1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有：
功率半導(dǎo)體元件；
所述功率半導(dǎo)體元件的主電極端子；
傳感器部，其發(fā)出與所述功率半導(dǎo)體元件的物理狀態(tài)相對應(yīng)的信號；
傳感器用信號端子，其與所述傳感器部連接；
驅(qū)動用端子，其供給用于對所述功率半導(dǎo)體元件進(jìn)行驅(qū)動的電力；以及
殼體，其收容所述功率半導(dǎo)體元件、所述主電極端子、所述傳感器部、所述傳感器用信號端子以及所述驅(qū)動用端子，
所述傳感器用信號端子以及所述驅(qū)動用端子設(shè)置為能夠從所述殼體的外部進(jìn)行接線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述物理狀態(tài)為溫度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述物理狀態(tài)為電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述物理狀態(tài)為電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述傳感器用信號端子以及所述驅(qū)動用端子配置于所述殼體的內(nèi)側(cè)，所述傳感器用信號端子以及所述驅(qū)動用端子的上端處于比所述殼體的上表面部低的位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述傳感器用信號端子以及所述驅(qū)動用端子的上端處于比所述殼體的上表面部高的位置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述傳感器用信號端子以及所述驅(qū)動用端子包含：上端處于比所述殼體的上表面部低的位置的端子；以及上端處于比所述殼體的上表面部高的位置的端子。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述傳感器用信號端子包含將從搭載有所述功率半導(dǎo)體元件的配線圖案取出的信號輸出的端子。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述傳感器用信號端子以及所述驅(qū)動用端子配置于配線圖案之上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述功率半導(dǎo)體元件由寬帶隙半導(dǎo)體形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述寬帶隙半導(dǎo)體為碳化硅、氮化鎵類材料或者金剛石。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述傳感器用信號端子以及所述驅(qū)動用端子包含壓配合端子。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
所述傳感器用信號端子以及所述驅(qū)動用端子為母端子。
14.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
利用封裝樹脂填充所述殼體的內(nèi)部。
15.一種智能功率模塊，其特征在于，具有：
權(quán)利要求1或2所述的所述半導(dǎo)體裝置；以及
控制基板，其與所述傳感器用信號端子以及所述驅(qū)動用端子連接，
所述控制基板具有：
外部輸入輸出用控制信號端子；以及
集成電路，
所述集成電路與所述外部輸入輸出用控制信號端子、所述傳感器用信號端子以及所述驅(qū)動用端子連接，進(jìn)行所述功率半導(dǎo)體元件的驅(qū)動的控制、以及與所述傳感器用信號端子所輸出的信號相對應(yīng)的所述功率半導(dǎo)體元件的保護(hù)動作的控制。
16.一種電力轉(zhuǎn)換裝置，其搭載有權(quán)利要求1或2所述的所述半導(dǎo)體裝置。