1.一種基于MOS管全橋整流的智能型正弦波電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，包括有：
一交流輸入單元(10)，用于接入交流電；
一MOS管全橋整流單元(20)，包括有第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)、第三MOS管(Q3)、第四MOS管(Q4)和第一電容(C1)，所述第一MOS管(Q1)的漏極和第三MOS管(Q3)的源極均連接于交流輸入單元(10)的第一輸出端，所述第二MOS管(Q2)的漏極和第四MOS管(Q4)的源極均連接于交流輸入單元(10)的第二輸出端，所述第一MOS管(Q1)的源極和第二MOS管(Q2)的源極相互連接后作為MOS管全橋整流單元(20)的輸出端正極，所述第三MOS管(Q3)的漏極和第四MOS管(Q4)的漏極相互連接后作為MOS管全橋整流單元(20)的輸出端負極，所述第一MOS管(Q1)的柵極、第二MOS管(Q2)的柵極、第三MOS管(Q3)的柵極和第四MOS管(Q4)的柵極分別用于接入PWM脈沖信號，以令所述第一MOS管(Q1)和第四MOS管(Q4)同時導(dǎo)通，所述第二MOS管(Q2)和第三MOS管(Q3)同時導(dǎo)通，所述第一電容(C1)并聯(lián)于MOS管全橋整流單元(20)的輸出端；
一PFC升壓單元(30)，連接于MOS管全橋整流單元(20)的輸出端，所述PFC升壓單元(30)用于對MOS管全橋整流單元(20)的輸出電壓進行升壓轉(zhuǎn)換；
一CLC濾波單元(40)，包括有濾波電感(L3)、第一濾波電容(C2)和第二濾波電容(C3)，所述濾波電感(L3)的前端連接于PFC升壓單元(30)的輸出端，所述濾波電感(L3)的后端作為CLC濾波單元(40)的輸出端，所述第一濾波電容(C2)連接于濾波電感(L3)的前端與地之間，所述第二濾波電容(C3)連接于濾波電感(L3)的后端與地之間；
一逆變倒相單元(60)，連接于CLC濾波單元(40)的輸出端，所述逆變倒相單元(60)用于將CLC濾波單元(40)的輸出電壓倒相為交流電。
2.如權(quán)利要求1所述的基于MOS管全橋整流的智能型正弦波電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述PFC升壓單元(30)包括有升壓電感(L2)、第一開關(guān)管(Q5)、第一整流二極管(D1)和電解電容(C2)，所述升壓電感(L2)的前端連接于輸入單元(10)的輸出端，所述升壓電感(L2)的后端連接于第一開關(guān)管(Q5)的漏極，所述第一開關(guān)管(Q5)的源極接地，所述第一開關(guān)管(Q5)的柵極用于接入一路PWM控制信號，所述第一開關(guān)管(Q5)的漏極連接第一整流二極管(D1)的陽極，所述第一整流二極管(D1)的陰極作為PFC升壓單元(30)的輸出端，且該第一整流二極管(D1)的陰極連接電解電容(C2)的正極，電解電容(C2)的負極接地。
3.如權(quán)利要求2所述的基于MOS管全橋整流的智能型正弦波電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管(Q5)的柵極和源極之間連接有下拉電阻(R5)。
4.如權(quán)利要求3所述的基于MOS管全橋整流的智能型正弦波電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，還包括有一控制單元(70)，所述第一MOS管(Q1)的柵極、第二MOS管(Q2)的柵極、第三MOS管(Q3)的柵極、第四MOS管(Q4)的柵極和第一開關(guān)管(Q5)的柵極分別電性連接于控制單元(70)，藉由所述控制單元(70)而控制第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)、第三MOS管(Q3)、第四MOS管(Q4)和第一開關(guān)管(Q5)的通斷狀態(tài)。
5.如權(quán)利要求4所述的基于MOS管全橋整流的智能型正弦波電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述交流輸入單元(10)的第一輸出端和第二輸出端分別通過限流電阻而連接于控制單元(70)，以令控制單元(70)獲取交流電電壓的相位。
6.如權(quán)利要求1所述的基于MOS管全橋整流的智能型正弦波電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述交流輸入單元(10)包括有插座、第一保險(F2)、防雷電阻(RV1)、共模抑制電感(L1)和安規(guī)電容(CX1)，所述第一保險(F2)串接于插座的零線或火線上，所述共模抑制電感(L1)的前端并聯(lián)于插座，所述防雷電阻(RV1)并聯(lián)于共模抑制電感(L1)的前端，所述安規(guī)電容(CX1)并聯(lián)于共模抑制電感(L1)的后端，且所述共模抑制電感(L1)的后端作為交流輸入單元(10)的輸出端。
7.如權(quán)利要求4所述的基于MOS管全橋整流的智能型正弦波電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，還包括有一DC電壓采樣單元(40)，所述DC電壓采樣單元(40)包括有依次串聯(lián)的第二采樣電阻(R13)和第三采樣電阻(R15)，所述第二采樣電阻(R13)的前端連接于CLC濾波單元(40)的輸出端，所述第三采樣電阻(R15)的后端連接于控制單元(70)，藉由所述第二采樣電阻(R13)和第三采樣電阻(R15)而令控制單元(70)采集CLC濾波單元(40)輸出的電信號。
8.如權(quán)利要求4所述的基于MOS管全橋整流的智能型正弦波電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述逆變倒相單元(60)包括由第二開關(guān)管(Q6)、第三開關(guān)管(Q7)、第四開關(guān)管(Q8)和第五開關(guān)管(Q9)組成的逆變橋，所述第二開關(guān)管(Q6)的柵極、第三開關(guān)管(Q7)的柵極、第四開關(guān)管(Q8)的柵極和第五開關(guān)管(Q9)的柵極分別連接于控制單元(70)，藉由所述控制單元(70)而控制第四開關(guān)管(Q1)、第五開關(guān)管(Q2)、第六開關(guān)管(Q3)和第七開關(guān)管(Q4)導(dǎo)通或截止，以令所述逆變倒相單元(60)輸出交流電壓。
9.如權(quán)利要求8所述的基于MOS管全橋整流的智能型正弦波電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述逆變倒相單元(60)的輸出端串聯(lián)有第二保險(F1)。
10.如權(quán)利要求4所述的基于MOS管全橋整流的智能型正弦波電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述控制單元(70)包括單片機(U1)及其外圍電路。