1.一種風(fēng)力發(fā)電智能充電裝置，其特征在于，包括帶風(fēng)扇的直流風(fēng)力發(fā)電裝置(1)、穩(wěn)壓裝置(2)、帶低功耗DSP的智能降壓裝置(3)、帶USB接口的直流電壓輸出裝置(4)；所述風(fēng)力發(fā)電裝置、穩(wěn)壓裝置、智能降壓裝置和直流電壓輸出裝置依次電連接；
所述智能降壓裝置(3)包括低功耗DSP芯片模塊、低功耗MOS管驅(qū)動(dòng)芯片IR2104、MOS管M3、MOS管M4，電容C1，電容C2，二極管D1，電感L1，電源VCC，電阻R3，電阻R4；其中，所述低功耗MOS管驅(qū)動(dòng)芯片IR2104的VCC端口、二極管D1的正極端均與電源VCC相連；所述低功耗MOS管驅(qū)動(dòng)芯片IR2104的IN端口與低功耗DSP芯片模塊的PWM波輸出相連；所述低功耗MOS管驅(qū)動(dòng)芯片IR2104的SD端口與低功耗DSP芯片模塊5V電信號(hào)相連；所述低功耗MOS管驅(qū)動(dòng)芯片IR2104的COM端口接地；所述低功耗MOS管驅(qū)動(dòng)芯片IR2104的VB端口、二極管D1的負(fù)極端口均與電容C1的一端相連；電容C1的另一端、低功耗MOS管驅(qū)動(dòng)芯片IR2104的VS端口、電感L1的一端、MOS管M3的S端均與MOS管M4的D端相連；電感L1的另一端與電容C2的一端相連；電容C2的另一端接地；所述低功耗MOS管驅(qū)動(dòng)芯片IR2104的HO端口與電阻R3的一端相連；電阻R3的另一端與MOS管M3的G端相連；所述低功耗MOS管驅(qū)動(dòng)芯片IR2104的LO端口與電阻R4的一端相連；電阻R4的另一端與MOS管M4的G端相連；MOS管M4的S端接地；
所述穩(wěn)壓裝置(2)輸出正極端與MOS管M3的D端相連，穩(wěn)壓裝置(2)輸出另一端接地；
所述智能降壓裝置(3)輸出正極端接電感L1與電容C2的相連處，另一端接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種風(fēng)力發(fā)電智能充電裝置，其特征在于，所述穩(wěn)壓裝置(2)包括穩(wěn)壓芯片LM2596，電容Cin，電容Cout，電容C3，電感L2，電感L3，電位器R2，電阻R1，二極管D2；其中，所述風(fēng)力發(fā)電裝置的輸出端、電容Cin的一端均與穩(wěn)壓芯片LM2596的VIN端口相連；電容Cin的另一端接地；穩(wěn)壓芯片LM2596的Ground端口和ON/OFF端口均接地；電感L2的一端、二極管D2的負(fù)端均與穩(wěn)壓芯片LM2596的Output端口相連；電感L2的另一端、電容Cout的正極端、電位器R2除電位調(diào)節(jié)端外的一端均與電感L3的一端相連；電容Cout的另一端接地；
電位器R2除電位調(diào)節(jié)端外的另一端與電阻R1的一端相連；電阻R1的另一端接地；電位器R2的電位調(diào)節(jié)端與穩(wěn)壓芯片LM2596的Feed Back端口相連；電感L3的另一端與電容C3的正極端相連，均為穩(wěn)壓模塊的輸出；電容C3的另一端接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種風(fēng)力發(fā)電智能充電裝置，其特征在于，所述輸出裝置(4)提供了USB裝換接口，包括A型USB母口P1，電容C4，電容C5；其中，所述A型USB母口P1的1端口、電容C4的正極端、電容C5的一端均與智能降壓模塊的正極輸出端相連；所述A型USB母口P1的4端口、電容C4的另一端與電容C5的另一端均接地。