一種芯片黏著檢測(cè)裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種芯片黏著檢測(cè)裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體制造過程中，由于員工受訓(xùn)程度不同以及疏忽會(huì)在D/A (Die Attach，芯片黏著)工程將已經(jīng)操作完的產(chǎn)品再次進(jìn)行D/A。傳統(tǒng)的設(shè)備使用壓敏傳感器進(jìn)行壓力測(cè)試，其壓力在3-4N之間，大于4N報(bào)警識(shí)別，由于BOC ( board on chip)產(chǎn)品厚度在250微米膠水厚度30微米，適合用壓敏傳感器，但目前有的POP (package on package)芯片產(chǎn)品其厚度在110微米，膠厚度在20微米，壓敏傳感器很難識(shí)別造成誤報(bào)警或不報(bào)警，產(chǎn)生批量事故發(fā)生導(dǎo)致合格率下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種芯片黏著檢測(cè)裝置，解決上述現(xiàn)有技術(shù)中壓敏傳感器識(shí)別不準(zhǔn)的問題。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)及其他相關(guān)目標(biāo)，本實(shí)用新型提供一種芯片黏著檢測(cè)裝置，設(shè)于芯片制造設(shè)備，包括:至少一測(cè)厚傳感器，用于測(cè)量經(jīng)過芯片黏著工序后的芯片的厚度并對(duì)應(yīng)產(chǎn)生厚度電信號(hào)；比較器，連接所述測(cè)厚傳感器的輸出端，用于將所述厚度電信號(hào)值同預(yù)設(shè)閾值比較，當(dāng)大于所述閾值時(shí)，輸出第一觸發(fā)電信號(hào)；控制器，連接所述比較器的輸出端，用于在接收到所述第一觸發(fā)電信號(hào)時(shí)，控制芯片制造設(shè)備的工作狀態(tài)。
[0005]可選的，所述測(cè)厚傳感器為至少兩個(gè)，分別用于測(cè)量所述芯片上不同點(diǎn)的厚度，所述比較器還用于比較各所述測(cè)厚傳感器所輸出的厚度電信號(hào)的值，在不一致時(shí)輸出第二觸發(fā)電信號(hào)；所述控制器，還用于在接收到所述第二觸發(fā)電信號(hào)時(shí)，控制芯片制造設(shè)備的工作狀態(tài)。
[0006]可選的，所述測(cè)厚傳感器是LVDT位移傳感器。
[0007]可選的，所述比較器包括連接所述測(cè)厚傳感器輸出端的積分電路。
[0008]可選的，所述芯片制造設(shè)備的工作狀態(tài)包括:關(guān)閉設(shè)備電源。
[0009]如上所述，本實(shí)用新型提供一種芯片黏著檢測(cè)裝置，設(shè)于芯片制造設(shè)備，包括:至少一測(cè)厚傳感器，用于測(cè)量經(jīng)過芯片黏著工序后的芯片的厚度并對(duì)應(yīng)產(chǎn)生厚度電信號(hào)；比較器，連接所述測(cè)厚傳感器的輸出端，用于將所述厚度電信號(hào)值同預(yù)設(shè)閾值比較，當(dāng)大于所述閾值時(shí)，輸出第一觸發(fā)電信號(hào)；控制器，連接所述比較器的輸出端，用于在接收到所述第一觸發(fā)電信號(hào)時(shí)，控制芯片制造設(shè)備的工作狀態(tài)；本實(shí)用新型采用非接觸式的測(cè)厚傳感器，能夠及時(shí)發(fā)現(xiàn)雙芯片的產(chǎn)生，從而預(yù)防了批量事故，提高了合格率。
【附圖說明】
[0010]圖1顯示為本實(shí)用新型的芯片黏著檢測(cè)裝置的一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]元件標(biāo)號(hào)說明:
[0012]1-芯片黏著檢測(cè)裝置；
[0013]11-測(cè)厚傳感器；
[0014]12-比較器；
[0015]121-積分電路；
[0016]13-控制器。
【具體實(shí)施方式】
[0017]以下通過特定的具體實(shí)例說明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本實(shí)用新型還可以通過另外不同的【具體實(shí)施方式】加以實(shí)施或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在沒有背離本實(shí)用新型的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。需說明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0018]如圖1所示，本實(shí)用新型提供一種芯片黏著檢測(cè)裝置1，設(shè)于芯片制造設(shè)備，所述芯片制造設(shè)備例如包括芯片封裝產(chǎn)線的設(shè)備，可進(jìn)行芯片黏著(D/A)工序，所述芯片黏著檢測(cè)裝置I包括:測(cè)厚傳感器11、比較器12、及控制器13。
[0019]所述測(cè)厚傳感器11可為至少一個(gè)，用于測(cè)量經(jīng)過芯片黏著工序后的芯片的厚度并對(duì)應(yīng)產(chǎn)生厚度電信號(hào)；
[0020]所述比較器12，連接所述測(cè)厚傳感器11的輸出端，用于將所述厚度電信號(hào)值同預(yù)設(shè)閾值比較，當(dāng)大于所述閾值時(shí)，輸出第一觸發(fā)電信號(hào)；
[0021]所述控制器13，連接所述比較器12的輸出端，用于在接收到所述第一觸發(fā)電信號(hào)時(shí)，控制芯片制造設(shè)備的工作狀態(tài)。
[0022]以上均可通過硬件電路實(shí)現(xiàn)，所述預(yù)設(shè)閾值例如為1~2片芯片厚度對(duì)應(yīng)的電信號(hào)值(例如電壓或電流值)，當(dāng)發(fā)現(xiàn)厚度為I片以上，則可認(rèn)為可能是黏了兩片以上，而產(chǎn)生敵意觸發(fā)電信號(hào)，其可為電壓或電流形式。
[0023]在一實(shí)施例中，為了能分辨是芯片粘著在一起還是芯片翹起引起的厚度增加，所述測(cè)厚傳感器11可為至少兩個(gè)，分別用于測(cè)量所述芯片上不同點(diǎn)的厚度，所述比較器12還用于比較各所述測(cè)厚傳感器11所輸出的厚度電信號(hào)的值，在不一致時(shí)輸出表示芯片翹起的第二觸發(fā)電信號(hào)；所述控制器13，還用于在接收到所述第二觸發(fā)電信號(hào)時(shí)，控制芯片制造設(shè)備的工作狀態(tài)；所述第二觸發(fā)電信號(hào)亦為電壓或電流形式，其可通過幅值或頻率不同等來區(qū)別于所述第一觸發(fā)電信號(hào)。
[0024]在一實(shí)施例中，所述測(cè)厚傳感器11是LVDT位移傳感器，LVDT (Linear VariableDifferential Transformer)是線性可變差動(dòng)變壓器縮寫，屬于直線位移傳感器；LVDT的結(jié)構(gòu)由鐵心、銜鐵、初級(jí)線圈、次級(jí)線圈組成，如右圖所示，初級(jí)線圈、次級(jí)線圈分布在線圈骨架上，線圈內(nèi)部有一個(gè)可自由移動(dòng)的桿狀銜鐵。當(dāng)銜鐵處于中間位置時(shí)，兩個(gè)次級(jí)線圈產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)相等，這樣輸出電壓為O;當(dāng)銜鐵在線圈內(nèi)部移動(dòng)并偏離中心位置時(shí)，兩個(gè)線圈產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)不等，有電壓輸出，其電壓大小取決于位移量的大小。為了提高傳感器的靈敏度，改善傳感器的線性度、增大傳感器的線性范圍，設(shè)計(jì)時(shí)將兩個(gè)線圈反串相接、兩個(gè)次級(jí)線圈的電壓極性相反，LVDT輸出的電壓是兩個(gè)次級(jí)線圈的電壓之差，這個(gè)輸出的電壓值與鐵心的位移量成線性關(guān)系。
[0025]LVDT的優(yōu)點(diǎn)在于:
[0026]I,無摩擦測(cè)量
[0027]LVDT的可動(dòng)鐵芯和線圈之間通常沒有實(shí)體接觸，也就是說LVDT是沒有摩擦的部件。它被用于可以承受輕質(zhì)鐵芯負(fù)荷，但無法承受摩擦負(fù)荷的重要測(cè)量。例如，精密材