半導(dǎo)體真空制程設(shè)備的進(jìn)出料結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型為一種進(jìn)出料結(jié)構(gòu)，特別為一種具有傳送模塊及機(jī)械臂的半導(dǎo)體真空制程設(shè)備的進(jìn)出料結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]晶圓托盤在半導(dǎo)體制程的應(yīng)用上，是必須的裝置，而且使用量非常的大，不管晶圓大小或其應(yīng)用范疇，所有的半導(dǎo)體晶圓制作時(shí)，都要用到晶圓托盤以固定及容置晶圓，進(jìn)行多樣的半導(dǎo)體制程。
[0003]然而，在晶圓托盤進(jìn)出半導(dǎo)體真空制程設(shè)備之時(shí)，卻必須解除半導(dǎo)體真空制程設(shè)備的真空狀態(tài)(一般稱為破真空)，而在晶圓托盤進(jìn)出半導(dǎo)體真空制程設(shè)備之后，再重新使半導(dǎo)體真空制程設(shè)備進(jìn)入真空狀態(tài)。因此，進(jìn)出料結(jié)構(gòu)對(duì)半導(dǎo)體真空制程設(shè)備破真空的時(shí)間的長(zhǎng)短，便大大的影響著整體晶圓制程的效率。
[0004]現(xiàn)今使用的進(jìn)出料結(jié)構(gòu)，大多為單一晶圓托盤架構(gòu)的進(jìn)出料結(jié)構(gòu)。其在應(yīng)用于半導(dǎo)體制程時(shí)，因?yàn)橹脫Q晶圓托盤及使晶圓托盤進(jìn)出半導(dǎo)體真空制程設(shè)備皆必須依序進(jìn)行，使得半導(dǎo)體真空制程設(shè)備破真空的時(shí)間過長(zhǎng)，使得半導(dǎo)體制程的效率無法提升。
[0005]有鑒于此，發(fā)展及創(chuàng)造出一種制造簡(jiǎn)單、成本便宜、破真空時(shí)間短，又可以直接與現(xiàn)有的半導(dǎo)體真空制程設(shè)備直接兼容使用的半導(dǎo)體真空制程設(shè)備的進(jìn)出料結(jié)構(gòu)，便成現(xiàn)今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與電子應(yīng)用產(chǎn)品設(shè)計(jì)上一個(gè)眾所期盼的重要課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本實(shí)用新型為一種半導(dǎo)體真空制程設(shè)備的進(jìn)出料結(jié)構(gòu)，其是與半導(dǎo)體真空制程設(shè)備氣密相連通，提供自半導(dǎo)體真空制程設(shè)備快速進(jìn)出晶圓托盤。進(jìn)出料結(jié)構(gòu)包括:托盤匣；以及包括機(jī)械臂的傳送模塊。借由本實(shí)用新型進(jìn)出料結(jié)構(gòu)的實(shí)施，可以使半導(dǎo)體真空制程設(shè)備破真空的時(shí)間縮短，提升半導(dǎo)體真空制程設(shè)備的制程利用率，而且進(jìn)出料結(jié)構(gòu)與現(xiàn)有半導(dǎo)體真空制程設(shè)備完全兼容，可大幅節(jié)省建置成本，提升產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。
[0007]本實(shí)用新型的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。本實(shí)用新型是提供一種半導(dǎo)體真空制程設(shè)備的進(jìn)出料結(jié)構(gòu)，其與半導(dǎo)體真空制程設(shè)備氣密相連通，進(jìn)出料結(jié)構(gòu)包括:托盤匣，其具有能閉合或開啟的進(jìn)出料門、與進(jìn)出料門相對(duì)設(shè)置的第一閥門、及托盤架，托盤架并設(shè)置有第一晶圓托盤及第二晶圓托盤，其中第二晶圓托盤設(shè)置于第一晶圓托盤的下方；以及傳送模塊，氣密設(shè)置于托盤匣與半導(dǎo)體真空制程設(shè)備間，其具有夾取或置放該第一晶圓托盤或該第二晶圓托盤的機(jī)械臂，即機(jī)械臂能控制地自托盤架夾取第一晶圓托盤或第二晶圓托盤，并由第二閥門送入半導(dǎo)體真空制程設(shè)備，或由第二閥門自半導(dǎo)體真空制程設(shè)備夾取第一晶圓托盤或第二晶圓托盤置放于托盤架上。
[0008]本實(shí)用新型的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
[0009]前述的進(jìn)出料結(jié)構(gòu)，其中該進(jìn)出料結(jié)構(gòu)進(jìn)一步具有控制該機(jī)械臂進(jìn)行移動(dòng)、轉(zhuǎn)動(dòng)、夾取或置放的控制模塊。
[0010]前述的進(jìn)出料結(jié)構(gòu)，其中該第一晶圓托盤或該第二晶圓托盤是承載待處理晶圓。
[0011]前述的進(jìn)出料結(jié)構(gòu)，其中該第一晶圓托盤或該第二晶圓托盤是承載制成品晶圓。
[0012]前述的進(jìn)出料結(jié)構(gòu)，其中該第一晶圓托盤或該第二晶圓托盤是分別為金屬材質(zhì)、合金材質(zhì)或金屬化合物材質(zhì)所制成。
[0013]前述的進(jìn)出料結(jié)構(gòu)，其中該傳送模塊進(jìn)一步連接抽真空裝置。
[0014]前述的進(jìn)出料結(jié)構(gòu)，其中該托盤匣進(jìn)一步連接抽真空裝置。
[0015]借由本實(shí)用新型的實(shí)施，可達(dá)到下列進(jìn)步功效:
[0016]1、半導(dǎo)體真空制程設(shè)備破真空的時(shí)間縮短，提升半導(dǎo)體真空制程設(shè)備的制程利用率。
[0017]2、與現(xiàn)有半導(dǎo)體真空制程設(shè)備完全兼容，節(jié)省建置成本，提升產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力。
[0018]為了使任何熟習(xí)相關(guān)技藝者了解本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，且根據(jù)本說明書所揭露的內(nèi)容、專利所要求的保護(hù)范圍及圖式，任何熟習(xí)相關(guān)技藝者可輕易地理解本實(shí)用新型相關(guān)的目的及優(yōu)點(diǎn)，因此將在實(shí)施方式中詳細(xì)敘述本實(shí)用新型的詳細(xì)特征以及優(yōu)點(diǎn)。
【附圖說明】
[0019]圖1A為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種半導(dǎo)體真空制程設(shè)備的進(jìn)出料結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視示意圖。
[0020]圖1B為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種半導(dǎo)體真空制程設(shè)備的進(jìn)出料結(jié)構(gòu)的俯視示意圖。
[0021]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種具有控制模塊的進(jìn)出料結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視示意圖。
[0022]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種機(jī)械臂夾取第一晶圓托盤至半導(dǎo)體真空制程設(shè)備的不意圖。
[0023]圖4A為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種半導(dǎo)體真空制程設(shè)備將第一晶圓托盤的待處理晶圓制作為制成品晶圓的不意圖。
[0024]圖4B為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種機(jī)械臂夾取置放制成品晶圓的第一晶圓托盤至托盤架并夾取第二晶圓托盤至半導(dǎo)體真空制程設(shè)備的示意圖。
[0025]圖5A為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種完成第二晶圓托盤的制成品晶圓的同時(shí)，換置第一晶圓托盤的不意圖。
[0026]圖5B為圖5A實(shí)施例中，以機(jī)械臂將置放待處理晶圓的第一晶圓托盤更換位置的示意圖。
[0027]圖5C為圖5B實(shí)施例中，以機(jī)械臂將置放制成品晶圓的第二晶圓托盤夾取置放至托盤架的示意圖。
[0028]圖為圖5C實(shí)施例中，以機(jī)械臂將置放待處理晶圓的第一晶圓托盤夾取置放至半導(dǎo)體真空制程設(shè)備，并同時(shí)換置第一晶圓托盤的示意圖。
[0029]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種傳送模塊連接抽真空裝置的進(jìn)出料結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視示意圖。
[0030]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例的一種托盤匣連接抽真空裝置的進(jìn)出料結(jié)構(gòu)的側(cè)剖視示意圖。
[0031]【主要元件符號(hào)說明】
[0032]100:進(jìn)出料結(jié)構(gòu)10:托盤匣
[0033]11:進(jìn)出料門12:第一閥門
[0034]13:托盤架14:第一晶圓托盤
[0035]15:第二晶圓托盤20:傳送模塊
[0036]21:機(jī)械臂22:第二閥門
[0037]30:控制模塊50:抽真空裝置
[0038]80:待處理晶圓90:制成品晶圓
[0039]200:半導(dǎo)體真空制程設(shè)備
【具體實(shí)施方式】
[0040]如圖1A及圖1B所示，為實(shí)施例的一種半導(dǎo)體真空制程設(shè)備的進(jìn)出料結(jié)構(gòu)100，其與半導(dǎo)體真空制程設(shè)備200氣密相連通，進(jìn)出料結(jié)構(gòu)100包括:托盤匣10 ;以及傳送模塊20，氣密設(shè)置于托盤匣10與半導(dǎo)體真空制程設(shè)備200的間。
[0041]如圖1A、圖1B及圖2所示，托盤匣10，其具有可閉合或開啟的進(jìn)出料門11、與進(jìn)出料門11相對(duì)設(shè)置的第一閥門12、及托盤架13，托盤架13并設(shè)置有第一晶圓托盤14及第二晶圓托盤15，其中第二晶圓托盤15設(shè)置于第一晶圓托盤14的下方。
[0042]第一晶圓托盤14及第二晶圓托盤15是用以承載一個(gè)待處理晶圓80或一個(gè)制成品晶圓90。而第一晶圓托盤14可以為金屬材質(zhì)、合金材質(zhì)或金屬化合物材質(zhì)所制成，第二晶圓托盤15也可以為金屬材質(zhì)、合金材質(zhì)或金屬化合物材質(zhì)所制成。
[0043]同樣如圖1A