本實(shí)用新型涉及電機(jī)領(lǐng)域，特別涉及一種采用雙換向器單芯片組雙獨(dú)立繞組的電機(jī)轉(zhuǎn)子。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有直流永磁電機(jī)轉(zhuǎn)子普遍采用單換向器、單繞組、單芯片組結(jié)構(gòu)，采用該轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)的直流永磁電機(jī)缺點(diǎn)在于效率低下，能耗過高；在高轉(zhuǎn)速工作狀態(tài)下，火花過大。為解決以上電機(jī)轉(zhuǎn)子的缺陷，現(xiàn)有技術(shù)有采用雙換向器、雙繞組、雙芯片組結(jié)構(gòu)，采用該轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)的直流永磁電機(jī)缺點(diǎn)在于體積過大，工藝復(fù)雜，成本高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種采用雙換向器單芯片組雙獨(dú)立繞組的電機(jī)轉(zhuǎn)子，實(shí)現(xiàn)有低轉(zhuǎn)速大力矩運(yùn)行（簡稱：串聯(lián)運(yùn)行）和高轉(zhuǎn)速小力矩運(yùn)行（簡稱：并聯(lián)運(yùn)行）和節(jié)能型高轉(zhuǎn)速低力矩，單組繞組線圈運(yùn)行（簡稱：單獨(dú)運(yùn)行）以及低轉(zhuǎn)速大力矩高轉(zhuǎn)速小力矩混合運(yùn)行（簡稱：混合運(yùn)行）四種運(yùn)行模式并自由切換來解決現(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)致的上述多項(xiàng)缺陷。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供以下的技術(shù)方案：一種采用雙換向器單芯片組雙獨(dú)立繞組的電機(jī)轉(zhuǎn)子包括電機(jī)軸、換向器A、繞組線圈A、芯片、換向器B和繞組線圈B，所述芯片位于電機(jī)軸上，所述芯片兩端分別設(shè)有換向器A和換向器B，所述換向器A和換向器B上設(shè)有銅鉤，所述芯片上設(shè)有凹槽，所述換向器A和凹槽間設(shè)有繞組線圈A，所述換向器B和凹槽間設(shè)有繞組線圈B，所述繞組線圈A和繞組線圈B由線圈組成。

優(yōu)選的，所述芯片為硅鋼芯片。

優(yōu)選的，所述換向器A和換向器B的任何一個銅鉤與芯片凹槽相對應(yīng)所組成的角度一致。

優(yōu)選的，所述換向器A與換向器B的繞線起始銅鉤位置一致。

優(yōu)選的，所述纏繞在換向器A與換向器B起始銅鉤的兩組線圈在同一芯片凹槽內(nèi)。

優(yōu)選的，所述芯片的兩端設(shè)有絕緣塑料端板。

采用以上技術(shù)方案的有益效果是：本實(shí)用新型公開了一種采用雙換向器單芯片組雙獨(dú)立繞組的電機(jī)轉(zhuǎn)子，所述芯片為硅鋼芯片，所述換向器A和換向器B的任何一個銅鉤與芯片相對應(yīng)凹槽所組成的角度一致，該轉(zhuǎn)子能夠?qū)崿F(xiàn)低轉(zhuǎn)速大力矩運(yùn)行和高轉(zhuǎn)速小力矩運(yùn)行和節(jié)能型高轉(zhuǎn)速低力矩單繞組線圈運(yùn)行，以及低轉(zhuǎn)速大力矩高轉(zhuǎn)速小力矩四種運(yùn)行模式并自由切換，該雙換向器單芯片組雙獨(dú)立繞組的電機(jī)轉(zhuǎn)子具有成本低、結(jié)構(gòu)簡單的優(yōu)點(diǎn)，具有廣闊的市場前景。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)的展開結(jié)構(gòu)圖。

其中，1-電機(jī)軸、2-換向器A、3-繞組線圈A、4-芯片、5-換向器B、6-繞組線圈B、7-銅鉤、8-凹槽、9-絕緣塑料端板。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖詳細(xì)說明本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式。

該直流永磁電機(jī)，有低轉(zhuǎn)速大力矩運(yùn)行（串聯(lián)運(yùn)行）和高轉(zhuǎn)速小力矩運(yùn)行（并聯(lián)運(yùn)行）和節(jié)能型高轉(zhuǎn)速低力矩，單組繞組線圈運(yùn)行（簡稱：單獨(dú)運(yùn)行）以及低轉(zhuǎn)速大力矩高轉(zhuǎn)速小力矩混合運(yùn)行（混合運(yùn)行）四種工作狀態(tài)，并且這四種運(yùn)行模式可以實(shí)現(xiàn)自由切換，控制部分簡單易行成本低廉。為了實(shí)現(xiàn)以上四種運(yùn)行模式并自由切換，設(shè)計(jì)了在單一轉(zhuǎn)子鐵芯上實(shí)現(xiàn)了雙端換向器雙獨(dú)立繞組雙端碳刷的結(jié)構(gòu)來滿足以上要求。

圖1和圖2出示本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式：一種采用雙換向器單芯片組雙獨(dú)立繞組的電機(jī)轉(zhuǎn)子包括電機(jī)軸1、換向器A2、繞組線圈A3、芯片4、換向器B5和繞組線圈B6，所述芯片4位于電機(jī)軸1上，所述芯片4兩端分別設(shè)有換向器A2和換向器B5，所述換向器A2和換向器B5上設(shè)有銅鉤7，所述芯片4上設(shè)有凹槽8，所述換向器A2和凹槽8間設(shè)有繞組線圈A3，所述換向器B5和凹槽8間設(shè)有繞組線圈B6，所述繞組線圈A3和繞組線圈B6由線圈組成，所述芯片4為硅鋼芯片，所述換向器A2和換向器B5的任何一個銅鉤7與芯片4相對應(yīng)凹槽8所組成的角度一致，所述換向器A2與換向器B5的起始銅鉤7位置一致，所述纏繞在換向器A2與換向器B5起始銅鉤7兩組線圈在的同一芯片凹槽8內(nèi)，所述芯片4的兩端設(shè)有絕緣塑料端板9。

在同一根電機(jī)軸上，設(shè)有一組芯片R，芯片R的凹槽分別為R1、R2、R3…Rn，在芯片的兩端同時裝好絕緣塑料端板，再在兩端設(shè)置兩個換向器分別為換向器A、換向器B；換向器A的銅鉤分別為A1、A2、A3…An; 換向器B的銅鉤分別為B1、B2、B3…Bn;換向器A1銅鉤與換向器B1銅鉤與芯片R繞線槽R1中心線角度一致，相對應(yīng)的換向器A銅鉤A2與換向器B銅鉤B2與芯片R繞線槽R1中心線角度一致，所有的銅鉤與芯片繞線槽全部對應(yīng)。繞線從換向器A端A1銅鉤位入線，順時針繞電機(jī)軸繞至銅鉤對面的硅鋼片槽，從芯片R 7槽入跨至R13槽位出進(jìn)行繞線，完成線圈圈數(shù)后，再順時針繞至與繞線槽對面掛至換向器A端的A2銅鉤，此時進(jìn)行換向器B端的繞線，從換向器B端B1銅鉤位入線，逆時針繞電機(jī)軸繞至銅鉤對面的芯片槽，從芯片R 13槽入跨至R7槽位出進(jìn)行繞線，完成線圈圈數(shù)后，再逆時針繞至與繞線槽對面掛至換向器B端的B2銅鉤；兩端完成第一鉤的繞線后再繞換向器A端A2鉤的繞線，方法與位置同A1銅鉤相同，將繞線掛至換向器A端A3鉤，換向器A端A2鉤繞完后，換向器B端繞線同B1鉤繞法相同，將繞線掛至換向器B端B3鉤；繞完兩鉤后換向器A端順時針方向轉(zhuǎn)動芯片一個槽位,漆皮線從換向器A端A3鉤，順時針繞軸芯繞至銅鉤對面的芯片槽，從芯片R 8槽入跨至R14槽位出進(jìn)行繞線，完成線圈圈數(shù)后，再順時針繞至與繞線槽對面掛至換向器A端的A4銅鉤，此時進(jìn)行換向器B端的繞線，換向器B端逆時針方向轉(zhuǎn)動芯片一個槽位，從換向器B端B3鉤，逆時針繞電機(jī)軸繞至銅鉤對面的芯片槽，從芯片R 14槽入跨至R8槽出進(jìn)行繞線，完成線圈圈數(shù)后，再逆時針繞至與繞線槽對面掛至換向器B端的B4銅鉤；兩端完成第4鉤的繞線后再繞換向器A端A5鉤的繞線，方法與位置同A4銅鉤相同，將繞線掛至換向器A端A5鉤，換向器A端A5鉤繞完后，換向器B端B4鉤的繞線同B3鉤繞法相同，繞線完成后掛至換向器B端B5鉤；換向器A端再順時針方向轉(zhuǎn)動芯片一個槽位。按此方法完成換向器A端的An鉤、換向器B端的Bn鉤，及芯片Rn槽的繞線。

重點(diǎn)為換向器A與換向器B的起始銅鉤位置一致，A、B兩組線圈在同一芯片槽內(nèi)，當(dāng)?shù)谝徊劾@組完成后換向器A端繞組掛鉤向左邊移位，芯片順時針轉(zhuǎn)位，當(dāng)?shù)谝徊劾@組完成后換向器B端繞組掛鉤向右邊移位，芯片逆時針轉(zhuǎn)位，所有的繞組A與繞組B對應(yīng)的銅鉤與芯片槽一致。

本實(shí)用新型公開了一種采用雙換向器單芯片組雙獨(dú)立繞組的電機(jī)轉(zhuǎn)子，所述芯片為硅鋼芯片，所述換向器A和換向器B的任何一個銅鉤與芯片相對應(yīng)凹槽所組成的角度一致，該轉(zhuǎn)子能夠?qū)崿F(xiàn)低轉(zhuǎn)速大力矩運(yùn)行和高轉(zhuǎn)速小力矩運(yùn)行和節(jié)能型高轉(zhuǎn)速低力矩，單組繞組線圈運(yùn)行以及低轉(zhuǎn)速大力矩高轉(zhuǎn)速小力矩混合運(yùn)行四種運(yùn)行模式并自由切換，該雙換向器單芯片組雙獨(dú)立繞組的電機(jī)轉(zhuǎn)子具有成本低、結(jié)構(gòu)簡單的優(yōu)點(diǎn)，具有廣闊的市場前景。

以上所述的僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型創(chuàng)造構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。