本發(fā)明涉及通訊設(shè)備領(lǐng)域,具體而言,涉及一種功率放大結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù):
目前,射頻功率放大模塊通常會根據(jù)射頻電路的布局把每級功率放大單元運用蓋板進(jìn)行分腔。印刷電路板PCB與蓋板接觸處為隔墻,PCB的隔墻一般刮亮處理,保證蓋板和PCB正面良好的電氣連接。射頻功放模塊腔體諧振頻點與腔體的長度和寬帶相關(guān)。末級功率放大器的腔體中間通常會有個隔墻,使得功率放大器間相互隔離。
由于隔墻處冒松香或焊錫,這會導(dǎo)致隔墻和蓋板電氣接觸不好,改變腔體的電磁場分布,影響腔體的諧振頻點,該處隔墻焊接質(zhì)量影響功放模塊的功能,嚴(yán)重地會導(dǎo)致電磁干擾EMC問題和功放自激問題。
功率放大模板通常采用一次焊接工藝,一次焊接工藝就是元件與PCB的焊接采用同一熔點焊料、同時完成的焊接工藝,金屬基和PCB的正面通過鋼網(wǎng)印刷焊錫膏,印好錫膏的金屬基和PCB通過定位孔套對在一起,采用SMT(Surface Mounted Technology簡稱SMT)貼片機(jī)對PCB進(jìn)行貼片,貼片好的PCB經(jīng)過回流焊爐進(jìn)行回流焊接。
回流焊接時,金屬基正面的錫膏融化,把金屬基和PCB的反面通過焊錫焊接,金屬基焊錫膏中的松香加熱揮發(fā)出來,松香和金屬基表面高溫產(chǎn)生的化學(xué)產(chǎn)物會通過PCB的過孔排出。一次焊接工藝一般會有壓針壓緊PCB和金屬基,焊錫會通過PCB過孔冒到隔墻上,這樣,松香和焊錫導(dǎo)致隔墻和蓋板接觸不好,嚴(yán)重的會有一道縫隙,導(dǎo)致功放模塊的EMC問題。
隔墻處的松香和焊錫排放成為功放模塊焊接的瓶頸,隔墻處不能打大孔進(jìn)行排泄,冒出的松香會引起蓋板和隔墻接觸不良,導(dǎo)致EMC問題和腔體自激問題。如果隔墻處進(jìn)行塞孔處理,局部的排泄不暢導(dǎo)致焊接空洞,進(jìn)而會影響功放的性能。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的主要目的在于提供一種功率放大結(jié)構(gòu),以解決現(xiàn)有技術(shù)中的功率放大結(jié)構(gòu)中的隔墻與蓋板之間的接觸效果較差的問題。
為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種功率放大結(jié)構(gòu),包括基板和設(shè)置在基板上的印刷電路板,基板的朝向印刷電路板的一側(cè)設(shè)置有主漏錫槽。
進(jìn)一步地,印刷電路板上設(shè)置有功率管和中間隔板,中間隔板設(shè)置在相鄰的兩個功率管之間,主漏錫槽設(shè)置在與基板上的與中間隔板相對應(yīng)的位置。
進(jìn)一步地,主漏錫槽為多個,多個主漏錫槽沿中間隔板的延伸方向相間隔地布置。
進(jìn)一步地,中間隔板上設(shè)置有第一穿設(shè)孔,且基板的位于相鄰的兩個主漏錫槽之間的位置上設(shè)置有與第一穿設(shè)孔相對應(yīng)的第二穿設(shè)孔。
進(jìn)一步地,主漏錫槽為長條狀,主漏錫槽的延伸方向與中間隔板的延伸方向相同。
進(jìn)一步地,沿主漏錫槽的延伸方向,主漏錫槽上設(shè)置有第一對稱面,第一對稱面過主漏錫槽的中心,且第一對稱面垂直于主漏錫槽的槽底;沿中間隔板的延伸方向,中間隔板上設(shè)置有第二對稱面,第二對稱面過中間隔板的中心,且第二對稱面平行于中間隔板的端面;其中,第一對稱面和第二對稱面在同一個平面內(nèi),且主漏錫槽的寬度小于中間隔板的寬度。
進(jìn)一步地,中間隔板的寬度與主漏錫槽的寬度之間的差值為0.8mm至1.2mm。
進(jìn)一步地,中間隔板的寬度與主漏錫槽的寬度之間的差值為1mm。
進(jìn)一步地,印刷電路板上設(shè)置有周邊隔板,周邊隔板環(huán)繞印刷電路板上的功率管設(shè)置,且基板的與周邊隔板相對應(yīng)的位置設(shè)置有周邊漏錫槽。
進(jìn)一步地,主漏錫槽的深度小于基板的厚度。
進(jìn)一步地,的基板的厚度與主漏錫槽的深度之間的差值為0.5mm至1.5mm。
進(jìn)一步地,主漏錫槽的深度為1mm。
本發(fā)明中的功率放大結(jié)構(gòu)包括基板和設(shè)置在基板上的印刷電路板,由于基板上設(shè)置有主漏錫槽,這樣,在對該功率放大結(jié)構(gòu)進(jìn)行回流焊接時,揮發(fā)出的焊錫會進(jìn)入主漏錫槽內(nèi),進(jìn)而防止該揮發(fā)出的焊錫通過印刷電路板的過孔排出到功率放大結(jié)構(gòu)的隔板上。
本發(fā)明中的功率放大結(jié)構(gòu)具有結(jié)構(gòu)簡單、性能良好的優(yōu)點,可以防止揮發(fā)的焊錫冒到功率放大結(jié)構(gòu)的隔板上,進(jìn)而可以改善隔墻處的焊接效果,提高隔板與功率放大器的蓋板之間的接觸效果。
附圖說明
構(gòu)成本申請的一部分的說明書附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解,本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明,并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的功率放大結(jié)構(gòu)的實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
其中,上述附圖包括以下附圖標(biāo)記:
10、基板;11、主漏錫槽;12、第二穿設(shè)孔;20、印刷電路板;30、功率管;40、中間隔板;41、第一穿設(shè)孔;50、周邊隔板。
具體實施方式
需要說明的是,在不沖突的情況下,本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實施例來詳細(xì)說明本發(fā)明。
本實施例提供了一種功率放大結(jié)構(gòu),請參考圖1,該功率放大結(jié)構(gòu)包括基板10和設(shè)置在基板10上的印刷電路板20,基板10的朝向印刷電路板20的一側(cè)設(shè)置有主漏錫槽11。
本實施例中的功率放大結(jié)構(gòu)包括基板10和設(shè)置在基板10上的印刷電路板20,由于基板10上設(shè)置有主漏錫槽11,這樣,在對該功率放大結(jié)構(gòu)進(jìn)行回流焊接時,揮發(fā)出的焊錫會進(jìn)入主漏錫槽11內(nèi),進(jìn)而防止該揮發(fā)出的焊錫通過印刷電路板20的過孔排出到功率放大結(jié)構(gòu)的隔板上。
本實施例中的功率放大結(jié)構(gòu)具有結(jié)構(gòu)簡單、性能良好的優(yōu)點,可以防止揮發(fā)的焊錫冒到功率放大結(jié)構(gòu)的隔板上,進(jìn)而可以改善隔墻處的焊接效果,提高隔板與功率放大器的蓋板之間的接觸效果。
在本實施例中,印刷電路板20上設(shè)置有功率管30和中間隔板40,中間隔板40設(shè)置在相鄰的兩個功率管30之間,主漏錫槽11設(shè)置在與基板10上的與中間隔板40相對應(yīng)的位置。
本實施例通過在印刷電路板20上設(shè)置中間隔板40,可以比較方便地將相鄰的兩個功率管30隔開,該中間隔板40需要與蓋板接觸良好,故在基板10的與該中間隔板40相對應(yīng)的位置上便需要設(shè)置主漏錫槽11以減少防止此處的錫膏流動到中間隔板40上。
在本實施例中,主漏錫槽11為多個,多個主漏錫槽11沿中間隔板40的延伸方向相間隔地布置。
在本實施例中,中間隔板40上設(shè)置有第一穿設(shè)孔41,且基板10的位于相鄰的兩個主漏錫槽11之間的位置上設(shè)置有與第一穿設(shè)孔41相對應(yīng)的第二穿設(shè)孔12。
由于中間隔板40上設(shè)置有第一穿設(shè)孔41,而基板10上設(shè)置有與該第一穿設(shè)孔41對應(yīng)的第二穿設(shè)孔12,故此處將主漏錫槽11設(shè)置為多個,這樣便會為第二穿設(shè)孔12留出空間,以便于第二穿設(shè)孔12的設(shè)置。
優(yōu)選地,第一穿設(shè)孔41和第二穿設(shè)孔12均多個,且相鄰的兩個第二穿設(shè)孔12之間也設(shè)置有主漏錫槽11,該本主漏錫槽長度要小于相鄰兩個第二穿設(shè)孔12之間的距離,這樣,可以防止螺釘時安裝壓壞印刷電路板。
在本實施例中,主漏錫槽11為長條狀,主漏錫槽11的延伸方向與中間隔板40的延伸方向相同。這樣,可以提高錫膏的吸收,提高對中間隔板40的保護(hù)作用。
在本實施例中,沿主漏錫槽11的延伸方向,主漏錫槽11上設(shè)置有第一對稱面,第一對稱面過主漏錫槽11的中心,且第一對稱面垂直于主漏錫槽11的槽底;沿中間隔板40的延伸方向,中間隔板40上設(shè)置有第二對稱面,第二對稱面與過中間隔板40的中心,且中間隔板40平行于中間隔板40的端面;其中,第一對稱面和第二對稱面在同一個平面內(nèi),且主漏錫槽11的寬度小于中間隔板40的寬度。
在本申請中,通過使主漏錫槽11的豎直方向的中心面與中間隔板40的豎直方向的中心面重合,可以保證錫膏盡可能地流入主漏錫槽11內(nèi),進(jìn)而提高對中間隔板40的保護(hù)作用。
優(yōu)選地,中間隔板40的寬度與主漏錫槽11的寬度之間的差值為0.8mm至1.2mm。
優(yōu)選地,中間隔板40的寬度與主漏錫槽11的寬度之間的差值為1mm。
在本實施例中,由于中間隔板40的中心截面與主漏錫槽11的本發(fā)明所述的漏錫槽寬度比隔墻內(nèi)縮0.5mm,減小由于開槽對該功率放大結(jié)構(gòu)的電磁輻射的影響。
在本實施例中,印刷電路板20上設(shè)置有周邊隔板50,周邊隔板50環(huán)繞印刷電路板20上的功率管30設(shè)置,且基板10的與周邊隔板50相對應(yīng)的位置設(shè)置有周邊漏錫槽。
本實施例通過設(shè)置周邊隔板50,并使周邊隔板50環(huán)繞印刷電路板20上的功率管30設(shè)置,可以保證印刷電路板20與蓋板之間的隔離,提高對功率管的保護(hù)作用。
在本實施例中,主漏錫槽11的深度小于基板10的厚度。
本實施例通過使主漏錫槽11的深度小于基板10的厚度,可以使其儲存與中間隔板40對應(yīng)的位置處的松香和焊錫。
在本實施例中,周邊漏錫槽的深度也小于基板10的厚度,同樣為了使其儲存與周邊隔板50對應(yīng)的位置處的松香和焊錫。
在本實施例中,基板10的厚度與主漏錫槽11的深度之間的差值為0.5mm至1.5mm。
在本實施例中,主漏錫槽11的深度為1mm。
本發(fā)明涉及通訊設(shè)備領(lǐng)域,具體而言,涉及一種改善射頻功率放大模塊焊接質(zhì)量的漏錫槽,本發(fā)明解決了隔墻(中間隔板40或周邊隔板50)處松香和焊錫排泄問題,同時不影響功放的性能。
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是:PCB(印刷電路板20)與金屬基(基板10)焊接時,PCB的隔墻處冒松香和焊錫問題為功放模塊焊接瓶頸之一,本發(fā)明解決了隔墻處焊接問題,方便松香和焊錫的排泄。
本發(fā)明中的功率放大結(jié)構(gòu)包括金屬基、焊錫和PCB,印好錫膏的金屬基和PCB通過定位孔套對在一起,通過回流焊爐進(jìn)行回流焊接;本發(fā)明的漏錫槽(主漏錫槽和周邊漏錫槽)開在PCB上的隔墻正對的金屬基的位置上。
在射頻功率放大模塊(功率放大結(jié)構(gòu))中,其末級放大單元通常由多個射頻功率放大器組成,射頻功率放大器間通過隔墻分開,隔墻處的焊接質(zhì)量會影響射頻功率放大模塊的性能。
在該功率放大結(jié)構(gòu)的制作過程中,PCB和金屬基安裝在焊接工裝上,PCB和金屬基的正面通過鋼網(wǎng)進(jìn)行印刷焊錫膏,漏錫槽處不刷錫膏。PCB和金屬基通過定位孔套對在一起,把PCB放在金屬基上。把印好錫膏的PCB進(jìn)行SMT貼片,貼片完成后,用壓針扣在工裝上,壓緊PCB和金屬基,經(jīng)過回流爐進(jìn)行回流焊接。
在回流焊接過程中,由于PCB隔墻下面有漏錫槽,漏錫槽附近的松香和焊錫都儲存在漏錫槽中,改善了隔墻處焊接效果。
具體分析通過設(shè)置漏錫槽的而帶來的有益效果:
采用本發(fā)明的漏錫槽,在金屬基上開漏錫槽,不會增加任何成本;
采用本發(fā)明的漏錫槽,不占用PCB面積,直接在對應(yīng)的金屬基部位上開槽;
采用本發(fā)明的漏錫槽,開槽位置靈活,不僅限于隔墻處,不受PCB上元器件布局的影響;
采用本發(fā)明的漏錫槽,末級功放放大器之間的隔墻處松香和焊錫均儲存在漏錫槽中,改善了焊接質(zhì)量。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已,并不用于限制本發(fā)明,對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說,本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。