專利名稱：一種全差分BiCMOS比較器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可用于A/D轉(zhuǎn)換器中的比較器電路，特別是一種全差分BiCMOS比較器。
背景技術(shù)：
中國(guó)專利公開(kāi)號(hào)CN 200510025424，
公開(kāi)日是2005年10月5日，名稱為“比較器與模數(shù)轉(zhuǎn)換器”中公開(kāi)了一種通過(guò)采樣(Sampling)、放大(Amplify)、再生(Regenarate)、比較(Compare)實(shí)現(xiàn)比較器功能的比較器(簡(jiǎn)稱SARC比較器)，用于模數(shù)轉(zhuǎn)換器，該比較器通過(guò)兩對(duì)開(kāi)關(guān)和反相器分別實(shí)現(xiàn)采樣輸入信號(hào)和采樣參考信號(hào)，并對(duì)采樣差動(dòng)信號(hào)實(shí)現(xiàn)放大、再生和鎖存比較的功能，獲得較高的比較精度和比較速度。這種比較采用是CMOS工藝，雖然具有較好的精度和速度，但其不足之處是在相同的比較器精度下，與采用BiCMOS工藝的比較器相比速度低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的技術(shù)解決問(wèn)題克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種低功耗、高速的全差分BiCMOS比較器，采用了BiCMOS工藝技術(shù)，將雙極工藝的高速度和CMOS工藝的低功耗結(jié)合起來(lái)，消除了雙極工藝比較器中采用的前置放大器，在不犧牲電路速度的情況下，減小了電路的功耗，提高了速度。
本發(fā)明的技術(shù)解決方案一種全差分BiCMOS比較器包括再生輸入級(jí)、緩沖級(jí)電路、鎖存電路和輸出驅(qū)動(dòng)電路，其中再生輸入級(jí)包括MOS開(kāi)關(guān)、帶采樣電容的雙極放大電路以及MOS可控尾電流三部分，鎖存電路包括電流開(kāi)關(guān)鎖存和源極跟隨器；輸入信號(hào)通過(guò)MOS開(kāi)關(guān)進(jìn)入帶采樣電容的雙極放大電路，該MOS開(kāi)關(guān)在電路采樣階段打開(kāi)，再生放大階段關(guān)斷，來(lái)控制輸入信號(hào)是否進(jìn)入帶采樣電容的雙極放大器，輸入信號(hào)進(jìn)入帶采樣電容的雙極放大器中對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行放大，帶采樣電容的雙極放大器的尾電流源采用的是MOS可控尾電流源，可控尾電流源控制尾電流源與帶采樣電容的放大器的連接和斷開(kāi)，從而減小不必要的功耗損失，減小電路總功耗，隨后經(jīng)過(guò)放大的信號(hào)進(jìn)入緩沖級(jí)電路，通過(guò)緩沖級(jí)電路提高帶負(fù)載能力，緩沖級(jí)電路輸出的信號(hào)送入電流鎖存電路中，電流開(kāi)關(guān)鎖存電路對(duì)信號(hào)進(jìn)行再次的鎖存放大后經(jīng)過(guò)源極跟隨器將信號(hào)輸出到驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路將轉(zhuǎn)換為ECL電平輸出。
所述的MOS控制開(kāi)關(guān)由兩個(gè)NMOS管M1和M2并接，通過(guò)一個(gè)時(shí)鐘控制通斷。
所述的帶采樣電容的雙極放大電路包括采樣電容C1～C4、晶體管Q1～Q2、電阻R3以及PMOS管M3、M4和M8，晶體管Q1和Q2的集電極分別連接在PMOS管M3和M4的漏極，M3和M4的源極相連接于電源上，柵極相連構(gòu)成恒流源，給晶體管Q1和Q2提供集電極電流，其中PMOS管M8跨接在Q1和Q2的集電極之間，并且通過(guò)電阻R3連接在PMOS管M3和M4的柵極上；電容C3和C4分別將Q1的基極和Q2的集電極以及Q2的基極和Q1的集電極連接在一起，一起構(gòu)成雙極放大器的反饋電容，晶體管Q1和Q2的基極分別與電容C1和C2相連，而C1和C2的另一端與電源相連。
所述的MOS可控尾電流源包括MOS管M5～M7、M13、M14及連接在NMOS管M7的柵極和漏極之間的電容C5，晶體管Q1和Q2的射極相連與PMOS管M5連接，同時(shí)PMOS管M5的漏極與NMOS管M7相連，M7的源極與NMOS管M6的漏極相連，M5和M6的柵極分別連接周期相同，方向相反的始終信號(hào)φ2和φ1，PMOS管M13和NMOS管M14構(gòu)成CMOS反相器將φ2信號(hào)反相提供給NMOS管M7作為柵極信號(hào)，可控尾電流源3的通斷受到時(shí)鐘信號(hào)Ф1和Ф2的控制。
所述的電容C1～C5均采用柵氧電容，或通過(guò)將MOS管的源漏連接在一起，在柵和擴(kuò)散區(qū)之間施加電壓形成。
所述的緩沖級(jí)電路由源極跟隨器構(gòu)成，即MOS管M11、M12、M17和M18，其中Q1的集電極連接在NMOS管M11的柵極上，M11管的源極連接有一個(gè)尾電流源，由NMOS管M17構(gòu)成；Q2的集電極連接在NMOS管M12的柵極上，M12管的源極連接有一個(gè)尾電流源，由NMOS管M18構(gòu)成，緩沖電路的從M11和M12管的源極輸出進(jìn)入鎖存電路中。
所述的電流開(kāi)關(guān)鎖存電路包括晶體管Q3～Q6、電阻R1和R2、MOS管M9、M10和M19，Q3和Q5的發(fā)射極連接在一起通過(guò)NMOS管M9連接在尾電流源上，由NMOS管M19構(gòu)成。Q3和Q5的集電極通過(guò)電阻R1和R2連接在電源上，晶體管Q3和Q5的集電極輸出信號(hào)通過(guò)源極跟隨器后作為輸入信號(hào)送入晶體管Q4和Q6的基極上，Q4和Q6的連接關(guān)系與Q3和Q5相同；Q4和Q6的發(fā)射極連接在一起通過(guò)NMOS管M10連接在尾電流源上，尾電流源由NMOS管M19構(gòu)成；Q4和Q6的集電極通過(guò)電阻R1和R2連接在電源上。
所述的輸出驅(qū)動(dòng)電路由射極跟隨器構(gòu)成，包括晶體管Q7～Q10、M21、M22；Q7和Q8的基極接收來(lái)自鎖存電路的源級(jí)跟隨器的輸出信號(hào)，其中Q7和Q8管分別構(gòu)成兩個(gè)射極跟隨器，其中NMOS管M15的源極輸出信號(hào)連接在晶體管Q7的基極上，Q7管的發(fā)射極連接有一個(gè)尾電流源，由NMOS管M22構(gòu)成；NMOS管M16的源極輸出信號(hào)連接在晶體管Q8的基極上，Q8管的發(fā)射極連接有一個(gè)尾電流源，由NMOS管M23構(gòu)成，通過(guò)Q7和Q8管的發(fā)射極輸出的信號(hào)分別連接在晶體管Q9和Q10的基極上，最后電路通過(guò)Q9和Q10管的發(fā)射極輸出。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比的有益效果是(1)本發(fā)明中的雙極放大在其再生輸入電路中，避免使用了前置放大器，消除了過(guò)驅(qū)動(dòng)恢復(fù)時(shí)間，由于電路的輸入級(jí)部分只在再生放大模式消耗功耗，只有半個(gè)周期存在功耗消耗，因而減小了電路的總體功耗，提高了速度。
(2)本發(fā)明采用了MOS可控尾電流源，通過(guò)可控尾電流源控制尾電流源與雙極放大器的連接和斷開(kāi)，從而減小不必要的功耗損失，減小電路總功耗。
(3)本發(fā)明采用了MOS開(kāi)關(guān)，切斷了放大器的差分對(duì)管的共射端和地之間的通路，避免使晶體管進(jìn)入飽和態(tài)，同時(shí)也防止產(chǎn)生額外的功耗。
(4)本發(fā)明中所有的電容均采用柵氧電容，也可以通過(guò)將MOS管的源漏連接在一起，在柵和擴(kuò)散區(qū)之間施加合適的電壓構(gòu)成電容，這種電容可以制作在數(shù)字電路區(qū)，占用面積小。
(5)本發(fā)明中的鎖存電路的鎖存信號(hào)是通過(guò)MOS差分對(duì)完成的，可以直接采用CMOS電平，而輸出端則是在兩個(gè)射極跟隨器的緩沖下輸出，向下一級(jí)電路提供ECL輸出電平，使電路在使用的過(guò)程中達(dá)到CMOS電平與ECL電平兼容使用。


圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)框圖；圖2為本發(fā)明的電原理圖；圖3為本發(fā)明的再生輸入級(jí)電路處于兩種不同工作狀態(tài)下的簡(jiǎn)化圖，其中圖3a為采樣模式下的簡(jiǎn)化圖，圖3b為再生放大模式下的簡(jiǎn)化圖。
具體實(shí)施例方式
如圖1所示，本發(fā)明包括再生輸入級(jí)、源極跟隨器4組成的緩沖級(jí)電路、鎖存電路和射極跟隨器7組成的輸出驅(qū)動(dòng)電路，其中再生輸入級(jí)電路又分為MOS開(kāi)關(guān)1、帶采樣電容的雙極放大電路2以及MOS可控尾電流3三部分，鎖存電路包括電流開(kāi)關(guān)鎖存電路5和源極跟隨器6。輸入信號(hào)通過(guò)MOS開(kāi)關(guān)1進(jìn)入帶采電容的雙極放大電路2，MOS開(kāi)關(guān)1在電路采樣階段打開(kāi)，再生放大階段關(guān)斷，來(lái)控制輸入信號(hào)是否進(jìn)入帶采電容的放大器2中。輸入信號(hào)通過(guò)帶采樣電容的雙極放大器2進(jìn)行放大，該雙極放大器2的尾電流源采用的是MOS可控尾電流源3，可控尾電流源3控制尾電流源與放大器2的連接和斷開(kāi)，從而減小不必要的功耗損失，減小電路總功耗。隨后經(jīng)過(guò)放大的信號(hào)將進(jìn)入源級(jí)跟隨器4，通過(guò)源級(jí)跟隨器4提高電路的帶負(fù)載能力，將輸出信號(hào)送入鎖存電路中，通過(guò)電流開(kāi)關(guān)鎖存電路5對(duì)信號(hào)進(jìn)行再次的鎖存放大后經(jīng)過(guò)源極跟隨器6將信號(hào)輸出到驅(qū)動(dòng)電路，驅(qū)動(dòng)電路采用射極跟隨器7，通過(guò)射極跟隨器7將信號(hào)轉(zhuǎn)換為ECL電平輸出。
如圖2所示為本發(fā)明的電路圖。該電路圖中MOS控制開(kāi)關(guān)1的控制信號(hào)是一對(duì)互反的時(shí)鐘電平Ф1、Ф2中的Ф1，MOS控制開(kāi)關(guān)1由NMOS管M1和M2組成；帶采樣電容的雙極放大電路2包括電容C1～C4、晶體管Q1～Q2、電阻R3以及PMOS管M3、M4和M8，帶采樣電容的雙極放大電路2中采用MOS管為電路提供恒流源。MOS可控尾電流源3包括MOS管M5～M7、M13和M14以及電容C5，其可控尾電流源3的通斷也受到時(shí)鐘信號(hào)Ф1和Ф2的控制。電路的工作過(guò)程為差分輸入信號(hào)Vin1和Vin2信號(hào)連接在M1和M2上，當(dāng)M1和M2打開(kāi)后，輸入信號(hào)進(jìn)入到帶電容采樣的雙極放大器2中，將信號(hào)采樣在電容C1和C2上，此時(shí)可控尾電流源3關(guān)閉。當(dāng)M1和M2關(guān)斷后，可控尾電流源3打開(kāi)，連接在Q1和Q2上，將電容C1和C2上采樣的輸入信號(hào)經(jīng)過(guò)晶體管Q1和Q2放大后在其集電極輸出，其中PMOS管M3、M4和M8電阻R3構(gòu)成放大器2的恒流源，給晶體管Q1和Q2提供集電極電流。電容C3和C4分別是差分對(duì)管Q1和Q2的耦合電容，分別將Q1的基極和Q2的集電極以及Q2的基極和Q1的集電極連接在一起，一起構(gòu)成差分放大器的反饋電容。帶電容采樣的雙極放大器2輸出后的信號(hào)進(jìn)入源級(jí)跟隨器4中，源級(jí)跟隨器4由MOS管M11、M12、M17和M18構(gòu)成，源級(jí)跟隨器4從M11和M12的源極輸出進(jìn)入電流開(kāi)關(guān)鎖存電路5中，源級(jí)跟隨器4的輸出信號(hào)進(jìn)入電流開(kāi)關(guān)鎖存電路5中，該電流開(kāi)關(guān)鎖存電路5包含晶體管Q3～Q6、電阻R1和R2、MOS管M9、M10和M19。晶體管Q3和Q5構(gòu)成一對(duì)放大管，將源級(jí)跟隨器4的輸出信號(hào)進(jìn)行放大，Q4和Q6構(gòu)成一對(duì)放大管通過(guò)開(kāi)關(guān)M9和M10的控制將Q3和Q5的輸出信號(hào)進(jìn)行再生放大，其中M19管作為尾電流源使用。該放大后的輸出信號(hào)進(jìn)入源級(jí)跟隨器6中，源級(jí)跟隨器6由M15、M16、M20和M21構(gòu)成，信號(hào)輸出后送入射極跟隨器7中，射極跟隨器7由晶體管Q7～Q10、MOS管M22和M23構(gòu)成，通過(guò)Q7和Q8的基極接收來(lái)自源級(jí)跟隨器6的輸出信號(hào)，其中Q7和Q8管分別構(gòu)成兩個(gè)射極跟隨器，在經(jīng)過(guò)Q9和Q10管的發(fā)射極輸出。
圖3給出了本發(fā)明的再生輸入級(jí)電路工作在兩種不同模式下的電路簡(jiǎn)化圖，其中圖3a為采樣模式下的簡(jiǎn)化圖，在采樣模式期間，開(kāi)關(guān)控制信號(hào)φ1為高電平將MOS管M1和M2打開(kāi)，電容C1～C4對(duì)輸入電壓進(jìn)行采樣，晶體管Q1和Q2的集電極電位被拉高至正電源，φ2為低電平將電容C5充電至正電源電壓。MOS管M7和M6打開(kāi)，電容C5的另一端連接在GND上。由于共射模式的差分對(duì)管Q1和Q2是開(kāi)路的，因而在采樣模式下差分對(duì)管不工作。隨著開(kāi)關(guān)控制信號(hào)的作用，電路進(jìn)入再生放大模式，如圖3b所示，輸入信號(hào)與采樣電容之間斷開(kāi)，Q1和Q2的集電極與電源斷開(kāi)，開(kāi)關(guān)控制信號(hào)將電容C5的一端與GND斷開(kāi)連接到共射端，預(yù)充電到正電源，在φ2信號(hào)的作用下與GND相連。此時(shí)被預(yù)充電到電源電壓的C5上存在一定的電荷量，該電量將被轉(zhuǎn)移到雙極差分對(duì)管上。在再生放大模式下，采樣階段存儲(chǔ)在電容C1，C3和C2，C4上的電量經(jīng)過(guò)放電的形式將輸入信號(hào)的初始差分電壓存儲(chǔ)在晶體管Q1和Q2的基極上。由于交叉耦合電容C3和C4，Q1和Q2基極上的初始差分電壓在該晶體管的集電極上得到再生放大，再生輸入級(jí)通過(guò)Q1和Q2的集電極輸出。
假如輸入電壓從+1V～-1mV變化，時(shí)鐘信號(hào)的頻率為100MHz。在第一個(gè)時(shí)鐘周期的再生模式下，采樣模式下通過(guò)電容預(yù)先存儲(chǔ)在晶體管基極的1V信號(hào)使得C5上的全部電荷流經(jīng)Q1輸出。因此，Q1的集電極電壓降低，而Q2的集電極電壓保持高電平不變。
本發(fā)明的再生輸入級(jí)的輸出信號(hào)隨后經(jīng)過(guò)兩個(gè)源級(jí)跟隨器的緩沖下輸出，然后送入一個(gè)低功耗，電流開(kāi)關(guān)鎖存電路5中。該電流開(kāi)關(guān)鎖存電路5是通過(guò)MOS差分對(duì)M9和M10對(duì)電路進(jìn)行鎖存的，其輸出再經(jīng)過(guò)兩個(gè)射極跟隨器緩沖中輸出，向下一級(jí)電路提供ECL輸出電平。本發(fā)明中所有電容均是柵氧電容，通過(guò)將MOS管的源漏連接在一起，在柵和diffusion之間施加合適的電壓形成。MOS管M7設(shè)置在M5和M6之間，切斷了Q1和Q1的射極和地之間的通路，該通路會(huì)引入額外的功耗，使晶體管進(jìn)入飽和態(tài)。
權(quán)利要求
1.一種全差分BiCMOS比較器，包括再生輸入級(jí)、緩沖級(jí)電路、鎖存電路和輸出驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于所述的再生輸入級(jí)包括MOS開(kāi)關(guān)、帶采樣電容的雙極放大電路及MOS可控尾電流三部分；鎖存電路包括電流開(kāi)關(guān)鎖存電路和源極跟隨器；輸入信號(hào)通過(guò)MOS開(kāi)關(guān)進(jìn)入帶采樣電容的雙極放大電路，MOS開(kāi)關(guān)在電路采樣階段打開(kāi)，再生放大階段關(guān)斷，輸入信號(hào)進(jìn)入帶采樣電容的雙極放大器后對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行放大，并通過(guò)MOS可控尾電流源控制尾電流與帶采樣電容的放大器的連接和斷開(kāi)，經(jīng)過(guò)放大的信號(hào)通過(guò)緩沖級(jí)電路提高帶負(fù)載能力后進(jìn)入電流鎖存電路中，電流開(kāi)關(guān)鎖存電路對(duì)信號(hào)進(jìn)行再次的鎖存放大，經(jīng)過(guò)源極跟隨器將信號(hào)輸出到驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路轉(zhuǎn)換為ECL電平輸出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全差分BiCMOS比較器，其特征在于所述的MOS控制開(kāi)關(guān)由兩個(gè)NMOS管M1和M2并接，通過(guò)一個(gè)時(shí)鐘控制通斷。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全差分BiCMOS比較器，其特征在于所述的帶采樣電容的雙極放大電路包括采樣電容C1～C4、晶體管Q1～Q2、電阻R3以及PMOS管M3、M4和M8，晶體管Q1和Q2的集電極分別連接在PMOS管M3和M4的漏極，M3和M4的源極相連接于電源上，柵極相連構(gòu)成恒流源，給晶體管Q1和Q2提供集電極電流，其中PMOS管M8跨接在Q1和Q2的集電極之間，并且通過(guò)電阻R3連接在PMOS管M3和M4的柵極上；電容C3和C4分別將Q1的基極和Q2的集電極以及Q2的基極和Q1的集電極連接在一起，一起構(gòu)成雙極放大器的反饋電容，晶體管Q1和Q2的基極分別與電容C1和C2相連，而C1和C2的另一端與電源相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全差分BiCMOS比較器，其特征在于所述的MOS可控尾電流源包括MOS管M5～M7、M13、M14及連接在NMOS管M7的柵極和漏極之間的電容C5，晶體管Q1和Q2的射極相連與PMOS管M5連接，同時(shí)PMOS管M5的漏極與NMOS管M7相連，M7的源極與NMO管M6的漏極相連，M5和M6的柵極分別連接周期相同，方向相反的始終信號(hào)φ2和φ1，PMOS管M13和NMOS管M14構(gòu)成CMOS反相器將φ2信號(hào)反相提供給NMOS管M7作為柵極信號(hào)，可控尾電流源3的通斷受到時(shí)鐘信號(hào)φ1和φ2的控制。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的全差分BiCMOS比較器，其特征在于所述的電容C1～C5均采用柵氧電容，或通過(guò)將MOS管的源漏連接在一起，在柵和diffusion之間施加電壓形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全差分BiCMOS比較器，其特征在于所述的緩沖級(jí)電路由源極跟隨器構(gòu)成，即MOS管M11、M12、M17和M18，其中Q1的集電極連接在NMOS管M11的柵極上，M11管的源極連接有一個(gè)尾電流源，由NMOS管M17構(gòu)成；Q2的集電極連接在NMOS管M12的柵極上，M12管的源極連接有一個(gè)尾電流源，由NMOS管M18構(gòu)成，緩沖電路的從M11和M12管的源極輸出進(jìn)入鎖存電路中。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全差分BiCMOS比較器，其特征在于所述的電流開(kāi)關(guān)鎖存電路包括晶體管Q3～Q6、電阻R1和R2、MOS管M9、M10和M19，Q3和Q5的發(fā)射極連接在一起通過(guò)NMOS管M9連接在尾電流源上，由NMOS管M19構(gòu)成。Q3和Q5的集電極通過(guò)電阻R1和R2連接在電源上，晶體管Q3和Q5的集電極輸出信號(hào)通過(guò)源極跟隨器后作為輸入信號(hào)送入晶體管Q4和Q6的基極上，Q4和Q6的連接關(guān)系與Q3和Q5相同；Q4和Q6的發(fā)射極連接在一起通過(guò)NMOS管M10連接在尾電流源上，尾電流源由NMOS管M19構(gòu)成；Q4和Q6的集電極通過(guò)電阻R1和R2連接在電源上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全差分BiCMOS比較器，其特征在于所述的輸出驅(qū)動(dòng)電路由射極跟隨器構(gòu)成，包括晶體管Q7～Q10、M21、M22；Q7和Q8的基極接收來(lái)自鎖存電路的源級(jí)跟隨器的輸出信號(hào)，其中Q7和Q8管分別構(gòu)成兩個(gè)射極跟隨器，其中NMOS管M15的源極輸出信號(hào)連接在晶體管Q7的基極上，Q7管的發(fā)射極連接有一個(gè)尾電流源，由NMOS管M22構(gòu)成；NMOS管M16的源極輸出信號(hào)連接在晶體管Q8的基極上，Q8管的發(fā)射極連接有一個(gè)尾電流源，由NMOS管M23構(gòu)成，通過(guò)Q7和Q8管的發(fā)射極輸出的信號(hào)分別連接在晶體管Q9和Q10的基極上，最后電路通過(guò)Q9和Q10管的發(fā)射極輸出。
全文摘要
一種全差分BiCMOS比較器包括再生輸入級(jí)、緩沖級(jí)電路、鎖存電路和輸出驅(qū)動(dòng)電路，其中再生輸入級(jí)包括MOS開(kāi)關(guān)、帶采樣電容的雙極放大電路以及MOS可控尾電流三部分，鎖存電路包括電流開(kāi)關(guān)鎖存和源極跟隨器；輸入信號(hào)通過(guò)MOS開(kāi)關(guān)進(jìn)入帶采樣電容的雙極放大電路，MOS開(kāi)關(guān)在電路采樣階段打開(kāi)，再生放大階段關(guān)斷，輸入信號(hào)進(jìn)入帶采樣電容的雙極放大器后對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行放大，并通過(guò)MOS可控尾電流源控制尾電流與帶采樣電容的放大器的連接和斷開(kāi)，經(jīng)過(guò)放大的信號(hào)通過(guò)緩沖級(jí)電路提高帶負(fù)載能力后進(jìn)入電流鎖存電路中，電流鎖存電路對(duì)信號(hào)進(jìn)行再次的鎖存放大，經(jīng)過(guò)源極跟隨器將信號(hào)輸出到驅(qū)動(dòng)電路，通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路轉(zhuǎn)換為ECL電平輸出。本發(fā)明具有低功耗、高速的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)H03M1/34GK1996752SQ20061016972
公開(kāi)日2007年7月11日 申請(qǐng)日期2006年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月28日
發(fā)明者趙潔, 張龍, 孫權(quán), 王曉飛 申請(qǐng)人:北京時(shí)代民芯科技有限公司