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具有斷硅鏈保護(hù)的自動(dòng)調(diào)壓裝置的制作方法

文檔序號(hào):7322262閱讀:280來源:國知局
專利名稱:具有斷硅鏈保護(hù)的自動(dòng)調(diào)壓裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種自動(dòng)調(diào)壓裝置,特別是一種具有斷硅鏈保護(hù)的自動(dòng)調(diào)壓裝置。
背景技術(shù)
硅鏈作為廣泛應(yīng)用于直流電源控制系統(tǒng)(簡稱直流屏)中的一種電壓調(diào)節(jié)裝置,工 作在“自動(dòng)”狀態(tài)時(shí),控制器檢測(cè)母線電壓,并與設(shè)定值比較,當(dāng)母線電壓高于(低于)設(shè)定值 的上限(下限)時(shí),控制器發(fā)出信號(hào),驅(qū)動(dòng)執(zhí)行繼電器,通過執(zhí)行繼電器的分?jǐn)嗷蜷]合,改變 穩(wěn)壓硅鏈的降壓值,確保母線電壓值在規(guī)定的范圍內(nèi)。目前,電力系統(tǒng)和電廠中所用硅鏈自動(dòng)調(diào)壓裝置中電池為2V/108只,根據(jù)電池充 電要求均充電壓為253V,即VHM為253V,浮充電壓為M3V,即VHM為M3V,因此無論是浮充 狀態(tài)還是均充狀態(tài)都已超過控制輸出電壓VKM的最高值242V和220 ± 2的穩(wěn)壓標(biāo)準(zhǔn),如 圖1。圖中,二極管串聯(lián)硅鏈自動(dòng)調(diào)壓裝置,其原理是用35只二極管串聯(lián),每7只二極管用 1只繼電器常開點(diǎn)相并,共5只繼電器Jl、J2、J3、J4、J5組成五節(jié)硅鏈,再通過自動(dòng)控制調(diào) 節(jié)器和手動(dòng)、自動(dòng)萬能轉(zhuǎn)換開關(guān)Sl組成。當(dāng)自動(dòng)狀態(tài)時(shí),如果電池是均充狀態(tài),即VHM為 253V,Jl-I、J2-1、J3-1、J4-1、J5-1全部常開,經(jīng)降壓裝置降壓35V后,VKM為218V,符合 國家標(biāo)準(zhǔn);如果電池是浮充狀態(tài),即VHM為243V, Jl-I、J2-1自動(dòng)常閉,而J3-1、J4-1、J5-1 還是常開,經(jīng)降壓裝置降壓21V后,VKM為222V,也同樣符合國家標(biāo)準(zhǔn)。目前最大的問題是 該裝置中任何一只二極管損壞即開路,就會(huì)造成VKM為0V,即控制電壓失電,使變電站處于 無保護(hù)工作狀態(tài),會(huì)造成變電站內(nèi)高壓開關(guān)損壞而無法工作,造成用戶大面積停電。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的即在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種具有斷硅鏈保護(hù)的自動(dòng) 調(diào)壓裝置,該裝置采用的高頻可控硅開通時(shí)間只有如8,在二極管開路時(shí),高頻可控硅接到 斷硅檢測(cè)單元發(fā)出的指令50us內(nèi)導(dǎo)通,完全滿足控制輸出電壓所帶負(fù)載不間斷的時(shí)間要 求。本實(shí)用新型的目的是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的具有斷硅鏈保護(hù)的自動(dòng)調(diào)壓裝 置,它包括機(jī)殼及其內(nèi)部控制板,所述的內(nèi)部控制板包括硅鏈降壓單元、控制單元、斷硅保 護(hù)單元和斷硅檢測(cè)單元,硅鏈降壓單元包括5組同向串聯(lián)的硅鏈,每組硅鏈由7個(gè)二極管同 向串聯(lián)組成,控制單元包括5個(gè)直流繼電器,每個(gè)直流繼電器分別與一組硅鏈并聯(lián),斷硅保 護(hù)單元包括5個(gè)可控硅,每個(gè)可控硅分別與一個(gè)直流繼電器并聯(lián),硅鏈降壓單元的輸出與 斷硅檢測(cè)單元的一個(gè)輸入連接,硅鏈組的五個(gè)輸出分別與斷硅檢測(cè)單元的五個(gè)輸入連接, 斷硅檢測(cè)單元的五個(gè)控制輸出分別與可控硅的五個(gè)控制端連接。所述的可控硅為高頻可控硅。所述的控制單元采用步進(jìn)方式進(jìn)行調(diào)壓。本實(shí)用新型的有益效果本裝置采用高頻可控硅作為斷硅保護(hù)單元,高頻可控硅本身的開通時(shí)間只有4us,在二極管開路時(shí),高頻可控硅接到斷硅檢測(cè)單元發(fā)出的指令 50us內(nèi)導(dǎo)通,完全滿足控制輸出電壓所帶負(fù)載不間斷的時(shí)間要求,徹底解決硅調(diào)制裝置斷 硅的潛在危險(xiǎn)。
圖1,二極管串聯(lián)硅鏈自動(dòng)調(diào)壓裝置;圖2,本實(shí)用新型的原理示意圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步描述如圖2,具有斷硅鏈保護(hù)的自動(dòng)調(diào)壓 裝置,它包括機(jī)殼及其內(nèi)部控制板,所述的內(nèi)部控制板包括硅鏈降壓單元、控制單元、斷硅 保護(hù)單元和斷硅檢測(cè)單元,硅鏈降壓單元包括5組同向串聯(lián)的硅鏈Zl Z7、Z8 Z14、 Z15 Z21、Z22 Z28、Z29 ^35,每組硅鏈由7個(gè)二極管同向串聯(lián)組成;控制單元包括5 個(gè)直流繼電器Jl J5,每個(gè)直流繼電器分別與一組硅鏈并聯(lián),且控制單元采用步進(jìn)方式進(jìn) 行調(diào)壓;斷硅保護(hù)單元包括5個(gè)可控硅ZKl 3(5,且可控硅為高頻可控硅,每個(gè)可控硅分 別與一個(gè)直流繼電器并聯(lián),硅鏈降壓單元的輸出與斷硅檢測(cè)單元的一個(gè)輸入連接,硅鏈組 的五個(gè)輸出分別與斷硅檢測(cè)單元的五個(gè)輸入連接,斷硅檢測(cè)單元的五個(gè)控制輸出分別與可 控硅的五個(gè)控制端連接。該裝置的原理如下當(dāng)5組硅鏈Zl Z7、Z8 Z14、Z15 Z21、Z22 2 、 2 Ζ35正常工作時(shí),5只高頻可控硅ZKl ΖΚ5處于開路狀態(tài)不導(dǎo)通,斷硅檢測(cè)單元對(duì)硅鏈降 壓單元的運(yùn)行狀態(tài)進(jìn)行檢測(cè);當(dāng)硅鏈Zl 中任何一只二極管有故障發(fā)生開路狀態(tài)時(shí), 斷硅檢測(cè)單元檢測(cè)到開路狀態(tài),立即對(duì)開路二極管相并聯(lián)的高頻可控硅發(fā)出控制命令,觸 發(fā)可控硅在50us內(nèi)導(dǎo)通,將有故障的硅鏈短路,從而保證控制輸出電壓VKM不中斷,使變電 站安全運(yùn)行。
權(quán)利要求1.具有斷硅鏈保護(hù)的自動(dòng)調(diào)壓裝置,其特征在于它包括機(jī)殼及其內(nèi)部控制板,所述 的內(nèi)部控制板包括硅鏈降壓單元、控制單元、斷硅保護(hù)單元和斷硅檢測(cè)單元,硅鏈降壓單元 包括5組同向串聯(lián)的硅鏈,每組硅鏈由7個(gè)二極管同向串聯(lián)組成,控制單元包括5個(gè)直流繼 電器,每個(gè)直流繼電器分別與一組硅鏈并聯(lián),斷硅保護(hù)單元包括5個(gè)可控硅,每個(gè)可控硅分 別與一個(gè)直流繼電器并聯(lián),硅鏈降壓單元的輸出與斷硅檢測(cè)單元的一個(gè)輸入連接,硅鏈組 的五個(gè)輸出分別與斷硅檢測(cè)單元的五個(gè)輸入連接,斷硅檢測(cè)單元的五個(gè)控制輸出分別與可 控硅的五個(gè)控制端連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有斷硅鏈保護(hù)的自動(dòng)調(diào)壓裝置,其特征在于所述的可控 硅為高頻可控硅。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種具有斷硅鏈保護(hù)的自動(dòng)調(diào)壓裝置,它包括機(jī)殼及其內(nèi)部控制板,所述的內(nèi)部控制板包括硅鏈降壓單元、控制單元、斷硅保護(hù)單元和斷硅檢測(cè)單元,硅鏈降壓單元包括5組同向串聯(lián)的硅鏈,每組硅鏈由7個(gè)二極管同向串聯(lián)組成,控制單元包括5個(gè)直流繼電器,每個(gè)直流繼電器分別與一組硅鏈并聯(lián),斷硅保護(hù)單元包括5個(gè)可控硅,每個(gè)可控硅分別與一個(gè)直流繼電器并聯(lián),硅鏈降壓單元的輸出、硅鏈組的五個(gè)輸出分別與斷硅檢測(cè)單元的輸入連接,斷硅檢測(cè)單元的五個(gè)控制輸出分別與可控硅的五個(gè)控制端連接。本實(shí)用新型采用高頻可控硅作為斷硅保護(hù)單元,在二極管開路時(shí),可控硅接到斷硅檢測(cè)單元發(fā)出的指令50μs內(nèi)導(dǎo)通,徹底解決斷硅的潛在危險(xiǎn)。
文檔編號(hào)H02J11/00GK201830016SQ20102055431
公開日2011年5月11日 申請(qǐng)日期2010年10月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月9日
發(fā)明者張焱山 申請(qǐng)人:成都市雨田駿科技發(fā)展有限公司
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