1.一種電子設(shè)備的保護電路，其特征在于，包括防反接電路，所述防反接電路包括帶有體二極管的MOS和第一電阻，所述MOS的源極與所述第一電阻的第一端連接，二者的公共端作為所述防反接電路的第一輸出端與負載的第一端連接，所述MOS的柵極與所述第一電阻的第二端連接，二者的公共端作為所述防反接電路的第二輸出端與所述負載的第二端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備的保護電路，其特征在于，還包括保險絲，所述保險絲設(shè)置于所述防反接電路的前端。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子設(shè)備的保護電路，其特征在于，所述防反接電路還包括第二電阻，所述第二電阻的第一端與所述MOS的柵極和所述第一電阻的第二端連接，所述第二電阻的第二端作為所述第二輸出端與所述負載的第二端連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任意一項所述的電子設(shè)備的保護電路，其特征在于，還包括設(shè)置于所述防反接電路與所述負載之間的過壓檢測電路和用于在所述過壓檢測電路輸出過壓信號時告警的過壓告警電路，所述過壓檢測電路包括第三電阻、第四電阻、第十電阻、第一PNP三極管和穩(wěn)壓二極管；
其中，所述第三電阻的第一端與所述第十電阻的第一端和所述第一輸出端連接，所述第三電阻的第二端與所述第四電阻的第一端和所述穩(wěn)壓二極管的陰極連接，所述穩(wěn)壓二極管的陽極與所述負載的第二端連接，所述第四電阻的第二端與所述第一PNP三極管的基極連接，所述第一PNP三極管的發(fā)射極與所述第十電阻的第二端連接，所述第一PNP三極管的集電極與所述過壓告警電路連接，所述第十電阻的第一端還與所述負載的第一端連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子設(shè)備的保護電路，其特征在于，所述過壓告警電路具體包括第十一電阻，第十二電阻，第十三電阻，帶有體二極管的第一NMOS和告警提示器件；
其中，所述第十三電阻的第一端和所述第十一電阻的第一端與所述第一PNP三極管的集電極連接，所述第十三電阻的第二端與所述第十二電阻的第一端和所述第一NMOS的柵極連接，所述第一NMOS的源極與所述第十二電阻的第二端連接，并與所述負載的第二輸出端連接，所述第十一電阻的第二端與所述告警提示器件的第一端連接，所述告警提示器件的第二端與所述第一NMOS的漏極連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電子設(shè)備的保護電路，其特征在于，所述告警提示器件為LED或蜂鳴器。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子設(shè)備的保護電路，其特征在于，還包括與所述過壓檢測電路并聯(lián)的軟開關(guān)與過壓保護電路，所述軟開關(guān)與過壓保護電路包括第五電阻，第六電阻，第七電阻，第八電阻，第九電阻，第二NMOS和第二PNP三極管；
其中，所述第五電阻的第一端與所述第十電阻的第一端和所述第九電阻的第一端連接，所述第五電阻的第二端與所述第六電阻的第一端和所述第二NMOS的漏極連接，所述第六電阻的第二端與所述第二PNP三極管的基極連接，所述第二PNP三極管的發(fā)射極與所述第九電阻的第二端連接，所述第二PNP三極管的集電極與所述第一PNP三極管的發(fā)射極連接，所述第二NMOS的柵極與所述第八電阻的第一端連接，所述第二NMOS的源極與所述第八電阻的第二端連接，并與所述負載的第二端連接，所述第七電阻的第一端與所述第二PNP三極管的集電極和所述負載的第一端連接，所述第七電阻的第二端與所述負載的第二端連接，所述第二NMOS的柵極還與輸出高電平信號和低電平信號的外部設(shè)備連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子設(shè)備的保護電路，其特征在于，所述軟開關(guān)與過壓保護電路還包括帶有體二極管的PMOS，所述PMOS的源極與所述第九電阻的第一端連接，所述PMOS的漏極與所述負載的第一端連接，所述PMOS的柵極與所述第七電阻的第一端連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子設(shè)備的保護電路，其特征在于，所述軟開關(guān)與過壓保護電路還包括二極管，所述二極管的陽極與所述第一PNP三極管的集電極連接，所述二極管的陰極與所述第二PNP三極管的集電極連接。
10.一種電子設(shè)備，包括負載，其特征在于，還包括權(quán)利要求1-9任意一項所述的保護電路。