用于反應(yīng)腔室的密封裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，更具體地，涉及一種用于反應(yīng)腔室的磁性密封
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體集成電路的生產(chǎn)加工工藝過(guò)程中，半導(dǎo)體晶片(包括光盤(pán)或是平板顯示器等)通常都會(huì)經(jīng)過(guò)諸如薄膜沉積、擴(kuò)散、熱處理、刻蝕、拋光、清洗等多道工藝步驟。許多工藝都是在反應(yīng)腔室內(nèi)進(jìn)行、并通過(guò)機(jī)械手來(lái)向反應(yīng)腔室內(nèi)傳送晶片的。為了保證將反應(yīng)腔室與外部環(huán)境相隔絕，防止反應(yīng)腔室的工藝條件受到干擾，避免晶片產(chǎn)生不良反應(yīng)及受到污染，需要對(duì)反應(yīng)腔室建立良好的密封。
[0003]例如，對(duì)于晶片的清洗工藝來(lái)講，隨著半導(dǎo)體工藝設(shè)備的發(fā)展，對(duì)集成電路晶片的清洗制造工藝要求也越來(lái)越高。在集成電路清洗工藝過(guò)程中，由于用來(lái)清洗晶片的化學(xué)藥液大部分都具有強(qiáng)酸性、強(qiáng)堿性和易揮發(fā)性，對(duì)周?chē)牧悴考懈g影響，所以工藝時(shí)，對(duì)于晶片所處反應(yīng)腔室內(nèi)部的微環(huán)境有較高的要求。
[0004]因此，對(duì)于包括半導(dǎo)體清洗、氧化爐等各類(lèi)設(shè)備的反應(yīng)腔室來(lái)講，為了保證在反應(yīng)腔室內(nèi)形成一個(gè)良好的內(nèi)部微環(huán)境，需要對(duì)晶片所在工藝腔室進(jìn)行密封，以使晶片與周?chē)沫h(huán)境進(jìn)行隔絕。同時(shí)，由于機(jī)械手在對(duì)晶片進(jìn)行抓取與放置的過(guò)程中，又不可避免地會(huì)使反應(yīng)腔室與外部環(huán)境連通，為使晶片在清洗的過(guò)程中盡可能地減小外部環(huán)境對(duì)其的影響，在機(jī)械手退出工藝環(huán)境后，還需要對(duì)反應(yīng)腔室進(jìn)行及時(shí)地再次密封，以保證反應(yīng)腔室內(nèi)部的工藝要求。
[0005]現(xiàn)有對(duì)反應(yīng)腔室的密封，通常是采用在反應(yīng)腔室門(mén)上安裝橡膠密封件的方式，來(lái)與反應(yīng)腔室門(mén)孔之間建立密封的。但是，單純采用橡膠密封件作為密封介質(zhì)所存在的缺陷是，橡膠密封件易受腐蝕或受高溫輻射產(chǎn)生變形，導(dǎo)致密封失效，且在反應(yīng)腔室門(mén)未能均勻靠壓反應(yīng)腔室門(mén)孔時(shí)，也容易造成泄漏現(xiàn)象。
[0006]因此，設(shè)計(jì)一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單易行，較容易實(shí)現(xiàn)反應(yīng)腔室的可靠密封的密封裝置，成為業(yè)界當(dāng)前一個(gè)重要課題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0007]本實(shí)用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的上述缺陷，提供一種用于反應(yīng)腔室的密封裝置，可較容易地實(shí)現(xiàn)反應(yīng)腔室的可靠密封，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單易行。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:
[0009]用于反應(yīng)腔室的密封裝置，包括:
[0010]隔板，設(shè)于反應(yīng)腔室與機(jī)械手運(yùn)動(dòng)區(qū)域之間，用于將反應(yīng)腔室與其他區(qū)域隔離；所述隔板設(shè)有門(mén)孔，用于機(jī)械手向反應(yīng)腔室傳取晶片；
[0011]反應(yīng)腔室門(mén)，移動(dòng)設(shè)于所述隔板外側(cè)，并連接驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，用于受驅(qū)動(dòng)移向所述門(mén)孔對(duì)應(yīng)位置或移開(kāi)；
[0012]第一磁鐵和第二磁鐵，所述第一磁鐵設(shè)于所述隔板外側(cè)，并包圍所述門(mén)孔；所述第二磁鐵設(shè)于所述反應(yīng)腔室門(mén)的內(nèi)側(cè)，并通過(guò)彈簧與所述反應(yīng)腔室門(mén)連接；
[0013]其中，在所述反應(yīng)腔室門(mén)移至所述門(mén)孔對(duì)應(yīng)位置時(shí)，通過(guò)在所述第一磁鐵和第二磁鐵之間產(chǎn)生相異磁極相吸，使所述第二磁鐵克服所述彈簧的拉力，與所述第一磁鐵相吸合，對(duì)所述門(mén)孔進(jìn)行密封，并在消磁時(shí)，在所述彈簧的拉力作用下與所述第一磁鐵相分離，將所述門(mén)孔打開(kāi)。
[0014]優(yōu)選地，所述門(mén)孔的兩側(cè)設(shè)有一副導(dǎo)軌，所述導(dǎo)軌設(shè)有滑塊，所述滑塊連接所述反應(yīng)腔室門(mén)，所述反應(yīng)腔室門(mén)受所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)沿所述導(dǎo)軌移向所述門(mén)孔或移開(kāi)。
[0015]優(yōu)選地，所述導(dǎo)軌設(shè)于所述門(mén)孔的左右或上下兩側(cè)。
[0016]優(yōu)選地，所述反應(yīng)腔室門(mén)與所述第二磁鐵之間具有水平導(dǎo)向活動(dòng)結(jié)構(gòu)，并位于所述第二磁鐵的垂直中心線上，所述第二磁鐵在所述彈簧的力或其與所述第一磁鐵之間磁力作用下，沿所述水平導(dǎo)向活動(dòng)結(jié)構(gòu)平移。
[0017]優(yōu)選地，所述彈簧設(shè)于所述第二磁鐵的重心上方，所述水平導(dǎo)向活動(dòng)結(jié)構(gòu)設(shè)于所述反應(yīng)腔室門(mén)與所述第二磁鐵之間，并位于所述彈簧的下方。
[0018]優(yōu)選地，所述水平導(dǎo)向活動(dòng)結(jié)構(gòu)包括分設(shè)于所述反應(yīng)腔室門(mén)和第二磁鐵上并相配合的導(dǎo)柱和導(dǎo)槽。
[0019]優(yōu)選地，所述彈簧為拉簧。
[0020]優(yōu)選地，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)為氣缸或連桿。
[0021 ] 優(yōu)選地，所述第一磁鐵和第二磁鐵其中之一為電磁鐵。
[0022]優(yōu)選地，所述第一磁鐵和第二磁鐵至少有一個(gè)為電磁鐵。
[0023]從上述技術(shù)方案可以看出，本實(shí)用新型通過(guò)在反應(yīng)腔室門(mén)孔與反應(yīng)腔室門(mén)對(duì)應(yīng)位置之間設(shè)置相配合的第一、第二磁鐵，并采用彈簧將第二磁鐵與反應(yīng)腔室門(mén)連接，利用磁鐵之間異極性相吸的原理和彈簧的拉力，來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)反應(yīng)腔室門(mén)孔的密封和開(kāi)啟；利用氣缸驅(qū)動(dòng)及導(dǎo)軌傳動(dòng)，可使得反應(yīng)腔室門(mén)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)、定位可控。本實(shí)用新型在機(jī)械手退出反應(yīng)腔室后，能夠及時(shí)對(duì)反應(yīng)腔室進(jìn)行密封，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、易實(shí)現(xiàn)的顯著特點(diǎn)，可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體清洗、氧化爐等設(shè)備的密封。
【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1是本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例的一種用于反應(yīng)腔室的密封裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖2是圖1實(shí)施例中的密封裝置全部打開(kāi)時(shí)的工作狀態(tài)示意圖；
[0026]圖3是圖1實(shí)施例中的密封裝置全部關(guān)閉時(shí)的工作狀態(tài)示意圖。
[0027]圖中1.隔板，2.導(dǎo)軌，3.反應(yīng)腔室門(mén)；4.滑塊；5.第一磁鐵；6.第二磁鐵；7.彈簧；8.氣缸；9.導(dǎo)柱；10.導(dǎo)槽；11.門(mén)孔。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
[0029]需要說(shuō)明的是，在下述的【具體實(shí)施方式】中，在詳述本實(shí)用新型的實(shí)施方式時(shí)，為了清楚地表示本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)以便于說(shuō)明，特對(duì)附圖中的結(jié)構(gòu)不依照一般比例繪圖，并進(jìn)行了局部放大、變形及簡(jiǎn)化處理，因此，應(yīng)避免以此作為對(duì)本實(shí)用新型的限定來(lái)加以理解。
[0030]在以下本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】中，請(qǐng)參閱圖1，圖1是本實(shí)用新型一優(yōu)選實(shí)施例的一種用于反應(yīng)腔室的密封裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實(shí)用新型的用于反應(yīng)腔室的密封裝置包括開(kāi)有門(mén)孔11的隔板1、反應(yīng)腔室門(mén)3、第一磁鐵5、第二磁鐵6以及驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)8。
[0031]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖1。所述隔板I設(shè)于反應(yīng)腔室與機(jī)械手(圖略)運(yùn)動(dòng)區(qū)域之間，用于將反應(yīng)腔室與其他區(qū)域隔離。隔板I可加工成與反應(yīng)腔室相配合的適當(dāng)形狀。在本實(shí)施例的圖1中，示例性地顯示了一種門(mén)板形狀的隔板I。在所述隔板I的適當(dāng)位置加工有一個(gè)門(mén)孔11，用于機(jī)械手向反應(yīng)腔室傳取晶片。本說(shuō)明書(shū)中所述的晶片可代表多種類(lèi)型的盤(pán)狀物，例如半導(dǎo)體晶片、光盤(pán)或是平板顯示器等。作為可選的實(shí)施方式，門(mén)孔11可以是矩形、圓形或其他適用的孔型。門(mén)孔11的尺寸可根據(jù)機(jī)械手的尺寸與晶片的尺寸而定。在本實(shí)施例的圖1中，示例性地顯示了一種矩形形狀的門(mén)孔11。
[0032]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖1。所述第一磁鐵5固定安裝在所述隔板I的外側(cè)(即機(jī)械手的進(jìn)手側(cè))，并將所述門(mén)孔11包圍住。在本實(shí)施例中，所述第一磁鐵5被加工成矩形環(huán)狀，并與門(mén)孔11的尺寸相對(duì)應(yīng)，可固定安裝在門(mén)孔11的周?chē)?br>[0033]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖1。反應(yīng)腔室門(mén)3以可移動(dòng)的方式活動(dòng)安裝在所述隔板I的外側(cè)，并連接驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)8，用于受驅(qū)動(dòng)移向所述門(mén)孔11的對(duì)應(yīng)位置或從所述門(mén)孔11的對(duì)應(yīng)位置移開(kāi)。作為一可選實(shí)施方式，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)8可以采用氣缸或連桿等形式。作為優(yōu)選，本實(shí)用新型采用了如圖1所示的氣缸8作為驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，將氣缸8的缸桿與反應(yīng)腔室門(mén)3固定連接，即可使反應(yīng)腔室門(mén)3跟隨缸桿直線移動(dòng)。采用氣缸驅(qū)動(dòng)形式，可以設(shè)置反應(yīng)腔室門(mén)的移動(dòng)距離，實(shí)現(xiàn)對(duì)其移動(dòng)的定位。
[0034]同時(shí)，為了保證反應(yīng)腔室門(mén)3的平穩(wěn)運(yùn)動(dòng)，可在所述門(mén)孔11的兩側(cè)安裝一副導(dǎo)軌2，所述導(dǎo)軌2設(shè)有滑塊4，所述滑塊4連接所述反應(yīng)腔室門(mén)3的兩側(cè)。這樣，所述反應(yīng)腔室門(mén)3在受到所述氣缸8的驅(qū)動(dòng)時(shí)，即可沿所述導(dǎo)軌2移向所述門(mén)孔11或從所述門(mén)孔11移開(kāi)。作為可選的實(shí)施方式，所述導(dǎo)軌2可平行安裝在所述門(mén)孔11的左右或上下兩側(cè)。本實(shí)施例采用將導(dǎo)軌2平行安裝在門(mén)孔11左右的形式，可使得反應(yīng)腔室門(mén)3在受到其下方連接的所述氣缸8