能降低反向恢復(fù)損耗的全橋電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種電路結(jié)構(gòu)，尤其是一種能降低反向恢復(fù)損耗的全橋電路，屬于開關(guān)電路的技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]MOSFET是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管，MOSFET的等效結(jié)構(gòu)中存在寄生二極管，通過所述寄生二極管可以用于MOSFET器件在關(guān)斷時(shí)的續(xù)流，但所述寄生二極管的續(xù)流作用能力差，難以滿足大電流等工作狀態(tài)的續(xù)流，尤其是在全橋電路等電路中。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種能降低反向恢復(fù)損耗的全橋電路，其結(jié)構(gòu)緊湊，能降低反向恢復(fù)的損耗，成本低，安全可靠。
[0004]按照本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案，所述能降低反向恢復(fù)損耗的全橋電路，包括功率MOS管Ml、功率MOS管M2、功率MOS管M3以及功率MOS管4 ;功率MOS管Ml的漏極端與二極管Dl的陰極端連接，二極管Dl的陽極端與二極管D2的陰極端、二極管D5的陽極端以及二極管D6的陰極端連接，功率MOS管Ml的源極端與二極管D2的陽極端、二極管D3的陽極端以及二極管D4的陰極端連接，二極管D3的陰極端與功率MOS管M2的漏極端連接，功率MOS管M2的源極端與二極管D4的陽極端、功率MOS管M4的源極端以及二極管D8的陽極端連接；
[0005]二極管D5的陰極端與功率MOS管M3的漏極端連接，功率MOS管M3的源極端與二極管D6的陽極端、二極管D7的陽極端以及二極管D8的陰極端連接，二極管D7的陰極端與功率MOS管M4的漏極端連接。
[0006]所述二極管D1、二極管D3、二極管D5以及二極管D7均為肖特基二極管。
[0007]—種類似的技術(shù)方案，所述能降低反向恢復(fù)損耗的全橋電路，包括功率MOS管M5、功率MOS管M6、功率MOS管M7以及功率MOS管M8 ;功率MOS管M5的漏極端與二極管DlO的陰極端、二極管D14的陰極端以及功率MOS管M7的漏極端連接，功率MOS管M5的源極端與二極管D9的陽極端以及電阻Rl的一端連接，電阻Rl的另一端與二極管D9的陰極端連接，且二極管D9的陰極端還與二極管DlO的陽極端、二極管D12的陰極端以及功率MOS管M6的漏極端連接；
[0008]功率MOS管M6的源極端與電阻R3的一端、二極管Dll的陽極端連接，電阻R3的另一端與二極管Dll的陰極端連接，且二極管Dll的陰極端還與二極管D12的陽極端、二極管D15的陰極端、二極管D16的陽極端以及電阻R4的一端連接；
[0009]電阻R4的另一端、二極管D15的陽極端與功率MOS管M8的源極端連接，二極管D16的陰極端與功率MOS管M8的漏極端連接，且二極管D16的陰極端還與二極管D14的陽極端、二極管D13的陰極端以及電阻R2的一端連接，電阻R2的另一端以及二極管D13的陽極端與功率MOS管WJ的源極端連接。
[0010]所述二極管D9、二極管D11、二極管D13以及二極管D15均為肖特基二極管。
[0011]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn):在電路處于反向恢復(fù)階段，通過外置的二極管實(shí)現(xiàn)反向恢復(fù)的通路，有效減少利用功率MOS管內(nèi)寄生二極管在恢復(fù)階段的功率損耗，結(jié)構(gòu)緊湊，適應(yīng)范圍廣，安全可靠。
【附圖說明】
[0012]圖1為現(xiàn)有全橋電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖2為本實(shí)用新型的一種實(shí)施結(jié)構(gòu)電路原理圖。
[0014]圖3為本實(shí)用新型的另一種實(shí)施結(jié)構(gòu)電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合具體附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
[0016]如圖1所示:為現(xiàn)有全橋電路的電路原理圖，其中，全橋電路包括功率管Q1、功率管Q2、功率管Q3以及功率管Q4，功率管Ql的漏極端與功率管Q3的漏極端連接，功率管Ql的源極端與功率管Q3的漏極端連接，功率管Q3的源極端與功率管Q4的源極端連接，功率管Q4的漏極端與功率管Q3的源極端連接。功率管Ql~功率管Q4內(nèi)均存在寄生二極管，通過寄生二極管能實(shí)現(xiàn)反向恢復(fù)通路，但在電流等特定應(yīng)用中，會導(dǎo)致反向恢復(fù)損耗過大的問題。
[0017]如圖2所示，本實(shí)用新型的全橋電路包括功率MOS管M1、功率MOS管M2、功率MOS管M3以及功率MOS管4 ;功率MOS管Ml的漏極端與二極管Dl的陰極端連接，二極管Dl的陽極端與二極管D2的陰極端、二極管D5的陽極端以及二極管D6的陰極端連接，功率MOS管Ml的源極端與二極管D2的陽極端、二極管D3的陽極端以及二極管D4的陰極端連接，二極管D3的陰極端與功率MOS管M2的漏極端連接，功率MOS管M2的源極端與二極管D4的陽極端、功率MOS管M4的源極端以及二極管D8的陽極端連接；
[0018]二極管D5的陰極端與功率MOS管M3的漏極端連接，功率MOS管M3的源極端與二極管D6的陽極端、二極管D7的陽極端以及二極管D8的陰極端連接，二極管D7的陰極端與功率MOS管M4的漏極端連接。
[0019]具體地實(shí)施時(shí)，所述二極管D1、二極管D3、二極管D5以及二極管D7均為肖特基二極管。正常工作時(shí)，電流能從二極管D1、二極管D3、二極管D5、二極管D7分別流入功率MOS管Ml、功率MOS管M2、功率MOS管M3以及功率MOS管M4。在續(xù)流時(shí)，二極管Dl、二極管D3、二極管D5以及二極管D7處于反向阻斷狀態(tài)，反向恢復(fù)電流能分別從二極管D2、二極管D4、二極管D6以及二極管D8流過，實(shí)現(xiàn)全橋電路等的快速恢復(fù)，并且能降低反向恢復(fù)損耗。
[0020]如圖3所示，本實(shí)用新型的全橋電路包括功率MOS管M5、功率MOS管M6、功率MOS管M7以及功率MOS管M8 ;功率MOS管M5的漏極端與二極管DlO的陰極端、二極管D14的陰極端以及功率MOS管M7的漏極端連接，功率MOS管M5的源極端與二極管D9的陽極端以及電阻Rl的一端連接，電阻Rl的另一端與二極管D9的陰極端連接，且二極管D9的陰極端還與二極管DlO的陽極端、二極管D12的陰極端以及功率MOS管M6的漏極端連接；
[0021]功率MOS管M6的源極端與電阻R3的一端、二極管Dll的陽極端連接，電阻R3的另一端與二極管Dll的陰極端連接，且二極管Dll的陰極端還與二極管D12的陽極端、二極管D15的陰極端、二極管D16的陽極端以及電阻R4的一端連接；
[0022]電阻R4的另一端、二極管D15的陽極端與功率MOS管M8的源極端連接，二極管D16的陰極端與功率MOS管M8的漏極端連接，且二極管D16的陰極端還與二極管D14的陽極端、二極管D13的陰極端以及電阻R2的一端連接，電阻R2的另一端以及二極管D13的陽極端與功率MOS管M7的源極端連接。
[0023]具體地，所述二極管D9、二極管Dl1、二極管D13以及二極管D15均為肖特基二極管。正常工作時(shí)，功率MOS管M5、功率MOS管M6、功率MOS管M7以及功率MOS管M8的電流能分別從二極管D9、二極管Dl1、二極管D13、二極管D14流過。在反向恢復(fù)時(shí)，二極管D9、二極管D11、二極管D13以及二極管D15均處于關(guān)斷狀態(tài)，此時(shí)，分別通過電阻R1、電阻R2、電阻R3以及電阻R4來形成反向恢復(fù)時(shí)電流的通路，并通過二極管D10、二極管D12、二極管D14以及二極管D16實(shí)現(xiàn)反向恢復(fù)。在具體實(shí)施時(shí)，利用上述電路原理，還可以實(shí)現(xiàn)在半橋等電路中應(yīng)用。
[0024]本實(shí)用新型在電路處于反向恢復(fù)階段，通過外置的二極管實(shí)現(xiàn)反向恢復(fù)的通路，有效減少利用功率MOS管內(nèi)寄生二極管在恢復(fù)階段的功率損耗，結(jié)構(gòu)緊湊，適應(yīng)范圍廣，安全可靠。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種能降低反向恢復(fù)損耗的全橋電路，其特征是:包括功率MOS管Ml、功率MOS管M2、功率MOS管M3以及功率MOS管4 ;功率MOS管Ml的漏極端與二極管Dl的陰極端連接，二極管Dl的陽極端與二極管D2的陰極端、二極管D5的陽極端以及二極管D6的陰極端連接，功率MOS管Ml的源極端與二極管D2的陽極端、二極管D3的陽極端以及二極管D4的陰極端連接，二極管D3的陰極端與功率MOS管M2的漏極端連接，功率MOS管M2的源極端與二極管D4的陽極端、功率MOS管M4的源極端以及二極管D8的陽極端連接； 二極管D5的陰極端與功率MOS管M3的漏極端連接，功率MOS管M3的源極端與二極管D6的陽極端、二極管D7的陽極端以及二極管D8的陰極端連接，二極管D7的陰極端與功率MOS管M4的漏極端連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的能降低反向恢復(fù)損耗的全橋電路，其特征是:所述二極管D1、二極管D3、二極管D5以及二極管D7均為肖特基二極管。3.一種能降低反向恢復(fù)損耗的全橋電路，其特征是:包括功率MOS管M5、功率MOS管M6、功率MOS管M7以及功率MOS管M8 ;功率MOS管M5的漏極端與二極管DlO的陰極端、二極管D14的陰極端以及功率MOS管M7的漏極端連接，功率MOS管M5的源極端與二極管D9的陽極端以及電阻Rl的一端連接，電阻Rl的另一端與二極管D9的陰極端連接，且二極管D9的陰極端還與二極管DlO的陽極端、二極管D12的陰極端以及功率MOS管M6的漏極端連接; 功率MOS管M6的源極端與電阻R3的一端、二極管Dll的陽極端連接，電阻R3的另一端與二極管Dll的陰極端連接，且二極管Dll的陰極端還與二極管D12的陽極端、二極管D15的陰極端、二極管D16的陽極端以及電阻R4的一端連接； 電阻R4的另一端、二極管D15的陽極端與功率MOS管M8的源極端連接，二極管D16的陰極端與功率MOS管M8的漏極端連接，且二極管D16的陰極端還與二極管D14的陽極端、二極管D13的陰極端以及電阻R2的一端連接，電阻R2的另一端以及二極管D13的陽極端與功率MOS管M7的源極端連接。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的能降低反向恢復(fù)損耗的全橋電路，其特征是:所述二極管D9、二極管D11、二極管D13以及二極管D15均為肖特基二極管。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種能降低反向恢復(fù)損耗的全橋電路，其功率MOS管M1的漏極端與二極管D1的陰極端連接，二極管D1的陽極端與二極管D2的陰極端、二極管D5的陽極端以及二極管D6的陰極端連接，功率MOS管M1的源極端與二極管D2的陽極端、二極管D3的陽極端以及二極管D4的陰極端連接，二極管D3的陰極端與功率MOS管M2的漏極端連接，功率MOS管M2的源極端與二極管D4的陽極端、功率MOS管M4的源極端以及二極管D8的陽極端連接；二極管D5的陰極端與功率MOS管M3的漏極端連接，功率MOS管M3的源極端與二極管D6的陽極端、二極管D7的陽極端以及二極管D8的陰極端連接，二極管D7的陰極端與功率MOS管M4的漏極端連接。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)緊湊，能降低反向恢復(fù)的損耗，成本低。
【IPC分類】H02M1/32
【公開號】CN204886685
【申請?zhí)枴緾N201520672129
【發(fā)明人】白玉明, 冷強(qiáng), 張海濤
【申請人】無錫同方微電子有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年9月1日