專利名稱：可調(diào)體偏置電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及可調(diào)體偏置電路及方法。
背景技術(shù)：
高性能和低功率設(shè)計(jì)方案經(jīng)常性的競爭目的可以要求復(fù)雜的體系結(jié)構(gòu)以及對(duì)于電路設(shè)計(jì)的電路優(yōu)化。功率和性能折衷可能要求不同的設(shè)計(jì)選擇。半導(dǎo)體電路的體偏置(body biasing，縮寫為“BB”)促進(jìn)了調(diào)節(jié)功能，其可以改善諸如速度、功耗或者泄露之類的電路參數(shù)。BB也可以通過在已經(jīng)制造了集成芯片(IC)之后進(jìn)行調(diào)節(jié)來補(bǔ)償工藝相關(guān)的性能分散。存在依賴于所施加偏置的對(duì)于體偏置的折衷。正向體偏置(FBB)通常將增加數(shù)字電路的性能，以增加泄露為代價(jià)。FBB由于改進(jìn)的短溝道效應(yīng)可以擴(kuò)展體CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)的尺度限制。反向體偏置(RBB)通常將減小泄露功率，以低電路速度為代價(jià)。RBB對(duì)于給定性能代價(jià)比非最小溝道長度晶體管提供了更高的泄露補(bǔ)償，提供了減小的VDD或者在70nm CMOS中的堆疊效應(yīng)。盡管在現(xiàn)代體CMOS技術(shù)中BB可以是用于實(shí)現(xiàn)更好的設(shè)計(jì)規(guī)范和增加的電路魯棒性的有吸引力的硅調(diào)節(jié)技術(shù)，但復(fù)雜的集成電路可以包括多個(gè)不同的電路部分，每一個(gè)部分具有不同的調(diào)節(jié)要求。此外，電路的所需性能特性可以在電路的使用期間改變。

發(fā)明內(nèi)容
本公開的各種示例實(shí)施例涉及體偏置方案并且涉及解決包括這里討論的在內(nèi)的各種挑戰(zhàn)。根據(jù)本公開的示例實(shí)施例，兩個(gè)體偏置島(BBI)是根據(jù)第一模式進(jìn)行偏置的體，每一個(gè)體偏置島均包含至少一個(gè)相應(yīng)的阱。然后改變體偏置以適應(yīng)第二模式?？梢詮捏w偏置電壓源(例如，正向電壓源、反向電壓源或者額定電壓源)提供體偏置，并且在至少一種模式中，可以在兩個(gè)阱之間共享電壓源。本公開的實(shí)施例涉及一種電路設(shè)備，所述電路設(shè)備包括第一體偏置島，所述第一體偏置島配置用于允許向至少一個(gè)阱施加體偏置。第二體偏置島配置用于向至少第二阱提供體偏置。體偏置開關(guān)電路配置和設(shè)置用于響應(yīng)于偏置模式輸入按照不同的模式工作。所述不同的模式包括控制與第一阱和第二阱相連的開關(guān)。第一模式將第一阱和第二阱兩者都設(shè)置為第一偏置條件，所述第一偏置條件針對(duì)第一阱和第二阱的每一個(gè)包括反向體偏置、額定體偏置和正向體偏置之一。第二模式將第一阱和第二阱設(shè)置為第二偏置條件，所述第二偏置條件針對(duì)第一阱包括反向體偏置、額定體偏置和正向體偏置的不同之一。根據(jù)本公開的其他實(shí)施例，一種方法包括響應(yīng)于偏置模式輸入，通過控制體偏置開關(guān)電路的開關(guān)將第一體偏置島的第一阱和第二體偏置島的第二阱設(shè)置為第一偏置模式。使用反向體偏置、額定體偏置和正向體偏置之一對(duì)第一阱進(jìn)行偏置。使用反向體偏置、額定體偏置和正向體偏置之一對(duì)第二阱進(jìn)行偏置。響應(yīng)于偏置模式輸入，通過控制體偏置開關(guān)電路的開關(guān)將第一體偏置島的第一阱和第二體偏置島的第二阱設(shè)置為第二偏置模式。第二偏置模式包括使用反向體偏置、額定體偏置和正向體偏置的另一個(gè)改變第一阱的體偏置并且控制第二阱的體偏置。本公開的各種實(shí)施例涉及體偏置開關(guān)電路，所述體偏置開關(guān)電路配置和設(shè)置用于響應(yīng)于偏置模式輸入來按照不同模式工作。所述不同模式包括控制與第一體偏置島中的第一阱相連以及與第二偏置島中的第二阱相連的開關(guān)。第一模式將第一阱和第二阱的每一個(gè)設(shè)置為第一偏置條件，所述第一偏置條件包括針對(duì)第一阱和第二阱的每一個(gè)的反向體偏置、額定體偏置和正向體偏置之一。第二模式將第一阱和第二阱的每一個(gè)設(shè)置為第二偏置條件，所述第二偏置條件包括針對(duì)第一阱的反向體偏置、額定體偏置和正向體偏置的不同一個(gè)。以上討論并非意圖描述本公開的每一個(gè)實(shí)施例或者每一種實(shí)現(xiàn)。附圖和以下描述也例證了各種實(shí)施例。


考慮結(jié)合附圖的以下詳細(xì)描述，可以更加全面地理解各種示例實(shí)施例，其中圖I描述了根據(jù)本公開實(shí)施例的包括兩個(gè)體偏置島(BBI)和BBI開關(guān)的系統(tǒng)圖；圖2描述了根據(jù)本公開實(shí)施例的用于向多個(gè)BBI提供多個(gè)偏置電壓的系統(tǒng)圖；圖3描述了根據(jù)本公開實(shí)施例的示出了多個(gè)BBI的BB可縮放性(scalability)的系統(tǒng)圖；圖4描述了根據(jù)本公開實(shí)施例的BBI開關(guān)的電路部件；以及圖5描述了根據(jù)本公開實(shí)施例的額定(nominal)體偏置(NBB)開關(guān)的電路部件。
具體實(shí)施例方式盡管本公開可以修改為各種改進(jìn)和替代形式，在附圖中作為示例示出了其細(xì)節(jié)并且將進(jìn)行詳細(xì)描述。然而應(yīng)該理解的是本發(fā)明并未將本公開局限于所述的具體實(shí)施例。相反，本公開意圖覆蓋落在本公開范圍內(nèi)的所有修改、等價(jià)和替代，包括在權(quán)利要求中限定的方面。相信本公開可以應(yīng)用于多種不同類型的電路、裝置和方法，用于和/或包含電路部件(包括但是不必局限于N阱和/或P阱)的體偏置，以改進(jìn)位于電路部件中的電路部件的各個(gè)功能方面。盡管本公開不必局限于上下文中，通過相關(guān)示例的討論可以理解本公開的各個(gè)方面。盡管本公開的各個(gè)方面涉及具有N阱或P阱的傳統(tǒng)體材料-CMOS技術(shù)，本公開不必這樣限制。例如,這里討論的體系概念和相關(guān)方法可以結(jié)合絕緣體上硅(SOI)CMOS技術(shù)或者其中可能不存在N阱或P阱的其他技術(shù)來使用。例如，SOI-CMOS器件可以使用部分耗盡的SIO技術(shù)并且具有晶體管本體?？梢酝ㄟ^阱觸點(diǎn)接觸單獨(dú)晶體管的本體，向這種SOI器件施加體偏置。其他技術(shù)包括雙FET、多FET或者鰭狀FET，其中不存在N阱、P阱或者與晶體管本體的觸點(diǎn)。代替地，可以在其他柵極用于正常信令的同時(shí)，通過使用晶體管柵極之一用于Vth(閾值電壓)調(diào)制來進(jìn)行體偏置。體偏置(BB)是這樣的技術(shù)在已經(jīng)制造了集成電路之后，能夠進(jìn)行MOS器件的閾值電壓的調(diào)節(jié)。對(duì)于傳統(tǒng)的CMOS器件，通過改變N阱或者P阱電壓電勢、器件本體和源極之間的電壓(例如VBS)來提供控制。VBS和NMOS晶體管閾值電壓Vth之間的依賴關(guān)系是 Vth = 十山2#/: — ^bs — 'I )其中Vthtl是依賴于技術(shù)的閾值電壓，Y是體因子或體系數(shù)，以及2 是強(qiáng)反型下的表面電勢。Vbs和Vth之間的關(guān)系是非線性的。并且，Y的值確定了 BB對(duì)于Vth控制的靈敏度。作為示例，考慮NMOS器件的情況。當(dāng)將體-源極電勢(在CMOS電路中Vpwell = Vbs)負(fù)偏置時(shí)，Vth增加。這稱作反向體偏置(RBB)。替代地，當(dāng)將體-源電勢正偏置時(shí)，Vth減少。這稱作正向體偏置(FBB)。這同樣適用于PMOS器件，然而，電壓電勢極性相反(在CMOS電路中，Vnwell = Vdd-Vbs)。因此，F(xiàn)BB減小了晶體管的閾值電壓(Vth)，從而增加了導(dǎo)通電流，進(jìn)而增加了電路速度。不幸的是作為Vth減小的結(jié)果，在FBB下晶體管泄露也增加。因?yàn)殚_關(guān)/動(dòng)態(tài)功率通 常是這種條件下電路中總功耗的最大部分，在電路處于激活地開關(guān)狀態(tài)的情況下這不是個(gè) 大問題。與源極電壓相比RBB降低了 NMOS晶體管體電壓，和/或與源極電壓相比RBB增加了 PMOS晶體管體電壓。按照這種方式，RBB增加了晶體管的Vth，從而減小了泄露；然而這種優(yōu)點(diǎn)通常導(dǎo)致更慢的開關(guān)速度，使其對(duì)于激活高速電路是不利的。因此，RBB在應(yīng)用于待機(jī)模式工作時(shí)可以實(shí)現(xiàn)顯著的功率減小，并且當(dāng)與電源電壓縮放結(jié)合使用時(shí)進(jìn)一步充分利用了其電勢。本公開的各個(gè)方面認(rèn)識(shí)到電路/芯片可以根據(jù)多個(gè)示例功率模式工作，并且可以將這些功率模式與體偏置相鏈接。高性能/激活模式包括針對(duì)速度的BB優(yōu)化(例如，利用FBB)，正常模式可以針對(duì)速度和泄露的組合進(jìn)行優(yōu)化(例如，利用額定體偏置(NBB))，以及待機(jī)/低泄露模式可以針對(duì)泄露進(jìn)行優(yōu)化(例如，利用RBB)。特定的實(shí)施例涉及包括BB的選擇性施加的模式，使得不是將每一個(gè)BB狀態(tài)均勻地施加至整個(gè)電路。例如，可以將FBB施加至電路的包含速度關(guān)鍵電路部分的那部分(范圍)，而可以將RBB施加至不包含速度關(guān)鍵電路部分的另一個(gè)范圍。體偏置要求針對(duì)N阱和P阱電壓的電壓發(fā)生。FBB電壓發(fā)生器的要求通常與RBB電壓發(fā)生器的要求不同。示例FBB發(fā)生器可以設(shè)計(jì)為能夠供給/匯入由于正向偏置結(jié)二極管導(dǎo)致的較大阱電流(mA范圍)，提供阱電壓轉(zhuǎn)變的高轉(zhuǎn)換率(slew rate)(例如100_500mV/us)，以及提供低功耗(例如，最高至0.5mA激活電流是可接受的)。RBB發(fā)生器可以設(shè)計(jì)為能夠供給/匯入由于帶-帶隧穿電流導(dǎo)致的較小阱電流(uA范圍)，提供阱電壓轉(zhuǎn)變的最適度的轉(zhuǎn)換率(即，最高至lOmV/us)，并且提供低功耗(S卩，最高至500nA的激活電流是可接受的)。因此，可以將FBB和RBB發(fā)生器設(shè)計(jì)為分離的電路。本公開的各方面涉及BB體系結(jié)構(gòu)，其支持在相同芯片內(nèi)在不同位置處同時(shí)地、或者在相同的位置不同時(shí)地協(xié)同使用不同的BB。所述體系結(jié)構(gòu)促進(jìn)了優(yōu)化的(和最少量的)FBB和RBB發(fā)生器電路的使用，其對(duì)于不同功率工作模式下的芯片規(guī)范是有益的。本公開的實(shí)施例涉及以下特征的一個(gè)或多個(gè)利用體偏置進(jìn)行動(dòng)態(tài)功率性能管理；通過只對(duì)速度關(guān)鍵部分進(jìn)行加速來在最小功率下利用FBB增加芯片速度；利用FBB對(duì)于具有增加芯片速度的相同芯片，利用RBB減小了芯片泄露；在邏輯和/或存儲(chǔ)器和/或模擬知識(shí)產(chǎn)權(quán)核心(IP塊)的設(shè)計(jì)中的靈活性；全集成；無需外部部件的解決方案；應(yīng)用至給定系統(tǒng)芯片內(nèi)的不同電路區(qū)域的可縮放解決方案；和/或在不同復(fù)雜度的系統(tǒng)芯片中應(yīng)用的可縮放解決方案。本公開的各種實(shí)現(xiàn)涉及全套功能塊，其提供在整個(gè)集成電路芯片的不同體偏置電壓的協(xié)同使用。這里的一些描述假定芯片設(shè)計(jì)的存在，所述芯片設(shè)計(jì)具有按照相同的電源電壓操作的兩個(gè)電壓范圍、但是可以設(shè)置為不同的體偏置。可以將這些電壓范圍稱作體偏置島出81)1和8812。不失一般性，可以針對(duì)BBI I在不同的時(shí)刻選擇性地施加FBB、NBB或RBB，而BBI 2可以使用NBB或RBB。根據(jù)各種實(shí)施例，兩個(gè)島都具有其自己的三阱屏蔽，并且不共享N阱和P阱。本公開的實(shí)施例包括設(shè)計(jì)用于響應(yīng)于偏置模式輸入按照不同規(guī)定模式工作的電 路。所述模式與針對(duì)多個(gè)BBI的不同偏置設(shè)置相對(duì)應(yīng)。例如，第一模式可以包括將第一 BBI設(shè)置為FBB狀態(tài)并且將第二 BBI設(shè)置為NBB狀態(tài)。該模式考慮了這樣的情況第一 BBI包括受益于FBB狀態(tài)的高速部件，而第二 BBI包括具有非緊迫速度要求的部件。兩個(gè)BBI上的部件可以按照其最高工作速度工作。因此，第一模式可以表示激活模式。第二模式可以包括將第一 BBI設(shè)置為RBB狀態(tài)，以及將第二 BBI也設(shè)置為RBB狀態(tài)。這種第二模式減小了針對(duì)兩個(gè)BBI的泄露電流，其結(jié)果是當(dāng)BBI上的部件非激活時(shí)顯著的功率節(jié)省。因此，這種第二模式可以表示非激活模式或者功率節(jié)省模式。根據(jù)本公開的其他實(shí)施例，可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)或多個(gè)附加偏置模式。例如，中間模式可以將兩個(gè)BBI設(shè)置為NBB狀態(tài)。這允許兩個(gè)BBI上的部件都按照中間速度工作。因此，設(shè)備可以響應(yīng)于改變處理需求來改變偏置模式。作為非限制性示例，智能電話可以在激活電話(或者因特網(wǎng)連接)和/或同時(shí)執(zhí)行其他處理密集功能的視頻處理期間按照第一高功率模式(利用FBB和NBB)操作。當(dāng)不存在激活的電話時(shí)同樣的智能電話可以按照中間模式(利用NBB)操作，但是用戶使用智能電話的其他功能(例如，允許應(yīng)用程序或者訪問智能電話的各種特性)。當(dāng)不再激活地使用所述智能電話時(shí)，其可以按照功率節(jié)省模式(利用RBB)操作。本公開的各種方面涉及電路，所述電路促進(jìn)了公共偏置電壓源電路的使用，以向多個(gè)BBI提供偏置電壓，同時(shí)也提供這里討論的多偏置模式。BBI開關(guān)可以用于將偏置電壓與一個(gè)或多個(gè)BBI選擇性地鏈接。一個(gè)或多個(gè)偏置電壓源電路可以配置有隔離/三態(tài)電路，以允許選擇性地使用所產(chǎn)生的偏置電壓。這里更詳細(xì)地討論這些和其他方面的示例。現(xiàn)在回到附圖，圖I描述了根據(jù)本公開實(shí)施例的包括兩個(gè)BBI和BBI開關(guān)的系統(tǒng)圖。BBI 102和106包括N阱和P阱兩者。BBI也可以包括深N阱(DNW)，以收集在襯底中釋放的電荷，并且防止P阱彼此短路。BBI開關(guān)104響應(yīng)于啟用信號(hào)(例如ena_n)提供BBII和BBI 2的N阱和/或P阱之間的電連接性。BBI開關(guān)104也響應(yīng)于啟用信號(hào)將BBI I和BBI 2的N阱和/或P阱彼此隔離。這允許BBI 102和104按照相同的體偏置或者按照不同的體偏置條件操作。本公開的各個(gè)方面涉及一些實(shí)施例，其中一個(gè)或多個(gè)公共偏置電壓發(fā)生器(FBB、RBB或NBB發(fā)生器)可以用于BBI 102和106的每一個(gè)。當(dāng)BBI開關(guān)104激活時(shí)，電壓發(fā)生器可以向BBI 102和106兩者都提供偏置電壓。例如，RBB偏置電壓發(fā)生器可以與BBI 106的N阱(和/或P阱)相連。當(dāng)BBI開關(guān)104激活時(shí)，將RBB偏置電壓發(fā)生器的輸出也提供給BBI 102的N阱(和/或P阱)。因此，單獨(dú)的RBB偏置電壓發(fā)生器可以用于將BBI 102和106兩者都設(shè)置為RBB狀態(tài)。然而當(dāng)BBI開關(guān)非激活時(shí)，可以向BBI 102和106提供不同的體偏置，因?yàn)樗鼈冇行У乇舜烁綦x。根據(jù)本公開的特定實(shí)施例，提供BBI開關(guān)104’的啟用信號(hào)以便于一個(gè)或多個(gè)偏置模式的使用。第一偏置模式包括在BBI 102和10之間共享的偏置電壓，而第二偏置模式包括針對(duì)BBI 102和106的兩個(gè)不同偏置電壓。作為非限制示例，第一偏置模式可以實(shí)現(xiàn)為對(duì)于BBI 102和106兩者具有RBB狀態(tài)，而第二偏置模式可以實(shí)現(xiàn)為對(duì)于BBI之一具有FBB狀態(tài)，而對(duì)于BBI的另一個(gè)具有NBB狀態(tài)。圖2描述了根據(jù)本公開實(shí)施例的用于向多個(gè)BBI提供多個(gè)偏置電壓的系統(tǒng)圖。BBI開關(guān)204可以響應(yīng)于啟用信號(hào)(例如，ena_n_bbisw)將BBI202和206的N阱和P阱彼此隔離或相連。FBB偏置電壓發(fā)生器208與BBI 202的N阱和P阱相連。RBB偏置電壓發(fā)生器210與BBI 206的N阱和P阱相連。NBB開關(guān)214可以將BBI 206的N阱和P阱與額定偏置電壓(例如，針對(duì)N阱的Vdd和針對(duì)P阱的Vss)隔離或相連。體偏置控制器212提供針·對(duì)開關(guān)和偏置電壓發(fā)生器的控制信號(hào)。偏置電壓發(fā)生器208和210包括隔離/三態(tài)輸出，所述隔離/三態(tài)輸出允許將其他偏置電壓提供給它們直接相連的BBI (及其N阱/P阱)。例如，當(dāng)BBI開關(guān)204激活時(shí)，兩個(gè)偏置電壓發(fā)生器208和210的至少一個(gè)與BBI202和206隔離。如果NBB開關(guān)214和BBI開關(guān)204兩個(gè)都激活，那么將偏置電壓發(fā)生器208和210兩者都隔離。圖2所述的系統(tǒng)允許使用多個(gè)不同的偏置模式，可以根據(jù)在系統(tǒng)上設(shè)置的需求來動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)所述偏置模式。表I示出了通過控制從BB控制器212提供給各種BBI開關(guān)和偏置電壓發(fā)生器的啟用信號(hào)可以實(shí)現(xiàn)的幾種不同偏置模式的可能中斷(break down) 0表I
體偏置模式 BBI I偏置 BBI 2偏置 高性能FBBNBB
正常性能 NBBNBB
低泄露RBBRBB
待機(jī) -1RBBRBB
待機(jī)-2未供電未供電在表2中描述了針對(duì)圖2部件的具體狀態(tài)。表權(quán)利要求
1.ー種基于電路的設(shè)備，包括 第一體偏置島，所述第一體偏置島配置用于向至少第一阱提供體偏置； 第二體偏置島，所述第二體偏置島配置用于向至少第二阱提供體偏置； 體偏置開關(guān)電路，配置和設(shè)置用于響應(yīng)于偏置模式輸入按照不同模式工作，所述不同模式包括與第一阱和第二阱相連的開關(guān)的控制，并且所述不同模式包括 第一模式，所述第一模式將第一阱和第二阱的每ー個(gè)設(shè)置為第一偏置條件，所述第一偏置條件包括針對(duì)第一阱和第二阱的每一個(gè)的反向體偏置、額定體偏置和正向體偏置之一；以及 第二模式，所述第二模式將第一阱和第二阱的每ー個(gè)設(shè)置為第二偏置條件，所述第二偏置條件包括針對(duì)所述第一阱的反向體偏置、額定體偏置和正向體偏置的不同之一。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其中所述第一偏置條件為第一阱和第二阱兩者提供相同的偏置，以及所述第二偏置條件為第一阱提供一種偏置并且為第二阱提供不同的第二種偏置。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，還包括正向體偏置產(chǎn)生電路，配置和設(shè)置用于 產(chǎn)生正向偏置電壓； 將所述正向偏置電壓提供給第一阱和第二阱的至少一個(gè)；以及 響應(yīng)于偏置模式輸入，將所述正向偏置電壓與第一阱和第二阱的所述至少一個(gè)相隔離。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其中所述體偏置開關(guān)電路還配置和設(shè)置用于按照第三模式工作，并且其中所述第一模式將第一阱和第二阱設(shè)置為反向體偏置，所述第二模式將第一阱設(shè)置為額定體偏置而將第二阱設(shè)置為正向體偏置，以及所述第三模式將第一阱和第ニ阱都設(shè)置為額定體偏置。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其中所述基于電路的設(shè)備包括一個(gè)或多個(gè)控制電路，所述控制電路配置用于響應(yīng)于針對(duì)第一阱和第二阱中的電路的當(dāng)前工作速度來產(chǎn)生偏置模式輸入。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，還包括第三島，所述第三島配置用于向至少第三阱提供體偏置，并且其中所述體偏置開關(guān)電路配置和設(shè)置用于響應(yīng)于偏置模式輸入將第三島的第三阱與第一阱和第二阱的每ー個(gè)相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其中所述第一阱是N阱，以及所述第一島還包括是P阱的第三阱，并且其中所述體偏置開關(guān)電路還配置和設(shè)置用于采用第一模式工作，將所述第三阱設(shè)置為第一偏置條件。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，還包括反向體偏置產(chǎn)生電路，配置和設(shè)置用于 產(chǎn)生反向偏置電壓； 將所述反向偏置電壓提供給第一阱和第二阱的至少一個(gè)；以及 響應(yīng)于偏置模式輸入，將所述反向偏置電壓與第一阱和第二阱的所述至少一個(gè)相隔離。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其中所述第一阱包括按照第一速度工作的電路部件，所述第二阱包括按照小于第一速度的第二速度工作的電路部件，以及其中所述第一偏置條件將第一阱設(shè)置為正向偏置條件并且將第二阱設(shè)置為額定偏置條件。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，還包括附加的體偏置島，每一個(gè)均具有通過另一個(gè)相應(yīng)的體偏置開關(guān)電路相連的相應(yīng)的阱，所述體偏置開關(guān)電路配置和設(shè)置用于按照不同的模式工作。
11.一種方法，包括 響應(yīng)于偏置模式輸入，通過以下步驟將第一體偏置島的第一阱和第二體偏置島的第二阱設(shè)置為第一偏置模式 控制體偏置開關(guān)電路的開關(guān)，以 使用反向體偏置、額定體偏置和正向體偏置之一對(duì)第一阱進(jìn)行偏置；以及 使用反向體偏置、額定體偏置和正向體偏置之一對(duì)第二阱進(jìn)行偏置；以及 響應(yīng)于偏置模式輸入，通過以下步驟將第一體偏置島的第一阱和第二體偏置島的第二阱設(shè)置為第二偏置模式 控制體偏置開關(guān)電路的開關(guān)，以 使用反向體偏置、額定體偏置和正向體偏置的另一個(gè)改變第一阱的偏置；以及 控制第二阱的偏置。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中對(duì)于第一偏置模式，第一講和第二講具有相同的偏置；以及對(duì)于第二偏置模式，第一阱和第二阱具有彼此不同的偏置模式。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括響應(yīng)于偏置模式輸入，將第一體偏置島的第一阱和第二體偏置島的第二阱設(shè)置為第三偏置模式。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一偏置模式是高性能模式，在高性能模式中將第一阱正向體偏置并且將第二阱額定體偏置，第二偏置模式是正常功率模式，在正常功率模式中將第一阱額定體偏置并且將第二阱額定體偏置，以及第三偏置模式是低功率模式，在低功率模式中將第一阱反向體偏置并且將第二阱反向體偏置。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括步驟響應(yīng)于偏置模式輸入，啟用正向體偏置電壓發(fā)生器電路的三態(tài)。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括步驟響應(yīng)于偏置模式輸入，啟用反向體偏置電壓發(fā)生器電路的三態(tài)。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括步驟響應(yīng)于偏置模式輸入，禁用將額定體偏置電壓與第二講相連的開關(guān)。
18.一種體偏置開關(guān)電路，配置和設(shè)置用于響應(yīng)于偏置模式輸入按照不同模式工作，所述不同模式包括控制與第一體偏置島中的第一阱和第二體偏置島中的第二阱相連的開關(guān)，并且所述不同模式包括 第一模式，所述第一模式將第一阱和第二阱的每一個(gè)設(shè)置為第一偏置條件，所述第一偏置條件包括針對(duì)第一阱和第二阱的每一個(gè)的反向體偏置、額定體偏置和正向體偏置之一；以及 第二模式，所述第二模式將第一阱和第二阱的每一個(gè)設(shè)置為第二偏置條件，所述第二偏置條件包括針對(duì)所述第一阱的反向體偏置、額定體偏置和正向體偏置的不同之一。
全文摘要
在各種不同的示例中實(shí)現(xiàn)了體偏置電路和方法。一個(gè)這種示例包括通過控制體偏置開關(guān)電路的開關(guān)，將第一體偏置島的第一阱和第二體偏置島的第二阱設(shè)置為第一偏置模式。所述偏置是反向體偏置、額定體偏置和正向體偏置之一。還根據(jù)反向體偏置、額定體偏置和正向體偏置之一對(duì)第二阱進(jìn)行偏置。響應(yīng)于偏置模式輸入，通過控制體偏置開關(guān)電路的開關(guān)將第一體偏置島的第一阱和第二體偏置島的第二阱每一個(gè)均設(shè)置為第二偏置模式?？梢愿淖兊谝悔搴偷诙宓钠?。
文檔編號(hào)H03K19/00GK102957413SQ20121027904
公開日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2012年8月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月12日
發(fā)明者倫澤·邁耶, 卡斯·格魯特, 杰拉爾德·維勒·皮蓋 申請(qǐng)人:Nxp股份有限公司