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低熱阻gbu整流全橋的制作方法

文檔序號(hào):7344820閱讀:349來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:低熱阻gbu整流全橋的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種低熱阻GBU整流全橋。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的GBU整流全橋的熱阻較高,導(dǎo)致工作中產(chǎn)品的結(jié)溫約為120 145°C (小電流產(chǎn)品的功耗相對(duì)低,大電流產(chǎn)品的功耗相對(duì)高)。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的發(fā)明目的在于針對(duì)上述存在的問(wèn)題,提供一種低熱阻GBU整流全橋,其技術(shù)方案是該裝置塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度減薄到0. 7mm,所述塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度結(jié)構(gòu)是整流全橋結(jié)構(gòu)含塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度(H2)減去整流全橋結(jié)構(gòu)不含塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度(HI)。所述整流全橋結(jié)構(gòu)含塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度(H2) 是2. 2mm,整流全橋結(jié)構(gòu)不含塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度是1. 5mm (HI )。該裝置改進(jìn)了連接條尺寸和排布方向,是由結(jié)構(gòu)組成連接條(001)、(002)、(003)、(004)的組成結(jié)構(gòu)改變成結(jié)構(gòu)組成連接條(Dl)、(D2)、(D3)、(D4)的組成結(jié)構(gòu)。1、調(diào)整整流全橋散熱面厚度原設(shè)計(jì)厚度為1. 0 1. 2mm,更新設(shè)計(jì)到0. 6^0. 8mm ;塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度減薄到0. 7mm即H2-H1。改進(jìn)了產(chǎn)品散熱面厚度一最大程度的帶走熱量,使芯片工作溫度減低,可靠性提
尚ο2、更改內(nèi)部框架結(jié)構(gòu),使環(huán)氧樹脂在框架內(nèi)的流動(dòng)性更強(qiáng),避免因減薄散熱面可能導(dǎo)致的散熱面氣孔產(chǎn)生。改進(jìn)了框架結(jié)構(gòu)一消除懸臂設(shè)計(jì),使產(chǎn)品內(nèi)部形變更小,避免在塑封過(guò)程因框架受熱應(yīng)力作用變形而導(dǎo)致塑封氣孔等問(wèn)題;改進(jìn)了連接條尺寸和排布方向一提高連接條強(qiáng)度,增加焊接后產(chǎn)品強(qiáng)度,同樣增加產(chǎn)品在塑封時(shí)抵抗熱應(yīng)力的能力。綜上所述,由于采用了上述技術(shù)方案,本實(shí)用新型的有益效果是采用低熱阻設(shè)計(jì),降低產(chǎn)品工作的結(jié)溫,芯片的工作結(jié)溫降低了,就能夠使產(chǎn)品的穩(wěn)定性提高。由于半導(dǎo)體產(chǎn)品采用摻雜擴(kuò)散,溫度高導(dǎo)致芯片中的摻雜具有更高的能態(tài),從而使產(chǎn)品的反向漏電流高,高的漏電流形成更高的反向功耗,導(dǎo)致發(fā)熱加劇,形成惡性循環(huán)而導(dǎo)致器件的損壞。因此,降低產(chǎn)品的工作結(jié)溫是提高產(chǎn)品可靠性的有效措施。

圖1是本實(shí)用新型低熱阻設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)尺寸圖。圖2是本實(shí)用新型采用IOA產(chǎn)品進(jìn)行比較管體溫度和芯片結(jié)溫圖。圖3是本實(shí)用新型原結(jié)構(gòu)圖。[0015]圖4是本實(shí)用新型改進(jìn)結(jié)構(gòu)圖。圖中標(biāo)記H1為整流全橋結(jié)構(gòu)不含塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度,H2為整流全橋結(jié)構(gòu)含塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度;DD1、DD2、DD3、DD4均為本實(shí)用新型原結(jié)構(gòu)組成連接條, Dl、D2、D3、D4為本實(shí)用新型改進(jìn)結(jié)構(gòu)組成連接條。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖,對(duì)本實(shí)用新型作詳細(xì)的說(shuō)明。為了使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。如圖2所示,數(shù)據(jù)表明,在管體溫度和芯片結(jié)溫上采用低熱阻設(shè)計(jì)的產(chǎn)品比正常熱阻的分別低15°C和20°C左右。如圖3、4,改進(jìn)了連接條尺寸和排布方向一提高連接條強(qiáng)度,增加焊接后產(chǎn)品強(qiáng)度,同樣增加產(chǎn)品在塑封時(shí)抵抗熱應(yīng)力的能力。以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種低熱阻GBU整流全橋,其特征在于該裝置塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度減薄到0.7mm,所述塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度結(jié)構(gòu)是整流全橋結(jié)構(gòu)含塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度(H2)減去整流全橋結(jié)構(gòu)不含塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度(Hl)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低熱阻GBU整流全橋,其特征在于所述整流全橋結(jié)構(gòu)含塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度0 )是2. 2mm,整流全橋結(jié)構(gòu)不含塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度是1.5mm (Hl)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種低熱阻GBU整流全橋,其技術(shù)方案是該裝置塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度減薄到0.7mm,所述塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度結(jié)構(gòu)是整流全橋結(jié)構(gòu)含塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度(H2)減去整流全橋結(jié)構(gòu)不含塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度(H1)。所述整流全橋結(jié)構(gòu)含塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度(H2)是2.2mm,整流全橋結(jié)構(gòu)不含塑封后環(huán)氧管體散熱面厚度是1.5mm(H1)。該裝置改進(jìn)了連接條尺寸和排布方向,是由結(jié)構(gòu)組成連接條(DD1)、(DD2)、(DD3)、(DD4)的組成結(jié)構(gòu)改變成結(jié)構(gòu)組成連接條(D1)、(D2)、(D3)、(D4)的組成結(jié)構(gòu)。提高連接條強(qiáng)度,增加焊接后產(chǎn)品強(qiáng)度,同樣增加產(chǎn)品在塑封時(shí)抵抗熱應(yīng)力的能力。
文檔編號(hào)H02M7/162GK201956917SQ20112004300
公開日2011年8月31日 申請(qǐng)日期2011年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月21日
發(fā)明者邱志述 申請(qǐng)人:樂(lè)山無(wú)線電股份有限公司
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