專利名稱：保護(hù)裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種保護(hù)裝置及方法，且特別是有關(guān)于一種溫度保 護(hù)裝置及方法。
背景技術(shù)：
圖1示出為/〉知的熱斷電電路(Thermal Shutdown Circuit)的電3各 圖，是由美國專利第US5737170號專利所提出。請參照圖1,在公知的 熱斷電電路100中，電阻103和104形成一分壓電路，用來將偏壓VBC 進(jìn)行分壓后，再送至BJT晶體管105的基極端。由于BJT晶體管的導(dǎo)通電壓具有負(fù)溫度特性，因此，當(dāng)周邊溫度每 上升rC， BJT晶體管的導(dǎo)通電壓(VbJ就會約下降2mV。由此，圖l中的 周邊溫度上升到一臨界溫度值時(shí)，將會使得BJT晶體管105導(dǎo)通，進(jìn)而 關(guān)閉電子系統(tǒng)120來達(dá)到溫度保護(hù)的目的。上述的方式，是假設(shè)偏壓Vb。在零溫度系數(shù)的前提下操作。然而在實(shí) 際的操作狀況下，偏壓VBC可能會具有正溫度系數(shù)或是負(fù)溫度系數(shù)。因此， 偏壓Vw可能會隨著溫度的變化而有所漂移，因此會有誤動作的產(chǎn)生。例 如，周邊溫度還沒到達(dá)臨界溫度時(shí)，由于偏壓Vbs的漂移而造成BJT晶體 管105提前導(dǎo)通，或是已經(jīng)超過了臨界溫度，而BJT晶體管105還沒有 導(dǎo)通，這都可能造成電子系統(tǒng)120的損壞。另外，不僅偏壓Vb。會隨著溫度漂移，BJT晶體管105也會因?yàn)橹谱?過程的關(guān)系，導(dǎo)致導(dǎo)通電壓和周邊溫度可能不會是線性的關(guān)系。也就是 說，當(dāng)周邊溫度上升rC時(shí)，BJT晶體管105的導(dǎo)通電壓可能會小于2mV， 也有可能超過2mV。以上種種的誤差，都會導(dǎo)致公知的熱斷電電路100 無法有效地對電子系統(tǒng)12 0進(jìn)行溫度保護(hù)。因此，提供一種可靠的保護(hù)裝置，乃為現(xiàn)今重要的課題之一。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于上述課題，本發(fā)明主要目的是提供一種保護(hù)裝置及方法，可 以有效地對電子系統(tǒng)進(jìn)行溫度保護(hù)。另外，本發(fā)明另一目的是提供一種具有較佳抗噪聲功能的保護(hù)裝置 及方法。緣是，為達(dá)上述的目的，本發(fā)明提供一種保護(hù)裝置，包括一第一溫 度感測元件、 一第二溫度感測元件和一比較單元。其中，第一溫度感測 元件可以接收一第一電流信號，以產(chǎn)生一第一電壓信號。而第二溫度感 測元件則接收一第二電流信號，并且產(chǎn)生一第二電壓信號。由此，比較 單元則是比較第一電壓信號和第二電壓信號而產(chǎn)生一保護(hù)信號。在本發(fā)明的實(shí)施例中，第一溫度感測元件是一正溫度感測元件，例 如是一正溫度系數(shù)電阻。相對地，第二溫度感測元件則是一負(fù)溫度感測 元件，例如是負(fù)溫度系數(shù)電阻。另外，第 一 電流信號和第二電流信號實(shí)質(zhì)上是相等的電流信號。從另一角度來看，本發(fā)明提供另一種保護(hù)裝置，可以用來對一電子 系統(tǒng)進(jìn)行溫度保護(hù)。本發(fā)明所提供的保護(hù)裝置包括一溫度感測模塊和一 比較單元。其中，溫度感測模塊是用來輸出會隨著溫度而變化之一第一 電壓信號和一第二電壓信號。而比較單元則是比較第一電壓信號和第二 電壓信號，并產(chǎn)生一保護(hù)信號至電子系統(tǒng)，以決定電子系統(tǒng)是否正常運(yùn) 行。在本發(fā)明的實(shí)施例中，第一電壓信號的電壓值會隨著環(huán)境溫度的上 升而增加，而第二電壓信號的電壓值則隨著環(huán)境溫度的上升而下降。另外，溫度感測模塊包括一電流鏡電路、 一正溫度系數(shù)電阻和一負(fù) 溫度系數(shù)電阻。其中，電流鏡電路可以產(chǎn)生一相同電流值給正溫度系數(shù) 電阻和負(fù)溫度系數(shù)電阻，以產(chǎn)生第一電壓信號和第二電壓信號。另外，比較單元會將第一電壓信號減去第二電壓信號以產(chǎn)生比較 值。當(dāng)比較值大于一第一預(yù)設(shè)電壓時(shí)，則比較單元會致能一中斷信號， 以使電子系統(tǒng)中斷操作。反之，當(dāng)比較值小于一第二預(yù)設(shè)電壓時(shí)，則比 較單元會禁能中斷信號，以使電子系統(tǒng)可以正常運(yùn)行。其中，第一預(yù)設(shè) 電壓大于第二預(yù)設(shè)電壓。從另一觀點(diǎn)來看，本發(fā)明提供一種熱斷電方法，包括產(chǎn)生一第一電 壓信號，而此第一電壓信號的電壓值隨環(huán)境溫度的上升而增加，另外產(chǎn)
生一第二電壓信號，而此第二電壓信號的電壓值則隨環(huán)境溫度的上升而 降低。此外，本發(fā)明會比較第一電壓信號和第二電壓信號，而產(chǎn)生一保 護(hù)信號，并且依據(jù)此保護(hù)信號而決定是否使一電子系統(tǒng)正常運(yùn)行。從另一觀點(diǎn)來看，本發(fā)明也提供一種晶片，包括一保護(hù)裝置和一控 制裝置。在本發(fā)明的實(shí)施例中，保護(hù)裝置具有一正溫度系數(shù)電阻、 一負(fù) 溫度系數(shù)電阻和一比較單元。其中，正溫度系數(shù)電阻可以接收一第一電 流信號，并且產(chǎn)生一第一電壓信號。另外，負(fù)溫度系數(shù)電阻可以接收一 第二電流信號，并且產(chǎn)生一第二電壓信號。由此，比較單元可以比較第 一電壓信號和第二電壓信號，以產(chǎn)生一保護(hù)信號。因此，控制裝置可以 依據(jù)此保護(hù)信號而控制晶片是否停止運(yùn)行。由于本發(fā)明是將一具有正溫度系數(shù)的電壓信號和一具有負(fù)溫度系 數(shù)的電壓信號進(jìn)行比較，再依據(jù)比較結(jié)果來決定是否使電子系統(tǒng)正常運(yùn) 行。因此，能有效地對電子系統(tǒng)進(jìn)行溫度保護(hù)。為讓本發(fā)明之上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)il明如下。


圖1為公知的保護(hù)裝置的電路圖。圖2為依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的一種保護(hù)裝置的電路方塊圖。 圖3為圖2中的第一電壓信號和第二電壓信號隨溫度變化之示意圖。圖4為圖2中的保護(hù)裝置優(yōu)選實(shí)施例的電路示意圖。圖5為一種磁滯比較器的工作原理示意圖。圖6為圖2中的保護(hù)裝置另一優(yōu)選實(shí)施例的電路示意圖。圖7為第一電壓信號和第二電壓信號隨溫度變化的另一示意圖。圖8為依照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的一種保護(hù)裝置方法的步驟流程圖。主要元件符號說明 100、 2GG:保護(hù)裝置 103、 104:電阻105: BJT晶體管202:溫度感測模塊204:比較單元402:電流4竟電^各403:控制單元404、 406、 408: PM0S晶體管Rl:第一溫度感測元件R2:第二溫度感測元件R3:電阻SD:中斷信號V+、 VI:第一電壓信號V-、 V2:第二電壓信號Vo:輸出Ik、 II、 12:電流S601、 S603、 S605、 S607 、 S609:保護(hù)方法之步驟流程具體實(shí)施方式
以下將參照相關(guān)圖式，說明依本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的保護(hù)裝置和 方法，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。請參閱圖2所示，為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的一種保護(hù)裝置，適于對 一電子系統(tǒng)進(jìn)行過溫保護(hù)。本實(shí)施例的保護(hù)裝置200,包括一溫度感測 模塊202和一比較單元204。其中，溫度感測模塊202的輸出送至比較 單元204。由此，比較單元204就可以依據(jù)溫度感測模塊202的輸出以 產(chǎn)生一保護(hù)信號SD,而決定是否使電子系統(tǒng)220正常運(yùn)行。請繼續(xù)參照圖2,溫度感測模塊202會產(chǎn)生一第一電壓信號V+和一 第二電壓信號V-, 二者分別具有正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù)的特性。當(dāng)溫 度感測模塊202將輸出第一電壓信號V+和第二電壓信號V-送至比較單 元204時(shí)，比較單元204將會進(jìn)行第一電壓信號V+與第二電壓信號V-的比較工作，以產(chǎn)生保護(hù)信號SD來控制電子系統(tǒng)220。圖3為圖2中的第一電壓信號V+和第二電壓信號V-隨溫度變化的 示意圖。請合并參照圖2和圖3,于本實(shí)施例中，比較單元204將電壓 信號V+與電壓信號V-進(jìn)行比較后，將會產(chǎn)生中斷信號SD,來決定是否 使電子系統(tǒng)220維持正常運(yùn)行或是中斷。從圖3中可以很清楚看到，由于第一電壓信號V+具有正溫度系數(shù)的 特性，第一電壓信號V+的電壓值會隨著環(huán)境溫度的上升而增加。相對地， 由于第二電壓信號V-具有負(fù)溫度特性，因此第二電壓信號V-的電壓值 會隨著環(huán)境溫度的上升而減少。在本實(shí)施例中，當(dāng)環(huán)境溫度在臨界溫度 Tl時(shí)，第一電壓信號V+和第二電壓信號V-會具有相同的電壓值。而當(dāng) 環(huán)境溫度超過臨界溫度Tl時(shí)，第一電壓信號V+會大于第二電壓信號V-， 因此比較單元204將第一電壓信號V+與第二電壓信號V-進(jìn)行比較后(例 如將第一電壓信號V+減去第二電壓信號V-)，則得到一正比較值，即為 保護(hù)信號SD,使電子系統(tǒng)220中斷運(yùn)行。相對地，當(dāng)環(huán)境溫度小于臨界溫度Tl時(shí)，比較單元204將第一電 壓信號V+與第二電壓信號V-進(jìn)行比較后，此時(shí)得到一負(fù)比較值，此時(shí) 電子系統(tǒng)220維持正常運(yùn)行。須注意者，雖然在本實(shí)施例中，保護(hù)信號 SD為正比較值，但不限定于此，在其他實(shí)施例中，保護(hù)信號SD亦可為 負(fù)比較值，可依據(jù)電子系統(tǒng)200所須的信號來決定保護(hù)信號SD為正值 或是負(fù)值，如果保護(hù)信號SD想要為負(fù)值時(shí)，只需要在比較單元204后 面多接一級反相器單元即可。如圖4所示，為圖2中的保護(hù)裝置的電路示意圖。本實(shí)施例中的溫 度感測模塊202包括一電流鏡電路402、 一第一溫度感測元件Rl和一第 二溫度感測元件R2。其中，第一溫度感測元件Rl與第二溫度感測元件R2的其中一端共 同接地，另一端則分別接收由電流鏡電路402所產(chǎn)生的第一電流信號II 與一第二電流信號12，以分別產(chǎn)生第一電壓信號V+和第二電壓信號V-, 并且送至比較單元204。在IC晶片制作實(shí)施例中，第一溫度感測元件 Rl可由一正溫度系數(shù)電阻來實(shí)現(xiàn)，例如一 P+材質(zhì)的電阻。第二溫度感 測元件R2則可由一負(fù)溫度系數(shù)電阻來實(shí)現(xiàn)，例如一HR P0LY1材質(zhì)的電 阻。此外，在本實(shí)施例中，當(dāng)環(huán)境溫度未到達(dá)Tl時(shí)，第二溫度感測元 件R2的電阻值會大于第一溫度感測元件Rl的電阻值。本實(shí)施例的電流鏡電路402具有兩PMOS晶體管404和406。其中， PMOS晶體管404的源極端與PMOS晶體管406的源極端共同耦接一電壓 源，而P函S晶體管404的柵極端與PM0S晶體管406的柵極端彼此耦接， 并且耦接至一控制單元403，以提供一電壓至PM0S晶體管404和406的 柵極端，使得第一電流信號II及第二電流信號12實(shí)質(zhì)上相等，另外， PMOS晶體管404的漏極端耦接至第一溫度感測元件Rl的一端，而PMOS 晶體管406的漏極端則耦接至第二溫度感測元件R2的一端，因此，第 一溫度感測元件Rl和第二溫度感測元件R2流經(jīng)相同的電流值。另外，比較單元204是利用磁滯比較器來實(shí)現(xiàn)，因?yàn)榇艤容^器具 有較佳抗噪聲干擾功能，因此，對于第一溫度感測元件Rl和第二溫度 感測元件R2這些微制作過程的漂移所導(dǎo)致的影響將可以減低到最小。如圖5所示，為一種磁滯比較器的工作原理示意圖。其中，磁滯比 較器之正輸入端與負(fù)輸入端的差值大于一第一預(yù)定電壓(例如，V1+AV) 時(shí)，磁滯比較器的輸出Vo為一正電壓。反之，磁滯比較器之正輸入端 與負(fù)輸入端的差值小于一第二預(yù)定電壓(例如，VI-AV)時(shí)，則輸出Vo 為一負(fù)電壓，而當(dāng)正輸入端與負(fù)輸入端的差值不大于第一預(yù)定電壓或是 不小于第二預(yù)定電壓時(shí)，則輸出Vo維持先前狀態(tài)。因此，假設(shè)圖4中 的比較單元204是利用磁滯比較器來實(shí)現(xiàn)時(shí)，當(dāng)磁滯比較器將第一電壓 信號V+和第二電壓信號V-進(jìn)行比較時(shí)，兩者之差值必須大于一預(yù)設(shè)電 壓時(shí)，才會產(chǎn)生保護(hù)信號SD，當(dāng)產(chǎn)生保護(hù)信號SD時(shí)表示目前周圍環(huán)境 溫度可能已經(jīng)太高，因此產(chǎn)生中斷的信號，相對地，當(dāng)磁滯比較器檢測 到第一電壓信號V+和第二電壓信號V-之差值小于預(yù)設(shè)電壓時(shí)，代表環(huán) 境溫度正常，所以電子系統(tǒng)會正常的運(yùn)行。其中我們使用磁滯比較器最 主要的原因是為了免除因外界噪聲的干擾所帶來的影響，所以，本發(fā)明 可以有效地減低元件因?yàn)橹谱鬟^程些微的漂移而造成電氣漂移所產(chǎn)生 的影響。再者， 一般而言噪聲可能來自電壓源端或者是接地端而灌入保護(hù)裝 置系統(tǒng)，造成電子系統(tǒng)誤動作發(fā)生。針對此種問題，本實(shí)施例的保護(hù)裝 置200中，第一溫度感測元件Rl與第二溫度感測元件R2因?yàn)橥瑫r(shí)接收 到噪聲，所以可視為噪聲是一共模的噪聲，可以通過比較單元204來濾 除此共模的噪聲，因此本實(shí)施例的保護(hù)裝置200具有較佳的抗噪聲的功 能。此外，請參閱圖6所示，在另一實(shí)施例中，上述的控制單元403可
利用一 PMOS晶體管408以及一電阻R3來實(shí)現(xiàn)。其中，PMOS晶體管408 的源極端與PMOS晶體管404和406的源極端耦接同一電壓源，PMOS晶 體管408的柵極端耦接PMOS晶體管404和406的對冊極端，PMOS晶體管 408之漏極端和柵極端互相耦接，并且電阻R3 —端耦接PMOS晶體管408 之漏極端，另一端接地。因?yàn)镻固S晶體管404、 406和408是采用電流 鏡方式的接法，所以流經(jīng)第一溫度感測元件Rl、第二溫度感測元件R2 和電阻R3的電流Ik、 11和I2實(shí)質(zhì)上相等。另外，請參閱圖7所示，在其他實(shí)施例中，第一溫度感測元件Rl 與第二感測元件R2也可選用不同溫度系數(shù)的正溫度感測元件，或是選 用不同溫度系數(shù)的負(fù)溫度感測元件。在圖7中，可以很清楚看到，第一 電壓信號VI與第二電壓信號V2都具有不同溫度系數(shù)的正溫度的特性， 兩者在溫度T2時(shí)，具有相同的電壓值，其他動作原理如同上述，在此 不加以贅述。請參閱圖8所示，為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的一種熱斷電方法，可實(shí) 施于上述的保護(hù)裝置200，以對電子系統(tǒng)220進(jìn)行溫度保護(hù)。本實(shí)施例 之熱斷電方法，包括下列步驟，首先，如步驟S601是提供第一電壓信 號V+和第二電壓信號V-，其中第一電壓信號V+和第二電壓信號V-可由 溫度感測模塊202產(chǎn)生，且第一電壓信號V+具有正溫度系數(shù)的特性，第 二電壓信號V-則是具有負(fù)溫度系數(shù)的特性。接著，如步驟S603所述，比較單元204比較第一電壓信號V+和第 二電壓信號V-，其比較方式是將第一電壓信號減去第二電壓信號。再者，如步驟S605所述，比較兩者之差值是否大于一預(yù)設(shè)電壓值， 當(dāng)差值大于預(yù)設(shè)電壓值時(shí)，執(zhí)行步驟S607,反之執(zhí)行步驟S609。其中，如步驟S607所述，送出保護(hù)信號SD，使電子系統(tǒng)中斷運(yùn)行。 如步驟S609所述，電子系統(tǒng)維持正常運(yùn)行。另外，本發(fā)明更公開一種晶片具有一保護(hù)裝置及一控制裝置。其中， 保護(hù)裝置如同上述的保護(hù)裝置200，具有相同元件及功效，在此不加以 贅述。于本實(shí)施例中，當(dāng)周圍環(huán)境溫度過高時(shí)，保護(hù)裝置產(chǎn)生一保護(hù)信 號至控制裝置，使得控制晶片停止運(yùn)行，以達(dá)到溫度保護(hù)之功效。綜上所述，本發(fā)明至少有以下優(yōu)點(diǎn)1.通過正溫度系數(shù)元件與負(fù)溫度系數(shù)元件所產(chǎn)生的電壓信號，本發(fā)
明可以精確地對一 電子系統(tǒng)進(jìn)行溫度保護(hù)。2. 由于本發(fā)明可以利用磁滯比較器來實(shí)現(xiàn)比較單元，因此本發(fā)明可 以當(dāng)元件在制作過程上有產(chǎn)生些微誤差時(shí)，還能有效地對電子系統(tǒng)進(jìn)行 溫度保護(hù)功能。3. 由于本發(fā)明是采用共模輸入的技術(shù)，因此本發(fā)明可以有效地避免 噪聲所帶來的影響也就是說具有較強(qiáng)的抗噪聲干擾的功能。盡管參照本發(fā)明的特定實(shí)施方式對本發(fā)明進(jìn)行了上述圖示和描述， 但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離由所附權(quán)利要求書所限定的本發(fā) 明的精神和范圍的情況下，可以對本發(fā)明進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種修 改。
權(quán)利要求
1.一種保護(hù)裝置，包括一第一溫度感測元件，接收一第一電流信號，并依據(jù)該第一電流信號以產(chǎn)生一第一電壓信號；一第二溫度感測元件，接收一第二電流信號，并依據(jù)該第二電流信號以產(chǎn)生一第二電壓信號；以及一比較單元，比較該第一電壓信號與該第二電壓信號，以產(chǎn)生一保護(hù)信號。
2. 如權(quán)利要求1所述的保護(hù)裝置，其中該第一溫度感測元件為一正 溫度感測元件，該第二溫度感測元件為 一 負(fù)溫度感測元件。
3. 如權(quán)利要求l所述的保護(hù)裝置，其中該第一電流信號實(shí)質(zhì)上相等 于該第二電流信號。
4. 如權(quán)利要求1所述的保護(hù)裝置，更包括一電流鏡電路，用以產(chǎn)生 該第 一 電流信號與該第二電流信號。
5. 如權(quán)利要求4所述的保護(hù)裝置，其中該電流鏡電路包括 一控制單元；一第一 PM0S晶體管，其一源極端耦接一電壓源，其一柵極端耦接 該控制單元，其一漏極端耦接該第一溫度感測元件，以輸出該第一電流 信號給該第一溫度感測元件；以及一第二 PM0S晶體管，其一源極端耦接該電壓源，其一柵極端耦接 至該第一 PM0S晶體管的該柵極端，其一漏極端則耦接該第二溫度感測 元件，以輸出該第二電流信號給該第二溫度感測元件。
6. 如權(quán)利要求5所述的保護(hù)裝置，其中該控制單元具有一第三PM0S晶體管，其一源極端耦接該電壓源，其一柵極端耦接 該第二 PM0S晶體管的該4冊極端，其一漏極端耦接該柵極端；以及一電阻，其一端耦接該第三PM0S晶體管的該漏極端，其另一端接地。
7. 如權(quán)利要求1所述的保護(hù)裝置，其中該比較單元為一磁滯比較器。
8. 如權(quán)利要求7所述的保護(hù)裝置，其中當(dāng)該第一電壓信號與該第二 電壓信號之差值大于一預(yù)設(shè)電壓時(shí)，該比較單元產(chǎn)生該保護(hù)信號。
9. 如^又利要求1所述的保護(hù)裝置，其中該第一溫度感測元件為一正 溫度系數(shù)電阻，其一端接地，另一端接收該第一電流信號。
10. 如權(quán)利要求9所述的保護(hù)裝置，其中該第二溫度感測元件為一負(fù)溫度系數(shù)電阻，其一端接地，另一端接收該第二電流信號。
11. 如權(quán)利要求10所述的保護(hù)裝置，其中該正溫度系數(shù)電阻為一 P+材質(zhì)的電阻。
12. 如權(quán)利要求11所述的保護(hù)裝置，其中該負(fù)溫度系數(shù)電阻為一 HR P0LY1材質(zhì)的電阻。
13. 如權(quán)利要求IO所述的保護(hù)裝置，其中當(dāng)環(huán)境溫度未達(dá)到一預(yù)定 溫度時(shí)，該負(fù)溫度系數(shù)電阻的電阻值大于該正溫度系數(shù)電阻的電阻值。
14. 一種保護(hù)裝置，適于對一電子系統(tǒng)進(jìn)行溫度保護(hù)，該保護(hù)裝置 包括一溫度感測模塊，用以輸出一第一電壓信號和一第二電壓信號，其 中該第一電壓信號與該第二電壓信號的電壓值會隨著環(huán)境溫度而變化； 以及一比較單元，比較該第一電壓信號和該第二電壓信號，并產(chǎn)生一保 護(hù)信號至該電子系統(tǒng)，以決定該電子系統(tǒng)是否正常運(yùn)行。
15. 如權(quán)利要求14所述的保護(hù)裝置，其中該第一電壓信號的電壓值 會隨著環(huán)境溫度的上升而增加，該第二電壓信號的電壓值會隨著環(huán)境溫 度的上升而下降。
16. 如權(quán)利要求14所述的保護(hù)裝置，其中該溫度感測模塊包括 一電流鏡電路，用以產(chǎn)生一第一電流信號及一第二電流信號，其中該第一電流信號實(shí)質(zhì)上相等于該第二電流信號；一正溫度系數(shù)電阻，其中一端接地，另一端接收該第一電流信號， 并產(chǎn)生該第一電壓信號；以及一負(fù)溫度系數(shù)電阻，其中一端接地，另一端接收該第二電流信號， 并產(chǎn)生該第二電壓信號。
17. 如權(quán)利要求16所述的保護(hù)裝置，其中該電流鏡電路包括 一控制單元；一第一 PM0S晶體管，其一源極端耦接一電壓源，其一柵極端耦接 該控制單元，其一漏極端耦接該正溫度系數(shù)電阻的一端，以輸出該第一電流信號#會該正溫度系電阻；以及一第二 PMOS晶體管，其一源極端耦接該電壓源，其一柵極端耦接 至該第一 PM0S晶體管的該柵極端，其一漏極端則耦接該負(fù)溫度系數(shù)電 阻的 一 端，以輸出該第二電流信號給該負(fù)溫度系數(shù)電阻。
18. 如權(quán)利要求17所述的保護(hù)裝置，其中該控制單元具有 一第三PM0S晶體管，其一源極端耦接該電壓源，其一柵極端耦接該第二 PM0S晶體管的該柵極端，其一漏極端耦接該柵極端；以及一電阻，其一端耦接該第三PM0S晶體管的該漏極端，其另一端接地。
19. 如權(quán)利要求16所述的保護(hù)裝置，其中該正溫度系數(shù)電阻為一 P+ 材質(zhì)的電阻。
20. 如權(quán)利要求16所述的保護(hù)裝置，其中該負(fù)溫度系數(shù)電阻為一 HR P0LY1材質(zhì)的電阻。
21. 如權(quán)利要求16所述的保護(hù)裝置，其中當(dāng)環(huán)境溫度未達(dá)到一預(yù)定 溫度時(shí)，該負(fù)溫度系數(shù)電阻的電阻值大于該正溫度系數(shù)電阻的電阻值。
22. 如權(quán)利要求14所述的保護(hù)裝置，其中該比較單元包括一磁滯比 較器。
23. 如權(quán)利要求22所述的保護(hù)裝置，其中當(dāng)該第一電壓信號與該第 二電壓信號之差值大于一預(yù)設(shè)電壓，該比較單元產(chǎn)生該保護(hù)信號，且該 電子系統(tǒng)依據(jù)該保護(hù)信號而中斷操作。
24. —種保護(hù)方法，適于對一電子系統(tǒng)進(jìn)行溫度保護(hù)，而該保護(hù)方 法包括下列步驟提供一第一電壓信號，而該第一電壓信號的電壓值隨環(huán)境溫度的上 升而增力口；產(chǎn)生一第二電壓信號，而該第二電壓信號的電壓值隨環(huán)境溫度的上 升而降低；比較該第一電壓信號和該第二電壓信號，而產(chǎn)生一保護(hù)信號；以及 依據(jù)該保護(hù)信號而決定是否使該電子系統(tǒng)正常運(yùn)行。
25. 如權(quán)利要求24所述的保護(hù)方法，其中產(chǎn)生該保護(hù)信號之步驟， 更包括將該第一電壓信號減去該第二電壓信號。
26. 如權(quán)利要求24項(xiàng)所述之熱斷電方法，更包括下列步驟當(dāng)該第一電壓信號和該第二電壓信號之差大于 一 預(yù)i殳電壓時(shí)'則產(chǎn)生該 <呆護(hù) 信號。
全文摘要
一種保護(hù)裝置，可以用來對一電子系統(tǒng)進(jìn)行溫度保護(hù)。本發(fā)明所提供的保護(hù)裝置包括一溫度感測模塊和一比較單元。其中，溫度感測模塊是用來輸出具有正溫度系數(shù)特性的一第一電壓信號，以及具有負(fù)溫度系數(shù)特性的一第二電壓信號。而此比較單元有較佳抗噪聲干擾的作用，其主要的功能則是比較第一電壓信號和第二電壓信號，并產(chǎn)生一比較值信號送至電子系統(tǒng)，以決定電子系統(tǒng)是否正常運(yùn)行。
文檔編號H02H5/04GK101165985SQ20061013594
公開日2008年4月23日 申請日期2006年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月17日
發(fā)明者何升峰 申請人:碩頡科技股份有限公司