陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，所述陣列基板的制作方法包括以下步驟：在襯底基板上形成具有凹陷區(qū)和凸起區(qū)的第一絕緣層；在形成有所述第一絕緣層的所述襯底基板上形成透明導(dǎo)電薄膜；對(duì)所述透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行圖案化處理，以形成梳狀的第一透明電極和梳狀的第二透明電極，其中，所述第一透明電極的梳齒位于所述凹陷區(qū)，所述第二透明電極的梳齒位于所述凸起區(qū)。本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法，像素電極與公共電極在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成，可以減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，簡(jiǎn)化制作工藝，降低生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。
【專利說明】
陣列基板及其制作方法、顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display，TFT_LCD)由于具有體積小、功耗低、無福射等優(yōu)點(diǎn)，在平板顯示領(lǐng)域中占據(jù)了主導(dǎo)地位。其中，高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換(Advanced super Dimens1n Switch，ADSDS)型TFT-LCD采用水平電場(chǎng)來驅(qū)動(dòng)液晶，因其具有寬視角、高開口率、高透過率等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛的應(yīng)用。現(xiàn)有ADSDS結(jié)構(gòu)的陣列基板上設(shè)置有柵層(包括柵極和柵線)、柵極絕緣層、有源層、源漏電極層(包括源極、漏極和數(shù)據(jù)線)、像素電極層和公共電極層等結(jié)構(gòu)，需要通過多次圖案化工藝形成，從而增加了生產(chǎn)成本，并且降低了生產(chǎn)效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題為:如何簡(jiǎn)化ADSDS結(jié)構(gòu)的陣列基板的制作工藝，以降低生廣成本，提尚生廣效率。
[0004]為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種陣列基板的制作方法，包括:
[0005]在襯底基板上形成具有凹陷區(qū)和凸起區(qū)的第一絕緣層；
[0006]在形成有所述第一絕緣層的所述襯底基板上形成透明導(dǎo)電薄膜；
[0007]對(duì)所述透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行圖案化處理，以形成梳狀的第一透明電極和梳狀的第二透明電極，其中，所述第一透明電極的梳齒位于所述凹陷區(qū)，所述第二透明電極的梳齒位于所述凸起區(qū)。
[0008]可選地，所述在襯底基板上形成具有凹陷區(qū)和凸起區(qū)的第一絕緣層之前還包括:
[0009]在所述襯底基板上形成柵極、柵線和公共電極線；
[0010]在形成有所述柵極、所述柵線和所述公共電極線的所述襯底基板上形成柵極絕緣層；
[0011]在形成有所述柵極絕緣層的所述襯底基板上依次形成有源層和源漏電極層。
[0012]可選地，所述在襯底基板上形成具有凹陷區(qū)和凸起區(qū)的第一絕緣層包括:
[0013]在所述襯底基板上形成絕緣薄膜；
[0014]對(duì)所述絕緣薄膜進(jìn)行圖案化處理，以形成具有所述凹陷區(qū)和凸起區(qū)的第一絕緣層。
[0015]可選地，所述凹陷區(qū)的凹陷深度不小于所述第一絕緣層的厚度。
[0016]可選地，在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成所述凹陷區(qū)、所述凸起區(qū)、用于將所述第一透明電極與所述源漏電極層中漏極相連的第一過孔、用于將所述第二透明電極與所述公共電極線相連的第二過孔。
[0017]可選地，在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成所述凹陷區(qū)、所述凸起區(qū)、用于將所述第一透明電極與所述源漏電極層中漏極相連的第一過孔、用于將所述第二透明電極與所述公共電極線相連的第二過孔包括:
[0018]在所述絕緣薄膜上涂覆光刻膠；
[0019]對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影以形成光刻圖案，所述光刻圖案包括光刻膠全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域以及光刻膠去除區(qū)域，其中，所述光刻膠全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述凸起區(qū)，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)所述凹陷區(qū)以及用于將所述第一透明電極與所述源漏電極層中漏極相連的第一過孔，所述光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)用于將所述第二透明電極與所述公共電極線相連的第二過孔；
[0020]采用刻蝕工藝去除所述光刻膠去除區(qū)域的絕緣薄膜和柵極絕緣層，形成所述第二過孔的圖案；
[0021]利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；
[0022]利用刻蝕工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的絕緣薄膜，形成所述凹陷區(qū)以及所述第一過孔的圖案；
[0023]剝離所述光刻膠全保留區(qū)域的光刻膠。
[0024]可選地，在形成所述柵極絕緣層之后，在形成所述有源層、所述源漏電極層之前還包括:在所述柵極絕緣層上形成第二絕緣層。
[0025]可選地，所述第二絕緣層與所述第一絕緣層的選擇刻蝕比大于I。
[0026]可選地，所述第一絕緣層的材料包括氮化硅，所述第二絕緣層的材料包括以下的至少一種:氮氧化硅、氧化硅。
[0027]本發(fā)明還提供一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上設(shè)置有梳狀的第一透明電極、梳狀的第二透明電極以及具有凹陷區(qū)和凸起區(qū)的第一絕緣層，其中，所述第一透明電極的梳齒位于所述凹陷區(qū)，所述第二透明電極的梳齒位于所述凸起區(qū)。
[0028]可選地，還包括:
[0029]設(shè)置在所述第一絕緣層靠近所述襯底基板一側(cè)的源漏電極層；
[0030]設(shè)置在所述源漏電極層靠近所述襯底基板一側(cè)的有源層；
[0031]設(shè)置在所述有源層靠近所述襯底基板一側(cè)的柵極絕緣層；
[0032]設(shè)置在所述柵極絕緣層靠近所述襯底基板一側(cè)的柵極、柵線和公共電極線；
[0033]其中，所述第一透明電極通過貫穿所述第一絕緣層的第一過孔與所述源漏電極層中漏極相連，所述第二透明電極通過貫穿所述第一絕緣層以及柵極絕緣層的第二過孔與所述公共電極線相連。
[0034]可選地，所述凹陷區(qū)的凹陷深度不小于所述第一絕緣層的厚度。
[0035]可選地，還包括:位于所述柵極絕緣層與所述有源層之間的第二絕緣層。
[0036]可選地，所述第二絕緣層與所述第一絕緣層的選擇刻蝕比大于I。
[0037]可選地，其特征在于，所述第一絕緣層的材料包括氮化硅，所述第二絕緣層的材料包括以下的至少一種:氮氧化硅、氧化硅。
[0038]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，其包括如上所述的陣列基板。
[0039]與現(xiàn)有技術(shù)和產(chǎn)品相比，本發(fā)明有如下優(yōu)點(diǎn):
[0040]1、本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法，像素電極與公共電極在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成，可以減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，簡(jiǎn)化制作工藝，降低生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率；
[0041]2、本發(fā)明提供的陣列基板，在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成不在一個(gè)平面的像素電極和公共電極，更高效的實(shí)現(xiàn)ADSDS模式顯示，從而提升了陣列基板的性能。
【附圖說明】
[0042]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的流程圖；
[0043]圖2A-2F是本發(fā)明實(shí)施例提供的制作陣列基板的示意圖；
[0044]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0045]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0046]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法。如圖1所示，該制作方法包括以下步驟:
[0047]步驟SlOl、在襯底基板上形成具有凹陷區(qū)和凸起區(qū)的第一絕緣層。
[0048]例如，可以在襯底基板上形成絕緣薄膜，對(duì)該絕緣薄膜進(jìn)行圖案化處理，以形成具有凹陷區(qū)和凸起區(qū)的第一絕緣層。
[0049]步驟S102、在形成有所述第一絕緣層的所述襯底基板上形成透明導(dǎo)電薄膜。
[0050]步驟S103、對(duì)所述透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行圖案化處理，以形成梳狀的第一透明電極和梳狀的第二透明電極，其中，所述第一透明電極的梳齒位于所述凹陷區(qū)，所述第二透明電極的梳齒位于所述凸起區(qū)。
[0051 ]本實(shí)施例中提供的陣列基板的制作方法，像素電極與公共電極在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成，可以減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，從而簡(jiǎn)化了制作工藝，降低了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率。
[0052]其中，在上述制作工藝中，第一透明電極可以為像素電極，也可以為公共電極，當(dāng)?shù)谝煌该麟姌O為像素電極時(shí)，第二透明電極為公共電極，當(dāng)?shù)谝煌该麟姌O為公共電極時(shí)，第二透明電極為像素電極。
[0053]下面通過一個(gè)的實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案一種陣列基板的制作方法進(jìn)行解釋說明，該陣列基板的制作方法可以包括:
[0054]步驟S201、如圖2A所示，首先在襯底基板I上形成柵極2、柵線(圖中未示出)和公共電極線3，例如，可以在襯底基板上形成一層或多層金屬薄膜，通過對(duì)所形成的金屬薄膜進(jìn)行圖案化處理，可以在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成柵極、柵線和公共電極線的圖案；
[0055]步驟S202、如圖2B所示，在形成有柵極2、柵線和公共電極線3的所述襯底基板I上形成柵極絕緣層4;
[0056]步驟S203、如圖2C所示，在形成有柵極絕緣層4的襯底基板I上依次形成有源層5和源漏電極層6，例如，有源層可以采用非晶硅(a-Si)制成，源漏電極層可以采用金屬等導(dǎo)電材料形成；
[0057]步驟S204、如圖2D所示，在所述襯底基板上形成絕緣薄膜7(PVX)，例如，絕緣薄膜7的材料可以包括氮化硅；
[0058]步驟S205、對(duì)所述絕緣薄膜7進(jìn)行圖案化處理，以形成具有所述凹陷區(qū)71和凸起區(qū)72的第一絕緣層；
[0059]優(yōu)選地，凹陷區(qū)71的凹陷深度可以不小于絕緣薄膜7的厚度，即凹陷區(qū)71的凹陷深度可以不小于第一絕緣層的厚度，從而可以使得上述的凹陷區(qū)以及用于將源漏電極層中漏極與像素電極相連的過孔在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成，例如，凹陷區(qū)71的凹陷深度可以等于絕緣薄膜7的厚度。
[0060]為進(jìn)一步地減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，可以在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成所述凹陷區(qū)、所述凸起區(qū)、用于將所述第一透明電極(用作像素電極)與所述源漏電極層中漏極相連的第一過孔、用于將第二透明電極(用作公共電極)與所述公共電極線相連的第二過孔，例如，可以利用半透掩膜版進(jìn)行構(gòu)圖工藝，具體可以包括如下步驟:
[0061 ]步驟S2051、在所述絕緣薄膜7上涂覆光刻膠；
[0062]步驟S2052、對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影以形成光刻圖案，所述光刻圖案包括光刻膠全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域以及光刻膠去除區(qū)域，其中，所述光刻膠全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述凸起區(qū)，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)所述凹陷區(qū)以及用于將所述第一透明電極與所述源漏電極層中漏極相連的第一過孔74，所述光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)用于將所述第二透明電極與所述公共電極線相連的第二過孔73;
[0063]步驟S2053、采用刻蝕工藝去除所述光刻膠去除區(qū)域的絕緣薄膜和柵極絕緣層，形成所述第二過孔的圖案；
[0064]步驟S2054、利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠；
[0065]步驟S2055、利用刻蝕工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的絕緣薄膜，形成所述凹陷區(qū)以及所述第一過孔的圖案；
[0066]步驟S2056、剝離所述光刻膠全保留區(qū)域的光刻膠，從而形成如圖2E所示的結(jié)構(gòu)。
[0067]在上述的陣列基板的制作方法中，通過利用半透過掩膜版對(duì)絕緣薄膜進(jìn)行圖案化處理，從而能夠解決用于將第二透明電極與公共電極線3相連的第二過孔73和第一透明電極的凹陷區(qū)71深度不同不能一次刻蝕的問題，實(shí)現(xiàn)構(gòu)圖工藝次數(shù)的減少。
[0068]步驟S206、在形成有所述第一絕緣層的所述襯底基板I上形成透明導(dǎo)電薄膜。如圖2F所示，對(duì)所述透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行圖案化處理，以形成梳狀的第一透明電極8和梳狀的第二透明電極9，其中，所述第一透明電極8的梳齒81位于所述凹陷區(qū)71，所述第二透明電極9的梳齒91位于所述凸起區(qū)72，該陣列基板的俯視圖如圖3所示。
[0069 ]為實(shí)現(xiàn)均勻的電場(chǎng)，第一透明電極的多個(gè)梳齒可以均勻地布置在第二透明電極的狹縫里(即凹陷區(qū))，凹陷區(qū)的深度可以均勻。
[0070]優(yōu)選地，在上述制作過程中，在形成柵極絕緣層之后，在形成有源層5、源漏電極層6之前，所述方法還包括:在柵極絕緣層4上形成第二絕緣層，通過該第二絕緣層可以減弱或避免對(duì)柵極絕緣層的刻蝕，進(jìn)而使像素電極與公共電極的距離滿足需求，確保第一透明電極8的梳齒81以及第二透明電極9的梳齒91之間距離的均勻性。
[0071]例如，可以通過不同選擇比膜材和工藝氣體控制方法等實(shí)現(xiàn)具有相同深度的凹陷區(qū)和第二過孔圖案。例如，第二絕緣層可以選取相比第一絕緣層成分高、難以被刻蝕的材料，其中，第二絕緣層與第一絕緣層的選擇刻蝕比大于I，例如第二絕緣層與第一絕緣層的選擇刻蝕比可以為2、3、4或5等，例如，第一絕緣層的材料包括氮化硅(SiNx)，第二絕緣層的材料包括以下的至少一種:氮氧化硅(SiNyOx)、氧化硅(S1x)。此外，在對(duì)第一絕緣層進(jìn)行干刻時(shí)，還可以通過對(duì)功率和氣氛進(jìn)行控制，減弱等離子體轟擊作用，通過調(diào)整反應(yīng)氣體來減弱或避免對(duì)柵極絕緣層的刻蝕，進(jìn)而使像素電極與公共電極的距離滿足需求。
[0072]通過上述陣列基板的制作方法可以形成ADSDS結(jié)構(gòu)的陣列基板。
[0073]基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明還提供一種陣列基板，該陣列基板為可以ADSDS結(jié)構(gòu)的陣列基板，其包括襯底基板，所述襯底基板上設(shè)置有梳狀的第一透明電極、梳狀的第二透明電極以及具有凹陷區(qū)和凸起區(qū)的第一絕緣層，其中，所述第一透明電極的梳齒位于所述凹陷區(qū)，所述第二透明電極的梳齒位于所述凸起區(qū)。
[0074]其中，本實(shí)施例中提出的陣列基板還包括:
[0075]設(shè)置在所述第一絕緣層靠近所述襯底基板一側(cè)的源漏電極層；
[0076]設(shè)置在所述源漏電極層靠近所述襯底基板一側(cè)的有源層；
[0077]設(shè)置在所述有源層靠近所述襯底基板一側(cè)的柵極絕緣層；
[0078]設(shè)置在所述柵極絕緣層靠近所述襯底基板一側(cè)的柵極、柵線和公共電極線；
[0079]其中，所述第一透明電極通過貫穿所述第一絕緣層的第一過孔與所述源漏電極層中漏極相連，所述第二透明電極通過貫穿所述第一絕緣層以及柵極絕緣層的第二過孔與所述公共電極線相連。
[0080]進(jìn)一步地，所述凹陷區(qū)的凹陷深度不小于所述第一絕緣層的厚度。
[0081]其中，本實(shí)施例中提出的陣列基板還包括:位于所述柵極絕緣層與所述有源層之間的第二絕緣層。
[0082]進(jìn)一步地，所述第二絕緣層與所述第一絕緣層的選擇刻蝕比大于I。例如，第二絕緣層可以選取相比第一絕緣層成分高、難以被刻蝕的材料。
[0083]進(jìn)一步地，所述第一絕緣層的材料包括氮化硅(SiNx)，所述第二絕緣層的材料包括以下的至少一種:氮氧化硅(SiNyOx)、氧化硅(S1x)。
[0084]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板為可以ADSDS結(jié)構(gòu)的陣列基板，其中像素電極和公共電極可以在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成，可以減少構(gòu)圖工藝次數(shù)，從而簡(jiǎn)化了制作工藝，降低了生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)效率，更高效的實(shí)現(xiàn)ADSDS模式顯示，提升了陣列基板的性能。
[0085]基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例提供一種包括上述任意一種陣列基板的顯示裝置。該顯示裝置可以為:液晶顯示面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置由于包括上述任意一種陣列基板，因而可以解決同樣的技術(shù)問題，并取得相同的技術(shù)效果。
[0086]在本發(fā)明中，構(gòu)圖工藝，可只包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時(shí)還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝;光刻工藝，是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機(jī)等形成圖形的工藝。可根據(jù)本發(fā)明中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。
[0087]在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，術(shù)語“上”、“下”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡(jiǎn)化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接;可以是機(jī)械連接，也可以是電連接;可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個(gè)元件內(nèi)部的連通。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。
[0088]還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。
[0089]以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換;而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在襯底基板上形成具有凹陷區(qū)和凸起區(qū)的第一絕緣層； 在形成有所述第一絕緣層的所述襯底基板上形成透明導(dǎo)電薄膜； 對(duì)所述透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行圖案化處理，以形成梳狀的第一透明電極和梳狀的第二透明電極，其中，所述第一透明電極的梳齒位于所述凹陷區(qū)，所述第二透明電極的梳齒位于所述凸起區(qū)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成具有凹陷區(qū)和凸起區(qū)的第一絕緣層之前還包括: 在所述襯底基板上形成柵極、柵線和公共電極線； 在形成有所述柵極、所述柵線和所述公共電極線的所述襯底基板上形成柵極絕緣層； 在形成有所述柵極絕緣層的所述襯底基板上依次形成有源層和源漏電極層。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成具有凹陷區(qū)和凸起區(qū)的第一絕緣層包括: 在所述襯底基板上形成絕緣薄膜； 對(duì)所述絕緣薄膜進(jìn)行圖案化處理，以形成具有所述凹陷區(qū)和凸起區(qū)的第一絕緣層。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述凹陷區(qū)的凹陷深度不小于所述絕緣薄膜的厚度。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成所述凹陷區(qū)、所述凸起區(qū)、用于將所述第一透明電極與所述源漏電極層中漏極相連的第一過孔、用于將所述第二透明電極與所述公共電極線相連的第二過孔。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成所述凹陷區(qū)、所述凸起區(qū)、用于將所述第一透明電極與所述源漏電極層中漏極相連的第一過孔、用于將所述第二透明電極與所述公共電極線相連的第二過孔包括: 在所述絕緣薄膜上涂覆光刻膠； 對(duì)所述光刻膠進(jìn)行曝光、顯影以形成光刻圖案，所述光刻圖案包括光刻膠全保留區(qū)域、光刻膠半保留區(qū)域以及光刻膠去除區(qū)域，其中，所述光刻膠全保留區(qū)域?qū)?yīng)所述凸起區(qū)，所述光刻膠半保留區(qū)域?qū)?yīng)所述凹陷區(qū)以及用于將所述第一透明電極與所述源漏電極層中漏極相連的第一過孔，所述光刻膠去除區(qū)域?qū)?yīng)用于將所述第二透明電極與所述公共電極線相連的第二過孔； 采用刻蝕工藝去除所述光刻膠去除區(qū)域的絕緣薄膜和柵極絕緣層，形成所述第二過孔的圖案； 利用灰化工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠； 利用刻蝕工藝去除所述光刻膠半保留區(qū)域的絕緣薄膜，形成所述凹陷區(qū)以及所述第一過孔的圖案； 剝離所述光刻膠全保留區(qū)域的光刻膠。7.根據(jù)權(quán)利要求4-6任一項(xiàng)所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在形成所述柵極絕緣層之后，在形成所述有源層、所述源漏電極層之前還包括:在所述柵極絕緣層上形成第二絕緣層。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第二絕緣層與所述第一絕緣層的選擇刻蝕比大于I。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一絕緣層的材料包括氮化硅，所述第二絕緣層的材料包括以下的至少一種:氮氧化硅、氧化硅。10.一種陣列基板，其特征在于，包括襯底基板，所述襯底基板上設(shè)置有梳狀的第一透明電極、梳狀的第二透明電極以及具有凹陷區(qū)和凸起區(qū)的第一絕緣層，其中，所述第一透明電極的梳齒位于所述凹陷區(qū)，所述第二透明電極的梳齒位于所述凸起區(qū)。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，還包括: 設(shè)置在所述第一絕緣層靠近所述襯底基板一側(cè)的源漏電極層； 設(shè)置在所述源漏電極層靠近所述襯底基板一側(cè)的有源層； 設(shè)置在所述有源層靠近所述襯底基板一側(cè)的柵極絕緣層； 設(shè)置在所述柵極絕緣層靠近所述襯底基板一側(cè)的柵極、柵線和公共電極線； 其中，所述第一透明電極通過貫穿所述第一絕緣層的第一過孔與所述源漏電極層中漏極相連，所述第二透明電極通過貫穿所述第一絕緣層以及柵極絕緣層的第二過孔與所述公共電極線相連。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述凹陷區(qū)的凹陷深度不小于所述第一絕緣層的厚度。13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的陣列基板，其特征在于，還包括:位于所述柵極絕緣層與所述有源層之間的第二絕緣層。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的陣列基板，其特征在于，所述第二絕緣層與所述第一絕緣層的選擇刻蝕比大于I。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的陣列基板，其特征在于，所述第一絕緣層的材料包括氮化硅，所述第二絕緣層的材料包括以下的至少一種:氮氧化硅、氧化硅。16.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求10-15任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK105931985SQ201610320311
【公開日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2016年5月13日
【發(fā)明人】姚琪, 曹占鋒, 張鋒
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司