每一個(gè)的外側(cè)。

根據(jù)上述實(shí)施方式，外側(cè)接地電極配置于雙方的第二線圈的每一個(gè)的外側(cè)，因此容易進(jìn)一步取得第一線圈與接地之間的電容值和第二線圈與接地之間的電容值的匹配，來進(jìn)一步提高電特性。另外，能夠形成上下對(duì)稱的芯片構(gòu)造，因此能夠取得在燒制時(shí)產(chǎn)生的收縮、應(yīng)力平衡。

另外，在電子部件的一實(shí)施方式中，所述第一線圈、所述第二線圈分別存在兩個(gè)，兩個(gè)所述第一線圈被夾在一方的所述第二線圈與另一方的所述第二線圈之間。

根據(jù)上述實(shí)施方式，兩個(gè)第一線圈夾著于一方的第二線圈與另一方的第二線圈之間，因此第一線圈與第二線圈之間的耦合增強(qiáng)。

另外，在電子部件的一實(shí)施方式中，所述層疊體包含非磁性體以及磁性體，所述磁性體夾著所述非磁性體的層疊方向的上下，所述第一線圈、所述第二線圈配置在所述非磁性體內(nèi)，所述外側(cè)接地電極配置在所述非磁性體內(nèi)。

根據(jù)上述實(shí)施方式，第一線圈、第二線圈以及外側(cè)接地電極配置于非磁性體內(nèi)，非磁性體的上下被磁性體夾著，因此第一線圈、第二線圈的磁通量集中于上下的磁性體。因此，在第一線圈、第二線圈單體環(huán)繞的磁通量變小，從而在第一線圈、第二線圈共通環(huán)繞的磁通量增多。因此，能夠加強(qiáng)第一線圈與第二線圈之間的耦合，因此能夠進(jìn)一步減少信號(hào)透過特性Sdd21的劣化。

另外，在電子部件的一實(shí)施方式中，所述層疊體包含非磁性體以及磁性體，所述磁性體夾著所述非磁性體的層疊方向的上下，所述第一線圈、所述第二線圈配置在所述非磁性體內(nèi)，所述外側(cè)接地電極配置在所述磁性體內(nèi)。

根據(jù)上述實(shí)施方式，外側(cè)接地電極配置于磁性體內(nèi)，因此能夠使非磁性體的厚度變薄，從而上下的磁性體之間的距離縮小。因此，能夠更加增強(qiáng)共模噪聲流經(jīng)的情況下的磁通量。因此，共模噪聲的電感以及阻抗增大，從而能夠增大共模噪聲衰減特性Scc21中的衰減特性。

另外，外側(cè)接地電極配置于磁性體內(nèi)，因此能夠?qū)⑼鈧?cè)接地電極配置于與配置有第一線圈、第二線圈的非磁性體不同的磁性體，從而能夠緩和針對(duì)非磁性體的電極集中所帶來的應(yīng)力增加，進(jìn)而抑制構(gòu)造缺陷、可靠性降低。

另外，在電子部件的一實(shí)施方式中，所述外側(cè)接地電極的層疊方向的表面積比所述內(nèi)側(cè)接地電極的層疊方向的表面積大。

根據(jù)上述實(shí)施方式，外側(cè)接地電極的層疊方向的表面積比內(nèi)側(cè)接地電極的層疊方向的表面積大，因此即使磁性體內(nèi)的外側(cè)接地電極與非磁性體內(nèi)的第二線圈之間的距離比非磁性體內(nèi)的內(nèi)側(cè)接地電極與非磁性體內(nèi)的第一線圈之間的距離大，第一線圈與接地之間的電容值和第二線圈與接地之間的電容值也大致相同，來提高電特性。

另外，在電子部件的一實(shí)施方式中，所述內(nèi)側(cè)接地電極、所述外側(cè)接地電極形成為螺旋形狀，所述外側(cè)接地電極的螺旋的長(zhǎng)度比所述內(nèi)側(cè)接地電極的螺旋的長(zhǎng)度長(zhǎng)。

根據(jù)上述實(shí)施方式，外側(cè)接地電極的螺旋的長(zhǎng)度比內(nèi)側(cè)接地電極的螺旋的長(zhǎng)度長(zhǎng)，因此能夠通過簡(jiǎn)單的構(gòu)成，使外側(cè)接地電極的層疊方向的表面積比內(nèi)側(cè)接地電極的層疊方向的表面積大。

另外，在電子部件的一實(shí)施方式中，所述內(nèi)側(cè)接地電極從層疊方向觀察，與和所述內(nèi)側(cè)接地電極對(duì)置的所述第一線圈重疊，不與和所述內(nèi)側(cè)接地電極對(duì)置的所述第一線圈的內(nèi)徑部分重疊，所述外側(cè)接地電極從層疊方向觀察，與和所述外側(cè)接地電極對(duì)置的所述第二線圈重疊，不與和所述外側(cè)接地電極對(duì)置的所述第二線圈的內(nèi)徑部分重疊。

根據(jù)上述實(shí)施方式，內(nèi)側(cè)接地電極從層疊方向觀察，不與和內(nèi)側(cè)接地電極對(duì)置的第一線圈的內(nèi)徑部分重疊，外側(cè)接地電極從層疊方向觀察，不與和外側(cè)接地電極對(duì)置的第二線圈的內(nèi)徑部分重疊。由此，第一線圈、第二線圈的磁通量不被內(nèi)側(cè)接地電極、外側(cè)接地電極遮蔽，從而能夠抑制磁通量的損失的影響引起的特性劣化。

另外，在電子部件的一實(shí)施方式中，所述內(nèi)側(cè)接地電極從層疊方向觀察，呈具有與和所述內(nèi)側(cè)接地電極對(duì)置的所述第一線圈相同的線寬度以及線間距的螺旋形狀，并且配置于與所述第一線圈的圖案相互重疊的位置，所述外側(cè)接地電極從層疊方向觀察，呈具有與和所述外側(cè)接地電極對(duì)置的所述第二線圈相同的線寬度以及線間距的螺旋形狀，并且配置于與所述第二線圈的圖案相互重疊的位置。

根據(jù)上述實(shí)施方式，內(nèi)側(cè)接地電極從層疊方向觀察，具有與和內(nèi)側(cè)接地電極對(duì)置的第一線圈的圖案類似的圖案，外側(cè)接地電極從層疊方向觀察，具有與和外側(cè)接地電極對(duì)置的第二線圈的圖案類似的圖案。由此，能夠?qū)?nèi)側(cè)接地電極、外側(cè)接地電極的層疊方向的表面積抑制為最小，而高效地取得電容。另外，能夠縮小內(nèi)側(cè)接地電極、外側(cè)接地電極的層疊方向的表面積，因此能夠減少內(nèi)側(cè)接地電極、外側(cè)接地電極與層疊體的線膨脹系數(shù)的差所引起的應(yīng)力的產(chǎn)生。

另外，在電子部件的一實(shí)施方式中，具有靜電放電元件，所述靜電放電元件設(shè)置于所述層疊體，連接于所述第一線圈、所述第二線圈且連接于所述接地端子。

根據(jù)上述實(shí)施方式，具有靜電放電元件，因此能夠進(jìn)行相對(duì)于第一線圈、第二線圈的靜電的對(duì)策。

根據(jù)本發(fā)明的電子部件，內(nèi)側(cè)接地電極配置于沿層疊方向相互對(duì)置的兩個(gè)第一線圈之間，因此能夠減少信號(hào)透過特性的劣化，抑制信號(hào)品質(zhì)的降低。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的電子部件的立體圖。

圖2是電子部件的YZ剖視圖。

圖3是電子部件的分解立體圖。

圖4是對(duì)關(guān)于本發(fā)明與現(xiàn)有例的耦合系數(shù)的比較進(jìn)行說明的圖。

圖5是表示本發(fā)明的電子部件的第二實(shí)施方式的YZ剖視圖。

圖6是電子部件的等效電路圖。

圖7是表示本發(fā)明的電子部件的第三實(shí)施方式的YZ剖視圖。

圖8是表示本發(fā)明的電子部件的第四實(shí)施方式的YZ剖視圖。

圖9是表示本發(fā)明的電子部件的第五實(shí)施方式的YZ剖視圖。

圖10是表示本發(fā)明的電子部件的第六實(shí)施方式的YZ剖視圖。

圖11是電子部件的XY剖視圖。

圖12是表示本發(fā)明的電子部件的第七實(shí)施方式的YZ剖視圖。

圖13A是電子部件的XY剖視圖。

圖13B是電子部件的XY剖視圖。

圖14是表示本發(fā)明的電子部件的第八實(shí)施方式的YZ剖視圖。

圖15A是電子部件的XY剖視圖。

圖15B是電子部件的XY剖視圖。

圖16是表示本發(fā)明的第九實(shí)施方式的電子部件的立體圖。

圖17是以往的電子部件的等效電路圖。

附圖標(biāo)記的說明：1、1C…層疊體；2…共模扼流線圈；2a…第一線圈組；2b…第二線圈組；3…靜電放電元件；10、10A～10H…電子部件；11…非磁性體；11a…非磁性體片(絕緣層)；12…磁性體；12a…磁性體片(絕緣層)；211、212…第一線圈；221、222…第二線圈；31～35…第一放電電極～第五放電電極；41～44…第一線圈端子～第四線圈端子；51、52…第一接地端子、第二接地端子；60、60E～60G…內(nèi)側(cè)接地電極；61、61E～61G…第一外側(cè)接地電極；62、62E～62G…第二外側(cè)接地電極。

具體實(shí)施方式

以下，通過圖示的實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明詳細(xì)地進(jìn)行說明。

(第一實(shí)施方式)

圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的電子部件的立體圖。圖2是電子部件的剖視圖。圖3是電子部件的分解立體圖。如圖1、圖2、圖3所示，電子部件10具有：層疊體1、設(shè)置于層疊體1內(nèi)的共模扼流線圈2、設(shè)置于層疊體1內(nèi)的內(nèi)側(cè)接地電極60以及連接于內(nèi)側(cè)接地電極60的第一接地端子51、第二接地端子52。

電子部件10電連接于安裝基板。電子部件10例如搭載于個(gè)人計(jì)算機(jī)、DVD播放器、數(shù)碼相機(jī)、TV、移動(dòng)電話、汽車電器等電子設(shè)備。

層疊體1包含被層疊的多個(gè)絕緣層。若具體敘述，則層疊體1包含非磁性體11。換言之，絕緣層包含非磁性體片11a。非磁性體11例如由樹脂材料、玻璃材料、玻璃陶瓷等構(gòu)成。

層疊體1形成為大致長(zhǎng)方體狀。將層疊體1的層疊方向定義為Z軸方向，將沿著層疊體1的長(zhǎng)邊的方向定義為X軸方向，將沿著層疊體1的短邊的方向定義為Y軸方向。X軸、Y軸以及Z軸相互正交。將圖中上側(cè)設(shè)為Z軸方向的上方向，將圖中下側(cè)設(shè)為Z軸方向的下方向。

層疊體1的表面具有：第一端面111、第二端面112、第一側(cè)面115、第二側(cè)面116、第三側(cè)面117以及第四側(cè)面118。第一端面111與第二端面112位于沿層疊方向(Z軸方向)相互相反的一側(cè)。第一側(cè)面115～第四側(cè)面118位于第一端面111與第二端面112之間。

第一端面111是安裝于安裝基板的被安裝面，位于下側(cè)。第一側(cè)面115與第三側(cè)面117分別為短側(cè)面，且位于沿X軸方向相互相反的一側(cè)。第二側(cè)面116與第四側(cè)面118分別為長(zhǎng)側(cè)面，且位于沿Y軸方向相互相反的一側(cè)。

共模扼流線圈2包含多個(gè)(在實(shí)施方式中為兩個(gè))第一線圈211、212以及多個(gè)(在實(shí)施方式中為兩個(gè))第二線圈221、222。第一線圈211、212以及第二線圈221、222沿層疊體1(非磁性體11)內(nèi)的層疊方向配置。

第一線圈211、212以及第二線圈221、222相互磁性地耦合。兩個(gè)第一線圈211、212相互被電連接。兩個(gè)第二線圈221、222相互被電連接。

兩個(gè)第一線圈211、212夾在一方的第二線圈221與另一方的第二線圈222之間。換言之，一方的第二線圈221、一方的第一線圈211、另一方的第一線圈212以及另一方的第二線圈222從上向下按順序排列。第一線圈211～第二線圈222分別設(shè)置于非磁性體片11a上。第一線圈211～第二線圈222例如由Ag、Ag-Pd、Cu、Ni等導(dǎo)電性材料構(gòu)成。

第一線圈211、212以及第二線圈221、222從上方觀察，具有沿相同方向呈螺旋狀纏繞的螺旋圖案。兩個(gè)第一線圈211、212分別在螺旋狀的外周側(cè)的一端具有引出電極211a、212a，在螺旋狀的中心的另一端具有焊盤部211b、212b。兩個(gè)第二線圈221、222分別在螺旋狀的外周側(cè)的一端具有引出電極221a、222a，在螺旋狀的中心的另一端具有焊盤部221b、222b。

一方的第一線圈211的引出電極211a從第二側(cè)面116的第一側(cè)面115側(cè)露出。一方的第二線圈221的引出電極221a從第二側(cè)面116的第三側(cè)面117側(cè)露出。另一方的第一線圈212的引出電極212a從第四側(cè)面118的第一側(cè)面115側(cè)露出。另一方的第二線圈222的引出電極222a從第四側(cè)面118的第三側(cè)面117側(cè)露出。

一方的第一線圈211的焊盤部211b與另一方的第一線圈212的焊盤部212b經(jīng)由兩個(gè)第一線圈211、212之間的非磁性體片11a的導(dǎo)通導(dǎo)體被電連接。換言之，一方的焊盤部211b按順序電連接于上下貫通形成有第一線圈211的非磁性體片11a的導(dǎo)通導(dǎo)體、設(shè)置于內(nèi)側(cè)接地電極60的內(nèi)側(cè)部分的焊盤部、上下貫通形成有內(nèi)側(cè)接地電極60的非磁性片11a的導(dǎo)通導(dǎo)體以及另一方的焊盤部212b。

一方的第二線圈221的焊盤部221b與另一方的第二線圈222的焊盤部222b經(jīng)由兩個(gè)第二線圈221、222之間的非磁性體片11a的導(dǎo)通導(dǎo)體被電連接。換言之，一方的焊盤部221b按順序電連接于上下貫通形成有第二線圈221的非磁性體片11a的導(dǎo)通導(dǎo)體、設(shè)置于形成有第一線圈211的非磁性體片11a上的焊盤部、上下貫通形成有第一線圈211的非磁性體片11a的導(dǎo)通導(dǎo)體、設(shè)置于內(nèi)側(cè)接地電極60的內(nèi)側(cè)部分的焊盤部、上下貫通形成有內(nèi)側(cè)接地電極60的非磁性體片11a的導(dǎo)通導(dǎo)體、設(shè)置于形成有第一線圈212的非磁性體片11a上的焊盤部、上下貫通形成有第一線圈212的非磁性體片11a的導(dǎo)通導(dǎo)體以及焊盤部222b。

第一線圈211、212以及第二線圈221、222經(jīng)由第一線圈端子41～第四線圈端子44電連接于安裝基板的布線。第一線圈端子41～第四線圈端子44例如由Ag、Ag-Pd、Cu、Ni等導(dǎo)電性材料構(gòu)成。第一線圈端子41～第四線圈端子44例如通過將導(dǎo)電性材料涂覆并燒成于層疊體1的表面而被形成。第一線圈端子41～第四線圈端子44分別形成為コ字狀。

第一線圈端子41設(shè)置于第二側(cè)面116的第一側(cè)面115側(cè)。第一線圈端子41的一端部從第二側(cè)面116側(cè)折返地設(shè)置于第一端面111。第一線圈端子41的另一端部從第二側(cè)面116側(cè)折返地設(shè)置于第二端面112。第一線圈端子41電連接于一方的第一線圈211的引出電極211a。

第二線圈端子42設(shè)置于第二側(cè)面116的第三側(cè)面117側(cè)。第二線圈端子42的形狀與第一線圈端子41的形狀相同，因此省略其說明。第二線圈端子42電連接于一方的第二線圈221的引出電極221a。

第三線圈端子43設(shè)置于第四側(cè)面118的第一側(cè)面115側(cè)。第三線圈端子43的形狀與第一線圈端子41的形狀相同，因此省略其說明。第三線圈端子43電連接于另一方的第一線圈212的引出電極212a。

第四線圈端子44設(shè)置于第四側(cè)面118的第三側(cè)面117側(cè)。第四線圈端子44的形狀與第一線圈端子41的形狀相同，因此省略其說明。第四線圈端子44電連接于另一方的第二線圈222的引出電極222a。

內(nèi)側(cè)接地電極60配置于沿層疊方向相互對(duì)置的兩個(gè)第一線圈211、212之間。內(nèi)側(cè)接地電極60在與第一線圈211、212以及第二線圈221、222之間生成電容。

內(nèi)側(cè)接地電極60設(shè)置于非磁性體片11a上。內(nèi)側(cè)接地電極60例如由Ag、Ag-Pd、Cu、Ni等導(dǎo)電性材料構(gòu)成。

內(nèi)側(cè)接地電極60分別形成為大致矩形狀，且沿X軸方向延伸。內(nèi)側(cè)接地電極60的一端部分別從第一側(cè)面115露出，內(nèi)側(cè)接地電極60的另一端部分別從第三側(cè)面117露出。內(nèi)側(cè)接地電極60從層疊方向觀察，與第一線圈211、212以及第二線圈221、222重疊。

第一接地端子51、第二接地端子52例如由Ag、Ag-Pd、Cu、Ni等導(dǎo)電性材料構(gòu)成。第一接地端子51、第二接地端子52例如通過將導(dǎo)電性材料涂覆并燒成于層疊體1的表面而被形成。第一接地端子51、第二接地端子52分別形成為コ字狀。

第一接地端子51設(shè)置于第一側(cè)面115。第一接地端子51的一端部從第一側(cè)面115側(cè)折返地設(shè)置于第一端面111。第一接地端子51的另一端部從第一側(cè)面115側(cè)折返地設(shè)置于第二端面112。第一接地端子51將內(nèi)側(cè)接地電極60的一端部與安裝基板的接地線電連接。

第二接地端子52設(shè)置于第三側(cè)面117。第二接地端子52的形狀與第一接地端子51的形狀相同，因此省略其說明。第二接地端子52將內(nèi)側(cè)接地電極60的另一端部與安裝基板的接地線電連接。

接下來，對(duì)電子部件10的制造方法進(jìn)行說明。

如圖3所示，將第一線圈211、212以及第二線圈221、222的材料與內(nèi)側(cè)接地電極60的材料分別例如通過打印等涂覆于不同的非磁性體片11a。

而且，將涂覆有第一線圈211、212以及第二線圈221、222的材料的非磁性體片11a與涂覆有內(nèi)側(cè)接地電極60的材料的非磁性體片11a層疊并燒制，而獲得具備共模扼流線圈2以及內(nèi)側(cè)接地電極60的層疊體1。

然后，將第一線圈端子41～第四線圈端子44的材料例如通過打印等涂覆于層疊體1的表面，將第一接地端子51、第二接地端子52的材料例如通過打印等涂覆于層疊體1的表面，燒成這些材料，而在層疊體1的表面形成第一線圈端子41～第四線圈端子44以及第一接地端子51、第二接地端子52。這樣，制造電子部件10。

根據(jù)上述電子部件10，內(nèi)側(cè)接地電極60配置于沿層疊方向相互對(duì)置的兩個(gè)第一線圈211、212之間。由此，內(nèi)側(cè)接地電極60在與第一線圈211、212以及第二線圈221、222之間生成電容，作為等效電路，成為所謂的T型LC濾波構(gòu)造。因此，與以往的π型LC濾波構(gòu)造相比，能夠以較小的電容值獲得共振，從而能夠減少信號(hào)透過特性Sdd21的劣化，抑制信號(hào)品質(zhì)的降低。

另外，內(nèi)側(cè)接地電極60配置于沿層疊方向相互對(duì)置的兩個(gè)第一線圈211、212之間，因此與將內(nèi)側(cè)接地電極60配置于第一線圈與第二線圈之間的情況相比，第一線圈211、212與第二線圈221、222之間的耦合增強(qiáng)，從而能夠減少信號(hào)透過特性Sdd21的劣化，抑制信號(hào)品質(zhì)的降低。換言之，內(nèi)側(cè)接地電極60被相同的第一線圈211、212夾著，因此當(dāng)在第一線圈211、212與第二線圈221、222流經(jīng)差動(dòng)模式信號(hào)的情況下，在內(nèi)側(cè)接地電極60，不產(chǎn)生第一線圈211～第二線圈222的磁通量的相互抵消，不殘留磁通量。由此，第一線圈211、212與第二線圈221、222之間的耦合增強(qiáng)，從而信號(hào)透過特性Sdd21良好。

圖4表示本發(fā)明(將內(nèi)側(cè)接地電極配置于兩個(gè)第一線圈之間的構(gòu)造)與現(xiàn)有例(將內(nèi)側(cè)接地電極配置于第一線圈與第二線圈之間的構(gòu)造)的比較。在圖4中，橫軸表示頻率，縱軸表示耦合系數(shù)。如圖4所示，本發(fā)明(實(shí)線)與現(xiàn)有例(雙點(diǎn)劃線)相比，耦合系數(shù)提高。

根據(jù)上述電子部件10，兩個(gè)第一線圈211、212夾在一方的第二線圈221與另一方的第二線圈222之間，因此第一線圈211、212與第二線圈221、222之間的耦合增強(qiáng)。

(第二實(shí)施方式)

圖5是表示本發(fā)明的電子部件的第二實(shí)施方式的YZ剖視圖。第二實(shí)施方式與第一實(shí)施方式相比，設(shè)置有外側(cè)接地電極的結(jié)構(gòu)不同。以下，對(duì)該不同的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。此外，在第二實(shí)施方式中，與第一實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記表示與第一實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)，因此省略其說明。

如圖5所示，在第二實(shí)施方式的電子部件10A中，在第一線圈211～第二線圈222的層疊方向的最上位置配置一方的第二線圈221，在該第二線圈221的層疊方向的外側(cè)(上側(cè))設(shè)置有與第二線圈221對(duì)置的外側(cè)接地電極61。外側(cè)接地電極61配置于層疊體1(非磁性體11)內(nèi)。

外側(cè)接地電極61例如由Ag、Ag-Pd、Cu、Ni等導(dǎo)電性材料構(gòu)成。外側(cè)接地電極61形成為大致矩形狀，且沿X軸方向延伸。

外側(cè)接地電極61的一端部從第一側(cè)面115露出，并電連接于第一接地端子51。外側(cè)接地電極61的另一端部從第三側(cè)面117露出，并電連接于第二接地端子52。外側(cè)接地電極61從層疊方向觀察，與第一線圈211、212以及第二線圈221、222重疊。

圖6是電子部件10A的等效電路圖。如圖6所示，在第一線圈端子41與第三線圈端子43之間連接有由兩個(gè)第一線圈211、212構(gòu)成的第一線圈組2a。在第二線圈端子42與第四線圈端子44之間連接有由兩個(gè)第二線圈221、222構(gòu)成的第二線圈組2b。內(nèi)側(cè)接地電極60與第一線圈組2a對(duì)置地配置，外側(cè)接地電極61與第二線圈組2b對(duì)置地配置。換言之，作為等效電路，成為所謂的T型LC濾波構(gòu)造。

根據(jù)上述電子部件10A，外側(cè)接地電極61配置于一方的第二線圈221的層疊方向的外側(cè)，因此能夠取得第一線圈211、212與接地之間的電容值和第二線圈221、222與接地之間的電容值的匹配，來提高電特性。

此外，也可以將外側(cè)接地電極設(shè)置于第一線圈、第二線圈的層疊方向的最下位置的第二線圈的層疊方向的外側(cè)。

(第三實(shí)施方式)

圖7是表示本發(fā)明的電子部件的第三實(shí)施方式的YZ剖視圖。第三實(shí)施方式與第一實(shí)施方式相比，設(shè)置有外側(cè)接地電極的結(jié)構(gòu)不同。以下，對(duì)該不同的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。此外，在第三實(shí)施方式中，與第一實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記表示與第一實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)，因此省略其說明。

如圖7所示，在第三實(shí)施方式的電子部件10B中，在第一線圈211～第二線圈222的層疊方向的最上位置以及最下位置配置第二線圈221、222。在一方的第二線圈221的層疊方向的外側(cè)(上側(cè))設(shè)置有與第二線圈221對(duì)置的第一外側(cè)接地電極61。在另一方的第二線圈222的層疊方向的外側(cè)(下側(cè))設(shè)置有與第二線圈222對(duì)置的第二外側(cè)接地電極62。第一外側(cè)接地電極61、第二外側(cè)接地電極62配置于層疊體1(非磁性體11)內(nèi)。

第一外側(cè)接地電極61、第二外側(cè)接地電極62例如由Ag、Ag-Pd、Cu、Ni等導(dǎo)電性材料構(gòu)成。第一外側(cè)接地電極61、第二外側(cè)接地電極62形成為大致矩形狀，且沿X軸方向延伸。

第一外側(cè)接地電極61、第二外側(cè)接地電極62的每一個(gè)的一端部從第一側(cè)面115露出，并電連接于第一接地端子51。第一外側(cè)接地電極61、第二外側(cè)接地電極62的每一個(gè)的另一端部從第三側(cè)面117露出，并電連接于第二接地端子52。第一外側(cè)接地電極61、第二外側(cè)接地電極62從層疊方向觀察，與第一線圈211、212以及第二線圈221、222重疊。

根據(jù)上述電子部件10B，第一外側(cè)接地電極61、第二外側(cè)接地電極62配置于兩個(gè)第二線圈221、222的每一個(gè)的外側(cè)，因此能夠取得第一線圈211、212與接地之間的電容值和第二線圈221、222與接地之間的電容值的匹配，來提高電特性。另外，能夠形成上下對(duì)稱的芯片構(gòu)造，因此能夠取得在燒制時(shí)產(chǎn)生的收縮、應(yīng)力平衡。

(第四實(shí)施方式)

圖8是表示本發(fā)明的電子部件的第四實(shí)施方式的YZ剖視圖。第四實(shí)施方式與第三實(shí)施方式相比，層疊體的結(jié)構(gòu)不同。以下，對(duì)該不同的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。此外，在第四實(shí)施方式中，與第三實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記表示與第三實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)，因此省略其說明。

如圖8所示，在第四實(shí)施方式的電子部件10C中，層疊體1C包含非磁性體11以及夾著非磁性體11的層疊方向的上下的磁性體12。換言之，絕緣層包含非磁性體片11a與磁性體片12a。磁性體12由鐵氧體等磁性體材料構(gòu)成。

第一線圈211～第二線圈222配置于非磁性體11內(nèi)。內(nèi)側(cè)接地電極60與第一外側(cè)接地電極61、第二外側(cè)接地電極62配置于非磁性體11內(nèi)。

根據(jù)上述電子部件10C，第一線圈211～第二線圈222以及第一外側(cè)接地電極61、第二外側(cè)接地電極62配置于非磁性體11內(nèi)，非磁性體11的上下被磁性體12夾著，因此第一線圈211～第二線圈222的磁通量集中于上下的磁性體12。因此，在第一線圈211～第二線圈222的單體環(huán)繞的磁通量變小，從而在第一線圈211～第二線圈222共通環(huán)繞的磁通量增多。因此，能夠加強(qiáng)第一線圈211、212與第二線圈221、222之間的耦合，因此能夠進(jìn)一步減少信號(hào)透過特性Sdd21的劣化。換言之，共模阻抗增高，差動(dòng)模式阻抗降低。

此外，也可以省略第一外側(cè)接地電極、第二外側(cè)接地電極的至少一方。

(第五實(shí)施方式)

圖9是表示本發(fā)明的電子部件的第五實(shí)施方式的YZ剖視圖。第五實(shí)施方式與第四實(shí)施方式相比，外側(cè)接地電極的位置不同。以下，對(duì)該不同的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。此外，在第五實(shí)施方式中，與第四實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記表示與第四實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)，因此省略其說明。

如圖9所示，在第五實(shí)施方式的電子部件10D中，第一外側(cè)接地電極61配置于上側(cè)的磁性體12內(nèi)，第二外側(cè)接地電極62配置于下側(cè)的磁性體12內(nèi)。

根據(jù)上述電子部件10D，能夠?qū)⒌谝煌鈧?cè)接地電極61、第二外側(cè)接地電極62配置于與配置有第一線圈211～第二線圈222的非磁性體11不同的磁性體12，從而能夠緩和針對(duì)非磁性體11的電極集中所帶來的應(yīng)力增加，進(jìn)而抑制構(gòu)造缺陷、可靠性降低。另外，使非磁性體11的厚度變薄，能夠縮短上下的磁性體12、12之間的距離，而更加加強(qiáng)共模噪聲流經(jīng)的情況下的磁通量。因此，共模噪聲的電感以及阻抗增大，從而能夠增大共模噪聲衰減特性Scc21中的衰減特性。

(第六實(shí)施方式)

圖10是表示本發(fā)明的電子部件的第六實(shí)施方式的YZ剖視圖。圖11是表示本發(fā)明的電子部件的第六實(shí)施方式的XY剖視圖。第六實(shí)施方式與第五實(shí)施方式相比，內(nèi)側(cè)接地電極以及外側(cè)接地電極的結(jié)構(gòu)不同。以下，僅對(duì)該不同的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。此外，在第六實(shí)施方式中，與第五實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記表示與第五實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)，因此省略其說明。

如圖10與圖11所示，在第六實(shí)施方式的電子部件10E中，內(nèi)側(cè)接地電極60E從層疊方向觀察，與和內(nèi)側(cè)接地電極60E對(duì)置的第一線圈211、212重疊，不與第一線圈211、212的內(nèi)徑部分重疊。

相同地，第一外側(cè)接地電極61E從層疊方向觀察，與和第一外側(cè)接地電極61E對(duì)置的一方的第二線圈221重疊，不與一方的第二線圈221的內(nèi)徑部分重疊。第二外側(cè)接地電極62E從層疊方向觀察，與和第二外側(cè)接地電極62E對(duì)置的另一方的第二線圈222重疊，不與另一方的第二線圈222的內(nèi)徑部分重疊。

若具體地?cái)⑹?，則內(nèi)側(cè)接地電極60E從層疊方向觀察，具有與第一線圈211、212的內(nèi)徑部分大致相同的大小的內(nèi)徑部分600。內(nèi)側(cè)接地電極60E的內(nèi)徑部分600從層疊方向觀察，與第一線圈211、212的內(nèi)徑部分重疊。此外，第一線圈211～第二線圈222的內(nèi)徑部分從層疊方向觀察，全部為相同的大小。

相同地，第一外側(cè)接地電極61E從層疊方向觀察，具有與一方的第二線圈221的內(nèi)徑部分大致相同的大小的內(nèi)徑部分610。第二外側(cè)接地電極62E從層疊方向觀察，具有與另一方的第二線圈222的內(nèi)徑部分大致相同的大小的內(nèi)徑部分620。

根據(jù)上述電子部件10E，內(nèi)側(cè)接地電極60E從層疊方向觀察，不與第一線圈211、212的內(nèi)徑部分重疊，第一外側(cè)接地電極61E、第二外側(cè)接地電極62E從層疊方向觀察，不與第二線圈221、222的內(nèi)徑部分重疊。由此，第一線圈211～第二線圈222的磁通量不被內(nèi)側(cè)、外側(cè)接地電極60E、61E、62E遮蔽，從而能夠抑制磁通量的損失的影響引起的特性劣化。

(第七實(shí)施方式)

圖12是表示本發(fā)明的電子部件的第七實(shí)施方式的YZ剖視圖。圖13A與圖13B是表示本發(fā)明的電子部件的第七實(shí)施方式的XY剖視圖。第七實(shí)施方式與第六實(shí)施方式相比，內(nèi)側(cè)接地電極以及外側(cè)接地電極的結(jié)構(gòu)不同。以下，僅對(duì)該不同的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。此外，在第七實(shí)施方式中，與第六實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記表示與第六實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)，因此省略其說明。

如圖12、圖13A、圖13B所示，在第七實(shí)施方式的電子部件10F中，內(nèi)側(cè)接地電極60F從層疊方向觀察，具有與和內(nèi)側(cè)接地電極60F對(duì)置的第一線圈211、212的圖案類似的圖案。若具體敘述，則內(nèi)側(cè)接地電極60F的圖案呈具有與第一線圈211、212的圖案相同的內(nèi)徑、線寬度以及線間距的螺旋形狀，并且，配置于與第一線圈211、212的圖案相互重疊的位置。

相同地，第一外側(cè)接地電極61F從層疊方向觀察，具有與和第一外側(cè)接地電極61F對(duì)置的一方的第二線圈221的圖案類似的圖案。換言之，第一外側(cè)接地電極61F呈具有與第二線圈221的圖案相同的內(nèi)徑、線寬度以及線間距的螺旋形狀，并且，配置于與第二線圈221的圖案相互重疊的位置。

相同地，第二外側(cè)接地電極62F從層疊方向觀察，具有與和第二外側(cè)接地電極62F對(duì)置的另一方的第二線圈222的圖案類似的圖案。換言之，第二外側(cè)接地電極62F呈具有與第二線圈222的圖案相同的內(nèi)徑、線寬度以及線間距的螺旋形狀，并且，配置于與第二線圈222的圖案相互重疊的位置。

根據(jù)上述電子部件10F，內(nèi)側(cè)接地電極60F從層疊方向觀察，具有與第一線圈211、212的圖案類似的圖案，第一外側(cè)接地電極61F、第二外側(cè)接地電極62F從層疊方向觀察，具有與第二線圈221、222的圖案類似的圖案。由此，能夠?qū)?nèi)側(cè)、外側(cè)接地電極60F、61F、62F的層疊方向的表面積抑制為最小，而高效地取得電容。另外，能夠縮小內(nèi)側(cè)、外側(cè)接地電極60F、61F、62F的層疊方向的表面積，因此能夠減少內(nèi)側(cè)、外側(cè)接地電極60F、61F、62F與層疊體1C的線膨脹系數(shù)的差所引起的應(yīng)力的產(chǎn)生。

(第八實(shí)施方式)

圖14是表示本發(fā)明的電子部件的第八實(shí)施方式的YZ剖視圖。圖15A與圖15B是表示本發(fā)明的電子部件的第八實(shí)施方式的XY剖視圖。第八實(shí)施方式與第七實(shí)施方式相比，內(nèi)側(cè)接地電極以及外側(cè)接地電極的結(jié)構(gòu)不同。以下，僅對(duì)該不同的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。此外，在第八實(shí)施方式中，與第七實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記表示與第七實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)，因此省略其說明。

如圖14、圖15A、圖15B所示，在第八實(shí)施方式的電子部件10G中，第一外側(cè)接地電極61G、第二外側(cè)接地電極62G的層疊方向的表面積分別比內(nèi)側(cè)接地電極60G的層疊方向的表面積大。若具體敘述，則內(nèi)側(cè)、外側(cè)接地電極60G、61G、62G形成為螺旋形狀，第一外側(cè)接地電極61G、第二外側(cè)接地電極62G的螺旋的長(zhǎng)度分別比內(nèi)側(cè)接地電極60G的螺旋的長(zhǎng)度長(zhǎng)。在該實(shí)施方式中，內(nèi)側(cè)接地電極60G的匝數(shù)為一匝，第一外側(cè)接地電極61G、第二外側(cè)接地電極62G的匝數(shù)為兩匝。

根據(jù)上述電子部件10G，第一外側(cè)接地電極61G、第二外側(cè)接地電極62G的層疊方向的表面積比內(nèi)側(cè)接地電極60G的層疊方向的表面積大，因此即使磁性體12內(nèi)的第一外側(cè)接地電極61G與非磁性體11內(nèi)的第二線圈221之間的距離和磁性體12內(nèi)的第二外側(cè)接地電極62G與非磁性體11內(nèi)的第二線圈222之間的距離比非磁性體11內(nèi)的內(nèi)側(cè)接地電極60G與非磁性體11內(nèi)的第一線圈211、212之間的距離大，第一線圈211、212與接地之間的電容值和第二線圈221、222與接地之間的電容值也成為大致相同，從而電特性提高。

另外，第一外側(cè)接地電極61G、第二外側(cè)接地電極62G的螺旋的長(zhǎng)度比內(nèi)側(cè)接地電極60G的螺旋的長(zhǎng)度長(zhǎng)，因此能夠以簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，使第一外側(cè)接地電極61G、第二外側(cè)接地電極62G的層疊方向的表面積比內(nèi)側(cè)接地電極60G的層疊方向的表面積大。

此外，第一外側(cè)接地電極、第二外側(cè)接地電極的螺旋的長(zhǎng)度與內(nèi)側(cè)接地電極的螺旋的長(zhǎng)度相同，因此第一外側(cè)接地電極、第二外側(cè)接地電極的線寬度也可以比內(nèi)側(cè)接地電極的線寬度大，第一外側(cè)接地電極、第二外側(cè)接地電極的層疊方向的表面積只要比內(nèi)側(cè)接地電極的層疊方向的表面積大即可。

優(yōu)選第一外側(cè)接地電極、第二外側(cè)接地電極的層疊方向的表面積也可以為內(nèi)側(cè)接地電極的層疊方向的表面積的2.2倍～3.8倍，進(jìn)一步優(yōu)選也可以為3.0倍。由此，電特性進(jìn)一步提高。

[表1]示出了第一外側(cè)接地電極、第二外側(cè)接地電極的層疊方向的表面積相對(duì)于內(nèi)側(cè)接地電極的層疊方向的表面積的比例與共模噪聲Scc21的峰值衰減量的關(guān)系。

[表1]

如[表1]所示，若為2.2倍～3.8倍，則能夠?qū)⒐材Ｔ肼昐cc21的峰值衰減量形成為40dB以上。另外，能夠以3.0倍獲得最大的衰減量。

(第九實(shí)施方式)

圖16是表示本發(fā)明的電子部件的第九實(shí)施方式的立體圖。第九實(shí)施方式與第五實(shí)施方式相比，具有靜電放電元件的結(jié)構(gòu)不同。以下，僅對(duì)該不同的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。此外，在第九實(shí)施方式中，與第五實(shí)施方式相同的附圖標(biāo)記表示與第五實(shí)施方式相同的結(jié)構(gòu)，因此省略其說明。

如圖16所示，在第九實(shí)施方式的電子部件10H中，具有靜電放電元件(ESD(Electro-Static Discharge)元件)3。靜電放電元件3設(shè)置于層疊體1C，且位于比第二外側(cè)接地電極62更靠下側(cè)。靜電放電元件3經(jīng)由第一線圈端子41～第四線圈端子44連接于第一線圈211、212以及第二線圈221、222，經(jīng)由第一接地端子51、第二接地端子52連接為接地。

靜電放電元件3包含第一放電電極31～第五放電電極35。第一放電電極31～第五放電電極35被上下的磁性體片12a夾著。第一放電電極31～第四放電電極34沿Y軸方向延伸。第五放電電極35沿X軸方向延伸。

第一放電電極31的一端部從第二側(cè)面116的第一側(cè)面115側(cè)露出，第一放電電極31的另一端部位于磁性體12的Y方向的中央。第二放電電極32的一端部從第二側(cè)面116的第三側(cè)面117側(cè)露出，第二放電電極32的另一端部位于磁性體12的Y方向的中央。

第三放電電極33的一端部從第四側(cè)面118的第一側(cè)面115側(cè)露出，第三放電電極33的另一端部位于磁性體12的Y方向的中央。第四放電電極34的一端部從第四側(cè)面118的第三側(cè)面117側(cè)露出，第四放電電極34的另一端部位于磁性體12的Y方向的中央。

第五放電電極35的一端部位于第一放電電極31的另一端部與第三放電電極33的另一端部之間的間隙。在第五放電電極35的一端部與第一放電電極31的另一端部之間設(shè)置有放電用的間隙。在第五放電電極35的一端部與第三放電電極33的另一端部之間設(shè)置有放電用的間隙。

第五放電電極35的另一端部位于第二放電電極32的另一端部與第四放電電極34的另一端部之間的間隙。在第五放電電極35的另一端部與第二放電電極32的另一端部之間設(shè)置有放電用的間隙。在第五放電電極35的另一端部與第四放電電極34的另一端部之間設(shè)置有放電用的間隙。

第五放電電極35的一端部從第一側(cè)面115露出。第五放電電極35的另一端部從第三側(cè)面117露出。

此外，在放電用的間隙也可以不存在任意的部件，或者也可以填充有容易放電的材料。作為容易放電的材料的一個(gè)例子，包含涂膜粒子與半導(dǎo)體粒子。涂膜粒子是利用氧化鋁等無機(jī)材料表面涂層有Cu等金屬粒子的表面的粒子。半導(dǎo)體粒子是SiC等半導(dǎo)體材料的粒子。涂膜粒子與半導(dǎo)體粒子優(yōu)選分散地配置。使涂膜粒子與半導(dǎo)體粒子分散，從而短路的防止、放電開始電壓等的ESD特性的調(diào)整變得容易。

第一放電電極31的一端部經(jīng)由第一線圈端子41與第一線圈211的引出電極211a電連接。第二放電電極32的一端部經(jīng)由第二線圈端子42與第二線圈221的引出電極221a電連接。

第三放電電極33的一端部經(jīng)由第三線圈端子43與第一線圈212的引出電極212a電連接。第四放電電極34的一端部經(jīng)由第四線圈端子44與第二線圈222的引出電極222a電連接。

第五放電電極35的一端部經(jīng)由第一接地端子51與安裝基板的接地線電連接。第五放電電極35的另一端部經(jīng)由第二接地端子52與安裝基板的接地線電連接。

根據(jù)上述電子部件10H，具有靜電放電元件3，因此能夠進(jìn)行針對(duì)第一線圈211、212以及第二線圈221、222的靜電的對(duì)策。換言之，在靜電放電元件3產(chǎn)生ESD放電，從而能夠經(jīng)由第一接地端子51、第二接地端子52，向大地分散ESD，而能夠減小向信號(hào)線流經(jīng)的ESD電壓。

此外，本發(fā)明不限定于上述的實(shí)施方式，能夠在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行設(shè)計(jì)變更。例如，也可以使第一實(shí)施方式至第九實(shí)施方式的各自的特征點(diǎn)各種組合。例如，也可以在第二實(shí)施方式組合第五實(shí)施方式，若具體敘述，則在第二實(shí)施方式中，層疊體包含非磁性體與上下的磁性體，第一線圈、第二線圈配置于非磁性體內(nèi)，外側(cè)接地電極配置于磁性體內(nèi)。

在上述實(shí)施方式中，第一線圈以及第二線圈分別為兩個(gè)，但也可以為三個(gè)以上。

在上述實(shí)施方式中，關(guān)于第一線圈與第二線圈的排列，從上向下按順序排列第二線圈、第一線圈、第一線圈、第二線圈，但也可以按順序排列第一線圈、第一線圈、第二線圈、第二線圈。此時(shí)，也可以將內(nèi)側(cè)接地電極配置于兩個(gè)第一線圈之間與兩個(gè)第二線圈之間。