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一種rfideeprom電荷泵的制作方法

文檔序號(hào):7387017閱讀:234來(lái)源:國(guó)知局
一種rfid eeprom 電荷泵的制作方法
【專利摘要】一種RFID?EEPROM電荷泵,包括第一級(jí)電荷泵和第二級(jí)電荷泵組成的兩級(jí)電荷泵、電平轉(zhuǎn)換器和時(shí)鐘產(chǎn)生器,第一級(jí)電荷泵由芯片供電電壓Vdd供電產(chǎn)生比供電電壓Vdd高的低電壓輸出信號(hào),第一級(jí)電荷泵輸出端連接第二級(jí)電荷泵,時(shí)鐘產(chǎn)生器的輸出端連接第一級(jí)電荷泵,時(shí)鐘產(chǎn)生器的輸出端通過(guò)電平轉(zhuǎn)換器連接第二級(jí)電荷泵,電平轉(zhuǎn)換器連接第一級(jí)電荷泵的輸出端。本發(fā)明的RFIDEEPROM電荷泵,采用雙級(jí)電荷泵來(lái)獲得EEPROM擦寫所需的電壓,通過(guò)電平轉(zhuǎn)換器獲得第二級(jí)電荷泵所需的高壓時(shí)鐘,襯底效應(yīng)不明顯,可以從較低電壓產(chǎn)生EEPROM編程所需高壓信號(hào),同時(shí)還可以最大限度的降低峰值電流消耗,從而提高標(biāo)簽芯片的靈敏度和讀寫距離。
【專利說(shuō)明】-種RFID EEPROM電荷泵

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及EEPROM領(lǐng)域,尤其涉及一種應(yīng)用于RFID集成電路中的EEPROM電荷 栗。

【背景技術(shù)】
[0002] 無(wú)線射頻識(shí)別(Radio Frequency Identification ,縮寫 RFID)系統(tǒng)通常包含RFID 閱讀器和一組RFID標(biāo)簽。RFID閱讀器和標(biāo)簽通過(guò)無(wú)線方式完成通信,用于傳輸ID和數(shù)據(jù), 這些數(shù)據(jù)通常都存儲(chǔ)在RFID芯片中的內(nèi)嵌EEPROM上。RFID標(biāo)簽通常都是無(wú)源的,通過(guò)從 RFID閱讀器中發(fā)送的射頻場(chǎng)獲取所需的能量。由于RFID標(biāo)簽可獲取的能量有限,且隨著與 RFID閱讀器的距離增加而減小,所以盡量降低RFID標(biāo)簽的功耗就變得很重要,特別是對(duì)于 UHF RFID系統(tǒng)就更是如此。通常RFID標(biāo)簽工作在-20dBm甚至更低的功率下,工作電壓通 常為IV。
[0003] RFID標(biāo)簽通常采用EEPROM存儲(chǔ)ID和數(shù)據(jù),在EEPROM中,是通過(guò)給浮柵施為16V 高壓信號(hào)從而強(qiáng)制注入電荷而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)位的存儲(chǔ)。電荷是通過(guò)量子穿隧效應(yīng)轉(zhuǎn)移到浮柵上 的,當(dāng)高壓信號(hào)消失后,電荷仍會(huì)保留。這就使得晶體管處于"0N"狀態(tài),相反,當(dāng)浮柵上沒(méi) 有電荷存在時(shí)處于"OFF"狀態(tài)。
[0004] 電荷泵通常是先給電容充電直至供電電平,然后交換電容兩個(gè)終端,以使得在充 電過(guò)程中處于接地電勢(shì)的電容底端經(jīng)過(guò)轉(zhuǎn)換后處于供電電壓電勢(shì),這樣就使得另外一端處 于兩倍于供電電壓電平。電容中的電荷然后可以轉(zhuǎn)移到下一個(gè)電容,并重復(fù)上述過(guò)程。通 過(guò)這樣一系列的處理,就可以獲得比輸入電壓高得多的電壓信號(hào)。"迪克森"電荷泵是一種 典型電荷泵結(jié)構(gòu),如圖1所示,為分立元件實(shí)現(xiàn)方式,二極管1用來(lái)防止電荷通過(guò)反向漏電, 一個(gè)雙相時(shí)鐘輸出端2提供雙向時(shí)鐘信號(hào)用來(lái)交換電容用以通過(guò)低壓端5的低壓Vin產(chǎn)生 高壓端4的高壓Vout。這種方案的主要缺點(diǎn)是電壓轉(zhuǎn)移效果受到二極管前向電壓的限制。
[0005] 圖2為一種迪克森電荷泵用于集成電路的結(jié)構(gòu)原理圖,采用晶體管2連接成二極 管的方式替代了原有二極管1的方式,和分立兀件方式一樣米用了雙相時(shí)鐘用于驅(qū)動(dòng)電荷 泵,其雙相時(shí)鐘信號(hào)如圖3所示,該電路和分立元件一樣,由于受到NM0S晶體管門限電壓V th 的限制,電壓轉(zhuǎn)移效率并不十分理想。另外一個(gè)問(wèn)題通常稱為"襯底效應(yīng)",即CMOS晶體管 的Vth電壓信號(hào)隨著源極和漏極之間的電壓增加而增加。每增加一級(jí),電荷泵的效率就比上 一級(jí)更低。這種效應(yīng)在升壓的級(jí)數(shù)越多時(shí)就越明顯。
[0006] 圖4為一種克服"襯底效應(yīng)"的電荷泵電路,每個(gè)晶體管6的柵極電壓通過(guò)額外的 晶體管實(shí)現(xiàn)"自舉",自舉晶體管增加了施加到主晶體管的電壓,這時(shí)就需要一種非疊合四 相時(shí)鐘電路,其信號(hào)波形圖如圖5所示。即使采用了這種方式的自舉電路,也很難從低于 1. 8V的電壓信號(hào)產(chǎn)生編程所需的16V高壓。因此,現(xiàn)在絕大部分RFID標(biāo)簽都只能實(shí)現(xiàn)讀寫 的非對(duì)稱操作,這是因?yàn)樽x操作通常需要IV左右的電壓信號(hào),而寫則需要較高的電壓,通 常約1.5V。這就造成了讀寫操作距離的不對(duì)稱,寫距離通常只有讀取距離的一半。
[0007] 在靜態(tài)情況下,在輸出電壓已經(jīng)達(dá)到最大值并進(jìn)入穩(wěn)態(tài)后,電荷泵的消耗電流主 要取決于負(fù)載值。電荷泵的輸出阻抗,比如電流供電能力,主要取決于電荷泵的驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘的 頻率。除嘗試提高電荷泵的效率外,在改善電荷泵靜態(tài)電流消耗方面并沒(méi)有太多的改進(jìn)余 地。
[0008] 然而,在電荷泵的初始充電階段,消耗電流要比靜態(tài)下高很多。初始的電流消耗是 無(wú)源RFID標(biāo)簽芯片需要考慮的重點(diǎn)。無(wú)源RFID標(biāo)簽芯片從閱讀器發(fā)射的電磁波中獲取能 量,入射信號(hào)電平可能非常低,通常需要使用射頻電荷泵用來(lái)產(chǎn)生足夠高的工作電壓。電荷 泵一般有很多級(jí),導(dǎo)致輸出電阻很高。此外,標(biāo)簽天線通常都調(diào)諧在高Q狀態(tài)以匹配電荷泵 的輸入級(jí)。所有上述這些因素都會(huì)限制RFID輸入級(jí)的提供較大電流的能力。此外,增加一 個(gè)較大容量的解耦電容也會(huì)帶來(lái)許多問(wèn)題,如體積和成本增加等。所以,最大可能的降低 EEPR0M電荷泵的初始電流大小就變得極為重要,這也成為限制標(biāo)簽靈敏度和讀取距離的最 關(guān)鍵因素。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 本發(fā)明的目的是提供一種用于RFID標(biāo)簽芯片的EEPR0M電荷泵,在降低所需的供 電電壓的同時(shí),最大限度降低峰值電流的消耗,從而提高標(biāo)簽芯片的靈敏度和讀寫距離。 [0010] 本發(fā)明為實(shí)現(xiàn)上述目的所采用的技術(shù)方案是:一種RFID EEPR0M電荷泵,包括 第一級(jí)電荷泵和第二級(jí)電荷泵組成的兩級(jí)電荷泵、電平轉(zhuǎn)換器和時(shí)鐘產(chǎn)生器,第一級(jí)電荷 泵由芯片供電電壓Vdd供電產(chǎn)生比供電電壓Vdd高的低電壓輸出信號(hào),第一級(jí)電荷泵輸出 端連接第二級(jí)電荷泵,第二級(jí)電荷泵由第一級(jí)電荷泵的輸出電壓Vol供電產(chǎn)生EEPR0M擦寫 所需的電壓V 〇2,時(shí)鐘產(chǎn)生器的輸出端連接第一級(jí)電荷泵,時(shí)鐘產(chǎn)生器的輸出端通過(guò)電平轉(zhuǎn) 換器連接第二級(jí)電荷泵產(chǎn)生第二級(jí)電荷泵所需的高壓時(shí)鐘,電平轉(zhuǎn)換器連接第一級(jí)電荷泵 的輸出端,電平轉(zhuǎn)換器由第一級(jí)電荷泵的輸出電壓Vol供電。
[0011] 所述時(shí)鐘產(chǎn)生器包括至少一級(jí)時(shí)鐘分頻器、用以選擇不同級(jí)分頻器輸出信號(hào)的多 路復(fù)用器和用來(lái)控制多路復(fù)用器以選擇不同的輸出的計(jì)數(shù)器,分頻器串聯(lián)連接,主時(shí)鐘僅 連接第一級(jí)時(shí)鐘分頻器的輸入端,第一級(jí)的輸出作為第二級(jí)時(shí)鐘分頻器的輸入;多路復(fù)用 器連接主時(shí)鐘和各級(jí)時(shí)鐘分頻器輸出端,計(jì)數(shù)器連接主時(shí)鐘和多路復(fù)用器。
[0012] 所述時(shí)鐘產(chǎn)生器為壓控振蕩器,通過(guò)增加電壓信號(hào)增加輸出信號(hào)的頻率。
[0013] 所述時(shí)鐘產(chǎn)生器輸出頻率通過(guò)遞進(jìn)方式或連續(xù)方式增加產(chǎn)生。
[0014] 所述時(shí)鐘產(chǎn)生器輸出為雙相時(shí)鐘信號(hào)、非重疊雙相時(shí)鐘信號(hào)或四相時(shí)鐘信號(hào)。
[0015] 所述第一級(jí)電荷泵為低壓晶體管電路,采用低壓本征NM0S晶體管。
[0016] 所述第二級(jí)電荷泵為高壓晶體管電路,采用高壓本征NM0S晶體管。
[0017] 所述第一級(jí)電荷泵和第二級(jí)電荷泵均采用迪克森電荷泵電路或帶有襯底效應(yīng)補(bǔ) 償電路的電荷泵。
[0018] 所述芯片供電電壓Vdd低于1. 5V,EEPR0M擦寫所需的電壓Vo2為16V。
[0019] 本發(fā)明的RFID EEPR0M電荷泵,采用雙級(jí)電荷泵來(lái)獲得EEPR0M擦寫所需的電壓, 通過(guò)電平轉(zhuǎn)換器獲得第二級(jí)電荷泵所需的高壓時(shí)鐘,襯底效應(yīng)不明顯,可以集成到同時(shí)具 有低壓晶體管(如1. 8V)和高壓(如16V)半導(dǎo)體處理工藝流程的RFID芯片中,可以從較低 電壓產(chǎn)生EEPR0M編程所需高壓信號(hào),同時(shí)還可以最大限度的降低峰值電流消耗,從而提高 標(biāo)簽芯片的靈敏度和讀寫距離。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020] 圖1是分立元件組成的迪克森電荷泵原理圖。
[0021] 圖2是集成電路中的迪克森電荷泵原理圖。
[0022] 圖3是集成電路中的迪克森電荷泵的雙相時(shí)鐘圖。
[0023] 圖4帶有襯底效應(yīng)補(bǔ)償電路的電荷泵原理圖。
[0024] 圖5帶有襯底效應(yīng)補(bǔ)償電路的電荷泵的四相時(shí)鐘圖。
[0025] 圖6是本發(fā)明RFID EEPR0M電荷泵原理圖。
[0026] 圖7是本發(fā)明電平轉(zhuǎn)換器的輸入和輸出信號(hào)波形圖。
[0027] 圖8是本發(fā)明用于驅(qū)動(dòng)電荷泵的時(shí)鐘產(chǎn)生器原理圖。
[0028] 圖9是本發(fā)明時(shí)鐘產(chǎn)生器的輸出波形圖。
[0029] 圖10是電荷泵的電流消耗圖。
[0030] 圖11電荷泵的輸出電壓波形圖。
[0031] 圖中:1、二極管,2、雙相時(shí)鐘輸出端,3、電容,4、高壓輸出端,5、低壓輸入端,6、晶 體管。

【具體實(shí)施方式】
[0032] 本發(fā)明的用于RFID芯片的電荷泵原理如圖6所不,包括一個(gè)第一級(jí)電荷泵和第二 級(jí)電荷泵組成的兩級(jí)電荷泵,一個(gè)電平轉(zhuǎn)換器和一個(gè)時(shí)鐘產(chǎn)生器。本發(fā)明可以集成到同時(shí) 具有低壓晶體管(如1. 8V)和高壓(如16V)半導(dǎo)體處理工藝流程的RFID芯片中。
[0033] 雙級(jí)電荷泵的第一級(jí)由芯片供電電壓Vdd供電,用以產(chǎn)生比Vdd高的電壓輸出信 號(hào),但同時(shí)也要足夠低,從而該電荷泵可以全部采用低壓晶體管電路實(shí)現(xiàn)。第一級(jí)電荷泵輸 出端連接第二級(jí)電荷泵,第二級(jí)電荷泵由第一級(jí)電荷泵的輸出電壓Vol供電產(chǎn)生EEPR0M擦 寫所需的電壓V 〇2,采用高壓晶體管設(shè)計(jì)。芯片供電電壓Vdd可以低于1. 5V,最低可低至IV 或更低。電荷泵的最終輸出電壓高達(dá)16V,也可根據(jù)采用的EEPR0M技術(shù)所需適當(dāng)變化。兩 級(jí)電荷泵可以采用迪克森電荷泵電路或帶有襯底效應(yīng)補(bǔ)償電路的電荷泵,其中一個(gè)或兩個(gè) 也可以采用其它形式的電荷泵。
[0034] 時(shí)鐘產(chǎn)生器可由外部或內(nèi)部主時(shí)鐘晶振驅(qū)動(dòng),包括一級(jí)或多級(jí)時(shí)鐘分頻器、用以 選擇不同級(jí)分頻器輸出信號(hào)的多路復(fù)用器和用來(lái)控制多路復(fù)用器以選擇不同的輸出的計(jì) 數(shù)器,不同的分頻器可以以串接方式連接,這樣主時(shí)鐘僅連接到第一級(jí)時(shí)鐘分頻器的輸入 端,第一級(jí)的輸出作為第二級(jí)的輸入,并以此類推,下一級(jí)分頻器的輸出是上一級(jí)時(shí)鐘頻率 的一半。時(shí)鐘產(chǎn)生器還可有一個(gè)計(jì)數(shù)器用以記錄不同的時(shí)間段,計(jì)數(shù)器可以用來(lái)控制多路 復(fù)用器以選擇不同的輸出。比如,計(jì)數(shù)器第一階段選擇最后一個(gè)分頻器的輸出,第二階段選 擇倒數(shù)第二個(gè)分頻器的輸出,依次類推,這樣隨著每一段時(shí)間增加,多路復(fù)用器的輸出就增 加或者加倍。
[0035] 還可以通過(guò)其他方式用以產(chǎn)生電荷泵所需的漸增的時(shí)鐘頻率。晶體振蕩器還可以 是一個(gè)壓控振蕩器,通過(guò)增加電壓信號(hào)用以增加輸出信號(hào)的頻率。
[0036] 時(shí)鐘產(chǎn)生器的輸出可以是雙相時(shí)鐘,其中一個(gè)時(shí)鐘相位是另一個(gè)的反轉(zhuǎn)相位,也 可以是非重疊雙相時(shí)鐘,也就是兩個(gè)時(shí)鐘相位不會(huì)同時(shí)為高。輸出信號(hào)還可以是四相時(shí)鐘, 或者上述雙級(jí)電荷泵需要的其它形式。時(shí)鐘產(chǎn)生器可以全部由和芯片供電電壓Vdd相同的 低壓邏輯電路實(shí)現(xiàn)。時(shí)鐘產(chǎn)生器的輸出可以直接連接到第一級(jí)電荷泵。時(shí)鐘產(chǎn)生器的輸出 可通過(guò)電平轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生第二級(jí)電荷泵所需的高壓時(shí)鐘,該電平轉(zhuǎn)換器可有第一級(jí)電荷泵的 輸出供電。時(shí)鐘產(chǎn)生器輸出頻率通過(guò)遞進(jìn)方式或連續(xù)方式增加產(chǎn)生。時(shí)鐘產(chǎn)生器輸出為雙 相時(shí)鐘信號(hào)、非重疊雙相時(shí)鐘信號(hào)或四相時(shí)鐘信號(hào)。
[0037] 具體實(shí)施例: 本發(fā)明的RFID EEPR0M電荷泵可用于半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中有低壓(1.8V)、中壓(3. 3V) 和高壓(16V)晶體管的情形,RFID EEPR0M電荷泵包含一個(gè)時(shí)鐘產(chǎn)生器、一個(gè)低壓第一電荷 泵級(jí)、一個(gè)高壓第二電荷泵級(jí)和一個(gè)電平轉(zhuǎn)換器。
[0038] 第一級(jí)電荷泵的輸入電壓為Vdd,典型情況下為IV,也可以是更低電壓。該級(jí)由時(shí) 鐘產(chǎn)生器生成的低壓雙相時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)。第一級(jí)電荷泵的輸出作為第二級(jí)電荷泵的輸入Vol,電 壓約3.3V。Vol還給電平轉(zhuǎn)換器供電,其輸入是兩個(gè)低電壓雙相時(shí)鐘和(K 2,輸出是 兩個(gè)和Vol-致的中壓雙相時(shí)鐘ΦΗ1和ΦΗ2,如圖7所示。Φ Η1和ΦΗ2用來(lái)作為第二級(jí) 電荷泵的時(shí)鐘信號(hào),第二級(jí)電荷泵的輸出信號(hào)Vo2可以達(dá)到16V。
[0039] 第一級(jí)電荷泵僅需要產(chǎn)生約3. 3V電壓,僅需4級(jí)升壓電路,襯底效應(yīng)不明顯,可以 采用圖2所示通常的迪克森電荷泵結(jié)構(gòu),也可以使用低壓(1. 8V)本征NM0S晶體管作為二 極管來(lái)使用。
[0040] 第二級(jí)電荷泵需要從3. 3V升壓到16V,由于本級(jí)時(shí)鐘采用3. 3V,所以僅需6級(jí)升 壓電路,同樣襯底效應(yīng)也不明顯??梢圆捎脠D1所示的通常迪克森電荷泵結(jié)構(gòu),可以采用高 壓(16 V)本征NM0S晶體管來(lái)作為二極管來(lái)使用。
[0041] 圖8為時(shí)鐘產(chǎn)生器的原理圖,時(shí)鐘產(chǎn)生器包含兩級(jí)分頻器,即第一級(jí)時(shí)鐘分頻器 和第二級(jí)時(shí)鐘分頻器,一個(gè)多路復(fù)用器和一個(gè)計(jì)數(shù)器,時(shí)鐘產(chǎn)生器的輸入時(shí)鐘信號(hào)由內(nèi)部 或外部晶振產(chǎn)生,每一級(jí)分頻器都將時(shí)鐘信號(hào)頻率除2,于是產(chǎn)生如圖9所示的輸出波形圖 a、輸出波形圖b、輸出波形圖c,計(jì)數(shù)器用來(lái)對(duì)三個(gè)時(shí)間段計(jì)數(shù),在第一個(gè)時(shí)段,多路復(fù)用器 選擇選擇波形圖c作為輸出,在第二個(gè)時(shí)間段,多路復(fù)用器選擇選擇波形圖b作為輸出, 最后一個(gè)時(shí)間段,多路復(fù)用器選擇選擇波形圖a作為輸出,這樣最終輸出波形d就是逐級(jí) 遞增的頻率。比如,當(dāng)時(shí)鐘輸入是1MHz時(shí),第一時(shí)段的輸出就是250KHz,第二時(shí)間段的輸出 是500KHz,剩下的時(shí)段中,輸出就是1MHz。
[0042] 圖10給出了電荷泵的電路消耗對(duì)比圖。僅采用單一時(shí)鐘頻率的電荷泵電流消耗 e,本發(fā)明的實(shí)際電流消耗f具有更低的峰值。圖11給出了實(shí)際輸出電壓波形圖g于單一 頻率時(shí)鐘輸出電壓波形h對(duì)比圖。圖示波形表明輸出電壓幾乎呈線性,而單一時(shí)鐘頻率信 號(hào)設(shè)計(jì)將呈對(duì)數(shù)形式增加。由此可見,本發(fā)明的EEPR0M電荷泵,在降低所需的供電電壓的 同時(shí),最大限度降低峰值電流的消耗。
[〇〇43] 本發(fā)明是通過(guò)實(shí)施例進(jìn)行描述的,本領(lǐng)域技術(shù)人員知悉,在不脫離本發(fā)明的精神 和范圍的情況下,可以對(duì)這些特征和實(shí)施例進(jìn)行各種改變或等效替換。另外,在本發(fā)明的教 導(dǎo)下,可以對(duì)這些特征和實(shí)施例進(jìn)行修改以適應(yīng)具體的情況及材料而不會(huì)脫離本發(fā)明的精 神和范圍。因此,本發(fā)明不受此處所公開的具體實(shí)施例的限制,所有落入本申請(qǐng)的權(quán)利要求 范圍內(nèi)的實(shí)施例都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種RFID EEPROM電荷泵,其特征在于:包括第一級(jí)電荷泵和第二級(jí)電荷泵組成的 兩級(jí)電荷泵、電平轉(zhuǎn)換器和時(shí)鐘產(chǎn)生器,第一級(jí)電荷泵由芯片供電電壓(Vdd)供電產(chǎn)生比供 電電壓(Vdd)高的低電壓輸出信號(hào),第一級(jí)電荷泵輸出端連接第二級(jí)電荷泵,第二級(jí)電荷泵 由第一級(jí)電荷泵的輸出電壓(Vol)供電產(chǎn)生EEPROM擦寫所需的電壓(V 〇2),時(shí)鐘產(chǎn)生器的 輸出端連接第一級(jí)電荷泵,時(shí)鐘產(chǎn)生器的輸出端通過(guò)電平轉(zhuǎn)換器連接第二級(jí)電荷泵產(chǎn)生第 二級(jí)電荷泵所需的高壓時(shí)鐘,電平轉(zhuǎn)換器連接第一級(jí)電荷泵的輸出端,電平轉(zhuǎn)換器由第一 級(jí)電荷泵的輸出電壓(Vol)供電。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種RFID EEPROM電荷泵,其特征在于:所述時(shí)鐘產(chǎn)生器包 括至少一級(jí)時(shí)鐘分頻器、用以選擇不同級(jí)分頻器輸出信號(hào)的多路復(fù)用器和用來(lái)控制多路復(fù) 用器以選擇不同的輸出的計(jì)數(shù)器,分頻器串聯(lián)連接,主時(shí)鐘僅連接第一級(jí)時(shí)鐘分頻器的輸 入端,第一級(jí)的輸出作為第二級(jí)時(shí)鐘分頻器的輸入;多路復(fù)用器連接主時(shí)鐘和各級(jí)時(shí)鐘分 頻器輸出端,計(jì)數(shù)器連接主時(shí)鐘和多路復(fù)用器。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種RFID EEPROM電荷泵,其特征在于:所述時(shí)鐘產(chǎn)生器為 壓控振蕩器,通過(guò)增加電壓信號(hào)增加輸出信號(hào)的頻率。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種RFID EEPROM電荷泵,其特征在于:所述時(shí)鐘產(chǎn)生器輸 出頻率通過(guò)遞進(jìn)方式或連續(xù)方式增加產(chǎn)生。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種RFID EEPROM電荷泵,其特征在于:所述時(shí)鐘產(chǎn)生器輸 出為雙相時(shí)鐘信號(hào)、非重疊雙相時(shí)鐘信號(hào)或四相時(shí)鐘信號(hào)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種RFID EEPROM電荷泵,其特征在于:所述第一級(jí)電荷泵 為低壓晶體管電路,采用低壓本征NM0S晶體管。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種RFID EEPROM電荷泵,其特征在于:所述第二級(jí)電荷泵 為商壓晶體管電路,米用商壓本征NM0S晶體管。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種RFID EEPROM電荷泵,其特征在于:所述第一級(jí)電荷泵 和第二級(jí)電荷泵均采用迪克森電荷泵電路或帶有襯底效應(yīng)補(bǔ)償電路的電荷泵。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種RFID EEPROM電荷泵,其特征在于:所述芯片供電電壓 (Vdd)低于1.5V,EEPR0M擦寫所需的電壓(Vo2)為16V。
【文檔編號(hào)】H02M3/07GK104092371SQ201410375603
【公開日】2014年10月8日 申請(qǐng)日期:2014年8月1日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月1日
【發(fā)明者】韓德克, 田果成, 張義強(qiáng), 徐虎, 邱運(yùn)邦 申請(qǐng)人:愛(ài)康普科技(大連)有限公司
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