陣列基板及其制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種陣列基板及其制作方法。該陣列基板的制作方法包括：在襯底基板上形成鈍化層；在鈍化層上形成光刻膠，并通過(guò)曝光和顯影工藝形成包括光刻膠完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域以及光刻膠完全去除區(qū)域的第一光刻膠圖案；以第一光刻膠圖案作為掩膜對(duì)鈍化層進(jìn)行刻蝕以在鈍化層中形成第一過(guò)孔；灰化第一光刻膠圖案以去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠并減薄光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠以形成第二光刻膠圖案；以及以第二光刻膠圖案為掩膜對(duì)鈍化層進(jìn)行刻蝕以減薄光刻膠部分保留區(qū)域的鈍化層。該陣列基板的制作方法可降低因陣列基板高度不均帶來(lái)的各種風(fēng)險(xiǎn)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
陣列基板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種陣列基板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 液晶顯示器(Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱(chēng):LCD)是一種廣泛應(yīng)用的顯示裝置。 液晶顯示器的主要包括陣列基板(Array Substrate)、對(duì)置基板(Opposed Substrate)、以 及夾設(shè)在兩者之間的液晶層(LC)。陣列基板中設(shè)置有薄膜晶體管(Thin Film Transistor， 簡(jiǎn)稱(chēng):TFT)。液晶顯示器可通過(guò)與薄膜晶體管相連的像素電極和公共電極之間產(chǎn)生的電場(chǎng) 來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)液晶層的驅(qū)動(dòng)控制，從而實(shí)現(xiàn)圖像顯示。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板及其制作方法，該陣列基板的制作方法可在不增 加掩模板的數(shù)目的前提下實(shí)現(xiàn)刻蝕過(guò)孔以及平坦化鈍化層，從而可在不大幅增加成本的前 提下使得鈍化層更加平坦，降低因陣列基板高度不均帶來(lái)的各種風(fēng)險(xiǎn)。
[0004] 本發(fā)明至少一實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，其包括:在襯底基板上形成 鈍化層;在所述鈍化層上形成光刻膠，并通過(guò)曝光和顯影工藝形成包括光刻膠完全保留區(qū) 域、光刻膠部分保留區(qū)域以及光刻膠完全去除區(qū)域的第一光刻膠圖案；以所述第一光刻膠 圖案作為掩膜對(duì)所述鈍化層進(jìn)行刻蝕以在所述鈍化層中形成第一過(guò)孔;灰化所述第一光刻 膠圖案以去除所述光刻膠部分保留區(qū)域的所述光刻膠并減薄所述光刻膠完全保留區(qū)域的 所述光刻膠以形成第二光刻膠圖案；以及以所述第二光刻膠圖案為掩膜對(duì)所述鈍化層進(jìn)行 刻蝕以減薄所述光刻膠部分保留區(qū)域的所述鈍化層，所述第一光刻膠圖案的所述光刻膠完 全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述鈍化層上待形成所述第一過(guò)孔的區(qū)域;所述第一光刻膠圖案的所述光 刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)所述鈍化層上待減薄的區(qū)域。
[0005] 在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法中，根據(jù)從所述襯底基板到所 述鈍化層的上表面的高度，所述鈍化層包括具有第一高度的區(qū)域和具有第二高度的區(qū)域， 所述第一高度大于所述第二高度，所述第一光刻膠圖案的所述光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)具 有所述第一高度的區(qū)域，所述第一光刻膠圖案的所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)具有所述第 二高度的區(qū)域。
[0006] 在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法中，減薄所述光刻膠部分保留 區(qū)域的所述鈍化層以使得所述鈍化層具有所述第一高度的區(qū)域的上表面與所述鈍化層具 有所述第二高度的區(qū)域的上表面的高度相同。
[0007] 本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法還包括:根據(jù)所述第一高度和所 述第二高度的高度差確定所述鈍化層具有所述第一高度的區(qū)域待減薄的減薄厚度。
[0008] 在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法中，所述減薄厚度小于所述鈍 化層的厚度。
[0009] 在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法還包括:根據(jù)所述減薄厚度計(jì) 算刻蝕具有所述減薄厚度的所述鈍化層所需要的刻蝕速率和刻蝕時(shí)間。
[0010] 在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法中，利用灰色調(diào)掩模板或半色 調(diào)掩模板作為掩模對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影以形成具有所述光刻膠完全保留區(qū)域、所 述光刻膠部分保留區(qū)域以及所述光刻膠完全去除區(qū)域的所述第一光刻膠圖案。
[0011] 在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法中，所述灰色調(diào)掩模板或半色 調(diào)掩模板的全透光區(qū)域?qū)?yīng)所述第一光刻膠圖案的所述光刻膠完全去除區(qū)域，所述灰色調(diào) 掩模板或半色調(diào)掩模板的半透光區(qū)域?qū)?yīng)所述第一光刻膠圖案的所述光刻膠部分保留區(qū) 域，所述灰色調(diào)掩模板或半色調(diào)掩模板的不透光區(qū)域?qū)?yīng)所述第一光刻膠的所述光刻膠完 全保留區(qū)域。
[0012] 在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法中，在形成所述鈍化層之前， 還包括:形成薄膜晶體管，所述鈍化層具有所述第一高度的區(qū)域?qū)?yīng)于形成所述薄膜晶體 管的區(qū)域。
[0013] 在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法還包括:在所述鈍化層上形成 第一電極，其中，所述第一電極形成在所述鈍化層具有所述第二高度的區(qū)域。
[0014] 在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法中，減薄所述光刻膠部分保留 區(qū)域的所述鈍化層以使得所述鈍化層具有所述第一高度的區(qū)域的上表面與所述第一電極 的上表面的高度相同。
[0015] 在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法還包括:在所述第一電極上形 成絕緣層；以及在所述絕緣層上形成第二電極。
[0016] 在本發(fā)明至少一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法中，減薄所述光刻膠部分保留 區(qū)域的所述鈍化層以使其上表面的高度與所述光刻膠完全保留區(qū)域的所述鈍化層的上表 面高度之差等于所述第一電極和所述第二電極的厚度之和。
[0017] 本發(fā)明至少一實(shí)施例提供一種陣列基板，其采用如上述的陣列基板的制作方法制 作。
【附圖說(shuō)明】
[0018] 為了更清楚地說(shuō)明本公開(kāi)實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例的附圖作簡(jiǎn)單地介 紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅涉及本公開(kāi)的一些實(shí)施例，而非對(duì)本公開(kāi)的限制。
[0019] 圖1為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法的流程圖；
[0020] 圖2為本發(fā)明一實(shí)施例提供的在襯底基板上形成鈍化層的示意圖；
[0021] 圖3為本發(fā)明一實(shí)施例提供的在鈍化層上形成光刻膠的示意圖；
[0022] 圖4為本發(fā)明一實(shí)施例提供的曝光、顯影光刻膠以形成第一光刻膠圖案的示意圖； [0023]圖5為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種形成有第一光刻膠圖案的陣列基板的結(jié)構(gòu)不意 圖；
[0024] 圖6為本發(fā)明一實(shí)施例提供的形成第一過(guò)孔的示意圖；
[0025] 圖7為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種形成有第二光刻膠圖案的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意 圖；
[0026] 圖8為本發(fā)明一實(shí)施例提供的刻蝕鈍化層的示意圖；
[0027] 圖9為本發(fā)明一實(shí)施例提供的另一種形成有第二光刻膠圖案的陣列基板的結(jié)構(gòu)示 意圖；
[0028] 圖10為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種形成有第一電極的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029] 圖11為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種形成有第二電極的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030] 圖12為本發(fā)明一實(shí)施例提供的另一種形成有第二電極的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖； 以及
[0031] 圖13為本發(fā)明一實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032] 附圖標(biāo)記
[0033] 101-襯底基板；102-柵極；103-柵極絕緣層；104-有源層；1051-源極；1052-漏極； 106-介電層；1070-光刻膠；1071-光刻膠完全保留部分；1072-光刻膠部分保留部分；1073-光刻膠完全去除部分；107-第一光刻膠圖案；108-第二光刻膠圖案；109-鈍化層；1091-鈍化 層具有第一高度出的區(qū)域；1092-鈍化層具有第二高度出的區(qū)域；1101-第一過(guò)孔；1102-第二 過(guò)孔；111-第一電極；112-第二電極/公共電極；113-絕緣層；114-公共電極線；150-半色調(diào) 掩模板/雙色調(diào)掩模板;180-薄膜晶體管。
【具體實(shí)施方式】
[0034]為使本公開(kāi)實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本公開(kāi)實(shí)施例 的附圖，對(duì)本公開(kāi)實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本公 開(kāi)的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋竟_(kāi)的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù) 人員在無(wú)需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本公開(kāi)保護(hù)的范圍。 [0035]除非另外定義，本公開(kāi)使用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)或者科學(xué)術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)為本公開(kāi)所屬領(lǐng)域內(nèi)具 有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開(kāi)中使用的"第一"、"第二"以及類(lèi)似的詞語(yǔ)并 不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來(lái)區(qū)分不同的組成部分。"包括"或者"包含"等 類(lèi)似的詞語(yǔ)意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件 及其等同，而不排除其他元件或者物件。"連接"或者"相連"等類(lèi)似的詞語(yǔ)并非限定于物理 的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。
[0036] 陣列基板是液晶顯示器中重要的部件，其通常包括柵極層、柵極絕緣層、有源層、 源漏電極層、鈍化層和電極層等。在研究中，本申請(qǐng)的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)由于不同區(qū)域所疊加的膜 層并不相同，因此，陣列基板上存在不同的高度，使得陣列基板呈現(xiàn)不平坦的狀態(tài)，從而影 響液晶的效率甚至可能出現(xiàn)黑態(tài)分布不均等不良。通常，可通過(guò)增加鈍化層的厚度來(lái)掩蓋 陣列基板的不平坦，然而，增加鈍化層的厚度不僅會(huì)帶來(lái)成本增加等問(wèn)題，還會(huì)導(dǎo)致陣列基 板的厚度增加，不利于液晶顯示器的輕薄化。經(jīng)過(guò)研究，本申請(qǐng)的發(fā)明人認(rèn)為在不增加鈍化 層厚度以及掩模板的數(shù)目的前提下通過(guò)實(shí)現(xiàn)刻蝕過(guò)孔以及平坦化鈍化層可在不大幅增加 成本的前提下使得陣列基板更加平坦，從而降低因陣列基板高度不均帶來(lái)的各種不良。
[0037] 本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板及其制作方法。該陣列基板的制作方法包括： 在襯底基板上形成鈍化層;在鈍化層上形成光刻膠并通過(guò)曝光和顯影工藝形成包括光刻膠 完全保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域以及光刻膠完全去除區(qū)域的第一光刻膠圖案；以第一 光刻膠圖案作為掩膜對(duì)鈍化層進(jìn)行刻蝕以在鈍化層中形成第一過(guò)孔;灰化第一光刻膠圖案 以去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠并減薄光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠以形成第二光 刻膠圖案；以及以第二光刻膠圖案為掩膜對(duì)鈍化層進(jìn)行刻蝕以減薄光刻膠部分保留區(qū)域的 鈍化層。通過(guò)減薄部分鈍化層，可使得鈍化層不同區(qū)域的高度差減小，增加平坦化程度。另 一方面，由于減薄部分鈍化層和在鈍化層刻蝕過(guò)孔是在一次掩膜工藝中進(jìn)行，可減少掩模 板使用的次數(shù)，降低成本。
[0038]下面結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板及其制作方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0039] 實(shí)施例一
[0040]本實(shí)施例提供一種陣列基板的制作方法，如圖1所示，其包括以下步驟110~150。 [0041 ]步驟110:如圖2所不，提供襯底基板101，在襯底基板101上形成純化層109。
[0042] 例如，襯底基板101可為玻璃基板、石英基板、樹(shù)脂基板或其他基板;鈍化層102的 材料可為氮化娃(SiNx)、氧化娃(SiOX)或氮氧化娃(SiNxOy)等無(wú)機(jī)絕緣材料或聚酰亞胺等 有機(jī)絕緣材料。
[0043] 例如，鈍化層109的厚度可為3000-6000 A。
[0044] 例如，鈍化層109可采用蒸鍍工藝、化學(xué)氣相沉積工藝、涂覆工藝、溶膠-凝膠工藝 或其他工藝形成在襯底基板101上。
[0045] 步驟120:如圖5所示，在鈍化層109上形成光刻膠1070,并通過(guò)曝光和顯影工藝形 成包括光刻膠完全保留區(qū)域1071、光刻膠部分保留區(qū)域1072以及光刻膠完全去除區(qū)域1073 的第一光刻膠圖案107。例如，光刻膠1070的厚度可為1000-5000 A。
[0046]例如，如圖3-4所示，先在鈍化層109上形成一層光刻膠1070,然后利用灰色調(diào)掩模 板150或半色調(diào)掩模板150作為掩模板對(duì)光刻膠1070進(jìn)行曝光、顯影以形成具有光刻膠完全 保留區(qū)域1071、光刻膠部分保留區(qū)域1072以及光刻膠完全去除區(qū)域1073的第一光刻膠圖案 107〇
[0047] 例如，如圖4所示，灰色調(diào)掩模板150或半色調(diào)掩模板150的全透光區(qū)域1503可對(duì)應(yīng) 第一光刻膠圖案107的光刻膠完全去除區(qū)域1073,灰色調(diào)掩模板150或半色調(diào)掩模板150的 半透光區(qū)域1502對(duì)應(yīng)第一光刻膠圖案107的光刻膠部分保留區(qū)域1072,灰色調(diào)掩模板150或 半色調(diào)掩模板150的不透光區(qū)域1501對(duì)應(yīng)第一光刻膠107的光刻膠完全保留區(qū)域1071。當(dāng) 然，這里是以正性光刻膠為例進(jìn)行了描述，但本實(shí)施例包括但不限于此。
[0048]步驟130:如圖6所示，以第一光刻膠圖案107作為掩膜對(duì)鈍化層109進(jìn)行刻蝕以在 鈍化層109中形成第一過(guò)孔1101。
[0049] 步驟140:如圖7所示，灰化第一光刻膠圖案107以去除光刻膠部分保留區(qū)域1072的 光刻膠1070并減薄光刻膠完全保留區(qū)域1071的光刻膠1070以形成第二光刻膠圖案108。
[0050] 步驟150:如圖8所示，以第二光刻膠圖案108為掩膜對(duì)鈍化層109進(jìn)行刻蝕以減薄 光刻膠部分保留區(qū)域1072的鈍化層109。
[0051 ]在本實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法中，通過(guò)減薄光刻膠部分保留區(qū)域1072的 鈍化層109可使得鈍化層109不同區(qū)域的高度差減小，提高鈍化層109表面的平坦度，從而提 高鈍化層109所在的陣列基板的平坦度，進(jìn)而降低因陣列基板不平坦帶來(lái)的液晶效率低以 及黑態(tài)分布不均等各種不良。另外，本實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法通過(guò)在鈍化層109 上形成包括光刻膠完全保留區(qū)域1071、光刻膠部分保留區(qū)域1072以及光刻膠完全去除區(qū)域 1073的第一光刻膠圖案107可在一次掩膜工藝中形成第一過(guò)孔1101以及減薄部分鈍化層 109,從而可減少掩模板使用的次數(shù)，降低成本。
[0052]例如，在本實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法中，如圖5所示，第一光刻膠 圖案107的光刻膠完全去除區(qū)域1073對(duì)應(yīng)鈍化層109上待形成第一過(guò)孔的區(qū)域;第一光刻膠 圖案107的光刻膠部分保留區(qū)域1072對(duì)應(yīng)鈍化層109上待減薄的區(qū)域。由此，可通過(guò)刻蝕工 藝在鈍化層109上對(duì)應(yīng)于第一光刻膠圖案107的光刻膠完全去除區(qū)域1073的區(qū)域形成第一 過(guò)孔，通過(guò)灰化工藝去除第一光刻膠圖案107的光刻膠部分保留區(qū)域1072,再通過(guò)刻蝕工藝 減薄鈍化層109上對(duì)應(yīng)于第一光刻膠圖案107的光刻膠部分保留區(qū)域1072的區(qū)域。需要說(shuō)明 的是，上述的刻蝕工藝包括干法刻蝕或濕法刻蝕，本實(shí)施例在此不作限制。
[0053] 例如，在本實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法中，如圖6所示，根據(jù)從襯底 基板101到鈍化層109的上表面的高度，鈍化層109包括具有第一高度出的區(qū)域1091和具有 第二高度出的區(qū)域1092,第一高度出大于第二高度H 2,第一光刻膠圖案107的光刻膠部分保 留區(qū)域1072可對(duì)應(yīng)具有第一高度出的區(qū)域1091，第一光刻膠圖案107的光刻膠完全保留區(qū) 域1073對(duì)應(yīng)具有第二高度H 2的區(qū)域1092。由此，可將鈍化層109具有第一高度出的區(qū)域1091 減薄，以接近鈍化層109具有第二高度的區(qū)域1092,從而平坦化鈍化層109。需要說(shuō)明的是， 由于上述的第一高度Hi和第二高度出用于確定鈍化層109需要減薄的區(qū)域以達(dá)到平坦化的 目的，因此第一高度出和第二高度H 2可根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行設(shè)置。需要說(shuō)明的是，上述的第一 高度出或第二高度H2不僅可指具有某一特定的值的高度，還可指具有一定數(shù)值范圍內(nèi)的高 度，上述的第一高度m數(shù)值范圍內(nèi)的不同高度的差值遠(yuǎn)小于第一高度m與第二高度H 2的差 值。
[0054] 例如，在本實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法中，減薄光刻膠部分保留區(qū) 域1072的鈍化層109以使得鈍化層109具有第一高度出的區(qū)域1091的上表面與鈍化層109具 有第二高度H 2的區(qū)域1092的上表面的高度相同，從而可使得鈍化層109的平坦度大大增加。 例如，如圖8所示，鈍化層109具有第一高度出的區(qū)域1091經(jīng)減薄后的厚度為1η，1η與第二高 度Η 2相等，從而大大增加了鈍化層109的平坦度。
[0055]例如，在本實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法中，上述的第一高度Hi指具 有一定數(shù)值范圍內(nèi)的高度，也就是說(shuō)，鈍化層109具有第一高度m的區(qū)域1091具有不同的高 度，并且上述不同的高度的差值遠(yuǎn)小于第一高度m與第二高度出的差值;此時(shí)，可將具有不 同高度的對(duì)應(yīng)鈍化層中面積較大的一個(gè)的上表面與具有第二高度出的區(qū)域1092的上表面 平齊，從而可優(yōu)化鈍化層109的平坦程度。也就是說(shuō)，在鈍化層具有第一高度m的區(qū)域具有 多個(gè)高度的情況下，可以選取該區(qū)域內(nèi)鈍化層的面積較大的部分的高度作為衡量標(biāo)準(zhǔn)，使 之與鈍化層的具有第二高度h 2的區(qū)域的上表面齊平。同樣，在鈍化層具有第二高度h2的區(qū)域 具有多個(gè)高度的情況下，也可以選取該區(qū)域內(nèi)鈍化層的面積較大的部分的高度作為衡量標(biāo) 準(zhǔn)，從而使得具有第一高度的區(qū)域減薄后的高度與之相等。
[0056]例如，本實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法還可包括:根據(jù)第一高度出和 第二高度出的高度差確定鈍化層109具有第一高度m的區(qū)域1091待減薄的減薄厚度。例如， 鈍化層109具有第一高度m的區(qū)域1091待減薄的減薄厚度可等于第一高度m和第二高度h 2 的高度差。
[0057] 例如，本實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法中，減薄厚度小于鈍化層的厚 度。需要說(shuō)明的是，因?yàn)殁g化層需要對(duì)其下的結(jié)構(gòu)進(jìn)行絕緣保護(hù)，減薄后的鈍化層需要一定 的厚度，因此，減薄厚度小于鈍化層本身的厚度。
[0058] 例如，本實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法還可包括:根據(jù)減薄厚度計(jì)算 刻蝕具有減薄厚度的鈍化層所需要的刻蝕速率和刻蝕時(shí)間，從而精確地刻蝕鈍化層，以達(dá) 到平坦化的目的。
[0059] 例如，可根據(jù)鈍化層和刻蝕劑的材料針對(duì)不同厚度進(jìn)行試驗(yàn)，從而確定出單位厚 度所需要的刻蝕速率和刻蝕時(shí)間，再根據(jù)上述的減薄厚度，計(jì)算刻蝕具有減薄厚度的鈍化 層所需要的刻蝕速率和刻蝕時(shí)間。
[0060] 例如，如圖7所示，本實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法，在形成鈍化層之 前，還可包括:形成薄膜晶體管180,其中，鈍化層109具有第一高度m的區(qū)域1091對(duì)應(yīng)于形 成有薄膜晶體管180的區(qū)域。
[0061 ]例如，如圖7所示，本實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法中，形成薄膜晶體 管180的步驟包括:在襯底基板101上形成柵極102;在柵極102上形成柵極絕緣層103;在柵 極絕緣層103上形成有源層104;以及在有源層104上形成與有源層104相連的源極1051和漏 極1052,鈍化層109形成在源極1051和漏極1052上，第一過(guò)孔1101形成在漏極1052上以暴露 漏極1052。
[0062] 需要說(shuō)明的是，在鈍化層109具有第一高度m的區(qū)域1091中，形成在有源層104上 的源極1051和漏極1052上的鈍化層109可具有較高的高度，形成在有源層104溝道區(qū)上的鈍 化層109可具有較矮的高度。由于這兩個(gè)高度的差值遠(yuǎn)小于第一高度m和第二高度H 2的差 值，因此，形成在有源層104上的源極1051和漏極1052上的鈍化層109和形成在有源層104溝 道區(qū)上的鈍化層109可視為具有第一高度m的區(qū)域1091。當(dāng)鈍化層109的厚度較厚時(shí)，可將 減薄厚度設(shè)置的較大，可將形成在有源層104上的源極1051和漏極1052上的鈍化層109的上 表面的高度作為第一高度Hi的衡量標(biāo)準(zhǔn)，使之與鈍化層109具有第二高度H 2的區(qū)域1092的上 表面的高度相同；當(dāng)鈍化層109的厚度較薄，不足以減薄上述的減薄厚度時(shí)，可將將減薄厚 度設(shè)置的較小，可將形成在有源層104溝道區(qū)上的鈍化層109的上表面的高度作為第一高度 Hi的衡量標(biāo)準(zhǔn)，使之與鈍化層109具有第二高度H2的區(qū)域1092的上表面的高度相同。另外，根 據(jù)實(shí)際需求，也可將形成在有源層上的源極和漏極上的鈍化層視為鈍化層具有第一高度Hi 的區(qū)域，將形成在有源層溝道區(qū)上的鈍化層視為鈍化層具有第二高度H2的區(qū)域，從而使形 成在薄膜晶體管上方的鈍化層平坦化。也就是說(shuō)，本實(shí)施例可用于將鈍化層上具有任意不 同高度的兩個(gè)區(qū)域平坦化，本實(shí)施例在此不作限制。
[0063] 例如，在本實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法中，如圖7所示，鈍化層109具 有第一高度出的區(qū)域與鈍化層109具有第二高度H 2的高度差大體上可由柵極102的厚度、有 源層104的厚度、或源極1051和漏極1052的厚度決定。因此，也可根據(jù)實(shí)際情況中柵極102的 厚度、有源層104的厚度、或源極1051和漏極1052的厚度來(lái)設(shè)定減薄厚度的大小。
[0064] 例如，如圖9所示，本實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法中，形成薄膜晶體 管180的步驟包括:在襯底基板101上形成有源層104;在有源層104上形成柵極絕緣層103; 在柵極絕緣層103上形成柵極102;在柵極上形成介電層106;在介電層106和柵極絕緣層103 中形成暴露有源層104的第二過(guò)孔1102;以及在介電層106上形成源極1051、漏極1052,源極 1051和漏極1052分別通過(guò)第二過(guò)孔1102與有源層104相連，鈍化層109形成在源極1051和漏 極1052上，第一過(guò)孔1101形成在漏極1052上以暴露漏極1052。如圖9所示，鈍化層109具有第 一高度f(wàn)t的區(qū)域1091對(duì)應(yīng)于形成有薄膜晶體管180的區(qū)域。需要說(shuō)明的是，上述的薄膜晶體 管180為底柵型薄膜晶體管，在此情形下，鈍化層的形成的刻蝕、光刻膠圖案的形成和灰化 可參照前述的相關(guān)內(nèi)容，在此不再贅述。
[0065] 例如，以圖7中所示的形成有頂柵型薄膜晶體管的陣列基板為例，如圖10所示，本 實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法還可包括:在鈍化層109上形成第一電極111，其 中，第一電極111形成在鈍化層109具有第二高度H 2的區(qū)域1092。
[0066] 例如，本實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法中，如圖10所示，減薄光刻膠部 分保留區(qū)域1072的鈍化層109以使得鈍化層109具有第一高度出的區(qū)域1091的上表面與第 一電極ill的上表面的高度相同。由此，相對(duì)于第二高度h 2,鈍化層109具有第一高度m的區(qū) 域1091可預(yù)留一個(gè)第一電極111的高度，從而使得形成第一電極111后的陣列基板整體的平 坦度進(jìn)一步增加。顯然，如圖9所示的具有底柵型薄膜晶體管的陣列基板同樣可包括第一電 極，其具體形成步驟、配置以及效果在此不再贅述。
[0067] 例如，以圖10中所示的形成有頂柵型薄膜晶體管的陣列基板為例，如圖11所示，本 實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法還可包括:在第一電極111上形成絕緣層113;以 及在絕緣層113上形成第二電極112。
[0068] 例如，本實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法中，如圖11所示，減薄光刻膠部 分保留區(qū)域1072的鈍化層109,并且，相對(duì)于第二高度H 2,鈍化層109具有第一高度出的區(qū)域 1091可預(yù)留一個(gè)第一電極111的高度和一個(gè)第二電極112的高度，從而使得在鈍化層109具 有第一高度出的區(qū)域1091的陣列基板的上表面與第二電極112的上表面的高度相同，從而 使得形成第一電極111和第二電極112后的陣列基板整體的平坦度進(jìn)一步增加。顯然，如圖9 所示的具有底柵型薄膜晶體管的陣列基板同樣可包括第一電極，其具體形成步驟、配置以 及效果在此不再贅述。
[0069] 例如，以圖7中所示的形成有頂柵型薄膜晶體管的陣列基板為例，如圖12所示，本 實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法還可包括:在襯底基板101上形成第二電極112， 第二電極112形成在鈍化層109具有第二高度H 2的區(qū)域1092并形成在鈍化層109與襯底基板 101之間。也就是說(shuō)，減薄光刻膠部分保留區(qū)域的鈍化層109以使其上表面的高度與光刻膠 完全保留區(qū)域的鈍化層109的上表面高度之差等于第一電極111和第二電極112的厚度之 和。顯然，如圖9所示的具有底柵型薄膜晶體管的陣列基板同樣可包括第二電極，其具體形 成步驟、配置以及效果在此不再贅述。
[0070] 例如，本實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法中，第一電極111包括像素電 極，第二電極112包括公共電極，或者，第一電極111包括公共電極，第二電極112包括像素電 極。
[0071] 例如，如圖12所示，本實(shí)施例一示例提供的陣列基板的制作方法還可包括:形成與 公共電極112相連的公共電極線114。
[0072]實(shí)施例二
[0073]本實(shí)施例提供一種陣列基板，其通過(guò)上述實(shí)施例一中的陣列基板的制作方法制作 而成。如圖13所示，鈍化層109在陣列基板上形成有薄膜晶體管180的區(qū)域具有較小的厚度， 從而可減小鈍化層109之下不同區(qū)域所疊加的膜層并不相同導(dǎo)致的高度不均，使得整個(gè)陣 列基板的平坦度增加，進(jìn)而降低因陣列基板不平坦帶來(lái)的液晶效率低以及黑態(tài)分布不均等 各種不良。
[0074]有以下幾點(diǎn)需要說(shuō)明：
[0075] (1)本發(fā)明實(shí)施例附圖中，只涉及到與本發(fā)明實(shí)施例涉及到的結(jié)構(gòu)，其他結(jié)構(gòu)可參 考通常設(shè)計(jì)。
[0076] (2)為了清晰起見(jiàn)，在用于描述本發(fā)明的實(shí)施例的附圖中，層或微結(jié)構(gòu)的厚度和尺 寸被放大?？梢岳斫猓?dāng)諸如層、膜、區(qū)域或基板之類(lèi)的元件被稱(chēng)作位于另一元件"上"或 "下"時(shí)，該元件可以"直接"位于另一元件"上"或"下"，或者可以存在中間元件。
[0077] (3)在不沖突的情況下，本發(fā)明同一實(shí)施例及不同實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0078] 以上所述，僅為本公開(kāi)的【具體實(shí)施方式】，但本公開(kāi)的保護(hù)范圍并不局限于此，任何 熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本公開(kāi)揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵 蓋在本公開(kāi)的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本公開(kāi)的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種陣列基板的制作方法，包括： 在襯底基板上形成鈍化層； 在所述鈍化層上形成光刻膠，并通過(guò)曝光和顯影工藝形成包括光刻膠完全保留區(qū)域、 光刻膠部分保留區(qū)域以及光刻膠完全去除區(qū)域的第一光刻膠圖案； 以所述第一光刻膠圖案作為掩膜對(duì)所述鈍化層進(jìn)行刻蝕以在所述鈍化層中形成第一 過(guò)孔； 灰化所述第一光刻膠圖案以去除所述光刻膠部分保留區(qū)域的所述光刻膠并減薄所述 光刻膠完全保留區(qū)域的所述光刻膠以形成第二光刻膠圖案；以及 以所述第二光刻膠圖案為掩膜對(duì)所述鈍化層進(jìn)行刻蝕以減薄所述光刻膠部分保留區(qū) 域的所述鈍化層， 其中，所述第一光刻膠圖案的所述光刻膠完全去除區(qū)域?qū)?yīng)所述鈍化層上待形成所述 第一過(guò)孔的區(qū)域;所述第一光刻膠圖案的所述光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)所述鈍化層上待減 薄的區(qū)域。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其中，根據(jù)從所述襯底基板到所述鈍化 層的上表面的高度，所述鈍化層包括具有第一高度的區(qū)域和具有第二高度的區(qū)域，所述第 一高度大于所述第二高度，所述第一光刻膠圖案的所述光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)具有所述 第一高度的區(qū)域，所述第一光刻膠圖案的所述光刻膠完全保留區(qū)域?qū)?yīng)具有所述第二高度 的區(qū)域。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制作方法，其中，減薄所述光刻膠部分保留區(qū)域的 所述鈍化層以使得所述鈍化層具有所述第一高度的區(qū)域的上表面與所述鈍化層具有所述 第二高度的區(qū)域的上表面的高度相同。4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制作方法，還包括： 根據(jù)所述第一高度和所述第二高度的高度差確定所述鈍化層具有所述第一高度的區(qū) 域待減薄的減薄厚度。5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板的制作方法，其中，所述減薄厚度小于所述鈍化層的 厚度。6. 根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的陣列基板的制作方法，還包括： 根據(jù)所述減薄厚度計(jì)算刻蝕具有所述減薄厚度的所述鈍化層所需要的刻蝕速率和刻 蝕時(shí)間。7. 根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的陣列基板的制作方法，其中，利用灰色調(diào)掩模板或 半色調(diào)掩模板作為掩模板對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影以形成具有所述光刻膠完全保留區(qū) 域、所述光刻膠部分保留區(qū)域以及所述光刻膠完全去除區(qū)域的所述第一光刻膠圖案。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其中，所述灰色調(diào)掩模板或半色調(diào)掩模 板的全透光區(qū)域?qū)?yīng)所述第一光刻膠圖案的所述光刻膠完全去除區(qū)域，所述灰色調(diào)掩模板 或半色調(diào)掩模板的半透光區(qū)域?qū)?yīng)所述第一光刻膠圖案的所述光刻膠部分保留區(qū)域，所述 灰色調(diào)掩模板或半色調(diào)掩模板的不透光區(qū)域?qū)?yīng)所述第一光刻膠的所述光刻膠完全保留 區(qū)域。9. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制作方法，在形成所述鈍化層之前，還包括： 形成薄膜晶體管，其中，所述鈍化層具有所述第一高度的區(qū)域?qū)?yīng)于形成有所述薄膜 晶體管的區(qū)域。10. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制作方法，還包括： 在所述鈍化層上形成第一電極，其中，所述第一電極形成在所述鈍化層具有所述第二 高度的區(qū)域。11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板的制作方法，其中，減薄所述光刻膠部分保留區(qū)域 的所述鈍化層以使得所述鈍化層具有所述第一高度的區(qū)域的上表面與所述第一電極的上 表面的高度相同。12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板的制作方法，還包括： 在所述第一電極上形成絕緣層；以及 在所述絕緣層上形成第二電極。13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板的制作方法，其中，減薄所述光刻膠部分保留區(qū)域 的所述鈍化層以使其上表面的高度與所述光刻膠完全保留區(qū)域的所述鈍化層的上表面高 度之差等于所述第一電極和所述第二電極的厚度之和。14. 一種陣列基板，采用如權(quán)利要求1-13中任一項(xiàng)所述的陣列基板的制作方法制作。
【文檔編號(hào)】H01L21/84GK105931995SQ201610284394
【公開(kāi)日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2016年4月29日
【發(fā)明人】劉玉東, 劉榮鋮, 萬(wàn)云海
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司