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離子源的制作方法與工藝

文檔序號:11970951閱讀:來源:國知局
技術(shù)總結(jié)
提供能夠除去不需要的離子的離子源。靶材(2)配置在被排氣成真空的真空容器(1)內(nèi),且通過激光的照射而產(chǎn)生多個價數(shù)的離子。加速電極(4)被施加電壓,以使由靶材(2)產(chǎn)生的離子加速。中間電極(5)設(shè)置在靶材(2)與加速電極(4)之間,且被施加與施加于加速電極(4)的電壓反向的電壓。

技術(shù)研發(fā)人員:角谷晶子;橋本清;佐藤潔和;長內(nèi)昭宏;吉行健;來棲努
受保護的技術(shù)使用者:株式會社東芝
文檔號碼:201310064976
技術(shù)研發(fā)日:2013.03.01
技術(shù)公布日:2017.04.12

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