專利名稱：氣體絕緣開關(guān)裝置及氣體絕緣開關(guān)裝置用部件的電弧損傷檢測(cè)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于檢測(cè)氣體絕緣開關(guān)裝置中使用的部件的電弧損 傷，特別是用于容易地檢測(cè)電接點(diǎn)達(dá)到當(dāng)初設(shè)定的損耗極限的氣體絕 緣開關(guān)裝置及氣體絕緣開關(guān)裝置用部件的電弧損傷檢測(cè)方法。
背景技術(shù)：
在發(fā)電站或變電站中的高電壓用的斷路器、斷路開關(guān)或開關(guān)器等 電力設(shè)備中，組裝有用于開關(guān)電路的電接點(diǎn)。此外，近年來(lái)，從提高 經(jīng)濟(jì)性和環(huán)境調(diào)和性的觀點(diǎn)出發(fā)，正在促進(jìn)電力設(shè)備的緊湊化，有電 接點(diǎn)小徑化的傾向，但另一方面，隨著電力需求的增大，也謀求電力 設(shè)備的高電壓化及大容量化，小徑化的電接點(diǎn)的電流密度在增大。
在上述的電力設(shè)備中，由于在高電壓下反復(fù)進(jìn)行斷路動(dòng)作，所以 在其電接點(diǎn)，產(chǎn)生由開關(guān)時(shí)所產(chǎn)生的電弧的熱量所引起的蒸發(fā)或損 耗。因此，到目前為止，正確地把握產(chǎn)生在電接點(diǎn)的損耗極限對(duì)于使 電接點(diǎn)正確運(yùn)轉(zhuǎn)、提高電力設(shè)備的運(yùn)轉(zhuǎn)率而言是非常重要的。
作為這樣的電接點(diǎn)的損耗極限檢測(cè)方法，有在電刷上安裝磁石以 檢測(cè)磁變化的方法(參照專利文獻(xiàn)1)、或在接點(diǎn)上安裝壓電元件以
監(jiān)視電壓變化的裝置；在開關(guān)設(shè)備中安裝振動(dòng)傳感器或加速度傳感器 以檢測(cè)本體的異常振動(dòng)等的裝置(參照專利文獻(xiàn)2及3)。在這些監(jiān) Ul裝置中，在接點(diǎn)附近設(shè)置傳感器等，通過(guò)測(cè)定電特性變化或機(jī)械特 性變化來(lái)檢測(cè)異常。
此外，還提出了不安裝特殊的傳感器等，通過(guò)從電極本身分析電
弧時(shí)所產(chǎn)生的光而檢測(cè)損耗的方法(參照專利文獻(xiàn)4)。 專利文獻(xiàn)1:特開平6-14501號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2:特開平10-241481號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)3:特開平11-354341號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)4:特開2005-71727號(hào)公報(bào)
但是，對(duì)于專利文獻(xiàn)1 3中公開的以往的監(jiān)視裝置，其是對(duì)被 看作是由于變形或損耗而引起的設(shè)備特性的變化進(jìn)行測(cè)定，并在發(fā)生 異常的初期過(guò)程中進(jìn)行檢測(cè)，所以難以直接檢測(cè)電極或噴嘴等的損耗 極限。
此外，例如專利文獻(xiàn)4適合檢測(cè)電極的損耗，但不能檢測(cè)開關(guān)裝 置的噴嘴等電極外圍部件的損耗。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為解決上述以往技術(shù)中的問(wèn)題而提出的，其目的在于， 提供一種氣體絕緣開關(guān)裝置及氣體絕緣開關(guān)裝置用部件的電弧損傷 檢測(cè)方法，以便直接檢測(cè)電接點(diǎn)或外圍部件達(dá)到當(dāng)初設(shè)定的損耗極 限。
為達(dá)到上述目的，提供一種氣體絕緣開關(guān)裝置，其中在封入了消 弧性氣體的容器內(nèi)，具有一對(duì)可接觸和分離的電弧接觸頭、由設(shè)在其 一方的電弧接觸頭側(cè)的緩沖活塞及緩沖缸構(gòu)成的緩沖室、和具備與所 述緩沖缸一體地固定的噴嘴的消弧室，通過(guò)壓縮所述緩沖室，將所述 消弧性氣體導(dǎo)入所述噴嘴，并噴向在所述一對(duì)電弧接觸頭間產(chǎn)生的電 弧以消除電弧，其特征在于構(gòu)成所述電弧接觸頭、緩沖室或消弧室 的部件以下述物質(zhì)作為標(biāo)記物質(zhì)而含有，所述物質(zhì)包含與在該部件中 用于確保本來(lái)的耐性或耐絕緣性所使用的元素不同的元素；與通過(guò)所 述電弧的熱量所述部件因熱分解而發(fā)生損耗相伴，所述標(biāo)記物質(zhì)以氣 體狀被釋放到所述氣體中。
根據(jù)以上的本發(fā)明，通過(guò)在氣體絕緣開關(guān)裝置用部件中，使用含 有與開關(guān)裝置內(nèi)部使用的元素不同的元素的物質(zhì)作為標(biāo)記物質(zhì)，與開 關(guān)裝置的開關(guān)動(dòng)作相伴產(chǎn)生電弧，且該部件損耗的情況下，該標(biāo)記物 質(zhì)通過(guò)熱分解而成為氣體狀，并向容器內(nèi)擴(kuò)散。能夠通過(guò)檢測(cè)氣體絕 緣開關(guān)裝置內(nèi)的氣體中的氣體狀的標(biāo)記物質(zhì)的濃度，在不使用設(shè)備的
分解檢查、或x射線透射攝影等特別的診斷裝置的情況下，進(jìn)行氣
體絕緣開關(guān)裝置用部件的損耗的正確的極限評(píng)價(jià)，并且容易地進(jìn)行氣 體絕緣開關(guān)裝置用部件的壽命評(píng)價(jià)。
根據(jù)以上的本發(fā)明，能夠提供一種氣體絕緣開關(guān)裝置及氣體絕緣 開關(guān)裝置用部件的電弧損傷檢測(cè)方法，以便直接檢測(cè)電接點(diǎn)或外圍部 件達(dá)到當(dāng)初設(shè)定的損耗極限。


圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的氣體斷路器的基本構(gòu)成的圖
圖2是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的絕緣噴嘴的損傷檢測(cè)的概念圖。
圖3是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式中的標(biāo)記物質(zhì)在氣體中的濃度 與絕緣噴嘴的損傷情況的關(guān)系的曲線圖。
圖4是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的絕緣噴嘴的損傷檢測(cè)的概念圖。
圖5是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式中的標(biāo)記物質(zhì)在氣體中的濃度 與絕緣噴嘴的損傷情況的關(guān)系的曲線圖。
圖6是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的絕緣噴嘴的損傷檢測(cè)的概念圖。
圖7是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式中的氟化物在氣體中的濃度與 電弧接觸頭的損傷情況的關(guān)系的曲線圖。
圖8是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的絕緣噴嘴的損傷檢測(cè)的概念圖。
圖9是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式中的氟化物在氣體中的濃度與 電弧接觸頭的損傷程度的關(guān)系的曲線圖。 符號(hào)說(shuō)明
1:氣體容器，2:極間絕緣筒，3:固定通電接觸頭，4:固定電 弧接觸頭，5:可動(dòng)通電接觸頭，6:絕緣噴嘴，7:可動(dòng)電弧接觸頭， 8:操作機(jī)構(gòu)部，9:操作桿，10a:緩沖缸，10b:緩沖活塞，lh緩 沖室，12:排氣孔，13:電弧，14:標(biāo)記物質(zhì)，15:氟化物，16:氣 體釆集閥，L:標(biāo)記層，M:標(biāo)記物質(zhì)，P:含氟樹脂層。
具體實(shí)施例方式
以下，參照附圖1 圖3具體說(shuō)明本發(fā)明的有代表性的實(shí)施方式。 以下，作為實(shí)施本發(fā)明的一例，舉例說(shuō)明氣體斷路器，但本發(fā)明并不 只限于氣體斷路器，也能夠在斷路器、斷路開關(guān)或開關(guān)器等電力設(shè)備 中，廣泛地用于以開關(guān)電路為目的的電接點(diǎn)為代表的氣體絕緣開關(guān)裝 置用部件。
(1)第1實(shí)施方式
參照?qǐng)D1 圖3說(shuō)明本發(fā)明的第1實(shí)施方式。圖1是表示本實(shí)施 方式的氣體斷路器的基本構(gòu)成的圖示。
本實(shí)施方式的氣體斷路器的構(gòu)成與以往相同，為了明確起見(jiàn)的說(shuō) 明如下所述。即，在封入了消弧性氣體的氣體容器l內(nèi)，設(shè)有與操作 機(jī)構(gòu)部8連結(jié)的中空的操作桿9。而且，該操作桿9被同軸狀的緩沖 缸10a包圍。在操作桿9和緩沖缸10a之間插入緩沖活塞10b，由該 緩沖活塞10b和緩沖缸10a及操作桿9形成被它們圍住的緩沖室11。
在操作桿9的前端部分設(shè)有可動(dòng)電弧接觸頭7，在操作桿9上的 與可動(dòng)電弧接觸頭7相反的位置上，在側(cè)面設(shè)有排氣孔12。此外，
在可動(dòng)電弧接觸頭7的外周，設(shè)置有具備氣體流路的絕緣噴嘴6和可 動(dòng)通電接觸頭5，在與可動(dòng)電弧接觸頭7相對(duì)的位置上配置固定電弧 接觸頭4，在其外側(cè)配置有固定通電接觸頭3。
在如此構(gòu)成的氣體斷路器中，通過(guò)利用操作機(jī)構(gòu)部8的操作桿9 的斷路動(dòng)作，分離固定通電接觸頭3和可動(dòng)電弧接觸頭7后，在固定 電弧接觸頭4和可動(dòng)電弧接觸頭7之間產(chǎn)生電弧13，通過(guò)該電弧而 使周圍的部件暴露在高溫下，因此損耗嚴(yán)重。
于是，在本實(shí)施方式中，如圖2的概念圖所示，以含有因電弧 13引起的損耗而向氣體容器1內(nèi)釋放氣體狀物質(zhì)的標(biāo)記物質(zhì)14的方 式構(gòu)成上述的斷路器的絕緣噴嘴6。
此處，為確保耐熱性和絕緣性，絕緣噴嘴6通常用含氟樹脂成形， 但在本實(shí)施方式中，在通常所用的含氟樹脂中，將耐熱性和絕緣性優(yōu) 異的含氯樹脂，如聚偏氯乙烯作為標(biāo)記物質(zhì)14與含氟樹脂均勻地混 合成形。這樣，采用由與斷路器內(nèi)部所使用的元素不同的元素即氯 (Cl)構(gòu)成的物質(zhì)作為標(biāo)記物質(zhì)14。
此外，在本實(shí)施方式中，在氣體容器1的規(guī)定的地方，此處，作 為一例，在固定導(dǎo)體側(cè)設(shè)有用于采集氣體容器1內(nèi)的氣體的氣體采集 閥16。通過(guò)該氣體采集閥16的開關(guān)來(lái)采集容器1內(nèi)的氣體，從而檢 測(cè)該成分。
根據(jù)以上的本實(shí)施方式，由于利用操作機(jī)構(gòu)部8和操作桿9的斷 路動(dòng)作而在固定電弧接觸頭4和可動(dòng)電弧接觸頭7之間產(chǎn)生電弧13， 所以構(gòu)成斷路器的部件發(fā)生損耗。此時(shí)，在絕緣噴嘴6中，將含有與 在斷路器內(nèi)部本來(lái)使用的元素不同的元素的物質(zhì)作為標(biāo)記物質(zhì)而使 用，所以與損耗的進(jìn)行成正比地在氣體容器1內(nèi)蓄積氣體狀的標(biāo)記物 質(zhì)14，其濃度緩慢增加。
更具體地說(shuō)，如果絕緣噴嘴6由于電弧13的熱而發(fā)生損耗，與 該絕緣噴嘴6通常所用的含氟樹脂均勻地混合的含氯樹脂就因熱分
解而產(chǎn)生氣體狀的氯。由于該氯是氣體狀的，所以在斷路器內(nèi)緩慢增
加，其濃度如圖3所示的那樣增加。
于是，從氣體采集閥16采集氣體容器1內(nèi)的氣體，通過(guò)未圖示 的分析裝置監(jiān)測(cè)該氣體中含有的標(biāo)記物14。如上所述，標(biāo)記物質(zhì)14 通過(guò)使用含有與在斷路器內(nèi)部本來(lái)使用的元素不同的元素的物質(zhì)，即 使以微少的量也能進(jìn)行判定。此時(shí)，通過(guò)預(yù)先將絕緣噴嘴6的損耗極 限設(shè)定為極限濃度，由此可進(jìn)行損耗極限的判定。
由此，能夠在不使用設(shè)備的分解檢査、或X射線透射攝影等特 別的診斷裝置的情況下，進(jìn)行以絕緣噴嘴6為代表的斷路器部件的損 耗的正確的極限評(píng)價(jià)，并能夠容易進(jìn)行斷路器部件的壽命評(píng)價(jià)。
此處，作為采集的氣體中所含的標(biāo)記物質(zhì)的分析方法，在氣體中 的標(biāo)記物質(zhì)的濃度比較高時(shí)，或能夠采集一部分氣體時(shí)，可通過(guò)氣體 色譜法或檢測(cè)管進(jìn)行，另一方面，在氣體中的標(biāo)記物質(zhì)的濃度比較低、 且能夠大量采集取樣量時(shí)，在水或吸收液中通入氣體以吸收氯，可采 用離子色譜法或滴定法、比色分析法等化學(xué)分析。另外，在采集量不 太多時(shí)，可采用質(zhì)量分析法或氣相色譜質(zhì)量分析法等。
此外，該分析的時(shí)機(jī)沒(méi)有特別限定，但由于標(biāo)記物質(zhì)14從絕緣 噴嘴6的釋放起因于電弧13的產(chǎn)生，因此基本上優(yōu)選在斷路動(dòng)作后 進(jìn)行。
另外，也能夠?qū)⑴c本實(shí)施方式同樣的構(gòu)成用于所有使用了被電弧 13損傷的有機(jī)材料的部件，例如極間絕緣筒2等斷路器絕緣部件， 由此，對(duì)于極間絕緣筒2等部件，也能夠得到與絕緣噴嘴相同的效果。 (2)第2實(shí)施方式
參照?qǐng)D4及圖5說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施方式。另外，對(duì)于與第l 實(shí)施方式相同的構(gòu)成，標(biāo)記同一符號(hào)，并省略重復(fù)的說(shuō)明。
在本實(shí)施方式中，在基本構(gòu)成與第1實(shí)施方式相同的氣體斷路器 中，如圖4所示，改進(jìn)了氣體噴嘴6的構(gòu)成。g卩，將直至設(shè)定為氣體 噴嘴6的外裝側(cè)的損耗極限的厚度與以往同樣形成用含氟樹脂構(gòu)成 的含氟樹脂層P，在設(shè)定為氣體噴嘴6的內(nèi)裝側(cè)的損耗極限的位置上， 設(shè)置由標(biāo)記物質(zhì)14即含氯樹脂構(gòu)成的含氯樹脂層C。
根據(jù)以上的本實(shí)施方式，直至損耗極限都使用由不含標(biāo)記物質(zhì) 14的聚四氟乙烯(PTFE)等含氟樹脂構(gòu)成的噴嘴，由此，如圖5所 示，氣體中的標(biāo)記物質(zhì)14的濃度即氯濃度不是相對(duì)于絕緣噴嘴6的 損耗情況成比例地增加，只不過(guò)是稍微增加。而且，在絕緣噴嘴6的 損耗達(dá)到損耗極限即含氯樹脂層C的階段，氣體中的氯濃度急劇上 升。
因此，通過(guò)以此點(diǎn)作為損耗極限進(jìn)行判定，能夠在不使用設(shè)備的 分解檢査、或X射線透射攝影等特別的診斷裝置的情況下，進(jìn)行以 絕緣噴嘴6為代表的斷路器部件的損耗的正確的極限評(píng)價(jià)，并能夠容 易進(jìn)行斷路器部件的壽命評(píng)價(jià)。 (3)第3實(shí)施方式
參照?qǐng)D6及圖7說(shuō)明本發(fā)明的第3實(shí)施方式。另外，對(duì)于與上述 各實(shí)施方式相同的構(gòu)成，標(biāo)記同一符號(hào)，并省略重復(fù)的說(shuō)明。
在本實(shí)施方式中，在基本構(gòu)成與第1實(shí)施方式相同的氣體斷路器 中，如圖6的概念圖所示，為了檢測(cè)電弧接觸頭的損傷，在固定電弧 接觸頭4中混入了標(biāo)記物質(zhì)14。
一般而言，由于電弧接觸頭暴露在高溫下，損耗嚴(yán)重，所以作為 電弧接觸頭的接點(diǎn)材料，使用耐熱性良好的材料， 一般使用Cu-W合 金的例子較多，但在本實(shí)施方式中，在固定電弧接觸頭4中，作為標(biāo) 記物質(zhì)M，采用通過(guò)與氟或氫氟酸反應(yīng)而生成氟化物的物質(zhì)。具體地 說(shuō)，作為在常溫下生成氣體狀的氟化物15的氟化物生成物質(zhì)，可采 用Se、 Ge、 Te，此外，作為生成沸點(diǎn)比較低的氟化物15的氟化物生 成物質(zhì)，可采用Sb、 Os、 Cr、 Re、 V。
在以上的本實(shí)施方式中，在采用SF6氣體作為氣體容器1內(nèi)的絕
緣氣體的情況下，由于斷路時(shí)產(chǎn)生的電弧13, SF6氣體被分解，生成 氟或氫氟酸F。另一方面，從固定電弧接觸頭4，同樣由于電弧13的 產(chǎn)生，接觸頭所含的氟化物生成物質(zhì)氣化后的成分作為標(biāo)記物質(zhì)M 而產(chǎn)生。然后，該氟或氫氟酸F和用作標(biāo)記物質(zhì)M的Se、 Ge、 Te、 或Sb、 Os、 Cr、 Re、 V反應(yīng)，生成氟化物15。
于是，如圖7所示，該氟化物15與損耗的進(jìn)行成比例地在氣體 容器1內(nèi)蓄積，其濃度緩慢增加。因此，采用與第1實(shí)施方式相同的 方法，即，在生成氣體狀的氟化物15時(shí)，可以取樣設(shè)備中的氣體， 利用氣相色譜法檢測(cè)，或通過(guò)使其與吸收液反應(yīng)而分析吸收液中的標(biāo) 記元素濃度的方法，能夠取樣氣體容器1內(nèi)的氣體，分析氟化物15 的氣體中的濃度。然后，通過(guò)研究該濃度的變化，預(yù)先設(shè)定相當(dāng)于損 耗極限的極限濃度，從而可判定損耗極限。
由此，能夠在不使用設(shè)備的分解檢修、或X射線透射攝影等特 別的診斷裝置的情況下，進(jìn)行固定電弧接觸頭為代表的斷路器部件的 損耗的正確的極限評(píng)價(jià)，并容易進(jìn)行斷路器部件的壽命評(píng)價(jià)。
此外，在本實(shí)施方式中，有時(shí)氣體容器l內(nèi)的氣體溫度下降，氟 化物15成為固體或液體，但在此種情況下，通過(guò)在設(shè)備內(nèi)部配置表 面電阻傳感器，測(cè)定其電阻的變化，也能判定電弧接觸頭的損耗極限。
另外，在第3實(shí)施方式中，對(duì)含有標(biāo)記物質(zhì)的電弧接觸頭僅限于 固定電弧接觸頭進(jìn)行了說(shuō)明，但也可將其置換成可動(dòng)電弧接觸頭直接 應(yīng)用。在此種情況下，也能獲得與固定電弧接觸頭同樣的效果。 (4)第4實(shí)施方式
參照?qǐng)D8及圖9說(shuō)明本發(fā)明的第4實(shí)施方式。另外，對(duì)于與上述 各實(shí)施方式相同的構(gòu)成，標(biāo)記同一符號(hào)，并省略重復(fù)的說(shuō)明。
在本實(shí)施方式中，在基本構(gòu)成與第1實(shí)施方式相同的氣體斷路器 中，如圖8的概念圖所示，改進(jìn)了固定電弧接觸頭4的構(gòu)成。即，將 直至設(shè)定為固定電弧接觸頭4的外裝側(cè)的損耗極限的厚度與以往同
樣由利用Cu-W合金等構(gòu)成不含標(biāo)記物質(zhì)的層，自成為固定電弧接觸 頭4的內(nèi)裝側(cè)的損耗極限的位置開始，將內(nèi)側(cè)形成由標(biāo)記物質(zhì)14即 Se、 Ge、 Te或Sb、 Os、 Cr、 Re、 V等的氟化物生成物質(zhì)構(gòu)成的標(biāo)記 層L。
根據(jù)以上的本實(shí)施方式，直至損耗極限用不含標(biāo)記物質(zhì)14的層 構(gòu)成，由此，如圖9所示，氣體中的標(biāo)記物質(zhì)14的濃度，即在第3 實(shí)施方式中所示的氟化物15的濃度不是相對(duì)于固定電弧接觸頭4的 損耗情況成比例地增加，只不過(guò)是稍微增加。而且，在固定電弧接觸 頭4的損耗達(dá)到損耗極限即標(biāo)記層L的階段，氣體中的氟化物15的 濃度急劇上升。
因此，通過(guò)以此點(diǎn)作為損耗極限進(jìn)行判定，能夠在不使用設(shè)備的 分解檢査、或X射線透射攝影等特別的診斷裝置的情況下，進(jìn)行以 固定電弧接觸頭4為代表的斷路器部件的損耗的正確的極限評(píng)價(jià)，并 且容易進(jìn)行斷路器部件的壽命評(píng)價(jià)。
權(quán)利要求
1.一種氣體絕緣開關(guān)裝置，其中在封入了消弧性氣體的容器內(nèi)，具有一對(duì)可接觸和分離的電弧接觸頭、由設(shè)在其一方的電弧接觸頭側(cè)的緩沖活塞及緩沖缸構(gòu)成的緩沖室、和具備與所述緩沖缸一體地固定的噴嘴的消弧室，通過(guò)壓縮所述緩沖室而將所述消弧性氣體導(dǎo)入所述噴嘴，并吹向所述一對(duì)電弧接觸頭間產(chǎn)生的電弧以消除電弧，其特征在于構(gòu)成所述電弧接觸頭、緩沖室或消弧室的部件以下述物質(zhì)作為標(biāo)記物質(zhì)而含有，所述物質(zhì)包含與在該部件中用于確保本來(lái)的耐性或耐絕緣性所使用的元素不同的元素；與通過(guò)所述電弧的熱量所述部件因熱分解而發(fā)生損耗相伴，所述標(biāo)記物質(zhì)以氣體狀被釋放到所述氣體中。
2. 如權(quán)利要求1所述的氣體絕緣開關(guān)裝置，其特征在于所述 噴嘴由含氟樹脂、和作為標(biāo)記物質(zhì)混入的含氯樹脂構(gòu)成。
3. 如權(quán)利要求1所述的氣體絕緣開關(guān)裝置，其特征在于所述 噴嘴從外裝到成為損耗極限的厚度由含氟樹脂層形成，且自所述含氟 樹脂層開始內(nèi)裝具備由含氯樹脂構(gòu)成的標(biāo)記物質(zhì)層。
4. 如權(quán)利要求1所述的氣體絕緣開關(guān)裝置，其特征在于 作為在所述容器內(nèi)封入的消弧性氣體，含有SF6氣體； 在所述電弧接觸頭中，混入含有下述成分的材料作為標(biāo)記物質(zhì)，所述成分是通過(guò)由所述電弧的熱量產(chǎn)生的熱分解與所述SF6氣體的分解成分反應(yīng)而生成低沸點(diǎn)或升華性的氟化物的成分。
5. 如權(quán)利要求l所述的氣體絕緣開關(guān)裝置，其特征在于 作為在所述容器內(nèi)封入的消弧性的氣體，含有SF6氣體； 所述電弧接觸頭直至成為外裝的損耗極限的厚度具備含氟樹脂層，自所述含氟樹脂層開始內(nèi)裝具備標(biāo)記物質(zhì)層作為標(biāo)記物質(zhì)，所述標(biāo)記物質(zhì)層由含有能夠通過(guò)由所述電弧的熱量產(chǎn)生的熱分解與所述SF6氣體的分解成分反應(yīng)而生成低沸點(diǎn)或升華性的氟化物的成分的材 料構(gòu)成。
6. 如權(quán)利要求4或5所述的氣體絕緣開關(guān)裝置，其特征在于 含有生成所述氟化物的成分的材料是Se、 Ge、 Te、或Sb、 Os、 Cr、 Re、 V中的任一種。
7. 如權(quán)利要求4或5所述的氣體絕緣開關(guān)裝置，其特征在于-在所述容器內(nèi)具備測(cè)定所述氟化物的生成量的表面電阻傳感器。
8. —種氣體絕緣開關(guān)裝置用部件的電弧損傷檢測(cè)方法，該氣體 絕緣開關(guān)裝置用部件被配設(shè)在封入了消弧性氣體的容器內(nèi)，并構(gòu)成一 對(duì)可接觸和分離的電弧接觸頭、由設(shè)在其一方的電弧接觸頭側(cè)的緩沖 活塞及緩沖缸構(gòu)成的緩沖室、或者具備與所述緩沖缸一體地固定的噴 嘴的消弧室，其特征在于所述部件以下述物質(zhì)為標(biāo)記物質(zhì)而含有，該物質(zhì)含有與在該部件 中用于確保本來(lái)的耐性或耐絕緣性所使用的元素不同的元素；通過(guò)因開關(guān)動(dòng)作而在所述一對(duì)電弧接觸頭間產(chǎn)生的電弧的熱量， ^t與由所述部件的熱分解所產(chǎn)生的損耗相伴、以氣體狀釋放的所述標(biāo) 記物質(zhì)在所述容器內(nèi)的氣體中的濃度進(jìn)行檢測(cè)以判定所述部件的損 耗極限。
9. 如權(quán)利要求8所述的氣體絕緣開關(guān)裝置用部件的電弧損傷檢 測(cè)方法，其特征在于作為在所述容器內(nèi)封入的消弧性的氣體，含有SF6氣體； 所述電弧接觸頭混入含有下述成分的材料作為標(biāo)記物質(zhì)，所述成分是通過(guò)由所述電弧的熱量產(chǎn)生的熱分解與所述SF6氣體的分解成分反應(yīng)而生成低沸點(diǎn)或升華性的氟化物的成分；通過(guò)因開關(guān)動(dòng)作而在所述一對(duì)電弧接觸頭間產(chǎn)生的電弧的熱量，對(duì)與由所述部件的熱分解產(chǎn)生的損耗相伴所生成的所述氟化物在所 述容器內(nèi)的氣體中的濃度進(jìn)行檢測(cè)以判定所述電弧接觸頭的損耗極 限。
10.如權(quán)利要求9所述的氣體絕緣開關(guān)裝置用部件的電弧損傷檢測(cè)方法，其特征在于在所述電弧產(chǎn)生后，在所述容器內(nèi)的氣體溫度 下降，所述氟化物成為固體或液體的情況下，通過(guò)采用設(shè)在所述容器 內(nèi)的測(cè)定所述氟化物的生成量的表面電阻傳感器來(lái)測(cè)定所述容器內(nèi) 的電阻變化，由此判定電弧接觸頭的損耗極限。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于直接檢測(cè)電接點(diǎn)或外圍部件達(dá)到當(dāng)初設(shè)定的損耗極限的氣體絕緣開關(guān)裝置及氣體絕緣開關(guān)裝置用部件的電弧損傷檢測(cè)方法。在斷路器的絕緣噴嘴(6)中含有通過(guò)由電弧(13)產(chǎn)生的損耗向斷路器氣體容器(1)內(nèi)釋放氣體狀物質(zhì)的標(biāo)記物質(zhì)(14)。為了確保耐熱性和絕緣性，通常用含氟樹脂成形絕緣噴嘴(6)，但在通常所用的含氟樹脂中，將耐熱性和絕緣性優(yōu)異的含氯樹脂，如聚偏氯乙烯作為標(biāo)記物質(zhì)(14)與含氟樹脂均勻地混合成形。
文檔編號(hào)H02B13/035GK101174760SQ20071018118
公開日2008年5月7日 申請(qǐng)日期2007年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月12日
發(fā)明者古田宏, 花井正廣, 金澤幸雄 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝