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一種石墨烯導(dǎo)電薄膜的制作方法

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一種石墨烯導(dǎo)電薄膜的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于導(dǎo)電薄膜材料領(lǐng)域,特別涉及一種石墨烯導(dǎo)電薄膜。
【背景技術(shù)】
[0002]太陽(yáng)能電池的透明電極,要求具有較高的光透射率和良好的傳導(dǎo)電流的功能,傳統(tǒng)的透明電極為氧化銦錫(ΙΤ0),和其他材料相比,ΙΤ0具有較高的光透射率,低方塊電阻,符合了電極對(duì)高效傳輸光能和傳導(dǎo)電流的要求。然而,傳統(tǒng)的透明電極,為了減小方塊電阻而提高薄膜厚度時(shí),其光傳輸率會(huì)隨著厚度的增加而降低。另外,傳統(tǒng)的透明電極脆性易碎,利用其制造的光電器件易損壞。
[0003]石墨烯是一種二維結(jié)構(gòu)的碳材料,具有突出的導(dǎo)熱率:5000Wm-lK-l,高的電子迀移率:10000 cm2V-ls-l,柔韌易彎曲等優(yōu)良性質(zhì),因此,石墨烯薄膜可作為最有潛力的替代傳統(tǒng)透明電極的材料,可降低太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)成本,也可提高電池的柔韌性。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的是提供一種高穿透性、高導(dǎo)電率的石墨烯導(dǎo)電薄膜,本石墨烯導(dǎo)電薄膜利用氧化鈮層的高折射率,提高照射光線的穿透率,同時(shí)利用錫納米線層和石墨烯薄膜層的協(xié)同作用,大大增強(qiáng)石墨烯導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電率。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)方案,本實(shí)用新型提供了一種石墨烯導(dǎo)電薄膜,主要包括有:基材層、粘附層、氧化鈮層、錫納米線層、石墨烯薄膜層和硬化層,所述粘附層位于基材層的上表面,所述氧化鈮層位于粘附層上表面,所述錫納米線層位于氧化鈮層上表面,所述石墨烯薄膜層位于錫納米線層上表面,所述硬化層位于基材層的下表面。
[0006]優(yōu)選的,所述石墨稀薄膜層的厚度為5~10nm。
[0007]優(yōu)選的,所述錫納米線層的厚度為10~20nm。
[0008]優(yōu)選的,所述氧化鈮層的厚度為21~23nm,折射率為2.0-2.5。
[0009]優(yōu)選的,所述基材層為可彈性彎折的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)層。
[0010]優(yōu)選的,所述基材層的厚度為55 μm~125 μπι。
[0011]本實(shí)用新型相較于現(xiàn)有技術(shù)的有益效果在于:本石墨烯導(dǎo)電薄膜利用氧化鈮層的高折射率,提高照射光線的穿透率,同時(shí)利用錫納米線層和石墨烯薄膜層的協(xié)同作用,大大增強(qiáng)石墨烯導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電率。
【附圖說(shuō)明】
[0012]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖中:10-基材層,20-粘附層,30-氧化鈮層,40-錫納米線層,50-石墨烯薄膜層,60-硬化層。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。本領(lǐng)域普通人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
[0015]實(shí)施例:一種石墨烯導(dǎo)電薄膜。
[0016]參照?qǐng)D1所示,一種石墨烯導(dǎo)電薄膜,主要包括有:基材層10、粘附層20、氧化鈮層30、錫納米線層40、石墨烯薄膜層50和硬化層60,所述粘附層20位于基材層10的上表面,所述氧化鈮層30位于粘附層20上表面,所述錫納米線層40位于氧化鈮層30上表面,所述石墨烯薄膜層50位于錫納米線層40上表面,所述硬化層60位于基材層10的下表面。
[0017]本實(shí)施例中,所述石墨稀薄膜層50的厚度為6nm。
[0018]本實(shí)施例中,所述錫納米線層40的厚度為15nm。
[0019]本實(shí)施例中,所述氧化鈮層30的厚度為22nm,折射率為2.2。
[0020]本實(shí)施例中,所述基材層10為可彈性彎折的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)層。[0021 ] 本實(shí)施例中,所述基材層10的厚度為60 μ m0
[0022]為了進(jìn)一步解釋本實(shí)用新型的構(gòu)造特征、運(yùn)用技術(shù)手段及所預(yù)期達(dá)成的功效,特將本實(shí)用新型的使用方式描述如下:
[0023]參照?qǐng)D1所示,生產(chǎn)制造本實(shí)施例中的石墨烯導(dǎo)電薄膜時(shí),先在基材層10上沉積形成粘附層20,再于該粘附層20上沉積形成氧化鈮層30,然后在氧化鈮層30的上表面沉積形成錫納米線層40,然后在錫納米線層40上表面附上石墨烯薄膜層50,另外在基材10的下表面吸附形成一層硬化層60。氧化鈮層30的折射率為2.3,通過(guò)氧化鈮層30對(duì)照射光折射率的干涉,能夠減少照射光的反射,增強(qiáng)照射光的穿透率;錫納米線層40的光傳輸率大于95%,薄層電阻〈3 Ω /sq,通過(guò)石墨稀薄膜層50和錫納米線層40的協(xié)同作用,可以較大幅度的提高太陽(yáng)電池的外量子效應(yīng)和光電轉(zhuǎn)化能力,同時(shí)提高本石墨烯導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電效率;通過(guò)硬化層60能夠增強(qiáng)本導(dǎo)電薄膜的耐磨度;粘附層20使得氧化鈮層30和基材層10粘連的更加穩(wěn)定。
[0024]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi),所作出的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種石墨烯導(dǎo)電薄膜,其特征在于主要包括有:基材層、粘附層、氧化鈮層、錫納米線層、石墨烯薄膜層和硬化層,所述粘附層位于基材層的上表面,所述氧化鈮層位于粘附層上表面,所述錫納米線層位于氧化鈮層上表面,所述石墨烯薄膜層位于錫納米線層上表面,所述硬化層位于基材層的下表面。2.如權(quán)利要求1所述的石墨烯導(dǎo)電薄膜,其特征在于:所述石墨烯薄膜層的厚度為5?10nmo3.如權(quán)利要求1所述的石墨烯導(dǎo)電薄膜,其特征在于:所述錫納米線層的厚度為10?20nm。4.如權(quán)利要求1所述的石墨烯導(dǎo)電薄膜,其特征在于:所述氧化鈮層的厚度為.21~23nm,折射率為 2.0-2.5。5.如權(quán)利要求1所述的石墨烯導(dǎo)電薄膜,其特征在于:所述基材層為可彈性彎折的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯層。6.如權(quán)利要求1所述的石墨烯導(dǎo)電薄膜,其特征在于:所述基材層的厚度為.55 μ m?125 μ mD
【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種石墨烯導(dǎo)電薄膜,主要包括有:基材層、粘附層、氧化鈮層、錫納米線層、石墨烯薄膜層和硬化層,所述粘附層位于基材層的上表面,所述氧化鈮層位于粘附層上表面,所述錫納米線層位于氧化鈮層上表面,所述石墨烯薄膜層位于錫納米線層上表面,所述硬化層位于基材層的下表面。本石墨烯導(dǎo)電薄膜利用氧化鈮層的高折射率,提高照射光線的穿透率,同時(shí)利用錫納米線層和石墨烯薄膜層的協(xié)同作用,大大增強(qiáng)石墨烯導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電率。
【IPC分類】H01L31/0224, H01B1/04
【公開(kāi)號(hào)】CN205050844
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520841774
【發(fā)明人】李偉明, 藍(lán)銀鋒
【申請(qǐng)人】汕頭市東通光電材料有限公司
【公開(kāi)日】2016年2月24日
【申請(qǐng)日】2015年10月28日
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