專利名稱：一種高壓無損啟動電源裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電源設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種在寬電壓和高電壓輸入的無損啟動的開關(guān)電源裝置。
背景技術(shù)：
目前，常用的開關(guān)電源啟動線路是由輸入高壓經(jīng)限流電阻給PWM(脈寬調(diào)制)控制芯片的Vcc電容充電，進(jìn)而使芯片啟動工作的。當(dāng)輸入電壓較高時(shí)，限流電阻上的損耗也會非常大。因此，設(shè)計(jì)一種啟動電路，該電路既能承受高壓輸入，又能在在PWM控制芯片啟動后將自身關(guān)閉，以消除啟動電路損耗就顯得特別必要。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供一種高壓無損啟動的開關(guān)電源裝置，以避免在PWM控制芯片啟動后仍有電流從啟動線路流過造成損耗。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供以下技術(shù)方案一種高壓無損啟動電源裝置，其包括PWM控制芯片，所述PWM控制芯片連接MOSFET管的源極，所述MOSFET管的柵極分別連接第一穩(wěn)壓二極管Zl的正極和第二穩(wěn)壓二極管Z2的正極，所述第一穩(wěn)壓二極管Zl的負(fù)極連接所述PWM控制芯片，所述第二穩(wěn)壓二極管Z2的負(fù)極接地，所述所述MOSFET管的柵極還連接電阻Rl的一端，所述電阻Rl的另一端連接所述MOSFET管的漏極，且所述述MOSFET管的漏極連接高壓輸入端。通過實(shí)施以上技術(shù)方案，具有以下技術(shù)效果本實(shí)用新型提供的開關(guān)電源裝置，在PWM控制芯片啟動時(shí)高壓輸入提供充電電流，在PWM控制芯片啟動后關(guān)閉充電電流，以避免在PWM控制芯片啟動后仍有電流從啟動線路流過造成損耗，可以減小開關(guān)電源的損耗，提高電源效率。

圖I為本實(shí)用新型提供的電源裝置的結(jié)構(gòu)原理圖。
具體實(shí)施方式
為了更好的理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，
以下結(jié)合附圖詳細(xì)描述本實(shí)用新型提供的實(shí)施例。本實(shí)用新型提供一種高壓無損啟動電源裝置，如圖I所示，包括PWM控制芯片，所述PWM控制芯片連接MOSFET管(金屬氧化物場效應(yīng)管)的源極，所述MOSFET管的柵極分別連接第一穩(wěn)壓二極管Zl的正極和第二穩(wěn)壓二極管Z2的正極，所述第一穩(wěn)壓二極管Zl的負(fù)極連接所述PWM控制芯片，所述第二穩(wěn)壓二極管Z2的負(fù)極接地，所述所述MOSFET管的柵極還連接電阻Rl的一端，所述電阻Rl的另一端連接所述MOSFET管的漏極，且所述述MOSFET管的漏極連接高壓電源輸入端。[0010]本實(shí)用新型提供的電源裝置，在PWM控制芯片啟動時(shí)，通過Q1、R1、Z2將Ql源極的電壓限制在Z2穩(wěn)壓電壓減去Ql的閾值電壓(Vth)，并通過Ql提供電流以供PWM控制芯片啟動。在PWM控制芯片啟動后，將由其他供電線路為所述PWM芯片供電。此時(shí)PWM芯片的供電引腳，也就是Ql源極電壓會被其他供電線路抬高至接近Zl穩(wěn)壓電壓的值。此時(shí)Ql的Vgs電壓就會小于其開啟閾值電壓而關(guān)閉，進(jìn)而在PWM芯片啟動后提供極低的損耗。如上所述，該電源裝置在PWM控制芯片啟動時(shí)通過高壓輸入提供充電電流，在PWM控制芯片啟動后關(guān)閉充電電流，以避免在PWM控制芯片啟動后仍有電流從啟動線路流過造成損耗，可以減小開關(guān)電源的損耗，提聞電源效率。以上對本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的一種高壓無損啟動的開關(guān)電源裝置進(jìn)行了詳細(xì)介紹，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng) 用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本實(shí)用新型的限制。
權(quán)利要求1 一種高壓無損啟動電源裝置，其特征在于，包括PWM控制芯片，所述PWM控制芯片連接MOSFET管的源極，所述MOSFET管的柵極分別連接第一穩(wěn)壓二極管Zl的正極和第二穩(wěn)壓二極管Z2的正極，所述第一穩(wěn)壓二極管Zl的負(fù)極連接所述PWM控制芯片，所述第二穩(wěn)壓二極管Z2的負(fù)極接地，所述MOSFET管的柵極還連接電阻Rl的一端，所述電阻Rl的另一端連接所述MOSFET管的漏極，且所述述MOSFET管的漏極連接高壓電源輸入端。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種高壓無損啟動電源裝置，其包括PWM控制芯片，所述PWM控制芯片連接MOSFET管的源極，所述MOSFET管的柵極分別連接第一穩(wěn)壓二極管Z1的正極和第二穩(wěn)壓二極管Z2的正極，所述第一穩(wěn)壓二極管Z1的負(fù)極連接所述PWM控制芯片，所述第二穩(wěn)壓二極管Z2的負(fù)極接地，所述MOSFET管的柵極還連接電阻R1的一端，所述電阻R1的另一端連接所述MOSFET管的漏極，且所述MOSFET管的漏極連接高壓電源輸入端。以上線路可以承受極高的輸入電壓，且在電源啟動后可以停止工作而不額外增加損耗。
文檔編號H02M1/36GK202679236SQ20122033717
公開日2013年1月16日 申請日期2012年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月12日
發(fā)明者高旗 申請人:深圳市普德新星電源技術(shù)有限公司