專利名稱：熱縮管、熱縮板及其熱縮方法
技術領域：
本發(fā)明涉及都可被用于絕緣和/或保護纜線連接部的熱縮管和熱縮板以及分別熱縮所述板、管的方法。
通常，電纜分別具有導線和涂覆在導線上以便保護和絕緣導線的絕緣套。為了使電纜相連，必須從電纜連接部上部分地除去絕緣套以便在導線之間形成電連接。因此，導線被認為是連接部中的暴露部分。
為了保證暴露部分與外界的電絕緣，有時利用了熱縮管。熱縮管是通過包括以下幾個步驟的工藝制成的，即把一種熱塑聚合物如聚乙烯制成成管形的管件，適當?shù)厥构芗木酆衔锊牧辖宦?lián)，在一個不低于其軟化點的溫度下膨脹或拉伸管件以便形成具有膨脹形狀的脹管，保持膨脹形狀地把脹管冷卻到室溫。當如此獲得的熱縮管被再次加熱到不低于軟化點的溫度時，熱縮管試圖恢復其位膨脹前的原始形狀。換句話說，熱縮管在受熱時收縮。因此，如果熱縮管被用在電纜與目標之間的互連接頭部中，則可以形成一個牢牢套裝在接頭部外周面上的保護/絕緣層。
通過相似工藝，也生產(chǎn)出了熱縮板，并且除了熱縮管外，也使用這種熱縮板。熱縮管或熱縮板不僅被用在電纜與目標之間的互連接頭部中，而且被用于各種領域。
在為了在使用中使熱縮管或熱縮板收縮而進行加熱時，可以專門設計用于此的電熱器。有時候，可以使用普通電熱器如吹風機或燃氣噴燈。在使用燃氣噴燈的情況下，加熱的結果主要取決于操作工人的技術。如果均勻加熱不成功，則可能產(chǎn)生變形或局部“焦痕”。更糟糕的是，管子將破裂。
同時，連接延伸于多用電線桿之間的電話線的連接工作需要操作人員在高處工作。在這種情況下，除了上述熱縮操作本身的麻煩外，另一種危險與這樣的高空作業(yè)相伴而生。根據(jù)工作場地，可能很難在加熱工作中使用上述類型的加熱器。
因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種熱縮管和熱縮板，無論操作人員的技術水平高低，它們都能夠可靠有效地進行熱縮誘發(fā)工作。
本發(fā)明的另一個目的是提供一種有助于加熱操作的熱縮管和熱縮板。
本發(fā)明的又一個目的是提供一種用于上述熱縮管和熱縮板的熱縮方法。
隨著說明的繼續(xù)，本發(fā)明的其它目的將變得一清二楚。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種熱縮管，它包括一個響應于熱地收縮的并且具有圓柱形表面的管件；一個成型于至少該圓柱形表面局部上的且由具有搞磁損特性的磁損材料構成的薄膜，所述薄膜具有包含F(xiàn)e、Co、Ni中的第一種的第一相和包含除Fe、Co、Ni的至少一種元素的絕緣體的第二相。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種熱縮板，它包括一個可響應于熱地收縮的且具有一個平表面的板件和一個成型于至少該平面局部上的且由具有高磁損特性的磁損材料構成的薄膜，所述薄膜具有包含F(xiàn)e、Co和Ni中的第一種的第一相以及包含除Fe、Co和Ni外的至少一種元素的絕緣體的第二相。
根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提供了一種熱縮管的熱縮方法，它包括以下步驟將一個振蕩體防止在該薄膜的附近；使該振蕩體向該薄膜產(chǎn)生電磁輻射，從而所述薄膜產(chǎn)生所述熱。
根據(jù)本發(fā)明的又一個方面，提供了一種熱縮管的熱縮方法，它包括以下步驟將一根導線放在該薄膜附近；給該導線通入交流電以使該導線向該薄膜發(fā)射出電磁輻射，從而所述薄膜產(chǎn)生所述熱。
根據(jù)本發(fā)明的再一個方面，提供了一種熱縮板的熱縮方法，它包括以下步驟將一個振蕩體防止在該薄膜的附近；使該振蕩體向該薄膜產(chǎn)生電磁輻射，從而所述薄膜產(chǎn)生所述熱。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供了一種熱縮板的熱縮方法，它包括以下步驟將一根導線放在該薄膜的附近；給該導線通入交流電以使該導線向該薄膜發(fā)射出電磁輻射，從而所述薄膜產(chǎn)生所述熱。


圖1是使用時的本發(fā)明第一實施例的熱縮管的透視圖。
圖2是本發(fā)明第二實施例的熱縮板的平面圖。
圖3是圖2所示熱縮板的截面圖。
圖4是軋制時的圖2所示熱縮板的截面圖。
圖5是表示M-X-Y磁力成分的顆粒結構的示意圖。
圖6A是表示例子所用濺射裝置的結構的示意截面圖。
圖6B是表示例子所用蒸鍍裝置的示意截面圖。
圖7是表示例1的1號膜樣的磁導率頻率特性的曲線圖。
圖8是表示例2的2號膜樣的磁導率頻率特性的曲線圖。
圖9是表示對比例1的1號對比樣品的磁導率頻率特性的曲線圖。
圖10是檢驗磁性部件降噪效果的實驗裝置的示意透視圖。
圖11A是表示1號膜樣的傳輸特性的曲線圖。
圖11B是由復合磁板構成的對比樣品的傳輸特性的曲線圖。
圖12A是表示磁性材料為抑噪件的長度為1的分布常數(shù)電路。
圖12B是單位長度Δ1的圖12A所示分布常數(shù)電路的等效電路。
圖12C是長度為1的圖12A所示分布常數(shù)電路的等效電路。
圖13A是表示例1的1號膜樣的等效電阻R的頻率特性的曲線圖。
圖13B是表示由復合磁板構成的對比例的等效電阻R的頻率特性的曲線圖。
參見圖1來說明根據(jù)第一實施例的熱縮管。
在圖1中，由參考數(shù)字1表示的熱縮管被用于通信電纜2之間的互連接頭部上。熱縮管1是通過不久要描述的方法制成的。
首先，一個由磁損材料構成的薄膜通過利用盤形鐵標靶和片狀氧化鋁標靶的濺射技術被鍍覆了5微米厚。在這里要注意的是，磁損材料是具有高磁損特性的磁屏蔽材料。表1列出了薄膜的鍍覆條件。
表1
薄膜接受熒光X射線分析以便檢查其成分。結果，觀察到了Fe72Al11O17化合物。我們還發(fā)現(xiàn)，薄膜包含鐵的第一相和氧化鋁的第二相，第二相是連續(xù)相，而第一相分散在第二相中。測量薄膜阻抗以檢查復磁導率(μ＝μ’＋jμ”)虛部μ”的頻率相關性。結果，人們發(fā)現(xiàn)共振頻率約為700MHz。在這里，復磁導率的虛部是有助于磁損性的系數(shù)并且可以被稱為損耗項。
隨后，制備包含低密聚乙烯和過氧化二異丙苯的材料并將其制成1毫米厚且外徑為10毫米的管件。通過交聯(lián)反應和擴脹步驟，獲得了厚0.85毫米且外徑為30毫米的擴脹管件。上述薄膜被轉印貼附在管件圓柱面的外表面上，從而獲得了熱縮管1。
當頻率約為薄膜共振頻率的電磁輻射照射熱縮管1時，薄膜產(chǎn)生熱。因此，在熱縮管1被安裝到通信電纜2互連接頭部的外周面上時，可以不使用任何專用加熱器件地很容易使熱縮管1收縮。例如，一個用于產(chǎn)生電磁輻射的振蕩體(未示出)被安放在熱縮管1薄膜的附近。通過驅動振蕩體地對薄膜輻射電磁輻射，薄膜產(chǎn)生熱?；蛘?，可以利用來自設置在薄膜附近的傳輸線或與傳輸線相連的電源的電磁輻射。在任何情況下，由于可以遙控激發(fā)熱縮管1的收縮，所以可以在在多用電線桿上工作或對地下通信電纜作業(yè)時明顯提高安全性。
當薄膜產(chǎn)生熱時，熱縮管1收縮。結果，環(huán)繞通信電纜2互連接頭部地形成了一個保護/絕緣層。這一層包含磁損材料，從而顯示出高頻率噪音屏蔽功能。例如，外徑為30毫米的熱縮管可以被用于外徑約為20毫米的數(shù)據(jù)通信電纜的互連接頭部。
磁損材料薄膜可以成型于管件的整個圓柱面區(qū)域內(nèi)或者局部如按照格子形式形成所述薄膜。另外，薄膜可以只至少成型于管件圓柱面的內(nèi)和/或外面的局部上。
以下參見圖2、3來說明根據(jù)本發(fā)明第二實施例的熱縮板。
在圖2、3中用參考數(shù)字3表示的熱縮板是通過不久要說明的方法制成的。
制備含有低密聚乙烯和過氧化二異丙苯的材料并將其制成具有一對突肋4的板件。通過交聯(lián)反應和擴脹步驟，獲得了擴展板件5。在擴展板件5的其中一個平面上，作為薄膜段且成條狀地轉印上由與圖1的熱縮管生產(chǎn)所用相似的磁損材料構成的薄膜6。與圖1所示熱縮管的薄膜一樣地，薄膜6包含由鐵構成的第一相和由氧化鋁構成的第二相，第二相是連續(xù)的，而第一相分散于第二相中。例如，熱縮板3的尺寸為150mm×170mm。薄膜6被制成膜段形狀，每段膜的寬度為10毫米并且彼此間隔10毫米。
熱縮板3的突肋成型于其板的相反端部上。當采用熱縮板3時，熱縮板3如此接受軋制，即突肋相互面對。突肋4通過夾狀卡具(未畫出)被相互固定住以便將熱縮板3制成圓柱形。由于通信電纜的互連接頭部在通信電纜2已經(jīng)相互連接起來后被熱縮板3蓋住，所以熱縮板3是有利的。
在熱縮板3被軋制成圓柱形地覆蓋住通信電纜2互連接頭部以后，可以不使用任何專用加熱器地輕松收縮熱縮板3。例如，一個用于產(chǎn)生電磁輻射的振蕩器(未示出)被安放在熱縮板3的薄膜附近。通過驅動振蕩體地對薄膜輻射電磁輻射，薄膜產(chǎn)生熱。或者，可以利用來自設置在薄膜附近的傳輸線或與傳輸線相連的電源的電磁輻射。在任何情況下，由于可以遙控觸發(fā)熱縮板3的收縮，所以可以在在多用電線桿上工作或對地下通信電纜作業(yè)時明顯提高安全性。
在薄膜內(nèi)產(chǎn)生熱造成熱縮板3收縮。結果，環(huán)繞通信電纜2互連接頭部地形成一個保護/絕緣層。這一層包含有磁損材料，從而顯示出了高頻噪音屏蔽效果。
磁損材料薄膜可以成型于板件的整個平面區(qū)域內(nèi)或者在局部上如按照格子形式形成所述薄膜。另外，薄膜可以只至少成型于板件平面的正和/或反面的局部上。
在上述實施例中，薄膜通過濺射被鍍覆上。要注意的是，可以利用不同技術如氣體鍍覆、CVD、蒸鍍。在上文中，薄膜在單獨鍍覆后被轉印上去?；蛘?，薄膜可以在粉末化后被鍍覆上去。
在上文中，第一相含鐵?；蛘?，可以利用Co、Ni或從Fe、Co、Ni中選出的多個元素的混合物。第二相是含有至少一種除第一相互所含元素外的元素的絕緣體。
以下，具體描述磁損材料的各例子。
磁損材料在小于幾十MHz的頻率范圍內(nèi)顯示出傳導性。作為磁損材料地，可以利用作為成分M(M是至少Fe、Co、Ni之一)、Y(Y是至少F、N、O之一)、X(除M、Y所含元素外的至少一種元素)的混合物地具有M-X-Y化合物的窄帶磁損材料，所述磁損材料具有這樣的磁導性，即所述磁導性是作為頻率與相對比磁導率真部μ’的虛部μ”之間關系給出的，即虛部μ”的最大值μ”max。(可被稱為磁損條件)位于100MHz-10GHz之間，相對帶寬bwr不大于200％，其中相對帶寬bwr是通過在這兩個頻率之間抽出頻帶寬并在其中心頻率下使頻帶寬歸一化而得到的，即μ”的值在所述兩個頻率下等于μ”max的50％。在這里假定，窄帶磁損材料具有只含M成分的金屬磁性材料的80％-60％的飽和磁化強度，而且其ad.c.電阻為100μΩ·cm-700μΩ·cm。
作為磁損材料地可以利用作為成分M(M是至少Fe、Co、Ni之一)、Y(Y是至少F、N、O之一)、X(除M、Y所含元素外的至少一種元素)的混合物地具有M-X-Y化合物的寬帶磁損材料，所述寬帶磁損材料具有這樣的磁導性，所述磁導性是作為頻率與相對比磁導率真部μ’的虛部μ”之間關系給出的，即虛部μ”的最大值μ”max(可被稱為磁損條件)位于100MHz-10GHz之間，相對帶寬bwr不大于150％，其中相對帶寬bwr是通過在這兩個頻率之間抽出頻帶寬并在其中心頻率下使頻帶寬歸一化而得到的，即μ”的值在所述兩個頻率下等于μ”max的50％。在這里假定，寬帶磁損材料具有只含M成分的金屬磁性材料的60％-35％的飽和磁化強度，而且其ad.c.電阻大于500μΩ·cm。
在窄帶磁損材料與寬帶磁損材料中，成分X是C、B、Si、Al、Mg、Ti、Zn、Hf、Sr、Nb、Ta、稀土元素中的至少一種。成分M以粒狀結構存在，其中成分M的顆?；蚓Я７稚⒃诔煞諼、Y化合物的基體中。顆粒的平均粒徑為1nm-40nm。窄帶或寬帶磁損材料具有不超過47400A/m的各向異性磁場。窄帶或寬帶磁損材料的M-X-Y成分最好是Fe-Al-O或Fe-Si-O成分。
在上文中描述了其中半導體集成電路器件被用作電子元件的情況。但是，如果電子元件是包括半導體大型集成電路器件、邏輯電路器件如微處理器、中心處理器、圖象處理器、算術邏輯器等的不同半導體激活器件，則也可以采用本發(fā)明。
輻射器件可以被固定在電路板上或安裝電子元件的外殼上。
在任何情況下，可以作為高頻電流鎮(zhèn)流器2、3地采用體積小的薄膜磁性物質，它是具有大的磁導率虛部μ”(即磁損條件)的磁損材料。作為可以在磁損項中增大的磁性物質，知道了一種粒狀磁性材料。確切地說，當在粒狀磁性材料中的磁性金屬顆粒濃度在特定范圍內(nèi)時，可以在高頻區(qū)獲得出色的磁損特性。
接著，描述M-X-Y磁性成分的粒狀結構及M-X-Y磁性成分的生產(chǎn)。
參見圖5，其中示意地畫出了M-X-Y磁性成分粒狀結構，金屬磁性材料M的顆粒11被均勻或平均地分散在由X、Y構成的基體12中。
參見圖6A，所示濺射裝置被用于制造在后述例子和對比例中的樣品。濺射裝置具有傳統(tǒng)結構并包括一個真空容器20、一個活門21、一個氣體供應源22、一個基板或玻璃板23、芯片24(X或X-Y)、標靶25(M)、一個RF電源26、一個真空泵27。氣體供應源22和真空泵27與真空容器20相連?；?3面對其上擱置芯片24的標靶。活門21設置在基板21的前面。RF電源26與標靶25相連。
參見圖6B，所示蒸鍍裝置也被用作制造后述例子和對比例的樣品。蒸鍍裝置具有傳統(tǒng)結構并且與濺射裝置相似地具有真空容器20、氣體供應源22、真空泵27，但是它代替芯片25、標靶25、RF電源26地具有一個包含材料(X-Y)的坩堝28。
例1在玻璃板上，利用圖6A所示的濺射裝置并在表2所列的濺射條件下制造出由M-X-Y磁性成分構成的薄膜。
表2
所形成的1號膜樣通過熒光X射線光譜學進行分析并確認存在Fe72Al11O17化合物膜。1號膜樣的厚度為2.0微米并且DC電阻率為530μΩ·cm，在各向異性磁場(Hk)內(nèi)的18奧斯特以及飽和磁化強度(Ms)為16800高斯。
1號膜樣的飽和磁化強度與磁性材料M本身的飽和磁化強度的百分比{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100為72.2％。
為了測量磁導率頻率響應特性，1號膜樣被制成帶狀并插入一個線圈中。在施加偏磁場的情況下，響應于線圈所受交流電頻率變化地測量線圈阻抗波動。對于偏磁場的不同值，進行幾次測量，根據(jù)響應于頻率變化地測量的阻抗波動算出磁導率頻率響應特性(μ”-f頻率特性)并且在圖7中畫了出來。要從圖7中注意看比磁導率虛部具有峰值或最大值(μ”max)并且在峰值兩側陡降。表示最大值(μ”max)的自然共振頻率(f(μ”max))約為700MHz。根據(jù)μ”-f頻率特性，作為這兩個頻率點之間的帶寬占該帶寬中心頻率的百分比地確定相對帶寬bwr，即這兩個頻率點顯示出了約等于最大值μ”max的一半μ”50的比磁導率虛部。相對帶寬bwr為148％。
例2在與例1相似的條件下，但采用了150氧化鋁芯片地在玻璃板上形成了2號膜樣。
通過熒光X射線光譜技術分析所產(chǎn)生的2號膜樣并確認存在Fe44Al22O34化合物膜。2號膜樣的厚度為1.2微米并且DC電阻率為2400μΩ·cm，在各向異性磁場(Hk)內(nèi)的120奧斯特以及飽和磁化強度(Ms)為9600高斯。要注意的是，2號膜樣在電阻率方面要高于1號膜樣。
2號膜樣的飽和磁化強度與磁性材料M本身的飽和磁化強度的百分比{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100為44.5％。
與例1中相似地獲得了μ”-f頻率特性并且在圖8中示出了。要注意的是，峰值也具有與1號膜樣相似的最大值。但是，峰值的頻率點或者自然共振頻率約為1GHz，在峰值的任何一側上，比磁導率虛部逐漸降低，從而μ”-f頻率特性具有寬帶特性。
2號膜樣的相對帶寬也通過與例1相似的方式被確認為181％。
對比例1在與例1相似的條件下但采用了90氧化鋁芯片地在玻璃板上形成了1號對比樣品。
通過熒光X射線光譜技術分析所產(chǎn)生的1號對比樣品并且確認存在Fe88Al6O8化合物膜。1號對比樣品的厚度為1.2微米并且DC電阻率為7400μΩ·cm，在各向異性磁場(Hk)內(nèi)的22奧斯特以及飽和磁化強度(Ms)為18800高斯，1號對比樣品的飽和磁化強度85.7％與磁性材料M本身的飽和磁化強度的百分比{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100為44.5％。
按照與例1相似的方式獲得了1號對比樣品的μ”-f頻率特性并且在圖9中示出了。要從圖9中注意的是，1號對比樣品的比磁導率虛部μ”在10MHz左右具有最大值，但是在超過10MHz的頻率范圍內(nèi)急劇降低。可以假設，這種降低是由于因電阻率較低而產(chǎn)生渦旋電流而引起的。
對比例2按照與例1相似的條件但采用了200氧化鋁芯片地在玻璃板上形成了2號對比樣品。
通過熒光X射線光譜技術分析所產(chǎn)生的2號對比樣品并且確認存在Fe19Al34O47化合物膜。2號對比樣品的厚度為1.3微米并且DC電阻率為10500μΩ·cm。
2號對比樣品的磁性能顯示出超順磁性。
例4通過反應濺射方法并利用圖6A所示的濺射裝置，在表3所列的濺射條件下在玻璃板上形成了由M-X-Y磁性成分構成的薄膜。氮氣的分壓比為20％。薄膜在300℃并在磁場中被真空熱處理兩個小時并由此獲得了4號膜樣。
表3
表4列出了4號膜樣的性能。
表4
例5
通過反應濺射方法并利用圖6A所示的濺射裝置，在表5所列的濺射條件下在玻璃板上形成了由M-X-Y磁性成分構成的薄膜。薄膜在300℃并在磁場中被真空熱處理兩個小時并由此獲得了5號膜樣。
表5
表6列出了5號膜樣的性能。
表6
例6通過反應濺射方法并利用圖6A所示的濺射裝置，在表7所列的濺射條件下在玻璃板上形成了由M-X-Y磁性成分構成的薄膜。氮氣的分壓比為10％。薄膜在300℃并在磁場中被真空熱處理兩個小時并由此獲得了6號膜樣。
表7
表8列出了6號膜樣的性能。
表8
例7通過反應濺射方法并利用圖6A所示的濺射裝置，在表9所列的濺射條件下在玻璃板上形成了由M-X-Y磁性成分構成的薄膜。薄膜在300℃并在磁場中被真空熱處理兩個小時并由此獲得了7號膜樣。
表9
表10列出了7號膜樣的性能。
表10
例8通過反應濺射方法并利用圖6A所示的濺射裝置，在表11所列的濺射條件下在玻璃板上形成了由M-X-Y磁性成分構成的薄膜。氮氣的分壓比為10％。薄膜在300℃并在磁場中被真空熱處理兩個小時并由此獲得了8號膜樣。
表11
表12列出了8號膜樣的性能。
表12
例9通過反應濺射方法并利用圖6A所示的濺射裝置，在表13所列的濺射條件下在玻璃板上形成了由M-X-Y磁性成分構成的薄膜。薄膜在300℃并在磁場中被真空熱處理兩個小時并由此獲得了9號膜樣。
表13
表14列出了9號膜樣的性能。
表14
例10通過反應濺射方法并利用圖6A所示的濺射裝置，在表15所列的濺射條件下在玻璃板上形成了由M-X-Y磁性成分構成的薄膜。氧氣的分壓比為15％。薄膜在300℃并在磁場中被真空熱處理兩個小時并由此獲得了10號膜樣。
表15
表16列出了10號膜樣的性能。
表16
例11通過反應濺射方法并利用圖6A所示的濺射裝置，在表17所列的濺射條件下在玻璃板上形成了由M-X-Y磁性成分構成的薄膜。薄膜在300℃并在磁場中被真空熱處理兩個小時并由此獲得了11號膜樣。
表17
表18列出了11號膜樣的性能。
表18
例12通過反應濺射方法并利用圖6A所示的濺射裝置，在表19所列的濺射條件下在玻璃板上形成了由M-X-Y磁性成分構成的薄膜。薄膜在300℃并在磁場中被真空熱處理兩個小時并由此獲得了12號膜樣。
表19
表20列出了12號膜樣的性能。
表20
例13通過反應濺射方法并利用圖6A所示的濺射裝置，在表21所列的濺射條件下在玻璃板上形成了由M-X-Y磁性成分構成的薄膜。薄膜在300℃并在磁場中被真空熱處理兩個小時并由此獲得了13號膜樣。
表21
表22列出了13號膜樣的性能。
表22
例14通過反應濺射方法并利用圖6B所示的蒸鍍裝置，在表23所列的濺射條件下在玻璃板上形成了由M-X-Y磁性成分構成的薄膜。薄膜在300℃并在磁場中被真空熱處理兩個小時并由此獲得了14號膜樣。
表23
表24列出了14號膜樣的性能。
表24
現(xiàn)在，說明與膜樣和對比例的降噪效果有關的實驗，其中利用了圖10所示的實驗裝置。
實驗樣品是尺寸為20mm×20mm×2.0μm的1號膜樣，為了對比，制成了一由已知復合磁性材料構成的且尺寸為20mm×20mm×1.0mm的片材。復合磁性材料含聚合物以及分散于聚合物中的扁平金屬磁粉。金屬磁粉含鐵、鋁、硅。復合磁性材料在準微波范圍內(nèi)具有磁導率分散特性并且在約700MHz頻率下具有比磁導率虛部的最大值。表25列出了實驗樣品與對比實驗樣品的磁性。
表25
如表25所示，在比磁導率虛部最大值方面，1號膜樣約是對比例實驗樣品的600倍。由于降噪效果通常是根據(jù)比磁導率虛部最大值μ”max與樣品厚度δ的乘積(δ×μ”max)算出的，所以復合磁性片材的對比實驗樣品的厚度選為1毫米，從而這兩種實驗樣品具有相似的δ×μ”max值。
參見圖10，實驗裝置包括一個具有兩個出口的微波帶狀線路61、與兩個出口相連的同軸電纜62和連接兩個出口的網(wǎng)絡分析裝置(未畫出)。微波帶狀線路61的線路長度為75毫米并且具有50歐姆的特性阻抗。實驗樣品63設置在微波帶狀線路61的區(qū)域64內(nèi)并且測量出傳輸特性曲線S21。在圖11A、11B中，分別針對1號膜樣核對比例地畫出了S21的頻率響應。
至于使用1號膜樣1，從圖11A中看到，S21降低到100MHz上并在2GHz頻率下變?yōu)?10dB最小值，隨后增大到2GHz頻率以上。另一方面，至于采用對比樣品，從圖11B中看到，S21逐漸降低并在3GHz頻率下變?yōu)?10dB最小值。
結果顯示，S21依賴于磁導率頻率分布，降噪效果依賴于δ×μ”max乘積。
現(xiàn)在，假定磁性樣品形成了如圖12A所示的長1的分布常數(shù)電路，根據(jù)傳輸特性曲線S11、S21為單位長度Δ1算出等效電路，如圖12B所示。因此，如圖12C所示地，長1的等效電路是從根據(jù)用于單位長度Δ1的等效電路獲得的。磁性樣品的等效電路如圖12C所示地包括串聯(lián)電感L和電阻R以及并聯(lián)電容C和電導G，從中可以了解到，有磁性物質被鍍覆在微波帶狀線路上引起的微波帶狀線路傳輸特性曲線的變化主要是通過串聯(lián)加入的等效電阻R決定的。
綜上所述，測量等效電阻R的頻率響應特性。在圖13A、13B中，分別針對1號膜樣和對比樣品地示出了測量數(shù)據(jù)。要從這些圖中注意的是，等效電阻R在準微波范圍內(nèi)逐漸降低并且在約3GHz時約為60歐姆。可以看到，等效電阻R的頻率相關性不同于具有在約1GHz有最大值的比磁導率虛部的頻率相關性。我們可以假設，這種差別建立于產(chǎn)品樣品長度與波長比的遞增情況。
權利要求
1.一種熱縮管，它包括一個響應于熱地收縮的并且具有圓柱形表面的管件；和一個成型于至少該圓柱形表面局部上的且由具有高磁損特性的磁損材料構成的薄膜，所述薄膜具有包含F(xiàn)e、Co、Ni中的第一種的第一相和含有除Fe、Co、Ni外的至少一種元素的絕緣體的第二相。
2.如權利要求1所述的熱縮管，其特征在于，第一相還包括Fe、Co、Ni中的第二種，這第二種與第一種混合。
3.如權利要求2所述的熱縮管，其特征在于，第一相還包括Fe、Co、Ni中的第三種，這第三種與第一種和第二種混合。
4.如權利要求1所述的熱縮管，其特征在于，第二相是連續(xù)的，第一相分散在第二相中。
5.如權利要求1所述的熱縮管，其特征在于，所述薄膜由包括M、X、Y磁性成分的磁性物質構成，其中M是由Fe、Co和/或Ni構成的金屬磁性材料，X是除去M和Y外的元素，Y是F、N和/或O，M-X-Y磁性成分在化合物中具有這樣的M的百分比，即M-X-Y磁性成分具有只含M的磁性材料金屬體積的飽和磁化強度的35％-80％的飽和磁化強度，該磁性成分在0.1GHz-10GHz的頻率范圍內(nèi)具有相對磁導率虛部μ”的最大值μ”max。
6.一種熱縮板，它包括一個可響應于熱地收縮的且具有一個平表面的板件；和一個成型于至少該平面局部上的且由具有高磁損特性的磁損材料構成的薄膜，所述薄膜具有包含F(xiàn)e、Co和Ni中的第一種的第一相以及含有除Fe、Co和Ni外的至少一種元素的絕緣體的第二相。
7.如權利要求6所述的熱縮板，其特征在于，第一相還包括Fe、Co、Ni中的第二種，這第二種與第一種混合。
8.如權利要求7所述的熱縮板，其特征在于，第一相還包括Fe、Co、Ni中的第三種，這第三種與第一種和第二種混合。
9.如權利要求6所述的熱縮板，其特征在于，第二相是連續(xù)的，第一相分散在第二相中。
10.如權利要求6所述的熱縮板，其特征在于，所述薄膜由包括M、X、Y磁性成分的磁性物質構成，其中M是由Fe、Co和/或Ni構成的金屬磁性材料，X是除去M和Y外的元素，Y是F、N和/或O，M-X-Y磁性成分在化合物中具有這樣的M的百分比，即M-X-Y磁性成分具有只含M的磁性材料金屬體積的飽和磁化強度的35％-80％的飽和磁化強度，該磁性成分在0.1GHz-10GHz的頻率范圍內(nèi)具有相對磁導率虛部μ”的最大值μ”max。
11.一種熱縮權利要求1所述熱縮管的方法，它包括以下步驟將一個振蕩器防止在該薄膜的附近；使該振蕩體向該薄膜產(chǎn)生電磁輻射，從而所述薄膜產(chǎn)生所述熱。
12.一種熱縮如權利要求1所述熱縮管的方法，它包括以下步驟將一根導線放在該薄膜附近；給該導線通入交流電以使該導線向該薄膜發(fā)射出電磁輻射，從而所述薄膜產(chǎn)生所述熱。
13.一種熱縮如權利要求6所述熱縮板的方法，它包括以下步驟將一個振蕩體防止在該薄膜的附近；使該振蕩體向該薄膜產(chǎn)生電磁輻射，從而所述薄膜產(chǎn)生所述熱。
14.一種熱縮權利要求6所述熱縮板的方法，它包括以下步驟將一根導線放在該薄膜的附近；給該導線通入交流電以使該導線向該薄膜發(fā)射出電磁輻射，從而所述薄膜產(chǎn)生所述熱。
全文摘要
在這樣一種熱縮管中,即它包括一個響應于熱地收縮的并且具有圓柱形表面的管件和一個成型于至少該圓柱形表面局部上的且由具有搞磁損特性的磁損材料構成的薄膜,所述薄膜具有包含F(xiàn)e、Co、Ni中的第一種的第一相和除Fe、Co、Ni外地含有至少一種元素的絕緣體的第二相。
文檔編號H02G1/14GK1328371SQ0112088
公開日2001年12月26日 申請日期2001年6月6日 優(yōu)先權日2000年6月6日
發(fā)明者龜井浩二, 小野典彥 申請人:株式會社東金