專利名稱：一種由單管功率管集成的三相全橋逆變模塊結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種功率模塊，特別涉及一種由單管功率管集成的三相全橋逆變 模塊結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
目前，通常使用的功率模塊結(jié)構(gòu)主要是在一塊陶瓷表面，以芯片為單位集成。這種 功率模塊加工難度較大，成本較高，且體積大，導(dǎo)致安裝不方便。目前，絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金氧半場效晶體管(MOSFET)應(yīng)用廣泛。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是，針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種易加工、成本 低、體積小的由單管功率管集成的三相全橋逆變模塊結(jié)構(gòu)。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的技術(shù)方案是一種由單管功率管集成的三相 全橋逆變模塊結(jié)構(gòu)，包括基板和銅箔電極，所述的基板上設(shè)有多個(gè)緊密排列連接在一起的 單管，所述的銅箔電極覆蓋在多個(gè)單管上，所述的銅箔電極上設(shè)有多個(gè)通孔，所述的每個(gè)單 管的其中一腳均與基板連接，作為控制極的另一腳均穿過所述的通孔設(shè)置。所述的基板為銅基電路板或鋁基電路板。所述的單管為IGBT單管或MOSFET單管。所述的IGBT單管的下管E極與基板的電源負(fù)極相連接，所述的IGBT單管的上管 C極與銅箔電極的電源正極相連接。所述的MOSFET單管的源極與基板的電源負(fù)極相連接，所述的MOSFET單管的漏極 與銅箔電極的電源正極相連接。所述的銅箔電極上覆蓋有電路控制板，所述的每個(gè)單管的穿過通孔設(shè)置的腳均與 所述的電路控制板相連接。所述的逆變模塊中的半橋模塊的公共端分別與基板的三相輸出端的相應(yīng)電極相 連接。所述的電路控制板為雙面電路板。所述的銅箔電極的一端伸出有固定板，所述的固定板通過螺栓與所述的基板的相 應(yīng)電極連接。本實(shí)用新型采用上述結(jié)構(gòu)，具有以下優(yōu)點(diǎn)1、該功率模塊采用IGBT單管或MOSFET 單管集成，加工簡單，成本低，同時(shí)使用效果良好；2、體積小，便于安裝維護(hù)。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明；

圖1為本實(shí)用新型的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型中基板與多個(gè)緊密排列的單管相連接的結(jié)構(gòu)示意圖；[0018]圖3為本實(shí)用新型中銅箔電極的結(jié)構(gòu)示意圖；在圖1 圖3中，1、基板；2、銅箔電極；3、單管；4、電路控制板；5、固定板。
具體實(shí)施方式
如圖1 圖3所示一種由單管功率管集成的三相全橋逆變模塊結(jié)構(gòu)，包括基板1 和銅箔電極2，基板1上設(shè)有多個(gè)緊密排列連接在一起的單管3，單管3可根據(jù)實(shí)際的應(yīng)用 需求連接，各單管3利用有限的空間，最大限度地緊密排列，從而縮小整個(gè)模塊的體積。多 個(gè)單管3的排列結(jié)構(gòu)可為排六列，每列5個(gè)單管；或者排六列，每列3個(gè)單管。每一組并聯(lián) 的單管3的控制極均接有平衡網(wǎng)絡(luò)。銅箔電極2覆蓋在多個(gè)單管3上，銅箔電極2上設(shè)有多個(gè)通孔，每個(gè)單管3的其中 一腳均與基板1連接，作為控制極的另一腳均穿過通孔設(shè)置?；?為銅基電路板或鋁基 電路板。單管3為IGBT單管或MOSFET單管。采用IGBT單管時(shí)，IGBT單管的下管E極與基板1的電源負(fù)極相連接，IGBT單管的 上管C極與銅箔電極2的電源正極相連接。采用MOSFET單管時(shí)，MOSFET單管的源極與基板1的電源負(fù)極相連接，MOSFET單管 的漏極與銅箔電極2的電源正極相連接。逆變模塊中的半橋模塊為三個(gè)，半橋模塊的公共端分別與基板(1)的三相輸出端 的相應(yīng)電極相連接。電路控制板4為雙面電路板。銅箔電極2上覆蓋有電路控制板4，每個(gè)單管3的穿 過通孔設(shè)置的腳均與電路控制板4相連接。電路控制板4可起到平衡控制的作用。銅箔電 極2的一端伸出有固定板5，固定板5通過螺栓與基板1的相應(yīng)電極連接。銅箔電極2起到 過電流的目的，減少單管3之間的導(dǎo)線。上述結(jié)構(gòu)組成整個(gè)功率模塊。上面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型進(jìn)行了示例性描述，顯然本實(shí)用新型具體實(shí)現(xiàn)并不受 上述方式的限制，只要采用了本實(shí)用新型的方法構(gòu)思和技術(shù)方案進(jìn)行的各種改進(jìn)，或未經(jīng) 改進(jìn)直接應(yīng)用于其它場合的，均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種由單管功率管集成的三相全橋逆變模塊結(jié)構(gòu)，其特征在于包括基板(1)和銅 箔電極O)，所述的基板(1)上設(shè)有多個(gè)緊密排列連接在一起的單管(3)，所述的銅箔電極 (2)覆蓋在多個(gè)單管C3)上，所述的銅箔電極( 上設(shè)有多個(gè)通孔，所述的每個(gè)單管(3)的 其中一腳均與基板(1)連接，作為控制極的另一腳均穿過所述的通孔設(shè)置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種由單管功率管集成的三相全橋逆變模塊結(jié)構(gòu)，其特征在 于所述的基板(1)為銅基電路板或鋁基電路板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種由單管功率管集成的三相全橋逆變模塊結(jié)構(gòu)，其特征在 于所述的單管(3)為IGBT單管或MOSFET單管。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種由單管功率管集成的三相全橋逆變模塊結(jié)構(gòu)，其特征在 于所述的IGBT單管的下管E極與基板(1)的電源負(fù)極相連接，所述的IGBT單管的上管C 極與銅箔電極O)的電源正極相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種由單管功率管集成的三相全橋逆變模塊結(jié)構(gòu)，其特征在 于所述的MOSFET單管的源極與基板(1)的電源負(fù)極相連接，所述的MOSFET單管的漏極與 銅箔電極O)的電源正極相連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種由單管功率管集成的三相全橋逆變模塊結(jié)構(gòu)，其特征在 于所述的銅箔電極⑵上覆蓋有電路控制板G)，所述的每個(gè)單管⑶的穿過通孔設(shè)置的 腳均與所述的電路控制板(4)相連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種由單管功率管集成的三相全橋逆變模塊結(jié)構(gòu)，其特征在 于所述的逆變模塊中的半橋模塊的公共端分別與基板(1)的三相輸出端的相應(yīng)電極相連 接。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種由單管功率管集成的三相全橋逆變模塊結(jié)構(gòu)，其特征 在于所述的電路控制板(4)為雙面電路板。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種由單管功率管集成的三相全橋逆變模塊結(jié)構(gòu)，其特征在 于所述的銅箔電極O)的一端伸出有固定板(5)，所述的固定板( 通過螺栓與所述的基 板(1)的相應(yīng)電極連接。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種由單管功率管集成的三相全橋逆變模塊結(jié)構(gòu)，包括基板和銅箔電極，所述的基板上設(shè)有多個(gè)緊密排列連接在一起的單管，所述的銅箔電極覆蓋在多個(gè)單管上，所述的銅箔電極上設(shè)有多個(gè)通孔，所述的每個(gè)單管的其中一腳均與基板連接，作為控制極的另一腳均穿過所述的通孔設(shè)置。由于采用上述結(jié)構(gòu)，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)1、該功率模塊采用IGBT單管或MOSFET單管集成，加工簡單，成本低，同時(shí)使用效果良好；2、體積小，便于安裝維護(hù)。
文檔編號H01L23/48GK201898453SQ20102016416
公開日2011年7月13日 申請日期2010年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月20日
發(fā)明者宋滿星, 張?zhí)於? 楊振軍 申請人:奇瑞汽車股份有限公司, 蕪湖莫森泰克汽車科技有限公司