專利名稱：保護(hù)控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及功率半導(dǎo) 體領(lǐng)域。本實(shí)用新型尤其涉及一種用于連接功率半導(dǎo) 體的保護(hù)控制電路。本實(shí)用新型還涉及一種電路，具有通過(guò)保護(hù)控制電路連接的功率半 導(dǎo)體。
背景技術(shù)：
功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域比較新穎的應(yīng)用表明使用串聯(lián)電路來(lái)提供較高的電壓 值，尤其是使用多個(gè)功率半導(dǎo)體、例如IGBT(IGBT = insulated-gate bipolartransistor絕緣
柵雙極性晶體管)組成的串聯(lián)電路。已知在這些功率半導(dǎo)體串聯(lián)電路中均使用電阻和電 容構(gòu)成的電路來(lái)均衡非對(duì)稱分壓。但這些措施的電損耗比較高。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種用來(lái)連接一個(gè)或多個(gè)功率半導(dǎo)體的電路，以便 改善功率半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)特性、并且改善多個(gè)功率半導(dǎo)體組成的串聯(lián)電路的分壓特性。按照本實(shí)用新型的一種實(shí)施形式，提供一種用來(lái)連接第一主半導(dǎo)體的保護(hù)控制 電路，所述主半導(dǎo)體包括第一主集電極端子、第一主柵極端子以及第一主發(fā)射極端子； 所述保護(hù)控制電路具有第一靜態(tài)保護(hù)電路。這里，所述第一靜態(tài)保護(hù)電路具有第一輔助 半導(dǎo)體，后者包括第一輔助集電極端子、第一輔助柵極端子以及第一輔助發(fā)射極端子， 所述第一輔助集電極端子可以與第一主集電極端子相連。給功率半導(dǎo)體提供保護(hù)電路，所述功率半導(dǎo)體可以利用其三個(gè)端子連接到保護(hù) 電路上。通過(guò)這種連接改善了功率半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)特性。還可防止功率半導(dǎo)體遭受過(guò)電 壓。按照本實(shí)用新型的一種實(shí)施形式，輔助半導(dǎo)體是一種IGBT。絕緣柵雙極性晶體管(insulated-gate bipolar transistor，簡(jiǎn)稱為IGBT)是電力電子
技術(shù)領(lǐng)域廣為應(yīng)用的一種半導(dǎo)體器件，可將其用于執(zhí)行特別迅速的開(kāi)關(guān)操作。也可以將 功率半導(dǎo)體或者主半導(dǎo)體設(shè)計(jì)成IGBT形式。按照本實(shí)用新型的一種實(shí)施形式，第一靜態(tài)保護(hù)電路具有布置在從第一輔助發(fā) 射極端子指向第一輔助集電極端子的導(dǎo)通方向之中的第一二極管。按照本實(shí)用新型的一種實(shí)施形式，第一靜態(tài)保護(hù)電路具有布置在第一輔助柵極 端子和第一輔助發(fā)射極端子之間的第一輔助電阻。按照本實(shí)用新型的一種實(shí)施形式，保護(hù)控制電路具有 與第一靜態(tài)保護(hù)電路相連 的動(dòng)態(tài)保護(hù)電路，所述動(dòng)態(tài)保護(hù)電路具有第一電容。按照本實(shí)用新型的一種實(shí)施形式，保護(hù)控制電路具有多個(gè)相互串聯(lián)的靜態(tài)保護(hù) 電路。按照本實(shí)用新型的一種實(shí)施形式，將電阻與第一電容并聯(lián)。與電容并聯(lián)的歐姆電阻可以影響電容的充電和放電，從而能夠影響保護(hù)控制電路的動(dòng)態(tài)特性。 按照本實(shí)用新型的一種實(shí)施形式，保護(hù)控制電路具有柵極保護(hù)開(kāi)關(guān)電路?？梢詫艠O保護(hù)開(kāi)關(guān)電路連接在第一主半導(dǎo)體的柵極上，以便改善主半導(dǎo)體的 控制，并且防止主半導(dǎo)體遭受過(guò)電壓。按照本實(shí)用新型的一種實(shí)施形式，可以將柵極保護(hù)開(kāi)關(guān)電路布置在第一主柵極 端子和第一主發(fā)射極端子之間。以這種方式可以影響主半導(dǎo)體的柵極-發(fā)射極電壓。按照本實(shí)用新型的一種實(shí)施形式，柵極保護(hù)開(kāi)關(guān)電路與動(dòng)態(tài)保護(hù)電路相連。按照本實(shí)用新型，動(dòng)態(tài)保護(hù)電路與柵極開(kāi)關(guān)電路相互協(xié)調(diào)，從而改善主半導(dǎo)體 的開(kāi)關(guān)特性。按照本實(shí)用新型的一種實(shí)施形式，柵極保護(hù)開(kāi)關(guān)電路具有MOSFET。MOSFET是一種可靠的器件，可以通過(guò)歐姆電阻將MOSFET-柵極端子與主半 導(dǎo)體的發(fā)射極相連。按照本實(shí)用新型的一種實(shí)施形式，柵極保護(hù)開(kāi)關(guān)電路具有由二極管和電阻構(gòu)成 的網(wǎng)絡(luò)。按照本實(shí)用新型的一種實(shí)施形式，柵極保護(hù)開(kāi)關(guān)電路具有阻斷電路。該阻斷電路可以具有兩個(gè)背接以防止過(guò)電壓的齊納二極管。按照本實(shí)用新型的一種實(shí)施形式，在電路中提供第一主半導(dǎo)體，該第一主半導(dǎo) 體具有第一主集電極端子、第一主柵極端子和第一主發(fā)射極端子，在第一主集電極端子 和第一主發(fā)射極端子之間布置第一保護(hù)控制電路。按照本實(shí)用新型的一種實(shí)施形式，在電路中提供第二主半導(dǎo)體，該第二主半導(dǎo) 體具有第二主集電極端子、第二主柵極端子和第二主發(fā)射極端子，在第二主集電極端子 和第二主發(fā)射極端子之間布置第二保護(hù)控制電路，且第一主發(fā)射極端子與第二主集電極 端子相連。這里可以規(guī)定，所述的第一保護(hù)控制電路和第二保護(hù)控制電路的構(gòu)造相同。
以下將參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。附圖1所示為兩個(gè)功率半導(dǎo)體的串聯(lián)電路，這兩個(gè)功率半導(dǎo)體各自對(duì)應(yīng)于一個(gè) 有源箝位電路與一個(gè)靜態(tài)及動(dòng)態(tài)電路。附圖2所示為本實(shí)用新型的一種實(shí)施例，具有用于連接一個(gè)功率半導(dǎo)體的一種 電路。附圖3所示為本實(shí)用新型的一種實(shí)施例，具有用于連接兩個(gè)串聯(lián)功率半導(dǎo)體的 一種電路。附圖中所使用的附圖標(biāo)記及其含義均已匯總在附圖標(biāo)記清單之中。凡是相同或 者類似的零件，原則上均以相同的附圖標(biāo)記進(jìn)行標(biāo)識(shí)。
具體實(shí)施方式
附圖1所示為兩個(gè)功率半導(dǎo)體15、25的串聯(lián)電路，這兩個(gè)功率半導(dǎo)體各自對(duì)應(yīng)于一個(gè)有源 箝位電路11、21以及一個(gè)靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電路12、22。功率半導(dǎo)體15、25均為 IGBT0 IGBT的漏電流取決于半導(dǎo)體的溫度，還要求并聯(lián)阻抗以用于在兩個(gè)串聯(lián)的半導(dǎo) 體上進(jìn)行對(duì)稱的分壓。為此可將電阻13、23用于靜態(tài)均衡，并且也將電阻14、24和電 容19、29組成的電路用于動(dòng)態(tài)均衡。也可以提供一個(gè)有源箝位電路11、21來(lái)防止IGBT 15、25遭受過(guò)電壓。附圖1所示的IGBT各自具有一個(gè)集電極端子16、26、一個(gè)柵極端子17、27和一 個(gè)發(fā)射極端子18、28。當(dāng)集電極-發(fā)射極電壓超過(guò)一定的電壓閾值時(shí)，與IGBT的集電 極-柵極并聯(lián)的電路11、21就會(huì)激活。當(dāng)該電路11、21開(kāi)始導(dǎo)通時(shí)，這就會(huì)導(dǎo)致IGBT 15、25導(dǎo)通。這樣可保證集電極-發(fā)射極電壓始終低于某一預(yù)先設(shè)定的閾值(SOA = safe operating area安全工作區(qū))。附圖2所示為本實(shí)用新型的一種實(shí)施例，具有用于連接一個(gè)功率半導(dǎo)體105的一 種電路100。本實(shí)用新型推薦的第一保護(hù)控制電路110—方面可在減少損耗的同時(shí)提供靜 態(tài)與動(dòng)態(tài)分壓，另一方面可提供功率半導(dǎo)體105的柵極電壓保護(hù)。為此，附圖2所示電路100具有第一保護(hù)控制電路110，該保護(hù)控制電路連接在 具有一個(gè)集電極端子106、一個(gè)柵極端子107和一個(gè)發(fā)射極端子108的功率半導(dǎo)體或者第 一主半導(dǎo)體105上。保護(hù)控制電路110具有第一靜態(tài)保護(hù)電路120、第二靜態(tài)保護(hù)電路 130和第三靜態(tài)保護(hù)電路140，這些保護(hù)電路相互連接，形成一個(gè)串聯(lián)電路。附圖2所示 的第一保護(hù)電路110還具有一個(gè)第一動(dòng)態(tài)保護(hù)電路150。第一動(dòng)態(tài)保護(hù)電路150與一個(gè)柵 極保護(hù)開(kāi)關(guān)電路160相連。第一靜態(tài)保護(hù)電路120具有一個(gè)第一輔助半導(dǎo)體121，該輔助半導(dǎo)體具有一個(gè)第 一輔助集電極端子122、一個(gè)第一輔助柵極端子123以及一個(gè)第一輔助發(fā)射極端子124。 在電路100中，第一輔助集電極端子122與第一主半導(dǎo)體105的第一主集電極端子106相 連。第一輔助柵極端子123還通過(guò)一個(gè)第一歐姆電阻125與第一輔助半導(dǎo)體121的第一 輔助發(fā)射極端子124相連。第一輔助半導(dǎo)體121以及電路130、140的所有其它輔助半導(dǎo) 體均為IGBT。第一靜態(tài)保護(hù)電路120、第二靜態(tài)保護(hù)電路130以及第三靜態(tài)保護(hù)電路140均為 相同構(gòu)造。也可以按照附圖2所示的實(shí)施例，將更多其它靜態(tài)保護(hù)電路與所示的靜態(tài)保 護(hù)電路相串聯(lián)?？上攵?，也可以在附圖2所示的電路100中僅使用一個(gè)或者兩個(gè)這種 靜態(tài)保護(hù)電路。附圖2所示電路的功能原理如下通過(guò)輔助IGBT 121的雪崩效應(yīng)達(dá)到輔助集電 極122與輔助發(fā)射極124之間的靜態(tài)擊穿電壓。如此實(shí)現(xiàn)的靜態(tài)分壓與簡(jiǎn)單的電阻電路 相比可減小損耗，因?yàn)橄噍^于純粹的歐姆電阻電路的線性特性，一個(gè)擊穿元件或者輔助 半導(dǎo)體121與電阻155組合成的電路則具有非線性特性。按照本實(shí)用新型，可以用并非 驟然的方式(“軟的”)影響主半導(dǎo)體105的柵極-發(fā)射極電壓。也可通過(guò)保護(hù)控制電 路110保護(hù)主半導(dǎo)體105的柵極-發(fā)射極電壓?？偠灾緦?shí)用新型推薦的保護(hù)控制電路110具有三個(gè)不同的部分，即一個(gè) 靜態(tài)部分、一個(gè)動(dòng)態(tài)部分以及一個(gè)用于保護(hù)主半導(dǎo)體105柵極107的柵極單元170。靜態(tài)部分120、130、140包括具有可控雪崩擊穿特性的輔助IGBT 121、131、 141。輔助IGBT 121、131、141利用一個(gè)輔助柵極電阻125、135、145處在關(guān)斷狀態(tài)，該電阻可將IGBT保持在關(guān)斷狀態(tài)，尤其當(dāng)開(kāi)關(guān)沿陡峭時(shí)。分別將一個(gè)外部空轉(zhuǎn)二極管126、136、146與輔助半導(dǎo)體121、131、141并聯(lián)，以便在主IGBT 105導(dǎo)通過(guò)程中將動(dòng)態(tài) 保護(hù)電路150的動(dòng)態(tài)電容151放電。空轉(zhuǎn)二極管126、136、146的耐壓強(qiáng)度均高于輔助 IGBT 121、131、141的耐壓強(qiáng)度，從而使其低于主IGBT 105關(guān)斷時(shí)迅速達(dá)到的最大阻斷 電壓。電路110的靜態(tài)部分120、130、140可以具有若干串聯(lián)的輔助IGBT 121、131、 141。例如可以如附圖2所示串聯(lián)三個(gè)輔助IGBT。當(dāng)輔助IGBT 121、131、141處在雪 崩狀態(tài)時(shí)，就會(huì)通過(guò)串聯(lián)電阻155限制靜態(tài)電流。輔助IGBT 121、131、141的靜態(tài)擊穿 電壓一方面應(yīng)當(dāng)盡可能高，以便將損耗保持在最小程度，另一方面應(yīng)當(dāng)使靜態(tài)擊穿電壓 低于主IGBT 105的靜態(tài)工作電壓，以便保證靜態(tài)分壓。然后利用電阻155調(diào)節(jié)對(duì)稱電流 的有效大小。該電流適宜等于或大于主IGBT 105的漏電流，以便有利地進(jìn)行分壓。電路110的動(dòng)態(tài)部分150具有電容151。 當(dāng)主IGBT 105被關(guān)斷以及當(dāng)主IGBT 105上形成電壓時(shí)，在達(dá)到靜態(tài)電壓之前沒(méi)有電流流過(guò)輔助IGBT121、131、141。當(dāng)超 過(guò)靜態(tài)電壓時(shí)(=所有輔助IGBT的擊穿電壓)，就可以使用電容155作為主IGBT 105的 附加集電極-柵極電容來(lái)抑制電壓迅速升高。這種衰減作用使得如附圖3所示串聯(lián)的主 IGBT 105、205的開(kāi)關(guān)特性變慢。如果其中一個(gè)電壓上升速率略微快于另一個(gè)電壓上升 速率，可能會(huì)在其中一個(gè)主半導(dǎo)體105、205上出現(xiàn)過(guò)電壓。具有電容151、252的開(kāi)關(guān) 電路110、210的動(dòng)態(tài)部分150、250可防止出現(xiàn)這種過(guò)電壓，因?yàn)閮蓚€(gè)主IGBT 105、205 中速度較快的一個(gè)可提前達(dá)到靜態(tài)擊穿電壓，結(jié)果受到抑制。柵極保護(hù)電路或者柵極保護(hù)開(kāi)關(guān)電路160具有旁路功能，這意味著可以限制流 入主半導(dǎo)體105的柵極驅(qū)動(dòng)電路170之中的電流。這種限制作用可阻止通過(guò)電路110自 主接通主IGBT 105。該電路雖然應(yīng)當(dāng)能夠影響開(kāi)關(guān)特性，但是不應(yīng)當(dāng)自動(dòng)接通IGBT。 可以將此稱作“軟有源箝位”(Soft-Active-Clamping)。軟有源箝位的有益之處在于僅 僅一個(gè)柵極單元170能夠切換主IGBT ；而“有源箝位”(Active-Clamp)則相反，可能會(huì) 自主或者不可控地改變開(kāi)關(guān)狀態(tài)。通過(guò)一個(gè)MOSFET 161限制串聯(lián)電阻162上的電壓降。MOSFET 161這時(shí)進(jìn)入
高于某一電壓值的擊穿狀態(tài)。可適當(dāng)調(diào)整該電壓的高低，使得驅(qū)動(dòng)電壓能夠影響主IGBT 105的柵極-發(fā)射極電壓，但是不起主要作用。柵極保護(hù)開(kāi)關(guān)電路160的第一并聯(lián)二極管 163可保證在主IGBT 105導(dǎo)通過(guò)程中通過(guò)電容151的放電提供空轉(zhuǎn)路徑，其中柵極保護(hù)開(kāi) 關(guān)電路160的串聯(lián)的第二二極管164則阻止電流流過(guò)MOSFET 161的內(nèi)部體二極管165。 齊納二極管166、167還抑制來(lái)自柵極單元170的電流。這些齊納二極管166、167的阻 斷電壓高于主IGBT 105的柵極-發(fā)射極電壓。本實(shí)用新型有助于減少損耗、實(shí)現(xiàn)緊湊的設(shè)計(jì)、使IGBT的開(kāi)關(guān)特性得到改善、 并且可實(shí)現(xiàn)功率IGBT的串聯(lián)電路中的對(duì)稱分壓。附圖3所示為本實(shí)用新型的另一種實(shí)施例，具有用來(lái)連接兩個(gè)串聯(lián)功率半導(dǎo)體 105、205的電路100。電路100具有構(gòu)造相同的第一保護(hù)電路110和第二保護(hù)電路210。 保護(hù)電路110、210分別連接到主半導(dǎo)體105、205的集電極端子、柵極端子和發(fā)射極端 子。兩個(gè)主半導(dǎo)體105、205 (這里是IGBT)串聯(lián)形成一個(gè)IGBT模塊200。針對(duì)附圖2 所述的電路100的功能原理也適用于附圖3。附圖3中所示的第一柵極單元170和第二柵 極單元270分別與一個(gè)柵極保護(hù)開(kāi)關(guān)電路160、260相連。柵極單元170、270具有一些歐姆電阻以及一個(gè)放大器。柵極單元170控制主IGBT 105的通斷。柵極單元270控制 主IGBT 205的通斷。這里，電路110可影響柵極單元170、270的驅(qū)動(dòng)電壓，結(jié)果也會(huì) 影響主IGBT 105、205的開(kāi)關(guān)特性。需補(bǔ)充指出“包括”并不排除其它元件或步驟，且“一個(gè)”并不排除存在多 個(gè)。此外還應(yīng)注意參考上述某一個(gè)實(shí)施例所述的特征或者步驟也能與上述其它實(shí)施例 的特征或步驟組合使用。權(quán)利要求中的附圖標(biāo)記并無(wú)任何限制作用。附圖標(biāo)記清單10 電路11保護(hù)電路12動(dòng)態(tài)與靜態(tài)電路13 電阻14 電阻15半導(dǎo)體16集電極端子17柵極端子18發(fā)射極端子19 電容21保護(hù)電路22動(dòng)態(tài)與靜態(tài)電路23 電阻24 電阻25半導(dǎo)體26集電極端子27柵極端子28發(fā)射極端子29 電容100 電路105第一主半導(dǎo)體106第一主集電極端子107第一主柵極端子108第一主發(fā)射極端子110第一保護(hù)控制電路120第一靜態(tài)保護(hù)電路121 第一輔助 IGBT122第一輔助集電極端子123第一輔助柵極端子124第一輔助發(fā)射極端子125第一輔助柵極電阻126第一空轉(zhuǎn)二極管[0081]130第二靜態(tài)保護(hù)電路131第二輔助 IGBT132第二輔助集電極端子133第二輔助柵極端子134第二輔助發(fā)射極端子135第二輔助柵極電阻136第二空轉(zhuǎn)二極管140第三靜態(tài)保護(hù)電路141第三輔助 IGBT142第三輔助集電極端子143第三輔助柵極端子144第三輔助發(fā)射極端子145第三輔助柵極電阻146第三空轉(zhuǎn)二極管150動(dòng)態(tài)保護(hù)電路151電容155電阻160柵極保護(hù)開(kāi)關(guān)電路161MOSFET162串聯(lián)電阻163二極管164二極管165體二極管166齊納二極管167齊納二極管168柵極電阻170第一柵極單元205第二主半導(dǎo)體206第二主集電極端子207第二主柵極端子208第二主發(fā)射極端子210第二保護(hù)控制電路220第四靜態(tài)保護(hù)電路230第五靜態(tài)保護(hù)電路240第六靜態(tài)保護(hù)電路250第二動(dòng)態(tài) 保護(hù)電路251電阻252電容260第二柵極保護(hù)開(kāi)關(guān)電路[0120] 270第二柵 極單元
權(quán)利要求1.用于連接第一主半導(dǎo)體(105)的保護(hù)控制電路(110)，所述第一主半導(dǎo)體具有第 一主集電極端子(106)、第一主柵極端子(107)和第一主發(fā)射極端子(108)，所述保護(hù)控 制電路具有第一靜態(tài)保護(hù)電路(120)，所述第一靜態(tài)保護(hù)電路(120)具有第一輔助半導(dǎo)體 (121)，該輔助半導(dǎo)體具有第一輔助集電極端子(122)、第一輔助柵極端子(123)和第一 輔助發(fā)射極端子(124)，所述第一輔助集電極端子(122)可以與第一主集電極端子(106) 相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)控制電路，其中所述輔助半導(dǎo)體(121)是IGBT。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的保護(hù)控制電路，其中所述第一靜態(tài)保護(hù)電路(120)具有布置 在從第一輔助發(fā)射極端子(124)指向第一輔助集電極端子(122)的導(dǎo)通方向之中的第一二 極管(126)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的保護(hù)控制電路，其中所述第一靜態(tài)保護(hù)電路 (120)具有布置在第一輔助柵極端子(123)和第一輔助發(fā)射極端子(124)之間的第一輔助 電阻(125)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的保護(hù)控制電路，其中所述保護(hù)控制電路(110) 具有與第一靜態(tài)保護(hù)電路(120)相連的動(dòng)態(tài)保護(hù)電路(150)，所述動(dòng)態(tài)保護(hù)電路(150)具 有第一電容(151)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的保護(hù)控制電路，其中將一電阻(155)與第一電容(151)并聯(lián)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的保護(hù)控制電路，其中所述保護(hù)控制電路(110) 具有多個(gè)相互串聯(lián)的靜態(tài)保護(hù)電路(120，130，140)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的保護(hù)控制電路，其中所述保護(hù)控制電路(110) 具有柵極保護(hù)開(kāi)關(guān)電路(160)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的保護(hù)控制電路，其中所述柵極保護(hù)開(kāi)關(guān)電路(160)可以布置 在第一主柵極端子(107)和第一主發(fā)射極端子(108)之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的保護(hù)控制電路，其中所述柵極保護(hù)開(kāi)關(guān)電路(160)與動(dòng)態(tài) 保護(hù)電路(150)相連。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的保護(hù)控制電路，其中所述柵極保護(hù)開(kāi)關(guān)電路(160)具有 MOSFET (161)。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的保護(hù)控制電路，其中所述柵極保護(hù)開(kāi)關(guān)電路(160)具有由 二極管和電阻(162，163，164，166，167，168)構(gòu)成的網(wǎng)絡(luò)。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的保護(hù)控制電路，其中所述柵極保護(hù)開(kāi)關(guān)電路(160)具有阻 斷電路(166)。
14.具有第一主半導(dǎo)體(105)的電路(100)，所述第一主半導(dǎo)體具有第一主集電極端 子(106)、第一主柵極端子(107)和第一主發(fā)射極端子(108)，其中權(quán)利要求1 13中任 一項(xiàng)所述的第一保護(hù)控制電路(110)布置在第一主集電極端子(106)和第一主發(fā)射極端子 (108)之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電路(100)，其中所述電路(100)具有第二主半導(dǎo)體 (205)，所述第二主半導(dǎo)體具有第二主集電極端子(206)、第二主柵極端子(207)和第二 主發(fā)射極端子(208)，其中在第二主集電極端子(206)和第二主發(fā)射極端子(208)之間布置有第二保護(hù)控制電路(210)，且第一主發(fā)射極端子(108)與第二主集電極端子(206)相 連。
專利摘要本實(shí)用新型涉及保護(hù)控制電路，尤其涉及功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的用于連接功率半導(dǎo)體的保護(hù)控制電路。本實(shí)用新型還涉及一種電路，具有通過(guò)保護(hù)控制電路連接的功率半導(dǎo)體。按照本實(shí)用新型的一種實(shí)施形式，提供用于連接第一主半導(dǎo)體的保護(hù)控制電路，第一主半導(dǎo)體具有第一主集電極端子、第一柵極端子和第一主發(fā)射極端子；保護(hù)控制電路具有第一靜態(tài)保護(hù)電路。第一靜態(tài)保護(hù)電路具有第一輔助半導(dǎo)體，該輔助半導(dǎo)體具有第一輔助集電極端子、第一輔助柵極端子和第一輔助發(fā)射極端子；第一輔助集電極端子可與第一主集電極端子相連。
文檔編號(hào)H02H7/12GK201797307SQ200920291309
公開(kāi)日2011年4月13日 申請(qǐng)日期2009年10月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月23日
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