專利名稱：Rc振蕩器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種帶內(nèi)外遲滯比較器的高精度頻率可調(diào)的RC振蕩器。
背景技術(shù)：
一般情況下，RC振蕩器通過對電阻電容的充放電延時來產(chǎn)生振蕩頻率，所產(chǎn)生的頻率容易受到電源電壓、溫度的影響，為了克服電源電壓和溫度對RC振蕩器輸出頻率的影響，眾多設(shè)計和發(fā)明提出了高精度的Re振蕩器，如圖I所示，為目前帶雙比較器的高精度RC振蕩器的結(jié)構(gòu)圖，由充放電電容CO，比較器Al和A2，RS觸發(fā)器，基準(zhǔn)電壓源產(chǎn)生電路，充放電電流產(chǎn)生電路和充放電控制電路組成。充放電電路提供充放電電流Ic，通常Ic不受電源電壓和溫度的影響，Veefi和Vkef2由電壓基準(zhǔn)產(chǎn)生，與電源電壓和溫度無關(guān)?！ど鲜稣袷幤鹘档土嘶鶞?zhǔn)電流和基準(zhǔn)電壓對電源電壓與溫度的依賴性，從而降低電源電壓與溫度對輸出頻率的影響；另外，對于某些特定應(yīng)用，需要通過調(diào)節(jié)輸出頻率以適應(yīng)電路某些特定功能，而上述振蕩器中R和C都集成在芯片上，頻率調(diào)節(jié)困難，適用范圍窄；同時采用雙比較器結(jié)構(gòu)，這在降低電源電壓對輸出頻率影響的同時，也給電路帶來了新的問題，即雙比較器的輸入失調(diào)電壓不一樣，設(shè)雙比較器的輸入失調(diào)電壓分別為Vtfil和Vtfi2,兩者之差I(lǐng)Vtfil-Vre2I高達(dá)mV級，且都是溫度敏感的量，從而導(dǎo)致輸出頻率仍然受到溫度的影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有的RC振蕩器存在的上述問題，提出了一種RC振蕩器。本發(fā)明的技術(shù)方案是一種RC振蕩器,包括偏置電壓產(chǎn)生電路、充放電電流產(chǎn)生電路、充放電電路、外部遲滯電壓產(chǎn)生和選通電路、內(nèi)部遲滯比較器和反饋控制信號產(chǎn)生電路，其中，所述的偏置電壓產(chǎn)生電路用于產(chǎn)生三路基準(zhǔn)電壓，充放電電流產(chǎn)生電路用于產(chǎn)生輸入到充放電電路的電流和內(nèi)部遲滯比較器的偏置電流，充放電電路在反饋控制信號產(chǎn)生電路產(chǎn)生的第一反饋信號的控制下輸出三角波信號至內(nèi)部遲滯比較器的負(fù)向輸入端；外部遲滯電壓產(chǎn)生和選通電路在反饋控制信號產(chǎn)生電路產(chǎn)生的第一反饋信號和第二反饋信號的控制下將輸入的第一路基準(zhǔn)電壓和第二路基準(zhǔn)電壓選通為第一路基準(zhǔn)電壓或第二路基準(zhǔn)電壓接至內(nèi)部遲滯比較器的正向輸入端，內(nèi)部遲滯比較器的輸出端與反饋控制信號產(chǎn)生電路的輸入端相連接并作為所述RC振蕩器的輸出端。進一步的，所述的偏置電壓產(chǎn)生電路，包括電阻Rl、R2、R3和R3，電容Cll和C12，其中，電阻Rl的第一端接外部的電源電壓，電阻Rl的第二端與電阻R2的第一端相連接，電阻R2的第二端與電阻R3的第一端相連接，電阻R3的第二端與電阻R4的第一端相連接，電阻R4的第二端接地，電阻R3的第二端通過電容Cll接地并輸出第一路基準(zhǔn)電壓，電阻R2的第二端通過電容C12接地并輸出第二路基準(zhǔn)電壓，電阻Rl的第二端輸出第三路基準(zhǔn)電壓。
進一步的，所述的充放電電流產(chǎn)生電路包括溫度系數(shù)相反的電阻R5和R6、第一運算放大器和PMOS管MO，其中，電阻R5的第一端接外部的電源電壓，電阻R5的第二端接電阻R6的第一端，電阻R6的第二端接第一運算放大器的負(fù)向輸入端和PMOS管MO的源極，運算放大器的正向輸入端接偏置電壓產(chǎn)生電路輸出的第二路基準(zhǔn)電壓，運算放大器的輸出接PMOS管MO的柵極，PMOS管MO的漏極作為所述充放電電流產(chǎn)生電路的輸出端。進一步的，所述的充放電電路包括NMOS管M5、M6、M7、M8、M9、M10、Mil, PMOS管M12、M13及充放電電容CO，其中，NMOS管M6的漏極接NMOS管M5的源極，柵極接外部的使能信號，源極接地；M8的漏極接M7的源極，柵極接外部的使能信號，源極接地，M5柵漏短接作為所述充放電電路的輸入端；M7管柵極接M5的柵極，漏極接NMOS管Mll的源極，源極接
M8的漏極；M9管柵極接M5的柵極，漏極接PMOS管M13的漏極并作為所述充放電電路的輸出端，源極接MlO的漏極，M12柵漏短接，并接Mll的漏極與M13的柵極，源極接外部電源電壓；M13的柵極接M12的柵極，漏極作為充放電電路的輸出端，源極接外部電源電壓；M11的柵極接偏置電壓產(chǎn)生電路輸出的第三路基準(zhǔn)電壓，漏極接M12的漏，源極接M7的漏極；充放電電容CO —端接M13的漏極，另一端接地;M10的柵極作為所述充放電電路的反饋控制端用于接收反饋控制信號產(chǎn)生電路產(chǎn)生的第一反饋信號，MlO的漏極接M9的源極，MlO的源極接地。進一步的，所述反饋控制信號產(chǎn)生電路，包括第一反相器和第二反相器，其中，第一反相器的輸入端作為所述反饋控制信號產(chǎn)生電路的輸入端，第一反相器的輸出端與第二反相器的輸入端相連接，第一反相器的輸出端輸出所述反饋控制信號產(chǎn)生電路的第一反饋信號，第二反相器的輸出端輸出所述反饋控制信號產(chǎn)生電路的第二反饋信號。進一步的，所述外部遲滯電壓產(chǎn)生和選通電路包括NMOS管M14、M15和PMOS管M16、M17，其中，M14的漏極和M16的源極接偏置電壓產(chǎn)生電路輸出的第二路基準(zhǔn)電壓，M14的柵極和M17的柵極接反饋控制信號產(chǎn)生電路的產(chǎn)生的第二反饋信號，M14的源極接M15的漏極，且接至M16的漏極、M17的源極并作為外部遲滯電壓產(chǎn)生和選通電路的輸出端；M15的源極和M17的漏極接偏置電壓產(chǎn)生電路輸出的第一路基準(zhǔn)電壓，M15的柵極和M16的柵極接反饋控制信號產(chǎn)生電路的產(chǎn)生的第一反饋信號。進一步的，所述內(nèi)部遲滯比較器，包括三對電流鏡、一個偏置產(chǎn)生電路、折疊式共源共柵輸入級電路、內(nèi)部遲滯的中間級電路和共源級的PMOS管輸出級電路；其中，第一對電流鏡包括NMOS管M220、M221、M222、M223和M224 ;第二對電流鏡包括PMOS管M230、M231、M232 ;第三對電流鏡包括NMOS管M242和M246 ;偏置產(chǎn)生電路由NMOS管M235、M236 ;折疊式共源共柵輸入級電路包括PMOS管M233、M234 ;內(nèi)部遲滯的中間級電路包括 NMOS 管 M237、M238 和 PMOS 管 M239、M240、M241、M243、M244、M245 ;共源極的PMOS管輸出級電路包括PMOS管M247 ；具體連接關(guān)系如下M220的柵漏短接作為所述內(nèi)部遲滯比較器的偏置電流端，及M221-M224的源極接地；M221的漏極接M230的漏極，柵極接M220的柵極，源極接地；M222的漏極接M237的源極，柵極接M220的柵極，源極接地；M223的漏極接M238的源極，柵極接M220的柵極，源極接地；M224的漏極接M247的漏極，柵極接M220的柵極，源極接地；M230的柵漏短接，并接至M231、M232的柵極和M221的漏極，源極接外部電源電壓；M231的漏極接M233的源極、M234的源極，柵極接M230的柵極，源極接外部電源電壓；M232的漏極接M235的柵極和漏極，柵極接M230的柵極，源極接外部電源電壓；M242的柵漏短接，并接至M241漏極，源極接地；M246的漏極接M245漏極，柵極接M242的柵極，源極接地；M235的柵漏短接，并接M232的漏極和M236的柵極，源極接M236的漏極；M236的漏極接M235的源極，柵極接M235的柵極，源極接地；M233的源極接M231的漏極，柵極作為內(nèi)部遲滯比較器的負(fù)向輸入端，漏極接M223的漏，襯底接M231的漏極；M234的源極接M231的漏，柵極作為內(nèi)部遲滯比較器的正向輸入端，漏極接M222的漏極，襯底接M231的漏極；M237的漏極接M239和M244的漏極，柵極和M238的柵極接一起，并接至M235的漏極，源極接M234的漏極；M238的漏極接M240和M243的漏極，柵極和M237的柵極接一起，·并接M235的漏極，源極接M233的漏極；M239的漏柵短接，并接至M237的漏極和M240、M241的柵極，源極接外部電源電壓；M240的漏極接M238的漏極，柵極接M239的柵極，源極接外部電源電壓；M241的漏極接M242的漏極，柵極接M239的柵極，源極接外部電源電壓；M243的漏柵短接，并接至M238的漏和M244的柵極、M245的柵極，源極接外部電源電壓；M244的漏極接M237的漏極，柵極接M243的柵極，源極接外部電源電壓；M245的漏極接M246的漏極和PMOS管M247的柵極，柵極接M243的柵極，源極接外部電源電壓；M247的柵極接M245的漏極，源極接外部電源電壓，漏極作為所述內(nèi)部遲滯比較器的輸出端。本發(fā)明的有益效果本發(fā)明的RC振蕩器采用內(nèi)外遲滯比較器，使得基準(zhǔn)電流和基準(zhǔn)電壓都隨外部電源電壓的變化而變化，從而克服電源電壓對輸出頻率的影響；同時，采用不同溫度系數(shù)的電阻使得基準(zhǔn)電流不受溫度的影響；而且整個結(jié)構(gòu)采用一個比較器，克服了雙比較器中輸入失調(diào)電壓帶來的溫度對輸出頻率的影響，而且采用外接電阻調(diào)節(jié)頻率范圍，尤其適合EL燈的驅(qū)動，調(diào)節(jié)頻率改變燈的顏色。


圖I是現(xiàn)有的采用雙比較器的高精度RC振蕩器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明的RC振蕩器結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明實施例偏置電壓產(chǎn)生電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明RC振蕩器一種具體結(jié)構(gòu)示意圖，其中101、充放電電流產(chǎn)生電路；102、充放電電路；103、外部遲滯電壓產(chǎn)生和選通電路；104、反饋控制信號產(chǎn)生電路。圖5是本發(fā)明實施例內(nèi)部遲滯比較器的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式下面根據(jù)附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步的詳細(xì)說明。本發(fā)明的RC振蕩器結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示，包括、充放電電流產(chǎn)生電路101、充放電電路102、外部遲滯電壓產(chǎn)生和選通電路103、內(nèi)部遲滯比較器A2、反饋控制信號產(chǎn)生電路104和偏置電壓產(chǎn)生電路105，其中，偏置電壓產(chǎn)生電路105用于產(chǎn)生三路基準(zhǔn)電壓Vrefl> Vref2和Vref3，充放電電流產(chǎn)生電路用于產(chǎn)生輸入到充放電電路的電流和內(nèi)部遲滯比較器的偏置電流IMf，充放電電路在反饋控制信號產(chǎn)生電路產(chǎn)生的第一反饋信號al的控制下輸出三角波信號至內(nèi)部遲滯比較器的負(fù)向輸入端；外部遲滯電壓產(chǎn)生和選通電路在反饋控制信號產(chǎn)生電路產(chǎn)生的第一反饋信號al和第二反饋信號a2的控制下將輸入的第一路基準(zhǔn)電壓VMfl和第二路基準(zhǔn)電壓VMf2選通為第一路基準(zhǔn)電壓Vrefl或第二路基準(zhǔn)電壓VMf2接至內(nèi)部遲滯比較器的正向輸入端，內(nèi)部遲滯比較器的輸出端與反饋控制信號產(chǎn)生電路的輸入端相連接并作為所述RC振蕩器的輸出端Vout。圖3給出了偏置電壓產(chǎn)生電路105的一種實現(xiàn)形式，由電阻Rl、R2、R3和R4分壓得基準(zhǔn)電壓Vrefl、Vref2和Vref3，其中，Rl正端接VDD，負(fù)端接Vref3 ；R2正端接Vref3,負(fù)端接Vref2 ；R5正端接V,ef2，負(fù)端接Vrefl ；R6正端接V,efl，負(fù)端接地；該電路還包括兩個電容，分別是Cll和C12，C11正極接VMfl，負(fù)極接地；C12正極接VMf2，負(fù)極接地；兩個電容的作用是實現(xiàn)基準(zhǔn)電壓的穩(wěn)定。Vrefl和VMf2通過傳輸門接到內(nèi)部遲滯比較器的正輸入端，且VMf2為充放電電流產(chǎn)生電路中的運算放大器提供正相輸入電壓，Vref3為充放電電路提供偏置電壓。上述分壓電阻的溫度特性一致，克服了基準(zhǔn)電壓受溫度的影響。上述基準(zhǔn)電壓可以由其他相似方案產(chǎn)生，基本理論是產(chǎn)生不受溫度影響且跟電源電壓成線性關(guān)系的基準(zhǔn)電壓，本實·施例中，C11=C12，假設(shè)所產(chǎn)生的基準(zhǔn)電壓為VMfl=kl*VDD，Vref2=k2*VDD, VMf3=k3*VDD，其中kl〈k2〈k3〈l。充放電電流產(chǎn)生電路，如圖4中的101所示，包括溫度系數(shù)相反的電阻R5和R6、運算放大器Al和PMOS管MO，產(chǎn)生基準(zhǔn)電流為I,ef，為電路提供充放電電流。這里的電阻R5可以為外接電阻，電阻R6可以為片上集成電阻。其中，R5的第一端接VDD，第二端接R6的第一端，R6的第二端接運算放大器和PMOS管MO，產(chǎn)生基準(zhǔn)電流為I,ef，為電路提供充放電電流。上述充放電電流產(chǎn)生電路也可以用其他類似的方法或電路實現(xiàn)，基本理論是產(chǎn)生不受溫度影響且和電源電壓VDD成線性關(guān)系的基準(zhǔn)電流。電路產(chǎn)生的基準(zhǔn)電流如式(I)所示，其中，V,ef2=k2*VDD，且不受溫度影響，R5和R6溫度系數(shù)相反，R5是多晶電阻，R6為擴散電阻，二者的溫度系數(shù)相反，合理設(shè)置參數(shù)可得到零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)電流IMf。
VDD - Vv,y (J-k2) VDDIref =-— =--( I )
f R5 + R6 {R5 + R6)"充放電電路，如圖4的102所示，包括兩對電流鏡、一個偏置MOS管和充放電電容CO，其中第一對電流鏡由NMOS管M5-M9組成。M6和M8是為了提高電流鏡的鏡像精度，M6的源極接M5的漏，柵極接外部的使能信號EN，源極接地；M8的源極接M7的漏，柵極接外部的使能信號EN，源極接地，上述使能信號提高了電路的性能，電路正常工作時，其值為VDD ；上述M5柵漏短接，且接充放電電流產(chǎn)生電路101中PMOS管的漏極和M7與M9的柵極，M5的源極接M6的漏；上述M7管柵極接M5的柵極，漏極接偏置NMOS管Ml I的源極，源極接M8的漏極；上述M9管柵極接M5的柵極，漏極接另一對電流鏡中PMOS管M13的漏極和內(nèi)部遲滯比較器的負(fù)相輸入端，源極接反饋控制信號產(chǎn)生電路的輸出。上述第二對電流鏡由PMOS管M12和M13組成，M12柵漏短接，并接偏置管Mll的漏極與M13的柵極，源極接VDD ；M13的柵極接M12的柵極，漏極接內(nèi)部遲滯比較器的負(fù)相輸入端，源極接VDD ;上述偏置管Mll的柵極接Vref3，漏極接M12的漏，源極接M7的漏；上述充放電電容CO正極接內(nèi)部遲滯比較器的負(fù)相輸入端，負(fù)極接地。上述流過M5的電流為IMf，這里的充放電電路可由其它相似電路實現(xiàn)。本實施例中，設(shè)鏡像關(guān)系為IM7=nl*Iref,IM9=n2*Iref, IM13=m*IM7=n3*Iref,其中，n3〈n2。設(shè)充放電電容CO上的電壓為VC0，內(nèi)外遲滯比較器的上翻轉(zhuǎn)電平為VH，內(nèi)外遲滯比較器的下翻轉(zhuǎn)電平為VL。當(dāng)VC0〈VH時，電容以Im13大小的電流充電，VCO升高；當(dāng)VC0>VH時，電容以(Im9-Im13)大小的電流放電，VCO降低；當(dāng)VC0〈VL時，電容又以Im13大小的電流開始充電，如此反復(fù)，從而確定振蕩器的頻率。電路的充電時間T。和放電時間Td分別如下所示
權(quán)利要求
1.一種RC振蕩器，包括偏置電壓產(chǎn)生電路、充放電電流產(chǎn)生電路、充放電電路、外部遲滯電壓產(chǎn)生和選通電路、內(nèi)部遲滯比較器和反饋控制信號產(chǎn)生電路，其中， 所述的偏置電壓產(chǎn)生電路用于產(chǎn)生三路基準(zhǔn)電壓，充放電電流產(chǎn)生電路用于產(chǎn)生輸入到充放電電路的電流和內(nèi)部遲滯比較器的偏置電流，充放電電路在反饋控制信號產(chǎn)生電路產(chǎn)生的第一反饋信號的控制下輸出三角波信號至內(nèi)部遲滯比較器的負(fù)向輸入端；外部遲滯電壓產(chǎn)生和選通電路在反饋控制信號產(chǎn)生電路產(chǎn)生的第一反饋信號和第二反饋信號的控制下將輸入的第一路基準(zhǔn)電壓和第二路基準(zhǔn)電壓選通為第一路基準(zhǔn)電壓或第二路基準(zhǔn)電壓接至內(nèi)部遲滯比較器的正向輸入端，內(nèi)部遲滯比較器的輸出端與反饋控制信號產(chǎn)生電路的輸入端相連接并作為所述RC振蕩器的輸出端。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的RC振蕩器，其特征在于，所述的偏置電壓產(chǎn)生電路，包括電阻RU R2、R3和R3，電容Cll和C12，其中，電阻Rl的第一端接外部的電源電壓，電阻Rl的第二端與電阻R2的第一端相連接，電阻R2的第二端與電阻R3的第一端相連接，電阻R3的第二端與電阻R4的第一端相連接，電阻R4的第二端接地，電阻R3的第二端通過電容Cll接地并輸出第一路基準(zhǔn)電壓，電阻R2的第二端通過電容C12接地并輸出第二路基準(zhǔn)電壓，電阻Rl的第二端輸出第三路基準(zhǔn)電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的RC振蕩器，其特征在于，所述的充放電電流產(chǎn)生電路包括溫度系數(shù)相反的電阻R5和R6、第一運算放大器和PMOS管MO，其中，電阻R5的第一端接外部的電源電壓，電阻R5的第二端接電阻R6的第一端，電阻R6的第二端接第一運算放大器的負(fù)向輸入端和PMOS管MO的源極，運算放大器的正向輸入端接偏置電壓產(chǎn)生電路輸出的第二路基準(zhǔn)電壓，運算放大器的輸出接PMOS管MO的柵極，PMOS管MO的漏極作為所述充放電電流產(chǎn)生電路的輸出端。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的RC振蕩器，其特征在于，所述的充放電電路包括NMOS管M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11，PM0S 管 Ml2、Ml3 及充放電電容 CO，其中，NMOS 管 M6 的漏極接 NMOS管M5的源極，柵極接外部的使能信號，源極接地；M8的漏極接M7的源極，柵極接外部的使能信號，源極接地，M5柵漏短接作為所述充放電電路的輸入端；M7管柵極接M5的柵極，漏極接NMOS管Mll的源極，源極接M8的漏極；M9管柵極接M5的柵極，漏極接PMOS管M13的漏極并作為所述充放電電路的輸出端，源極接MlO的漏極，M12柵漏短接，并接Mll的漏極與M13的柵極，源極接外部電源電壓；M13的柵極接M12的柵極，漏極作為充放電電路的輸出端，源極接外部電源電壓；M11的柵極接偏置電壓產(chǎn)生電路輸出的第三路基準(zhǔn)電壓，漏極接M12的漏，源極接M7的漏極；充放電電容CO —端接M13的漏極，另一端接地；M10的柵極作為所述充放電電路的反饋控制端用于接收反饋控制信號產(chǎn)生電路產(chǎn)生的第一反饋信號，MlO的漏極接M9的源極，MlO的源極接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的RC振蕩器，其特征在于，所述反饋控制信號產(chǎn)生電路，包括第一反相器和第二反相器，其中，第一反相器的輸入端作為所述反饋控制信號產(chǎn)生電路的輸入端，第一反相器的輸出端與第二反相器的輸入端相連接，第一反相器的輸出端輸出所述反饋控制信號產(chǎn)生電路的第一反饋信號，第二反相器的輸出端輸出所述反饋控制信號產(chǎn)生電路的第二反饋信號。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的RC振蕩器，其特征在于，所述外部遲滯電壓產(chǎn)生和選通電路包括NMOS管M14、M15和PMOS管M16、M17，其中，M14的漏極和M16的源極接偏置電壓產(chǎn)生電路輸出的第二路基準(zhǔn)電壓，M14的柵極和M17的柵極接反饋控制信號產(chǎn)生電路的產(chǎn)生的第二反饋信號，M14的源極接M15的漏極，且接至M16的漏極、M17的源極并作為外部遲滯電壓產(chǎn)生和選通電路的輸出端；M15的源極和M17的漏極接偏置電壓產(chǎn)生電路輸出的第一路基準(zhǔn)電壓，M15的柵極和M16的柵極接反饋控制信號產(chǎn)生電路的產(chǎn)生的第一反饋信號。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的RC振蕩器，其特征在于，所述內(nèi)部遲滯比較器，包括三對電流鏡、一個偏置產(chǎn)生電路、折疊式共源共柵輸入級電路、內(nèi)部遲滯的中間級電路和共源級的PMOS管輸出級電路； 其中，第一對電流鏡包括NMOS管M220、M221、M222、M223和M224 ;第二對電流鏡包括PMOS管M230、M231、M232 ;第三對電流鏡包括NMOS管M242和M246 ;偏置產(chǎn)生電路由NMOS管M235、M236 ;折疊式共源共柵輸入級電路包括PMOS管M233、M234 ;內(nèi)部遲滯的中間級電路包括 NMOS 管 M237、M238 和 PMOS 管 M239、M240、M241、M243、M244、M245 ;共源級的 PMOS管輸出級電路包括PMOS管M247 ； 具體連接關(guān)系如下 M220的柵漏短接作為所述內(nèi)部遲滯比較器的偏置電流端，及M221-M224的源極接地；M221的漏極接M230的漏極，柵極接M220的柵極，源極接地；M222的漏極接M237的源極，柵極接M220的柵極，源極接地；M223的漏極接M238的源極，柵極接M220的柵極，源極接地；M224的漏極接M247的漏極，柵極接M220的柵極，源極接地； M230的柵漏短接，并接至M231、M232的柵極和M221的漏極，源極接外部電源電壓；M231的漏極接M233的源極、M234的源極，柵極接M230的柵極，源極接外部電源電壓；M232的漏極接M235的柵極和漏極，柵極接M230的柵極，源極接外部電源電壓； M242的柵漏短接，并接至M241漏極，源極接地；M246的漏極接M245漏極，柵極接M242的柵極，源極接地； M235的柵漏短接，并接M232的漏極和M236的柵極，源極接M236的漏極；M236的漏極接M235的源極，柵極接M235的柵極，源極接地； M233的源極接M231的漏極，柵極作為內(nèi)部遲滯比較器的負(fù)向輸入端，漏極接M223的漏，襯底接M231的漏極；M234的源極接M231的漏，柵極作為內(nèi)部遲滯比較器的正向輸入端，漏極接M222的漏極，襯底接M231的漏極； M237的漏極接M239和M244的漏極，柵極和M238的柵極接一起，并接至M235的漏極，源極接M234的漏極；M238的漏極接M240和M243的漏極，柵極和M237的柵極接一起，并接M235的漏極，源極接M233的漏極；M239的漏柵短接，并接至M237的漏極和M240、M241的柵極，源極接外部電源電壓；M240的漏極接M238的漏極，柵極接M239的柵極，源極接外部電源電壓；M241的漏極接M242的漏極，柵極接M239的柵極，源極接外部電源電壓；M243的漏柵短接，并接至M238的漏和M244的柵極、M245的柵極，源極接外部電源電壓；M244的漏極接M237的漏極，柵極接M243的柵極，源極接外部電源電壓；M245的漏極接M246的漏極和PMOS管M247的柵極，柵極接M243的柵極，源極接外部電源電壓； M247的柵極接M245的漏極，源極接外部電源電壓，漏極作為所述內(nèi)部遲滯比較器的輸出端。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種RC振蕩器，包括偏置電壓產(chǎn)生電路、充放電電流產(chǎn)生電路、充放電電路、外部遲滯電壓產(chǎn)生和選通電路、內(nèi)部遲滯比較器和反饋控制信號產(chǎn)生電路。本發(fā)明的RC振蕩器采用內(nèi)外遲滯比較器，使得基準(zhǔn)電流和基準(zhǔn)電壓都隨外部電源電壓的變化而變化，從而克服電源電壓對輸出頻率的影響；同時采用不同溫度系數(shù)的電阻使得基準(zhǔn)電流不受溫度的影響；而且整個結(jié)構(gòu)采用一個比較器，克服了雙比較器中輸入失調(diào)電壓帶來的溫度對輸出頻率的影響。
文檔編號H03K5/22GK102790601SQ201210279069
公開日2012年11月21日 申請日期2012年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月8日
發(fā)明者唐莉芳, 方健, 潘福躍, 黎俐 申請人:電子科技大學(xué)