1.一種用于步進電機驅(qū)動的集成芯片，其特征在于，包括引線框架，所述引線框架形成有第一芯片載體、四個第二芯片載體、四個第三芯片載體；所述第一芯片載體上設(shè)置有TC1005驅(qū)動芯片；四個所述第二芯片載體上各設(shè)有一N-MOS管芯片，四個所述第三芯片載體上各設(shè)有一P-MOS管芯片；所述TC1005驅(qū)動芯片與四個所述N-MOS管芯片及四個所述P-MOS管芯片電連接；其中，四個所述第二芯片載體和四個所述第三芯片載體均設(shè)置在所述引線框架的外邊緣。
2.如權(quán)利要求1所述的用于步進電機驅(qū)動的集成芯片，其特征在于，所述第一芯片載體設(shè)置于所述引線框架的中部，四個所述第二芯片載體和四個所述第三芯片載體環(huán)設(shè)在所述第一芯片載體的外圍。
3.如權(quán)利要求2所述的用于步進電機驅(qū)動的集成芯片，其特征在于，所述引線框架呈方形設(shè)置，且具有相對的第一側(cè)和第二側(cè)，四個所述第二芯片載體對應(yīng)設(shè)置在所述引線框架的第一側(cè)，四個所述第三芯片載體對應(yīng)設(shè)置在所述引線框架的第二側(cè)。
4.如權(quán)利要求2所述的用于步進電機驅(qū)動的集成芯片，其特征在于，所述引線框架呈方形設(shè)置，且具有相對的第一側(cè)和第二側(cè)，兩個所述第二芯片載體和兩個所述第三芯片載體并排設(shè)置在所述引線框架的第一側(cè)，兩個所述第二芯片載體和兩個所述第三芯片載體并排設(shè)置在所述引線框架的第二側(cè)。
5.如權(quán)利要求1至4任一項所述的用于步進電機驅(qū)動的集成芯片，其特征在于，所述引線框架還包括與所述TC1005驅(qū)動芯片的信號腳一一對應(yīng)連接的多個信號引腳、與所述四個所述N-MOS管芯片的源極引腳一一對應(yīng)連接的多個散熱引腳，以及與所述四個所述P-MOS管芯片的源極引腳一一對應(yīng)連接的多個散熱引腳。
6.如權(quán)利要求5所述的用于步進電機驅(qū)動的集成芯片，其特征在于，多個所述散熱引腳與各所述第二芯片載體及各所述第三芯片載體一體設(shè)置。
7.如權(quán)利要求5所述的用于步進電機驅(qū)動的集成芯片，其特征在于，所述散熱引腳的寬度為1.05mm，所述散熱引腳與相鄰的所述散熱引腳的間距為0.8mm；多個所述信號引腳的寬度為0.3mm，所述信號引腳與相鄰的所述信號引腳的間距為0.8mm。
8.如權(quán)利要求5所述的用于步進電機驅(qū)動的集成芯片，其特征在于，所述用于步進電機驅(qū)動的集成芯片還包括封裝體，所述封裝體包裹于所述引線框架的外表面；所述封裝體的長度和寬度均為10mm。
9.如權(quán)利要求5所述的用于步進電機驅(qū)動的集成芯片，其特征在于，所述TC1005驅(qū)動芯片包括多個信號輸入腳及多個信號輸出腳；所述TC1005驅(qū)動芯片的多個信號輸入腳用于接收輸入信號；所述TC1005驅(qū)動芯片的多個信號輸出腳與多個所述N-MOS管芯片的柵極及多個所述P-MOS管芯片的柵極一一對應(yīng)連接；
所述TC1005驅(qū)動芯片用于接收輸入信號，并產(chǎn)生驅(qū)動信號，以驅(qū)動多個所述N-MOS管芯片及多個所述P-MOS管芯片相應(yīng)導(dǎo)通/關(guān)斷；
各所述P-MOS管芯片的漏極用于與供電電源電連接；四個所述P-MOS管芯片的源極與四個所述N-MOS管芯片的源極一一對應(yīng)電連接；各所述N-MOS管芯片的漏極用于接地。
10.一種電機驅(qū)動裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至9任意一項所述的用于步進電機驅(qū)動的集成芯片。