技術(shù)編號(hào)：7431278
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及功率半導(dǎo) 體領(lǐng)域。本實(shí)用新型尤其涉及一種用于連接功率半導(dǎo) 體的保護(hù)控制電路。本實(shí)用新型還涉及一種電路，具有通過保護(hù)控制電路連接的功率半 導(dǎo)體。背景技術(shù)功率半導(dǎo)體比較新穎的應(yīng)用表明使用串聯(lián)電路來提供較高的電壓 值，尤其是使用多個(gè)功率半導(dǎo)體、例如IGBT(IGBT = insulated-gate bipolartransistor絕緣柵雙極性晶體管)組成的串聯(lián)電路。已知在這些功率半導(dǎo)體串聯(lián)電路中均使用電阻和電 容構(gòu)成的電路來均衡非對(duì)稱分壓。但這...
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