專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)及半導(dǎo)體被處理基板的真空處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體處理裝置的真空處理室和真空輸送室等之間，具備半導(dǎo)體被 處理基板(以下，包括半導(dǎo)體晶片及基板狀的試料等，簡(jiǎn)單稱(chēng)為“晶片”)的輸送機(jī)構(gòu)的真空 處理系統(tǒng)的構(gòu)成，及應(yīng)用該系統(tǒng)的真空處理方法。尤其是涉及經(jīng)由多個(gè)真空輸送室內(nèi)的輸 送機(jī)構(gòu)串聯(lián)配置多個(gè)真空處理室的真空處理系統(tǒng)的構(gòu)成及真空處理方法。
背景技術(shù)：
在如上所述的裝置尤其是在減壓的裝置內(nèi)，對(duì)處理對(duì)象進(jìn)行處理的裝置中，尋求 處理的微細(xì)化、高精度化，并且，尋求處理對(duì)象即被處理基板的處理效率的提高。為此，近年 來(lái)，正在進(jìn)行開(kāi)發(fā)在一個(gè)裝置中具備多個(gè)真空處理室的多腔裝置，提高清潔室的單位設(shè)置 面積的生產(chǎn)性效率。在具備這種多個(gè)真空處理室或腔來(lái)進(jìn)行處理的裝置中，各個(gè)真空處理室或腔，與 可減壓地調(diào)節(jié)內(nèi)部的氣體或其壓力，且具備用于輸送基板的機(jī)器人臂等的真空輸送室(輸 送腔)連接。這樣構(gòu)成時(shí)，真空處理裝置整體的大小由真空輸送室及真空處理室的大小、數(shù)量 及配置決定。真空輸送室的構(gòu)成由相鄰的真空輸送室或真空處理室的連接數(shù)量、內(nèi)部的輸 送機(jī)器人的回轉(zhuǎn)半徑，晶片尺寸等決定。另外，真空處理室由晶片尺寸、排氣效率、用于晶片 處理的必要的設(shè)備的配置決定。另外，真空輸送室及真空處理室的配置也根據(jù)生產(chǎn)需要的 處理室的數(shù)量及維護(hù)性來(lái)決定。基于上述，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載了在真空下的半導(dǎo)體處理系統(tǒng)中，與處理加工中 的制品的方法及系統(tǒng)相關(guān)，為了橫斷線(xiàn)形處理系統(tǒng)，從臂向臂處理材料的方法及系統(tǒng)。在該 專(zhuān)利文獻(xiàn)1中，提供一種真空處理系統(tǒng)，將存在對(duì)能夠回避線(xiàn)形工具的問(wèn)題，同時(shí)能夠克 服成束工具固有的限制的半導(dǎo)體制造裝置的必要性的情況作為課題，在小的設(shè)置面積移動(dòng)
曰t±" 曰曰/T °專(zhuān)利文獻(xiàn)1 (日本)特表2007-511104號(hào)公報(bào)但是，在如上所述的現(xiàn)有技術(shù)中，重點(diǎn)放在了輸送晶片時(shí)的方法及系統(tǒng)構(gòu)成上，對(duì) 如下的幾點(diǎn)考慮不足。S卩，在構(gòu)成真空處理系統(tǒng)的各單元的數(shù)量和配置中，對(duì)作為主要的單元的處理對(duì) 象的晶片進(jìn)行處理的處理室及用于真空輸送的真空輸送室和真空處理室的配置關(guān)系，沒(méi)有 進(jìn)行對(duì)生產(chǎn)性的效率成為最適的配置關(guān)系的考慮，結(jié)果，單位設(shè)置面積的生產(chǎn)性沒(méi)有被最 適化。在像這樣沒(méi)有充分考慮單位設(shè)置面積的生產(chǎn)性的現(xiàn)有技術(shù)中，損失了構(gòu)成真空處 理系統(tǒng)的裝置的單位設(shè)置面積的晶片的處理能力。

發(fā)明內(nèi)容
于是，本發(fā)明的目的在于提供一種單位設(shè)置面積的生產(chǎn)性高的半導(dǎo)體被處理基板 的真空處理系統(tǒng)及半導(dǎo)體被處理基板的真空處理方法。為解決上述課題，本發(fā)明的半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，具 備大氣輸送室，其前面?zhèn)扰渲枚鄠€(gè)盒臺(tái)，輸送在設(shè)置于所述多個(gè)盒臺(tái)內(nèi)的一個(gè)上的盒內(nèi)收 容的晶片；鎖定室，其配置于該大氣輸送室的后方，在內(nèi)部收容從該大氣輸送室輸送的所述 晶片；第一真空輸送室，其連結(jié)于該鎖定室的后方，從該鎖定室輸送所述晶片，在該第一真空輸送室不連結(jié)用于處理輸送到該第一真空輸送室內(nèi)的晶片的真空 處理室，而連結(jié)有多個(gè)輸送中間室，進(jìn)而在該多個(gè)輸送中間室連結(jié)有后段的真空輸送室，收容于所述盒中的晶片，為了從該盒經(jīng)由所述鎖定室輸送至所述第一真空輸送室且 在后段的各真空處理室內(nèi)進(jìn)行處理，而經(jīng)由與所述第一真空輸送室連結(jié)的所述多個(gè)輸送中間 室的任一個(gè)向后段的各多個(gè)真空輸送室輸送，輸送到所述第一真空輸送室以外的后段的多個(gè) 真空輸送室的各個(gè)晶片被輸送到與該多個(gè)真空輸送室分別連結(jié)的各真空處理室并進(jìn)行處理。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，在所述后段的多 個(gè)真空輸送室各個(gè)上僅連結(jié)有單一的所述真空處理室。另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，在所述第一及所 述后段的多個(gè)真空輸送室各自的內(nèi)部配置有輸送機(jī)器人，該輸送機(jī)器人是由多個(gè)作為關(guān)節(jié) 的梁部件繞各軸可獨(dú)立地運(yùn)動(dòng)的多個(gè)臂構(gòu)成的輸送機(jī)器人。本發(fā)明的半導(dǎo)體被處理基板的真空處理方法，其使用半導(dǎo)體被處理基板的真空處 理系統(tǒng)對(duì)半導(dǎo)體被處理基板進(jìn)行處理，所述半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)具備大氣 輸送室，其前面?zhèn)扰渲枚鄠€(gè)盒臺(tái)，輸送在設(shè)置于所述多個(gè)盒臺(tái)內(nèi)的一個(gè)上的盒內(nèi)收容的晶 片；鎖定室，其配置于該大氣輸送室的后方，在內(nèi)部收容從該大氣輸送室輸送的所述晶片； 第一真空輸送室，其連結(jié)于該鎖定室的后方，從該鎖定室輸送所述晶片，在該第一真空輸送室不連結(jié)用于處理輸送到該第一真空輸送室內(nèi)的晶片的真空 處理室，而連結(jié)有多個(gè)輸送中間室，進(jìn)而在該多個(gè)輸送中間室連結(jié)有后段的真空輸送室，其 特征在于，收容于所述盒的晶片從該盒被輸送至所述鎖定室，在輸送至該鎖定室的晶片被輸 送到所述第一真空輸送室后，以在后段的各真空處理室內(nèi)進(jìn)行處理的方式，經(jīng)由與所述第 一真空輸送室的后段連結(jié)的所述多個(gè)輸送中間室的任一個(gè)，輸送到配置于后段的各多個(gè)真 空輸送室輸送，將輸送到這些多個(gè)真空輸送室的各個(gè)晶片輸送到與該多個(gè)真空輸送室分別 連結(jié)的各真空處理室并進(jìn)行處理。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種單位設(shè)置面積的生產(chǎn)性高的半導(dǎo)體被處理基板的真空 處理系統(tǒng)及半導(dǎo)體被處理基板的真空處理方法。另外，能夠提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)低異物且抑制交叉污染的半導(dǎo)體被處理基板的真 空處理系統(tǒng)及半導(dǎo)體被處理基板的真空處理方法。


圖1是說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的含有真空處理裝置的真空處理系統(tǒng)的整體
4構(gòu)成的概略圖；圖2A是圖1所示說(shuō)明了的本發(fā)明的實(shí)施方式的真空輸送室的放大圖，是縮回了機(jī) 器人臂的狀態(tài)；圖2B是圖1所示說(shuō)明了的本發(fā)明的實(shí)施方式的真空輸送室的放大圖，是伸出了機(jī) 器人臂的狀態(tài)；圖3是說(shuō)明本發(fā)明的其他實(shí)施方式的包括真空處理裝置的真空處理系統(tǒng)的整體 構(gòu)成的概略圖。符號(hào)說(shuō)明100、真空處理系統(tǒng)101、大氣側(cè)模塊102、真空側(cè)模塊103、真空處理室104、第一真空輸送室105、鎖定室106、筐體107、盒臺(tái)108、真空輸送機(jī)器人109、大氣輸送機(jī)器人110、第二真空輸送室111、115、116、117、真空輸送中間室112、第三真空輸送室113、第四真空輸送室114、第五真空輸送室120、閥201、第一臂202、第二臂301、第二大氣輸送機(jī)器人
具體實(shí)施例方式下面，根據(jù)附圖詳細(xì)地說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)及真空處 理方法的實(shí)施方式。圖1說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的含有多個(gè)真空處理室103、103、103、103的真空 處理系統(tǒng)的整體構(gòu)成的概略。圖1所示的本發(fā)明的第一實(shí)施方式的含有四個(gè)真空處理室103、103、103、103的真 空處理系統(tǒng)100，大致劃分由大氣側(cè)模塊101和真空側(cè)模塊102構(gòu)成。大氣側(cè)模塊101是在 大氣壓下對(duì)被處理物即半導(dǎo)體晶片等進(jìn)行輸送、收容定位等的部分，真空側(cè)模塊102是在 從大氣壓減壓的壓力下輸送晶片，在預(yù)定的真空處理室103內(nèi)進(jìn)行處理的模塊。而且，在進(jìn) 行上述的輸送或處理的真空側(cè)模塊102和大氣側(cè)模塊101之間具備鎖定室105，該鎖定室 105作為在內(nèi)部具有晶片的狀態(tài)下，使壓力在大氣壓和真空壓之間上下浮動(dòng)的部分。
在本發(fā)明的真空處理系統(tǒng)100的第一實(shí)施例中，表示具備四個(gè)真空處理室103，在 真空側(cè)模塊102的輸送時(shí)間比大氣側(cè)模塊101的輸送時(shí)間長(zhǎng)的狀態(tài)下，單位設(shè)置面積的生 產(chǎn)性高的系統(tǒng)構(gòu)成的實(shí)施例。另外，本實(shí)施例是在真空處理室103中處理晶片的時(shí)間或在 晶片滯留于真空處理室103內(nèi)的時(shí)間比晶片輸送需要的時(shí)間短的情況的例。由此，作為整 體的處理時(shí)間可通過(guò)輸送來(lái)衡量測(cè)定，將該狀態(tài)稱(chēng)為輸送控速。大氣側(cè)模塊101具有在內(nèi)部具備大氣輸送機(jī)器人109的大致長(zhǎng)方體形狀的筐體 106，在該筐體106的前面?zhèn)染邆涠鄠€(gè)盒臺(tái)107、107、107。收容有處理用的晶片或真空處理 室103的清潔用的作為被處理物的晶片的盒，被載放作為多個(gè)盒臺(tái)107、107、107。在真空側(cè)模塊102，與大氣側(cè)模塊101連接設(shè)置有一個(gè)鎖定室105。該鎖定室105 配置于真空側(cè)模塊102的第一真空輸送室104和大氣側(cè)模塊101之間，在內(nèi)部具有在大氣 側(cè)和真空側(cè)之間互換的晶片的狀態(tài)下，使內(nèi)部的壓力在大氣壓和真空壓之間變化而輸送晶 片。另外，在鎖定室105中，具備上下能夠重疊載放兩片以上晶片的工作臺(tái)。第一真空搬 送室104的平面形狀是大致矩形形狀，內(nèi)部被減壓且向其內(nèi)部輸送晶片。在該第一真空輸送室104，在未連接鎖定室105的三面連接有在與第二、第三及第 四真空輸送室110、112、113之間進(jìn)行晶片的互換的真空輸送中間室111、115、116。S卩，在 真空輸送中間室111的一方連接有第一真空輸送室104，在另一方連接有第二真空輸送室 110。第二真空輸送室110也是平面形狀為大致矩形形狀，在一邊連接有一個(gè)真空處理室 103。另外，在真空輸送中間室115連接有第三真空輸送室112，在一邊連接有一個(gè)真空處理 室103，在另一邊還連接有用于與第五真空輸送室103連接的真空輸送中間室117。同樣， 在第一真空輸送室104的另一邊，連接有用于和第四真空輸送室113連接的真空輸送中間 室116，在該第四真空輸送室113上連接有一個(gè)真空處理室103。另外，在真空輸送中間室 117之前，連接有第五真空輸送室114，且具備真空處理室103。在本實(shí)施例中，各真空輸送室的平面形狀制成大致矩形形狀，但是，也可以是三角 形以上的多角形狀，也可以呈球面狀。各真空輸送中間室與鎖定室105同樣，具備上下能夠 重疊載放2枚以上晶片的工作臺(tái)。這樣構(gòu)成的真空側(cè)模塊102為整體被減壓且可維持高真 空度的壓力的容器。第一真空輸送室104及第二真空輸送室110、第三真空輸送室112、第四真空輸送 室113、第五真空輸送室114其內(nèi)部制成輸送室。在搬送室內(nèi)，在真空下在鎖定室105和真 空處理室103或真空輸送中間室111之間，輸送晶片的真空輸送機(jī)器人108被配置于其中 央。第一真空輸送室104內(nèi)的真空輸送機(jī)器人108，在其兩根臂上分別載放有晶片，在與鎖 定室105或真空輸送中間室111、115、116的任意一個(gè)室之間進(jìn)行晶片的搬入、搬出。第二 真空輸送室110內(nèi)的真空輸送機(jī)器人108在其兩根臂上分別載放晶片，在與真空處理室103 或真空輸送中間室111之間進(jìn)行晶片的搬入、搬出。而且，其它的真空輸送室內(nèi)的真空輸 送機(jī)器人也同樣。這時(shí)，在各真空處理室103、鎖定室105及真空輸送中間室111、115、116、 117和各真空輸送室104、110、112、113、114之間，分別設(shè)置有通過(guò)可氣密地閉塞、開(kāi)放的閥 120、120、120···連通的通路，這些通路通過(guò)閥120進(jìn)行開(kāi)閉。下面，說(shuō)明通過(guò)上述構(gòu)成的真空處理系統(tǒng)100對(duì)晶片進(jìn)行處理時(shí)的晶片的真空處 理方法的晶片輸送過(guò)程的概要。在多個(gè)盒臺(tái)107、107、107的任一個(gè)上載放的盒內(nèi)收容的多個(gè)半導(dǎo)體晶片等，在調(diào)節(jié)真空處理系統(tǒng)100的動(dòng)作的控制裝置(未圖示)的判斷下，或接受來(lái)自設(shè)置有真空處理 系統(tǒng)100的制造線(xiàn)的控制裝置等(未圖示)的指令，開(kāi)始其處理。首先，接受來(lái)自控制裝置 的指令的大氣輸送機(jī)器人109從盒中取出盒內(nèi)的特定的晶片，將取出了的晶片輸送到鎖定 室 105。輸送并存儲(chǔ)晶片的鎖定室105在收容有輸送的晶片的狀態(tài)下，閉塞閥120而被密 封，減壓到規(guī)定的壓力。在鎖定室105內(nèi)能夠收容2枚以上的多枚晶片。之后，開(kāi)放與第一 真空輸送室104面對(duì)側(cè)的閥120，連通鎖定室105和第一真空輸送室104的輸送室，真空輸 送機(jī)器人108使其臂向鎖定室105內(nèi)伸展，將鎖定室105內(nèi)的晶片輸送到第一真空輸送室 104側(cè)。在第一真空輸送室104內(nèi)能夠收容2枚以上的多枚晶片。真空輸送機(jī)器人108將 其臂上載放的晶片從盒內(nèi)取出時(shí)，搬入預(yù)定的真空輸送中間室111、115、116中的任一個(gè)。在本實(shí)施例中，各閥120選擇地開(kāi)閉一個(gè)。即，當(dāng)晶片被輸送到真空輸送中間室 111內(nèi)時(shí)，將在真空輸送中間室111和第一真空輸送室104及第二真空輸送室110之間開(kāi) 閉的閥120、120關(guān)閉，真空輸送中間室111被密封。之后，將在真空輸送中間室111和第二 真空輸送室110之間的開(kāi)閉的閥120打開(kāi)，使第二真空輸送室110具備的真空輸送機(jī)器人 108伸展，將晶片輸送到第二真空輸送室110。接著，真空輸送機(jī)器人108將在其臂上載放 的晶片，在關(guān)閉在第二真空輸送室110和真空輸送中間室111之間開(kāi)閉的閥120之后，將在 真空處理室103和第二真空輸送室110之間開(kāi)閉的閥120打開(kāi)，將晶片輸送到真空處理室 103。各晶片在從盒取出時(shí)，應(yīng)該預(yù)先規(guī)定在哪一個(gè)真空處理室103中進(jìn)行處理。另外，輸 送到真空輸送中間室115的晶片與上述同樣，通過(guò)第三真空輸送室112具備的真空輸送機(jī) 器人108向真空處理室103或第五真空輸送室114輸送，再輸送到后段的真空處理室103。 另外，輸送到真空輸送中間室116的晶片與上述同樣，通過(guò)第四真空輸送室113具備的真空 輸送機(jī)器人108輸送到真空處理室103。晶片被輸送到各真空處理室103之后，將在各真空處理室103和各個(gè)真空輸送室 110、112、113、114之間開(kāi)閉的閥120關(guān)閉，各真空處理室103被密封。之后，向各真空處理 室103內(nèi)導(dǎo)入處理用的氣體，真空處理室103內(nèi)到達(dá)規(guī)定的壓力后，對(duì)晶片進(jìn)行處理。當(dāng)檢測(cè)為在任一個(gè)真空處理室103中，晶片的處理都結(jié)束了時(shí)，將在與各個(gè)真空 處理室103連接的第二真空輸送室110、第三真空輸送室112、第四真空輸送室113、第五真 空輸送室114的各真空輸送室之間開(kāi)閉的閥120打開(kāi)，真空輸送機(jī)器人108將處理完畢的 晶片，沿著將該晶片搬入真空處理室103內(nèi)的路徑的相反方向，朝向鎖定室105搬出。當(dāng)晶 片被輸送到鎖定室105時(shí)，關(guān)閉對(duì)連通該鎖定室105和第一真空輸送室104的輸送室的通 路進(jìn)行開(kāi)閉的閥120，第一真空輸送室104的輸送室被密封，鎖定室105內(nèi)的壓力上升到大 氣壓。之后，開(kāi)放筐體106內(nèi)側(cè)的閥120，鎖定室105的內(nèi)部和筐體106的內(nèi)部連通，成為 大氣壓的狀態(tài)，大氣輸送機(jī)器人109將晶片從鎖定室105輸送到原來(lái)的盒，返回到盒內(nèi)原來(lái) 的位置。圖2A、2B是圖1所示說(shuō)明了的第一真空輸送室104的放大圖。真空搬送機(jī)器人 108具備用于輸送晶片的第一臂201及第二臂202。在本實(shí)施例中臂為兩個(gè)，但是，也可以 是三個(gè)或四個(gè)的多個(gè)。各個(gè)臂201、202具有經(jīng)由關(guān)節(jié)連結(jié)多個(gè)梁部件的兩端的結(jié)構(gòu)。各臂201、202具備通過(guò)在多個(gè)梁部件的兩端可轉(zhuǎn)動(dòng)地進(jìn)行軸支承，各臂201、202圍繞各個(gè)根側(cè)端部的軸，可 獨(dú)立地進(jìn)行旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)、上下方向及水平方向的伸縮運(yùn)動(dòng)的構(gòu)成。通過(guò)該構(gòu)成，可獨(dú)立地控制 多個(gè)晶片的搬入、搬出，通過(guò)在多個(gè)輸送點(diǎn)并列地訪問(wèn)，或者同時(shí)搬入、搬出兩枚晶片，能 夠提高輸送處理能力。圖2A表示在第一真空輸送室104內(nèi)各臂201、202能夠從各個(gè)場(chǎng)所輸送晶片的狀 態(tài)。圖2B表示使第一臂201向真空輸送中間室111輸送晶片，并列地使第二臂202向鎖定 室105輸送的狀態(tài)。對(duì)于輸送的時(shí)機(jī)，各個(gè)臂也可以不是同時(shí)，而是可分別獨(dú)立地進(jìn)行控 制。通過(guò)如上述構(gòu)成的真空處理系統(tǒng)100，單位設(shè)置面積的晶片的處理效率提高。這 是因?yàn)橐韵碌睦碛?。在上述輸送控速的情況下，在比較向真空處理室103輸送晶片的時(shí)間 (在真空輸送機(jī)器人108保持晶片的狀態(tài)下，從在真空處理室103之前待機(jī)的狀態(tài)到向真 空處理室103內(nèi)輸送晶片結(jié)束關(guān)閉閥120的時(shí)間)和向真空輸送中間室111輸送晶片的時(shí) 間(在真空輸送機(jī)器人108保持晶片的狀態(tài)下，從在輸送中間室111之前待機(jī)的狀態(tài)到向 輸送中間室111輸送晶片結(jié)束關(guān)閉閥120的時(shí)間)時(shí)，向真空輸送中間室111的輸送時(shí)間 短。因此，本實(shí)施例構(gòu)成為，具備一個(gè)真空處理室103也沒(méi)連接的第一真空輸送室104，在其 它的真空輸送室分別一個(gè)一個(gè)地連接真空處理室103，由此，抑制第一真空輸送室104的輸 送時(shí)間成為真空處理系統(tǒng)100整體的輸送時(shí)間的瓶頸，防止損害真空處理系統(tǒng)100的處理 效率。由此，在本實(shí)施例中，單位設(shè)置面積的晶片的處理效率提高。另外，在該第一實(shí)施例中，設(shè)計(jì)為經(jīng)由排他地開(kāi)閉的閥120、120、120…連通真空處 理室103和真空輸送室104、110、112、113、114或鎖定室105(或真空輸送中間室111、115、 116,117)和真空輸送室104、110、112、113、114的結(jié)構(gòu)，因此，對(duì)異物或交叉污染的抑制有 效。圖3是說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的含有多個(gè)真空處理室的真空處理系統(tǒng)的整體 構(gòu)成的概略圖。在該第二實(shí)施例中，串聯(lián)配置多個(gè)真空處理室103、103、103、103，在其中央 設(shè)置有鎖定室105。因此，與圖1所示的第一實(shí)施例不同，除大氣側(cè)模塊101的大氣輸送機(jī) 器人109之外，在相對(duì)于大氣輸送機(jī)器人109的垂直方向連接有第二大氣輸送機(jī)器人301。 第二大氣輸送機(jī)器人301的相對(duì)端部連接有在大氣側(cè)模塊101和真空側(cè)模塊102進(jìn)行晶 片傳送的鎖定室105。大氣側(cè)模塊101為經(jīng)由鎖定室105與真空側(cè)模塊102連結(jié)的狀態(tài)。 晶片通過(guò)第一真空輸送室104具備的真空輸送機(jī)器人108，從鎖定室105輸送到第一真空輸 送室104內(nèi)。另外，通過(guò)控制裝置(未圖示)控制晶片的輸送點(diǎn)，向與第一真空輸送室104 鄰接的真空輸送中間室111或真空輸送中間室115的預(yù)先規(guī)定的任一方向輸送。輸送到真 空輸送中間室111的晶片，通過(guò)第二真空輸送室110所具備的真空輸送機(jī)器人108向第二 真空輸送室110內(nèi)輸送。之后，通過(guò)真空輸送機(jī)器人108輸送到與第二真空輸送室110連 接的真空處理室103或真空輸送中間室116。另外，輸送到真空輸送中間室116的晶片被輸 送到真空處理室103，實(shí)施處理。同樣地，輸送到真空輸送中間室115的晶片也依次被輸送 到與第三真空輸送室112及第五真空輸送室114連接的真空處理室103，實(shí)施處理。當(dāng)檢測(cè)出晶片的處理結(jié)束了時(shí)，開(kāi)放在各真空處理室103同與之連接的第二真空 輸送室110、第三真空輸送室112、第四真空輸送室113、第五真空輸送室114的各輸送室之 間開(kāi)閉的閥120，真空輸送機(jī)器人108將處理完畢的晶片沿著與將該晶片搬入各真空處理室103內(nèi)的情況相反的路徑，朝向鎖定室105搬出。當(dāng)晶片被輸送到鎖定室105時(shí)，關(guān)閉對(duì) 連通該鎖定室105和第一真空輸送室104的輸送室的通路進(jìn)行開(kāi)閉的閥120，第一真空輸送 室104被密封，鎖定室105內(nèi)的壓力上升到大氣壓。之后，筐體106內(nèi)側(cè)的閥120開(kāi)放，鎖定室105的內(nèi)部和筐體106的內(nèi)部被連通， 從第二大氣輸送機(jī)器人301向大氣輸送機(jī)器人109交付晶片，大氣輸送機(jī)器人109向原來(lái) 的盒輸送晶片，返回盒內(nèi)的原來(lái)的位置。如上所述，在本發(fā)明中，無(wú)論在第一實(shí)施例中還是在第二實(shí)施例中，與鎖定室105 連結(jié)的第一真空輸送室104都未連結(jié)真空處理室，在該第一真空輸送室104的后段，在經(jīng)由 真空輸送中間室111、115、116、117連結(jié)的各真空輸送室110、112、113、114中分別設(shè)置一個(gè) 真空處理室103，輸送控速也以第1真空輸送室104不成為晶片輸送的瓶頸的方式構(gòu)成，進(jìn) 行控制。通過(guò)如上所述構(gòu)成的真空處理系統(tǒng)，可提高單位設(shè)置面積的晶片的處理效率。這 與圖1所示的第一實(shí)施例的理由同樣。另外，在本實(shí)施例中，成為經(jīng)由排他地開(kāi)閉的閥120連通真空處理室和真空輸送 室或鎖定室105(或真空輸送中間室)和真空輸送室的結(jié)構(gòu)，因此，對(duì)異物或交叉污染的抑 制有效。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，具備大氣輸送室，其前面?zhèn)?配置多個(gè)盒臺(tái)，輸送在設(shè)置于所述多個(gè)盒臺(tái)內(nèi)的一個(gè)上的盒內(nèi)收容的晶片；鎖定室，其配置 于該大氣輸送室的后方，在內(nèi)部收容從該大氣輸送室輸送的所述晶片；第一真空輸送室，其 連結(jié)于該鎖定室的后方，從該鎖定室輸送所述晶片，在該第一真空輸送室不連結(jié)用于處理輸送到該第一真空輸送室內(nèi)的晶片的真空處理 室，而連結(jié)有多個(gè)輸送中間室，進(jìn)而在該多個(gè)輸送中間室連結(jié)有后段的真空輸送室，收容于所述盒中的晶片，為了從該盒經(jīng)由所述鎖定室輸送至所述第一真空輸送室且在 后段的各真空處理室內(nèi)進(jìn)行處理，而經(jīng)由與所述第一真空輸送室連結(jié)的所述多個(gè)輸送中間 室的任一個(gè)被輸送到后段的各多個(gè)真空輸送室，輸送到所述第一真空輸送室以外的后段的 多個(gè)真空輸送室的各個(gè)晶片被輸送到與該多個(gè)真空輸送室分別連結(jié)的各真空處理室并進(jìn) 行處理。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，在所述后段 的多個(gè)真空輸送室各個(gè)上，僅連結(jié)有單一的所述真空處理室。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)，其特征在于，在所述第一 及所述后段的多個(gè)真空輸送室各自的內(nèi)部配置有輸送機(jī)器人，該輸送機(jī)器人是由多個(gè)作為 關(guān)節(jié)的梁部件繞各軸可獨(dú)立地運(yùn)動(dòng)的多個(gè)臂構(gòu)成的輸送機(jī)器人。
4.一種半導(dǎo)體被處理基板的真空處理方法，其使用半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng) 對(duì)半導(dǎo)體被處理基板進(jìn)行處理，所述半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)具備大氣輸送室， 其前面?zhèn)扰渲枚鄠€(gè)盒臺(tái)，輸送在設(shè)置于所述多個(gè)盒臺(tái)內(nèi)的一個(gè)上的盒內(nèi)收容的晶片；鎖定 室，其配置于該大氣輸送室的后方，在內(nèi)部收容從該大氣輸送室輸送的所述晶片；第一真空 輸送室，其連結(jié)于該鎖定室的后方，從該鎖定室輸送所述晶片，在該第一真空輸送室不連結(jié)用于處理輸送到該第一真空輸送室內(nèi)的晶片的真空處理 室，而連結(jié)有多個(gè)輸送中間室，進(jìn)而在該多個(gè)輸送中間室連結(jié)有后段的真空輸送室，其特征 在于，收容于所述盒的晶片從該盒被輸送至所述鎖定室，在輸送至該鎖定室的晶片被輸送到 所述第一真空輸送室后，以在后段的各真空處理室內(nèi)進(jìn)行處理的方式，經(jīng)由與所述第一真 空輸送室的后段連結(jié)的所述多個(gè)輸送中間室的任一個(gè)，輸送到配置于后段的各多個(gè)真空輸 送室，將輸送到這些多個(gè)真空輸送室的各個(gè)晶片輸送到與該多個(gè)真空輸送室分別連結(jié)的各 真空處理室并進(jìn)行處理。
全文摘要
本發(fā)明提供一種使真空輸送室所具備的真空處理室的配置最適化，單位設(shè)置面積的被處理物的生產(chǎn)能力高的裝置。本發(fā)明提供半導(dǎo)體被處理基板的真空處理系統(tǒng)及使用該系統(tǒng)的半導(dǎo)體被處理基板的真空處理方法，該系統(tǒng)具備大氣輸送室，其前面?zhèn)扰渲枚鄠€(gè)盒臺(tái)，輸送在設(shè)置于所述多個(gè)盒臺(tái)內(nèi)的一個(gè)上的盒內(nèi)所收容的晶片；鎖定室，其配置于該大氣輸送室的后方，在內(nèi)部收容從該大氣輸送室輸送的所述晶片；第一真空輸送室，其連結(jié)于該鎖定室的后方，從該鎖定室輸送所述晶片，在該第一真空輸送室不連結(jié)用于處理輸送到該第一真空輸送室內(nèi)的晶片的真空處理室，而連結(jié)多個(gè)輸送中間室，進(jìn)而在該多個(gè)輸送中間室連結(jié)后段的真空輸送室，收容于所述盒的晶片，為了從該盒經(jīng)由所述鎖定室輸送至所述第一真空輸送室且在后段的各真空處理室內(nèi)進(jìn)行處理，經(jīng)由與所述第一真空輸送室連結(jié)的所述多個(gè)輸送中間室的任一個(gè)向后段的各多個(gè)真空輸送室輸送，輸送到所述第一真空輸送室以外的后段的多個(gè)真空輸送室的各個(gè)晶片，被輸送到與該多個(gè)真空輸送室分別連結(jié)的各真空處理室并進(jìn)行處理。
文檔編號(hào)H01L21/67GK102064124SQ20101026884
公開(kāi)日2011年5月18日 申請(qǐng)日期2010年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月12日
發(fā)明者下田篤, 仲田輝男, 智田崇文, 田內(nèi)勤, 近藤英明, 野木慶太 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立高新技術(shù)